JPH0226894A - ダイヤモンドの気相合成方法および装置 - Google Patents
ダイヤモンドの気相合成方法および装置Info
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- JPH0226894A JPH0226894A JP17259088A JP17259088A JPH0226894A JP H0226894 A JPH0226894 A JP H0226894A JP 17259088 A JP17259088 A JP 17259088A JP 17259088 A JP17259088 A JP 17259088A JP H0226894 A JPH0226894 A JP H0226894A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド膜の気相合成
方法および装置に関し、 ダイヤモンド気相成長中の放電状態を安定に維持しおよ
び大面積の基板に厚いダイヤモンド膜を成長させること
を目的とし、 対向電極間に直流電圧を印加し、グローアーク移行領域
の放電をおこし、水素および炭素を含有するガスからダ
イヤモンドを合成する方法において、陽極をメツシュ状
金属電極としてガス通過可能にし、水冷基板ホルダに搭
載された基板を該陽極の外側近傍に配置し、ダイヤモン
ド膜を該基板上に成長させるように構成する。
方法および装置に関し、 ダイヤモンド気相成長中の放電状態を安定に維持しおよ
び大面積の基板に厚いダイヤモンド膜を成長させること
を目的とし、 対向電極間に直流電圧を印加し、グローアーク移行領域
の放電をおこし、水素および炭素を含有するガスからダ
イヤモンドを合成する方法において、陽極をメツシュ状
金属電極としてガス通過可能にし、水冷基板ホルダに搭
載された基板を該陽極の外側近傍に配置し、ダイヤモン
ド膜を該基板上に成長させるように構成する。
本発明はダイヤモンドの気相合成に関し、より詳しくは
、直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド膜の気相合
成方法および装置に関する。
、直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド膜の気相合
成方法および装置に関する。
ダイヤモンド膜は、熱伝導率が２０００ Ｗ ／ｍ Ｋ
であって、銅の４倍にも相当し、しかも、硬度および絶
縁性もすぐれており、半導体素子用のヒートシンク、回
路基板の材料として、理想的な材料である。また、広い
波長範囲にわたり透光性にすぐれており、光学材料とし
てもすぐれている。さらに、ダイヤモンドはバンドギャ
ップが５．４５ｅＶと広く、キャリア移動度の高い半導
体であるので、高温トランジスタ、高速トランジスタな
どの高性能デバイスとしても注目されている。
であって、銅の４倍にも相当し、しかも、硬度および絶
縁性もすぐれており、半導体素子用のヒートシンク、回
路基板の材料として、理想的な材料である。また、広い
波長範囲にわたり透光性にすぐれており、光学材料とし
てもすぐれている。さらに、ダイヤモンドはバンドギャ
ップが５．４５ｅＶと広く、キャリア移動度の高い半導
体であるので、高温トランジスタ、高速トランジスタな
どの高性能デバイスとしても注目されている。
ダイヤモンド膜を基板上に気相合成する方法としては、
熱フイラメントＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法、マイクロ波
ＣＶＤ法、電子衝撃ＣＶＤ法などがあり、成膜（成長）
速度が比較的高い方法として直流プラズマＣＶＤ法があ
る【例えば、Ｋ、５ｕｚｕｋｉ、 Ａ、Ｓａｗａｂｅ、
ＨｌＹａｓｕｄａ ａｎｄ Ｔ、Ｉｎｕｚｕｋａ ：
Ｇｒｏｖｔｈ ｏｆ ｄｉａｍｏｎｄ ｔｈｉｎ ｆｉ
ｌｍｓ ｂｙ ｄｃ ｐｌａｓｍａｃｈｅｍｉｃａｌ
ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、 Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、５Ｑ（１２）、 ２３ Ｍａｒｃｈ
１９８７参照）。
熱フイラメントＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法、マイクロ波
ＣＶＤ法、電子衝撃ＣＶＤ法などがあり、成膜（成長）
速度が比較的高い方法として直流プラズマＣＶＤ法があ
る【例えば、Ｋ、５ｕｚｕｋｉ、 Ａ、Ｓａｗａｂｅ、
ＨｌＹａｓｕｄａ ａｎｄ Ｔ、Ｉｎｕｚｕｋａ ：
Ｇｒｏｖｔｈ ｏｆ ｄｉａｍｏｎｄ ｔｈｉｎ ｆｉ
ｌｍｓ ｂｙ ｄｃ ｐｌａｓｍａｃｈｅｍｉｃａｌ
ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、 Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、５Ｑ（１２）、 ２３ Ｍａｒｃｈ
１９８７参照）。
従来の直流プラズマＣＶＤ法のダイヤモンド気相合成装
置は、第２図に示すように、真空ポンプなどの排気系に
接続されたチャンバ１と、チャンバ１内に対向して配置
された陰極２および基板ホルダを兼ねた陰極３と、これ
ら電極間にグローアーク移行領域の放電をおこす直流電
源４と、水素ガスおよびメタンなどの炭化水素ガスの反
応ガスをチャンバ内に流入させるガス導入管５とからな
る。陽極である基板ホルダ３は、その上にダイヤモンド
膜を被着させる基板６が搭載されている。
置は、第２図に示すように、真空ポンプなどの排気系に
接続されたチャンバ１と、チャンバ１内に対向して配置
された陰極２および基板ホルダを兼ねた陰極３と、これ
ら電極間にグローアーク移行領域の放電をおこす直流電
源４と、水素ガスおよびメタンなどの炭化水素ガスの反
応ガスをチャンバ内に流入させるガス導入管５とからな
る。陽極である基板ホルダ３は、その上にダイヤモンド
膜を被着させる基板６が搭載されている。
そして、陰極２および陽極３は冷却水７で水冷されてい
る。
る。
コノタイヤモンド気相合成装置では、チャンバ１内を減
圧状態にし、ガス導入管５から水素ガスとメチタ（ＣＨ
４）ガスを導入し、直流電源４からの電流を陰極２およ
び陽極３ （基板６）の対向電極間に流してグローアー
ク移行領域の放電を起こし、第２図に示すように、陽光
柱８が発生する。
圧状態にし、ガス導入管５から水素ガスとメチタ（ＣＨ
４）ガスを導入し、直流電源４からの電流を陰極２およ
び陽極３ （基板６）の対向電極間に流してグローアー
ク移行領域の放電を起こし、第２図に示すように、陽光
柱８が発生する。
この状態で、基板６上にダイヤモンド膜を成長させるわ
けである。
けである。
上述した装置でのダイヤモンド膜形成に右いては、基板
ホルダ３上に固定されている基板６が陽極３の一部とな
っているために、絶縁体であるダイヤモンド膜が厚く成
長すると、放電状態が変化したり、さらには放電が停止
したりする。また、基板の大型化（すなわち、ダイヤモ
ンド膜の面積を大きくすること）は容易ではない。
ホルダ３上に固定されている基板６が陽極３の一部とな
っているために、絶縁体であるダイヤモンド膜が厚く成
長すると、放電状態が変化したり、さらには放電が停止
したりする。また、基板の大型化（すなわち、ダイヤモ
ンド膜の面積を大きくすること）は容易ではない。
本発明の課題は、ダイヤモンド気相成長（合成）中の放
電状態を安定（一定）に維持できるようにすることであ
る。
電状態を安定（一定）に維持できるようにすることであ
る。
また、本発明の別の課題は、大面積の基板に厚いダイヤ
モンド膜を成長させることである。
モンド膜を成長させることである。
上述の課題が、対向電極間に直流電圧を印加し、グロー
アーク移行領域の放電をおこし、水素および炭素を含有
するガスからダイヤモンドを合成する方法において、陽
極をメツシュ状金属電極としてガス通過可能にし、水冷
基板ホルダに搭載された基板を該陽極の外側近傍に配置
し、ダイヤモンド膜を該基板上に成長させることを特徴
とするダイヤモンドの気相合成方法によって達成される
。
アーク移行領域の放電をおこし、水素および炭素を含有
するガスからダイヤモンドを合成する方法において、陽
極をメツシュ状金属電極としてガス通過可能にし、水冷
基板ホルダに搭載された基板を該陽極の外側近傍に配置
し、ダイヤモンド膜を該基板上に成長させることを特徴
とするダイヤモンドの気相合成方法によって達成される
。
また、上述の課題が、排気系に接続されたチャンバと、
該チャンバ内に対向して配置された陽極および陰極と、
該陽極および陰極間にグローアーク移行領域の放電をお
こす直流電源と、ダイヤモンド膜を被着させることにな
る基板と、該基板を搭載する基板ホルダと、反応ガスを
前記チャンバ内に流入させるガス導入管とからなるダイ
ヤモンドの気相合成装置において、前記陽極がメツシュ
状金属電極であって、前記陰極と前記基板との間で該基
板の近傍に配置されていることを特徴とするダイヤモン
ド気相合成装置によっても達成できる。
該チャンバ内に対向して配置された陽極および陰極と、
該陽極および陰極間にグローアーク移行領域の放電をお
こす直流電源と、ダイヤモンド膜を被着させることにな
る基板と、該基板を搭載する基板ホルダと、反応ガスを
前記チャンバ内に流入させるガス導入管とからなるダイ
ヤモンドの気相合成装置において、前記陽極がメツシュ
状金属電極であって、前記陰極と前記基板との間で該基
板の近傍に配置されていることを特徴とするダイヤモン
ド気相合成装置によっても達成できる。
本発明のダイヤモンド気相合成は直流プラズマＣＶＤ法
において陽極を基板と分離しかつメツシュ状金属にして
いるので、基板上に成長したダイヤモンド膜が放電状態
に影響を与えることなく、メツシュ状金属電極を反応ガ
スが通過して基板上のダイヤモンド膜成長が継続進行す
る。さらに、基板を搭載している基板ホルダを可動にす
ることによって、陽極下方で基板を移動させながらダイ
ヤモンド膜成長を行なうことで大面積基板への膜成長が
可能となる。
において陽極を基板と分離しかつメツシュ状金属にして
いるので、基板上に成長したダイヤモンド膜が放電状態
に影響を与えることなく、メツシュ状金属電極を反応ガ
スが通過して基板上のダイヤモンド膜成長が継続進行す
る。さらに、基板を搭載している基板ホルダを可動にす
ることによって、陽極下方で基板を移動させながらダイ
ヤモンド膜成長を行なうことで大面積基板への膜成長が
可能となる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施態様例によって
本発明の詳細な説明する。
本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明に係る直流プラズマＣＶＤ法ダイヤモ
ンド気相合成装置の概略図である。
ンド気相合成装置の概略図である。
この装置は真空ポンプの排気系につなぐ排気管１１のつ
いたチャンバ１２を備え、その中に水冷陰極１３が固定
配置されている。該陰極１３に対向して所定間隙でメツ
シュ状金属電極の陽極１４が固定配置されている。これ
ら陰極１３および陽極１４が直流室Ｒ１５に接続されて
いる。この場合には、水冷基板ホルダ１６がマニュプレ
ークとして少なくとも前後・左右に可動できるようにな
っており、ホルダ１６上に搭載した基板１７を移動させ
ることができる。そして、基板１７がメツシュ状陽極１
４の下側近傍に存在するようになっている。反応ガスで
ある水素ガスと炭化水素ガスとをチャンバ１２内に流入
させるガス導入管１８がチャンバ１２に取付けられかつ
陰極１３および基板ホルダ１６が冷却水１９で水冷され
ている。
いたチャンバ１２を備え、その中に水冷陰極１３が固定
配置されている。該陰極１３に対向して所定間隙でメツ
シュ状金属電極の陽極１４が固定配置されている。これ
ら陰極１３および陽極１４が直流室Ｒ１５に接続されて
いる。この場合には、水冷基板ホルダ１６がマニュプレ
ークとして少なくとも前後・左右に可動できるようにな
っており、ホルダ１６上に搭載した基板１７を移動させ
ることができる。そして、基板１７がメツシュ状陽極１
４の下側近傍に存在するようになっている。反応ガスで
ある水素ガスと炭化水素ガスとをチャンバ１２内に流入
させるガス導入管１８がチャンバ１２に取付けられかつ
陰極１３および基板ホルダ１６が冷却水１９で水冷され
ている。
陽極のメツシュ状金属電極１４はタングステン、モリブ
デンなどでできており、ダイヤモンド膜が成長する基板
１７はシリコン、モリブデンなどである。
デンなどでできており、ダイヤモンド膜が成長する基板
１７はシリコン、モリブデンなどである。
この合成装置でダイヤモンド膜を形成するには、従来の
合成装置と同様に、チャンバ１２内を減圧状態にし、ガ
ス導入管１８から反応ガスを導入し、直流電源１５から
の電流を陰極１３およびメツシュ状陽極１４間に流して
グローアーク移行領域の放電を起こし、第１図に示すよ
うに、陽光柱２０を発生させる。この陽光柱２０の一部
は陰極１３側だけでなく基板１７側にも広がって発生し
、この状態で基板１７上にダイヤモンド膜を成長させる
ことができる。この成長時に、基板ホルダ１６を前後・
左右に移動させてその上の基板１７も移動させるならば
、メツシュ状陽極のサイズよりも大きな面積の基板１７
上にダイヤモンド膜を形成することができる。
合成装置と同様に、チャンバ１２内を減圧状態にし、ガ
ス導入管１８から反応ガスを導入し、直流電源１５から
の電流を陰極１３およびメツシュ状陽極１４間に流して
グローアーク移行領域の放電を起こし、第１図に示すよ
うに、陽光柱２０を発生させる。この陽光柱２０の一部
は陰極１３側だけでなく基板１７側にも広がって発生し
、この状態で基板１７上にダイヤモンド膜を成長させる
ことができる。この成長時に、基板ホルダ１６を前後・
左右に移動させてその上の基板１７も移動させるならば
、メツシュ状陽極のサイズよりも大きな面積の基板１７
上にダイヤモンド膜を形成することができる。
実施例１
第１図に示した構造のダイヤモンド気相合成装置におい
て、陰極１３を水冷モリブデン製円板（直径２０ｍｍ）
とし、陽極１４をダンゲステンメツシュ（金網）（直径
２Ｏｎ＋＋ｎ）とし、これら対向電極間距離を１０ｍｍ
とした。基板ホルダ１６はその頂面サイズが５０ｍｍＸ
５０ｍｍで、前後・左右にそれぞれ±３０加かつ上下に
１００謳移動できるマニュブレークを用いた。
て、陰極１３を水冷モリブデン製円板（直径２０ｍｍ）
とし、陽極１４をダンゲステンメツシュ（金網）（直径
２Ｏｎ＋＋ｎ）とし、これら対向電極間距離を１０ｍｍ
とした。基板ホルダ１６はその頂面サイズが５０ｍｍＸ
５０ｍｍで、前後・左右にそれぞれ±３０加かつ上下に
１００謳移動できるマニュブレークを用いた。
基板ホルダ１６に３０ｍｍＸ３０玉Ｘ ０．５ ｍｍの
シリコンウェハ（基板）１７を搭載し、チャンバ１２内
を真空ポンプ（図示せず）にて２Ｘ１０−３Ｔｏｒｒま
で排気した後に１、ガス導入管１８より水素（Ｈ２）ガ
ス（１０ＧＳＣＣＭ）およびメタン（ＣＨ４）ガス（２
ＳＣＣＭ）の反応ガスを流し、チャンバ１２内圧力を２
００Ｔｏｒｒに保持した。定電流電源１５より電圧１．
２ ｋ Ｖで５Ａの電流を対向電極間に流して放電を起
こして陽光柱２０を発生させた。放電が安定してから、
基板ホルダ１６であるマニュプレークによってシリコン
基板１７をメツシュ状陽極１４に２ｍｍの間隙位置まで
近づけ、この状態でシリコン基板１７を前後・左右にゆ
っくり移動させながら１０時間ダイヤモンドの合成を行
なった。
シリコンウェハ（基板）１７を搭載し、チャンバ１２内
を真空ポンプ（図示せず）にて２Ｘ１０−３Ｔｏｒｒま
で排気した後に１、ガス導入管１８より水素（Ｈ２）ガ
ス（１０ＧＳＣＣＭ）およびメタン（ＣＨ４）ガス（２
ＳＣＣＭ）の反応ガスを流し、チャンバ１２内圧力を２
００Ｔｏｒｒに保持した。定電流電源１５より電圧１．
２ ｋ Ｖで５Ａの電流を対向電極間に流して放電を起
こして陽光柱２０を発生させた。放電が安定してから、
基板ホルダ１６であるマニュプレークによってシリコン
基板１７をメツシュ状陽極１４に２ｍｍの間隙位置まで
近づけ、この状態でシリコン基板１７を前後・左右にゆ
っくり移動させながら１０時間ダイヤモンドの合成を行
なった。
その結果、３０ｎｍ角の基板１７全体に厚さ約３００用
のダイヤモンド膜が得られた。得られたダイヤモンド膜
をＸ線回折、ラマン分光で調べたところ、ダイヤモンド
のみのピークが検出され、良質のダイヤモンドであるこ
とがわかった。
のダイヤモンド膜が得られた。得られたダイヤモンド膜
をＸ線回折、ラマン分光で調べたところ、ダイヤモンド
のみのピークが検出され、良質のダイヤモンドであるこ
とがわかった。
実施例２
実施例１でのダイヤモンド気相合成装置を用いて、１５
ｍｍＸ １５ｍｍＸ０．５ｍｍのシリコンウェハ（基板
）を用い、基板ホルダ１６を前後・左右には移動させず
に、実施例１での製膜条件で２４時間ダイヤモンドの合
成を行なった。２４時間の合成中、放電の状態が大きく
変化することなく、また、放電が停止することもなかっ
た。得られたダイヤモンド膜の厚さは約１．２ｍｍであ
った。さらに、Ｘ線回折、ラマン分光で調べたところ、
良質のダイヤモンドであることがわかった。
ｍｍＸ １５ｍｍＸ０．５ｍｍのシリコンウェハ（基板
）を用い、基板ホルダ１６を前後・左右には移動させず
に、実施例１での製膜条件で２４時間ダイヤモンドの合
成を行なった。２４時間の合成中、放電の状態が大きく
変化することなく、また、放電が停止することもなかっ
た。得られたダイヤモンド膜の厚さは約１．２ｍｍであ
った。さらに、Ｘ線回折、ラマン分光で調べたところ、
良質のダイヤモンドであることがわかった。
第１図は、本発明に係るダイヤモンド気相合成装置の概
略図であり、 第２図は、従来のダイヤモンド気相合成装置の概略図で
ある。 １２・・・チャンバ、 １３・・・陰極、１４・・
・陽極（メツシュ状金属電極）、１５・・・電源、
１６・・・基板ホルダ、１７・・・基板、
２０・・・陽光柱。 〔発明の効果〕 本発明によれば、直流プラズマＣＶＤ法でメツシュ状陽
極を用い、基板をこの陽極近傍で離して配置することに
よって、従来この方法では３ｏｏｔａ厚さまでしか成長
しえなかったものが１．２化の厚さまで、さらにこれ以
上の膜厚のダイヤモンド膜を合成できる。また、メツシ
ュ状陽極と基板とは離れているので、基板を移動させる
ことができて、従来電極サイズ以上の基板には製膜でき
なかったのに対してより大面積の製膜が可能となった。
略図であり、 第２図は、従来のダイヤモンド気相合成装置の概略図で
ある。 １２・・・チャンバ、 １３・・・陰極、１４・・
・陽極（メツシュ状金属電極）、１５・・・電源、
１６・・・基板ホルダ、１７・・・基板、
２０・・・陽光柱。 〔発明の効果〕 本発明によれば、直流プラズマＣＶＤ法でメツシュ状陽
極を用い、基板をこの陽極近傍で離して配置することに
よって、従来この方法では３ｏｏｔａ厚さまでしか成長
しえなかったものが１．２化の厚さまで、さらにこれ以
上の膜厚のダイヤモンド膜を合成できる。また、メツシ
ュ状陽極と基板とは離れているので、基板を移動させる
ことができて、従来電極サイズ以上の基板には製膜でき
なかったのに対してより大面積の製膜が可能となった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、対向電極間に直流電圧を印加し、グローアーク移行
領域の放電をおこし、水素および炭素を含有するガスか
らダイヤモンドを合成する方法において、陽極をメッシ
ュ状金属電極としてガス通過可能にし、水冷基板ホルダ
に搭載された基板を該陽極の外側近傍に配置し、ダイヤ
モンド膜を該基板上に成長させることを特徴とするダイ
ヤモンドの気相合成方法。 ２、排気系に接続されたチャンバと、該チャンバ内に対
向して配置された陽極および陰極と、該陽極および陰極
間にグローアーク移行領域の放電をおこす直流電源と、
ダイヤモンド膜を被着させることになる基板と、該基板
を搭載する基板ホルダと、反応ガスを前記チャンバ内に
流入させるガス導入管とからなるダイヤモンドの気相合
成装置において、前記陽極（１４）がメッシュ状金属電
極であって、前記陰極（１３）と前記基板（１７）との
間で該基板（１７）の近傍に配置されていることを特徴
とするダイヤモンド気相合成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17259088A JP2646439B2 (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | ダイヤモンドの気相合成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP17259088A JP2646439B2 (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | ダイヤモンドの気相合成方法および装置 |
Publications (2)
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| JPH0226894A true JPH0226894A (ja) | 1990-01-29 |
| JP2646439B2 JP2646439B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=15944668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17259088A Expired - Lifetime JP2646439B2 (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | ダイヤモンドの気相合成方法および装置 |
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10251857A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-22 | Ulvac Japan Ltd | 撥水性窓材とその製造方法 |
| US5932302A (en) * | 1993-07-20 | 1999-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating with ultrasonic vibration a carbon coating |
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| WO2008026395A1 (fr) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Nippon Oil Corporation | Procédé de formation de film carbone |
| JP2008150681A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Dialight Japan Co Ltd | 直流プラズマ成膜装置 |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP17259088A patent/JP2646439B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
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| US6171674B1 (en) * | 1993-07-20 | 2001-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Hard carbon coating for magnetic recording medium |
| US6183816B1 (en) | 1993-07-20 | 2001-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the coating |
| US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| JPH10251857A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-22 | Ulvac Japan Ltd | 撥水性窓材とその製造方法 |
| WO2008026395A1 (fr) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Nippon Oil Corporation | Procédé de formation de film carbone |
| JP2008150681A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Dialight Japan Co Ltd | 直流プラズマ成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2646439B2 (ja) | 1997-08-27 |
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