JPH02268062A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH02268062A JPH02268062A JP1087894A JP8789489A JPH02268062A JP H02268062 A JPH02268062 A JP H02268062A JP 1087894 A JP1087894 A JP 1087894A JP 8789489 A JP8789489 A JP 8789489A JP H02268062 A JPH02268062 A JP H02268062A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14681—Bipolar transistor imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/46—Colour picture communication systems
- H04N1/48—Picture signal generators
- H04N1/486—Picture signal generators with separate detectors, each detector being used for one specific colour component
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/41—Extracting pixel data from a plurality of image sensors simultaneously picking up an image, e.g. for increasing the field of view by combining the outputs of a plurality of sensors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光電変換装置に係り、特に複数の光電変換素子
列を有し、各光電変換素子列から独立して信号を出力す
ることの可能な光電変換装置に関する。
列を有し、各光電変換素子列から独立して信号を出力す
ることの可能な光電変換装置に関する。
［従来の技術］
カラー画像を読み取る光電変換装置は、一般に三つの異
なる分光感度を持つ三つの画素列から構成される。そし
て、この画素列が原稿上を走査することで原稿読み取り
が行われる。このとき、原稿上のある位置（Ｐ）での画
像情報を得るには。
なる分光感度を持つ三つの画素列から構成される。そし
て、この画素列が原稿上を走査することで原稿読み取り
が行われる。このとき、原稿上のある位置（Ｐ）での画
像情報を得るには。
システム側では、三つの画素列が位置Ｐを走査する間、
情報を記録する必要がある。これは、各画素列で位置Ｐ
での画像情報を得るタイミングがそれぞれ異なるため、
全部の画素列からの情報を記憶する必要があるためであ
る。
情報を記録する必要がある。これは、各画素列で位置Ｐ
での画像情報を得るタイミングがそれぞれ異なるため、
全部の画素列からの情報を記憶する必要があるためであ
る。
この記憶に必要な記録容量Ｍは、１つの画素列について
、Ｍ＝Ｎ−ｄ／ｐ （Ｎ：画素数、ｄ：画素列間距離、
ｐ：画素列を構成する画素のピッチ）が必要である。こ
の際、解像度を一定に保ちＭを小さくするためには、ｄ
を小さくすることが望ましい。
、Ｍ＝Ｎ−ｄ／ｐ （Ｎ：画素数、ｄ：画素列間距離、
ｐ：画素列を構成する画素のピッチ）が必要である。こ
の際、解像度を一定に保ちＭを小さくするためには、ｄ
を小さくすることが望ましい。
このような画素列間距離ｄの短縮を行った従来例の光電
変換装置（特開昭６２−１４７７６６に開示されたもの
である）を示す。
変換装置（特開昭６２−１４７７６６に開示されたもの
である）を示す。
第７図（Ａ）は、従来の光電変換装置の構成の説明図で
ある。第７図（Ｂ）は、かかる光電変換装置の部分拡大
図である。
ある。第７図（Ｂ）は、かかる光電変換装置の部分拡大
図である。
第７図（Ａ）に示すように、三つの異なる画素列Ａ、Ｂ
、Ｃを隣接して配置し、その一方の側に電荷転送手段ａ
ｌ、ｂ１．ＣＩを設け、他方の側に電荷転送手段ａ２．
ｂ２．ｃ２を設ける０画素列Ａ、Ｂ、Ｃを構成する画素
は、信号が電荷転送手段ａ１ 、ｂｌ＋ｃ１に転送さ
れるものと、電荷転送手段ａ２ ＊ ｂ２ ＊ Ｃ
２に転送されるものとに分割される。第７図（Ｂ）に示
すように、画素のピッチはｐであり、画素列間距離はｄ
である。
、Ｃを隣接して配置し、その一方の側に電荷転送手段ａ
ｌ、ｂ１．ＣＩを設け、他方の側に電荷転送手段ａ２．
ｂ２．ｃ２を設ける０画素列Ａ、Ｂ、Ｃを構成する画素
は、信号が電荷転送手段ａ１ 、ｂｌ＋ｃ１に転送さ
れるものと、電荷転送手段ａ２ ＊ ｂ２ ＊ Ｃ
２に転送されるものとに分割される。第７図（Ｂ）に示
すように、画素のピッチはｐであり、画素列間距離はｄ
である。
本構成の光電変換装置において２画素列Ａ。
Ｂ、Ｃの間および電荷転送手段ａ１〜Ｃ２の間の信号の
転送は、画素列Ａ、Ｂ、Ｃの間および電荷転送手段ａ１
〜Ｃ２の間に設けられた転送ゲートＴ７〜Ｔ１４によっ
て行われる。
転送は、画素列Ａ、Ｂ、Ｃの間および電荷転送手段ａ１
〜Ｃ２の間に設けられた転送ゲートＴ７〜Ｔ１４によっ
て行われる。
本構成例では一定の蓄積期間Ｔｏの後、転送ゲートを三
タイミングに分けてＯＮ１０ Ｆ Ｆさせることによっ
て、画素列Ａ、Ｂ、Ｃで発生した光電荷を電荷転送手段
ａ１〜Ｃ２へ短時間に垂直転送し、その後水平転送して
いる。かかる構成の光電変換装置は、各画素列間に転送
ゲートがあるだけなので、画素列間距離ｄを小さくする
ことができる。
タイミングに分けてＯＮ１０ Ｆ Ｆさせることによっ
て、画素列Ａ、Ｂ、Ｃで発生した光電荷を電荷転送手段
ａ１〜Ｃ２へ短時間に垂直転送し、その後水平転送して
いる。かかる構成の光電変換装置は、各画素列間に転送
ゲートがあるだけなので、画素列間距離ｄを小さくする
ことができる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来例では画素列Ａ、Ｂ。
Ｃから水平転送部ａ１〜Ｃ２への転送を、垂直ゲートを
用い各画素列の光電変換部（Ｍ積出）を通して行ってい
るため、垂直転送は画素列Ａ。
用い各画素列の光電変換部（Ｍ積出）を通して行ってい
るため、垂直転送は画素列Ａ。
Ｂ、Ｃとも一括して同じタイミングで行われる。
したがって、三つの画素列を独立して駆動させることは
できなかった。
できなかった。
［課題を解決するための手段］
本発明の光電変換装置は、複数の光電変換素子列と、こ
の複数の光電変換素子列に対応した複数の走査回路とを
有し、 前記複数の光電変換素子列と前記複数の走査回路とを配
線接続したことを特徴とする。
の複数の光電変換素子列に対応した複数の走査回路とを
有し、 前記複数の光電変換素子列と前記複数の走査回路とを配
線接続したことを特徴とする。
［作用］
本発明の光電変換装置は、複数の光電変換素子列と、こ
の複数の光電変換素子列に対応した複数の走査回路とを
設け、複数の光電変換素子列と前記複数の走査回路とを
配線接続することにより、各々の光電変換素子列におけ
る信号電荷の蓄積、蓄積された信号電荷の転送を、独立
して行うことを可能とするものである。
の複数の光電変換素子列に対応した複数の走査回路とを
設け、複数の光電変換素子列と前記複数の走査回路とを
配線接続することにより、各々の光電変換素子列におけ
る信号電荷の蓄積、蓄積された信号電荷の転送を、独立
して行うことを可能とするものである。
［実施例］
以下１本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明の光電変換装置の一構成例を示す説明
図である。
図である。
同図に示すように、光電変換素子列である画素列部ｌの
各画素列Ａ、Ｂ、Ｃはそれぞれ配線を介して垂直転送・
−時蓄積部２と接続され、垂直転送φ−時蓄積積出はそ
れぞれ配線を介して水平電荷転送部３の各水平転送部構
成列ａ、ｂ、ｃと接続される。垂直転送・−時蓄積部２
および水平電荷転送部３は走査回路を構成する。
各画素列Ａ、Ｂ、Ｃはそれぞれ配線を介して垂直転送・
−時蓄積部２と接続され、垂直転送φ−時蓄積積出はそ
れぞれ配線を介して水平電荷転送部３の各水平転送部構
成列ａ、ｂ、ｃと接続される。垂直転送・−時蓄積部２
および水平電荷転送部３は走査回路を構成する。
本構成例においては、それぞれの画素列に蓄積された信
号電荷は、他の画素列を介さず配線を介して水平電荷転
送部３に送られるために、他の画素列と独立して、信号
電荷を送ることができる。
号電荷は、他の画素列を介さず配線を介して水平電荷転
送部３に送られるために、他の画素列と独立して、信号
電荷を送ることができる。
第２図は、上記光電変換装置の一回路構成を示す回路図
である。
である。
同図に示すように、画素列部ｌはＲ（赤）、Ｇ（青）、
Ｂ（緑）の三列から構成され、各画素列の光電変換部Ｓ
Ｉｌ”Ｓ３２はフォトトランジスタとなっている。
Ｂ（緑）の三列から構成され、各画素列の光電変換部Ｓ
Ｉｌ”Ｓ３２はフォトトランジスタとなっている。
Ｒ，Ｇ、Ｈの各画素列部１の光電変換部３１１〜３３２
のベースにはＭＯＳトランジスタＴｌｌ〜Ｔ３２が接続
されており、Ｒ，Ｇ、Ｈの各画素列ごとにパルスφＢＲ
Ｒ、パルスφ８ＲＧ 、パルスφＢＲ８が印加されて
、ＭＯＳ ）ランジスタＴｌｌ”Ｔ３２が０Ｎ１０ＦＦ
ｉ’ｔｌＪｉｌされ、一定の電圧ＶＢＧがベースに印加
される。光電変換部Ｓｌｌ 、 Ｓ２！ 、 Ｓ３１の
エミッタはＭＯＳ ）ランジスタＴ＊＋ 、ＴＲＩ 、
ＴＲＩを介して一時蓄積容量ＣＴ代１ ＊ ＣＴＧＩ
＊ ＣＴＢＩ に接続され、またリセット（リセッ
ト電圧Ｖ ＶＲ）動作を行わせるＭＯＳ ）ランジスタ
ＴＲＲＩ、Ｔ代Ｇｌ ｌ ＴＲＢＩ に接続される。
のベースにはＭＯＳトランジスタＴｌｌ〜Ｔ３２が接続
されており、Ｒ，Ｇ、Ｈの各画素列ごとにパルスφＢＲ
Ｒ、パルスφ８ＲＧ 、パルスφＢＲ８が印加されて
、ＭＯＳ ）ランジスタＴｌｌ”Ｔ３２が０Ｎ１０ＦＦ
ｉ’ｔｌＪｉｌされ、一定の電圧ＶＢＧがベースに印加
される。光電変換部Ｓｌｌ 、 Ｓ２！ 、 Ｓ３１の
エミッタはＭＯＳ ）ランジスタＴ＊＋ 、ＴＲＩ 、
ＴＲＩを介して一時蓄積容量ＣＴ代１ ＊ ＣＴＧＩ
＊ ＣＴＢＩ に接続され、またリセット（リセッ
ト電圧Ｖ ＶＲ）動作を行わせるＭＯＳ ）ランジスタ
ＴＲＲＩ、Ｔ代Ｇｌ ｌ ＴＲＢＩ に接続される。
−時蓄積容量ＣＴ穴１．ｃＴＧＩＣＴＲＩ は、シフト
レジスタＲ，Ｇ、Ｈによって制御されるＭＯＳ ）ラン
ジスタＴＳＲＩ 、 Ｔｓａ＋’ｒｓａ＋ を介して
、出力信号線Ｒ，Ｇ、Ｈに接続される。
レジスタＲ，Ｇ、Ｈによって制御されるＭＯＳ ）ラン
ジスタＴＳＲＩ 、 Ｔｓａ＋’ｒｓａ＋ を介して
、出力信号線Ｒ，Ｇ、Ｈに接続される。
同様にして、光電変換部Ｓ＋７〜Ｓ３２のエミッタはＭ
ＯＳトランジスタＴ＊２ 、 ＴＧ２ ＊ ＴＲ２を介
して一時蓄積容量ＣＨ１２、ＣｒＧ２ 、 ＣＴＲ２
に接続され、またリセット動作を行わせるＮＯＳ ）ラ
ンジスタＴＲＲ２、ＴｌｌＧ２ 、 ＴＲ８２に接続
される・−時蓄積容量Ｃｒｕ 、ＣｒＧ２ 、Ｃｒａ
ｚは、シフトレジスタＲ，Ｇ、Ｈによって制御されるＭ
ＯＳトランジスタＴＳＲ２、ＴＳＧ２ 、 ＴＳ８２
を介して、出力信号線Ｒ，Ｇ、Ｂに接続される。
ＯＳトランジスタＴ＊２ 、 ＴＧ２ ＊ ＴＲ２を介
して一時蓄積容量ＣＨ１２、ＣｒＧ２ 、 ＣＴＲ２
に接続され、またリセット動作を行わせるＮＯＳ ）ラ
ンジスタＴＲＲ２、ＴｌｌＧ２ 、 ＴＲ８２に接続
される・−時蓄積容量Ｃｒｕ 、ＣｒＧ２ 、Ｃｒａ
ｚは、シフトレジスタＲ，Ｇ、Ｈによって制御されるＭ
ＯＳトランジスタＴＳＲ２、ＴＳＧ２ 、 ＴＳ８２
を介して、出力信号線Ｒ，Ｇ、Ｂに接続される。
パルスφＶＲＩＩ 、φνＲＧ ＊φｖｉａはＭＯ
Ｓ トランジスタＴＲＲＩ 、 ＴＲＧＩ ＋ Ｔ
代Ｂ＋ およびＭＯＳ ）９２９７７１代Ｒ２１ＴＲＧ
’ ｌ ＴＲＢ２ を制御し、パルスφＴＲ）φＴＧ
ＩφＩ８はＭＯＳ トランジスタＴ代貫。
Ｓ トランジスタＴＲＲＩ 、 ＴＲＧＩ ＋ Ｔ
代Ｂ＋ およびＭＯＳ ）９２９７７１代Ｒ２１ＴＲＧ
’ ｌ ＴＲＢ２ を制御し、パルスφＴＲ）φＴＧ
ＩφＩ８はＭＯＳ トランジスタＴ代貫。
ＴＧＩ 、 ＴｅｌおよびＭＯＳトランジスタＴ大２
、 Ｔｓｚ ＊Ｔ８２を制御し、パルスφＳＴＲφＳＴ
Ｇ φＳＴＢはシフトレジスタＲ，Ｇ、Ｂを介してｌｌ
ｌ０Ｓ ）ランジスタＴＳＲＩ 、 Ｔｓｃ＋ ＋
Ｔ！ｉｅ＋ および）ＩＯｓ ）ランジスタＴＳＲ２
、ＴＳＧ２ 、 ＴＳｌ＋２ を制御するものである
。
、 Ｔｓｚ ＊Ｔ８２を制御し、パルスφＳＴＲφＳＴ
Ｇ φＳＴＢはシフトレジスタＲ，Ｇ、Ｂを介してｌｌ
ｌ０Ｓ ）ランジスタＴＳＲＩ 、 Ｔｓｃ＋ ＋
Ｔ！ｉｅ＋ および）ＩＯｓ ）ランジスタＴＳＲ２
、ＴＳＧ２ 、 ＴＳｌ＋２ を制御するものである
。
なお、ＭＯＳ ）９２９７７１代１ 、 ＴＧＩ 、
Ｔｅｌ 。
Ｔｅｌ 。
ＴＲ２＋ ＴＧ２ ＊ ＴＲ２は垂直転送ゲートｆｉ２
ｂを構成し、−時蓄積容量ＣＴ大＋ ＋ ＣＴＧＩ
＋ ＣＴＲ１ＣＴＲ７、ＣｒＧ２ ＊ ＣＴＲ２は
一時蓄積容量部２ａを構成する。垂直転送ゲート部２ｂ
と一時蓄積容量部２ａは垂直転送、−時蓄積部２となる
。
ｂを構成し、−時蓄積容量ＣＴ大＋ ＋ ＣＴＧＩ
＋ ＣＴＲ１ＣＴＲ７、ＣｒＧ２ ＊ ＣＴＲ２は
一時蓄積容量部２ａを構成する。垂直転送ゲート部２ｂ
と一時蓄積容量部２ａは垂直転送、−時蓄積部２となる
。
また、ＭＯＳ ）ランジスタＴＳＲＩ 、ＴＳＧＩＴ
ｓａｒ 、 ＴＳｌ＋２ 、 Ｔｓｓ２． ＴＳＩ
＋２は水平転送ゲート部３ｃを構成する。出力信号線Ｒ
，Ｇ、Ｂは出力信号線部３ｂを構成し、シフトレジスタ
Ｒ９Ｇ、Ｂはシフトレジスタｉ３ａを構成する。シフト
レジスタ部３ａと出力信号線部３ｂと水平転送ゲート部
３ｃは水平電荷転送部３となる。
ｓａｒ 、 ＴＳｌ＋２ 、 Ｔｓｓ２． ＴＳＩ
＋２は水平転送ゲート部３ｃを構成する。出力信号線Ｒ
，Ｇ、Ｂは出力信号線部３ｂを構成し、シフトレジスタ
Ｒ９Ｇ、Ｂはシフトレジスタｉ３ａを構成する。シフト
レジスタ部３ａと出力信号線部３ｂと水平転送ゲート部
３ｃは水平電荷転送部３となる。
第３図は上記回路構成の光電変換装置の一画素列である
画素列Ｒの動作を示すタイミングチャートである。
画素列Ｒの動作を示すタイミングチャートである。
同図に示すように１時刻ｔ１において、パルスφＴＲが
印加されて、垂直転送ゲートたるＭＯＳ ）ランジスタ
ＴＲＩ 、 ＴＲ２がＯＮ状態となると、画素列Ｒの画
素での光信号が、−括して一時蓄積容量Ｃｒｕ 、
ＣＴｌ＋２へ転送される。その後、光電変換部であるフ
ォトトランジスタ構成部のベース電位は、時刻ｔ２のパ
ルスφＢＡＲの印加によってＶ８Ｇにリセットされ（完
全リセット）、さらに時刻ｔ３においてφｖｉＲが印加
されエミッタ電位がＶＶＲにリセットされる（過渡リセ
ット）、この過渡リセットの終了から次の垂直転送パル
スφＴＲ印加までの時間が、次に読み出される信号電荷
の蓄積時間である。
印加されて、垂直転送ゲートたるＭＯＳ ）ランジスタ
ＴＲＩ 、 ＴＲ２がＯＮ状態となると、画素列Ｒの画
素での光信号が、−括して一時蓄積容量Ｃｒｕ 、
ＣＴｌ＋２へ転送される。その後、光電変換部であるフ
ォトトランジスタ構成部のベース電位は、時刻ｔ２のパ
ルスφＢＡＲの印加によってＶ８Ｇにリセットされ（完
全リセット）、さらに時刻ｔ３においてφｖｉＲが印加
されエミッタ電位がＶＶＲにリセットされる（過渡リセ
ット）、この過渡リセットの終了から次の垂直転送パル
スφＴＲ印加までの時間が、次に読み出される信号電荷
の蓄積時間である。
時刻ｔｌにおいて、−時蓄積容量に送られた光信号は、
時刻ｔ４においてシフトレジスタＲの起動クロックφＳ
ＴＲの印加後、時刻ｔ５においてシフトレジスタＲから
の走査パルスによって１ビット分ずつ出力信号線Ｒに出
力される。
時刻ｔ４においてシフトレジスタＲの起動クロックφＳ
ＴＲの印加後、時刻ｔ５においてシフトレジスタＲから
の走査パルスによって１ビット分ずつ出力信号線Ｒに出
力される。
以上、画素列Ｈについて、その動作を説明したが他の画
素列についても、同様な駆動タイミングで動作させるこ
とができる。
素列についても、同様な駆動タイミングで動作させるこ
とができる。
本発明においては、前述したようにＲ，Ｇ。
Ｂの３つの独立な走査回路を用いて出力の走査を行うた
め、Ｒ，Ｇ、Ｂ駆動のためのタイミングには全く制約が
なく、３つの画素列を全く独立に駆動できる。
め、Ｒ，Ｇ、Ｂ駆動のためのタイミングには全く制約が
なく、３つの画素列を全く独立に駆動できる。
第４図は、画素列Ｒ，Ｇ、Ｂを独立に駆動するためのタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
なお、完全リセットを行わせるためのパルスφＢＲＲ、
φＢＲＧ 、φＢＲＢ 、過渡リセットパルスφＩＩ
ＲＩＩ ｌφＶＲＧ 、φＶＲＢは簡易化のために
省略しである。
φＢＲＧ 、φＢＲＢ 、過渡リセットパルスφＩＩ
ＲＩＩ ｌφＶＲＧ 、φＶＲＢは簡易化のために
省略しである。
同図に示すように、本例においては、ある垂直転送パル
スφ丁が印加された時間から、次の垂直転送パルスφ工
印加までの時間をＲ，ＧよりもＢの方を長くとってあり
（Ｔ ３ ） Ｔ ｌ＊ Ｔ２ ）、信号電荷の蓄積時
間はＲ，ＧよりもＢの方を長くしである。このように、
本発明においては、光電変換部であるフォトトランジス
タ構成部の感度等によって信号電荷の蓄積時間を任意に
変えることができる。
スφ丁が印加された時間から、次の垂直転送パルスφ工
印加までの時間をＲ，ＧよりもＢの方を長くとってあり
（Ｔ ３ ） Ｔ ｌ＊ Ｔ２ ）、信号電荷の蓄積時
間はＲ，ＧよりもＢの方を長くしである。このように、
本発明においては、光電変換部であるフォトトランジス
タ構成部の感度等によって信号電荷の蓄積時間を任意に
変えることができる。
なお、上記実施例では、光電変換部はフォトトランジス
タとなっているが、フォトダイオードのような他の光電
変換素子におきかえることもできる。また第２図に示し
た一時蓄積容量ＣＴＲＩＣＴＧＩ 、 ＣＴＲ１、Ｃ
ＴＲ２、ＣｒＧ７ 、 ＣＴＲ２はなくてもよい。
タとなっているが、フォトダイオードのような他の光電
変換素子におきかえることもできる。また第２図に示し
た一時蓄積容量ＣＴＲＩＣＴＧＩ 、 ＣＴＲ１、Ｃ
ＴＲ２、ＣｒＧ７ 、 ＣＴＲ２はなくてもよい。
第５図（Ａ） （Ｂ）は、画素列Ａ、Ｂ、Ｃを独立駆動
する他の実施例を示す説明図であり、第５図（Ａ）は概
略的説明図、第５図（Ｂ）はタイミングチャートである
。なお、第５図（Ｂ）においても、簡略化のため、パル
スφＴＲ，φＴＧ、φＴ８のみを示している。
する他の実施例を示す説明図であり、第５図（Ａ）は概
略的説明図、第５図（Ｂ）はタイミングチャートである
。なお、第５図（Ｂ）においても、簡略化のため、パル
スφＴＲ，φＴＧ、φＴ８のみを示している。
第５図（Ａ）に示すように、第２図で示した光電変換素
子が一定の速度Ｖで動き、原稿のカラー画像情報を読む
とする０例えば、Ｂ画素は、時刻１＝０から時刻ｔ＝Ｔ
ａの間に原稿情報を得るが（情報量ＴＢＩ） 、 Ｇ画
素が得る原稿情報は、ｄを画素列間の距離とすると１時
間ｔ ＝ ｄ ／ ｖだけ遅れて入ってくる（情報量Ｔ
ＧＩ） 、同様にＲ画素が得る原稿情報は、時間ｔ ＝
２ ｄ ／ ｖだけ遅れて入ってくる（情報量ＴＲＩ
） 。
子が一定の速度Ｖで動き、原稿のカラー画像情報を読む
とする０例えば、Ｂ画素は、時刻１＝０から時刻ｔ＝Ｔ
ａの間に原稿情報を得るが（情報量ＴＢＩ） 、 Ｇ画
素が得る原稿情報は、ｄを画素列間の距離とすると１時
間ｔ ＝ ｄ ／ ｖだけ遅れて入ってくる（情報量Ｔ
ＧＩ） 、同様にＲ画素が得る原稿情報は、時間ｔ ＝
２ ｄ ／ ｖだけ遅れて入ってくる（情報量ＴＲＩ
） 。
そこで、第５図（Ｂ）に示すように、Ｇ、Ｈの駆動用パ
ルスφｒＧ、φＴ１１のタイミングを時間ｔＧ（＝ｄ／
Ｖ）、時間を大 （＝２ｄ／ｖ）だけ位相的にずらす（
なお、パルスφＴＢ、φＴＧ、φＴＲ１の周ＭＴｏは全
て同じ）、こうすれば、Ｒ，Ｇ、Ｂ画素が原稿から得る
情報量は同じとなり（ＴＢ１＝ＴＧ１＝ ＴＲＩ 、
ＴＲ２＝ ＴＧ２＝ ＴＲ２、−−−１なお第５図にお
いては、ＴＢＩ 、 ＴＧＩ 、 ＴＲＩとＴＲ２゜Ｔ
Ｒ２，ＴＲ２とは等しくないがＴＢＩ 、 ＴＧＩ 、
ＴＲ１＝ＴＢ２． ＴＲ２，ＴＲ２であってもよい）
、正しいカラー情報が得られる。この場合、光電変換素
子の走査速度Ｖが変化すればｔＧ、ｔＲも変化するが、
Ｒ，Ｇ、Ｂ画素列を独立に駆動できる本発明によれば、
時間１１；、１代を変え、位相を制御することは容易で
ある。
ルスφｒＧ、φＴ１１のタイミングを時間ｔＧ（＝ｄ／
Ｖ）、時間を大 （＝２ｄ／ｖ）だけ位相的にずらす（
なお、パルスφＴＢ、φＴＧ、φＴＲ１の周ＭＴｏは全
て同じ）、こうすれば、Ｒ，Ｇ、Ｂ画素が原稿から得る
情報量は同じとなり（ＴＢ１＝ＴＧ１＝ ＴＲＩ 、
ＴＲ２＝ ＴＧ２＝ ＴＲ２、−−−１なお第５図にお
いては、ＴＢＩ 、 ＴＧＩ 、 ＴＲＩとＴＲ２゜Ｔ
Ｒ２，ＴＲ２とは等しくないがＴＢＩ 、 ＴＧＩ 、
ＴＲ１＝ＴＢ２． ＴＲ２，ＴＲ２であってもよい）
、正しいカラー情報が得られる。この場合、光電変換素
子の走査速度Ｖが変化すればｔＧ、ｔＲも変化するが、
Ｒ，Ｇ、Ｂ画素列を独立に駆動できる本発明によれば、
時間１１；、１代を変え、位相を制御することは容易で
ある。
次に１本発明を適用した画像読取装置の一例を示す。
第６図は、画像読取装置の一例の概略的構成図である。
同図において、原稿５０１は読取り部５０５に対して相
対的に矢印Ｙ方向に機械的に移動する。
対的に矢印Ｙ方向に機械的に移動する。
また、画像の読み取りは１本発明の光電変換装置たるイ
メージセンサ５０４によって矢印Ｘ方向に走査すること
で行われる。
メージセンサ５０４によって矢印Ｘ方向に走査すること
で行われる。
まず、光源５０２からの光は原稿５０１で反射し、その
反射光が結像光学系５０３を通してイメージセンサ５０
４上に像を結像する。これによって、イメージセンサ５
０４には入射光の強さに対応したキャリアが蓄積され、
光電変換されて画像信号として出力する。
反射光が結像光学系５０３を通してイメージセンサ５０
４上に像を結像する。これによって、イメージセンサ５
０４には入射光の強さに対応したキャリアが蓄積され、
光電変換されて画像信号として出力する。
この画像信号は、ＡＤ変換器５０６によりデジタル変換
され、画像処理部５０７内のメモリに画像データとして
取り込まれる。そして、シェーディング補正１色補正等
の処理が行われ、パソコン５０８又はプリンタ等へ送信
される。
され、画像処理部５０７内のメモリに画像データとして
取り込まれる。そして、シェーディング補正１色補正等
の処理が行われ、パソコン５０８又はプリンタ等へ送信
される。
こうしてＸ方向の走査の画像信号転送が終了すると、原
稿５０１がＹ方向へ相対的に移動し、以下同様の動作を
繰り返すことで、原稿５０１の前画像を電気信号に変換
し画像情報として取り出すことができる。
稿５０１がＹ方向へ相対的に移動し、以下同様の動作を
繰り返すことで、原稿５０１の前画像を電気信号に変換
し画像情報として取り出すことができる。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明による光電変換装置
によれば、次のような効果を得ることができる。
によれば、次のような効果を得ることができる。
（１）三つの画素の画素列の駆動が独立にできるように
なったため各画素列の電荷蓄積期間を自由に制御でき、
画素列間の動作の位相をずらすことも可能となった。
なったため各画素列の電荷蓄積期間を自由に制御でき、
画素列間の動作の位相をずらすことも可能となった。
（２）画素列間に転送ゲートが不要となり、従来に比べ
画素列距離を短縮することができるようになった。
画素列距離を短縮することができるようになった。
第１図は、本発明の光電変換装置の一構成例を示す説明
図である。 第２図は、上記光電変換装置の一回路構成を示す回路図
である。 第３図は上記回路構成の光電変換装置の一画素列である
画素列Ｒの動作を示すタイミングチャートである。 第４図は、画素列Ｒ，Ｇ、Ｂを独立に駆動するためのタ
イミングチャートである。 第５図（Ａ） （Ｂ）は、画素列Ａ、Ｂ、Ｃを独立駆動
する他の実施例を示す説明図である。 第６図は１画像読取装置の一例の概略的構成図である。 第７図（Ａ）は、従来の光電変換装置の構成の説明図で
ある。第７図（Ｂ）は、かかる光電変換装置の部分拡大
図である。 ｌ二画素列部、２：垂直転送−−時蓄積出、２ａニ一時
蓄積容量部、２ｂ＝垂直転送ゲート部、３：水平電荷転
送部、３ａ：シフトレジスタ部、３ｂ：出力信号線部、
３Ｃ：水平転送ゲート部。
図である。 第２図は、上記光電変換装置の一回路構成を示す回路図
である。 第３図は上記回路構成の光電変換装置の一画素列である
画素列Ｒの動作を示すタイミングチャートである。 第４図は、画素列Ｒ，Ｇ、Ｂを独立に駆動するためのタ
イミングチャートである。 第５図（Ａ） （Ｂ）は、画素列Ａ、Ｂ、Ｃを独立駆動
する他の実施例を示す説明図である。 第６図は１画像読取装置の一例の概略的構成図である。 第７図（Ａ）は、従来の光電変換装置の構成の説明図で
ある。第７図（Ｂ）は、かかる光電変換装置の部分拡大
図である。 ｌ二画素列部、２：垂直転送−−時蓄積出、２ａニ一時
蓄積容量部、２ｂ＝垂直転送ゲート部、３：水平電荷転
送部、３ａ：シフトレジスタ部、３ｂ：出力信号線部、
３Ｃ：水平転送ゲート部。
Claims (1)
- （１）複数の光電変換素子列と、この複数の光電変換素
子列に対応した複数の走査回路とを有し、前記複数の光
電変換素子列と前記複数の走査回路とを配線接続した光
電変換装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087894A JPH02268062A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 光電変換装置 |
| DE69031089T DE69031089T2 (de) | 1989-04-10 | 1990-04-09 | Photoelektrisches Umwandlungsgerät |
| US07/506,000 US5128533A (en) | 1989-04-10 | 1990-04-09 | Photoelectric converting apparatus |
| EP90303796A EP0392782B1 (en) | 1989-04-10 | 1990-04-09 | Photoelectric converting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087894A JPH02268062A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268062A true JPH02268062A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13927595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087894A Pending JPH02268062A (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 光電変換装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5128533A (ja) |
| EP (1) | EP0392782B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02268062A (ja) |
| DE (1) | DE69031089T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE175515T1 (de) * | 1991-10-15 | 1999-01-15 | Canon Kk | Informationsverarbeitungsgerät mit spurausrichtungsmechanismus |
| JP2768453B2 (ja) * | 1992-03-03 | 1998-06-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びそれを用いた装置 |
| JPH08307601A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 画像読取装置 |
| JP3143053B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | リニアイメージセンサ |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795771A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Solid-state image pickup device |
| JPS6152061A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Toshiba Corp | 密着型カラ−イメ−ジセンサ |
| US4763189A (en) * | 1984-08-31 | 1988-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Color image sensor with three line sensors on different layers separated by electrically-insulating layers |
| JPS61255062A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光センサアレイ |
| US4764813A (en) * | 1985-09-20 | 1988-08-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Variable order and period solid state image pickup device |
| JPH0665230B2 (ja) * | 1985-12-23 | 1994-08-22 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JPH084129B2 (ja) * | 1986-11-19 | 1996-01-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPH06101552B2 (ja) * | 1987-06-26 | 1994-12-12 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US4959723A (en) * | 1987-11-06 | 1990-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus having multi-phase scanning pulse to read out accumulated signal |
| JPH01164165A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Canon Inc | センサ駆動装置 |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP1087894A patent/JPH02268062A/ja active Pending
-
1990
- 1990-04-09 DE DE69031089T patent/DE69031089T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-09 US US07/506,000 patent/US5128533A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-09 EP EP90303796A patent/EP0392782B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0392782A2 (en) | 1990-10-17 |
| EP0392782B1 (en) | 1997-07-23 |
| EP0392782A3 (en) | 1991-08-21 |
| US5128533A (en) | 1992-07-07 |
| DE69031089T2 (de) | 1997-11-13 |
| DE69031089D1 (de) | 1997-08-28 |
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