JPH02265153A - フラットディスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は大画面ＴＶ用のフラットデイスプレィに関する
ものである。

（従来技術） ハイビジョン用大画面の壁かけＴＶを目指して、各種方
式のフラットデイスプレィが研究されている。デイスプ
レィデバイスとして一般に使用されているＣＲＴは、高
速の電子ビームが蛍光体を照射して励起するから、画質
の点から考えると最も優れている。しかし、４０インチ
以上のハイビジョンＴＶ用セットとなると、重量１７０
ｋｇ、奥行８５０１１ＩＩｎを越えるため、一般家庭用
としては受は入れ難い。

カソードから高速電子ビームを放出し、これをＸＹマト
リクス電極によって、蛍光面の所定アドレスを叩く様に
した電子ビーム方式のフラッ）〜デイスプレィが提案さ
れている　（米国特許第４７１９３８８号及び特開昭６
ｌ−２４２４８９）。

第１２図は上記米国特許に係るフラットデイスプレィの
構成を示している。これは内面に蛍光面を具えた前面パ
ネル（１０）と内面にバック電極（３２）を具えた背面
パネル（１６）とによって形成した扁平な空間に、ライ
ン状フィラメントカソード（１４）とアドレス電極基板
（１２）を配備すると共に、フィラメントカソード＜１
４）とアドレス電極基板（１２）との間に、これ等と平
行にグリッド状の加速電極（４２）を配備したものであ
る。アドレス電極基板（１２）の基体（２５）には多数
のアパチャー（２４）が明けられ、該アパチャー（２４
）に従って基体（２５）の一方の表面にＸ）′マトリク
スの一方向に延びるアドレス電極（２６）を配備する。

基体 （２５）の他方の表面には前記アドレス電極（２６）と
は直交する方向に延びる第２アドレス電極（２８）を配
備している。該装置の動作は２つのアドレス電極（２６
）　（２８）に同時にプラス電圧が印加された箇所にお
いて、アパチャー（２４）からビームを引き出し、高電
圧に印加された前面パネル（１０）の蛍光面を照射し発
光させるものである。

この方式は基本的にはＣＲＴと同し原理であるから、フ
ラットデイスプレィの他方式、例えばプラズマデイスプ
レィパネル（ｐｏｐ）方式、液晶ティスプレィ（ＬＣＤ
）方式、蛍光表示管（Ｖ　Ｆ　Ｄ　）方式等と比べて高
画質が得られる。

（解決すべき問題点） 高速電子ビーム方式の場き、デイスプレィ内部は１０−
’Ｔｏｒｒの真空状態に維持されるから、前面及び背面
パネルには、大気圧によって大なる圧縮力が加わる。デ
イスプレィが小形であれば、パネルのガラス厚さを増す
ことて、必要な耐圧が得られたが、第１２図に示す構造
のハイビジョン用の大型デイスプレィでは、ガラス板厚
を増すと、重量は非常に大きくなる問題がある。

（目　０勺） 本発明は爆縮を防止できる電子ビーム方式フラットデイ
スプレィを提供することを目的とする。

更に本発明は、カラー画像の画質を向上した電子ビーム
式フラットデイスプレィを提供することを目的とする。

（構　成） 本発明は、内面に蛍光面を具えた前面パネル（１０）と
背面パネルク１６）とによって形成した扁平な空間に、
背面パネル側にライン状フィラメントカソード（１４）
、前面パイ・ル側にアドレス電極基板（１２）を配置す
ると共に、アドレス電極基板（１２）の基体（２５）に
多数のアパチャー（２４）を明け、該アパチャー（２４
）に従って基体（２５）の一方の表面にＸＹマトリクス
の一方のアドレス電極（２６）、基体（２５）の他方の
表面には前記アドレス電極（２６）とは直角方向に延び
る第２アドレス電極（２８）を配設し、各ライン状フィ
ラメントカソード（１４）の両側に沿つて、アドレス電
極基板（１２）に達する高さのスペーサ条り３０）を背
面パネルク１６）内面に突設したことを特徴とする。

更に本発明は、フィラメントカソード（１４）とは反対
側のアドレス電極基板（１２）表面に、前面パネル（１
０）を支持し且つアパチャー（２４）と一致する位置に
アパチャー（３８）を全面に開けたアパチャー基板（３
６）を配備した。

蛍光面が、赤、青、緑の３原色蛍光体ドツト（１８）を
１組とするトリプレット（２０）によって形成されてい
るときは、アパチャー（２４）　（３８）は各蛍光体ド
ツト（１８）に対応して形成される。

蛍光面がモノクローム発光の場きは、アドレス電極基板
り１２）及びアパチャー基板（３６）に明けるアパチャ
ー（２４）　（３８）は各画素に対応して形成する。

（ｆヤ用効果） フィラメントカソード（１４）は常時電子を放出してい
るが、アドレス電極基板（１２）のアドレス電極（２６
）　（２８）にアドレス信号電圧が加わると、アドレス
位置のアパチャー（２４）に最も近いカソード（１４）
から電子ビーム（４０）が引き寄せられ、アドレス電極
基板（１２）のアパチャー（２４）を経て蛍光面上の対
応位置を叩く。蛍光面が３原色蛍光体のトリプレットに
よって形成され、フィラメンＩ・カソード（１４）がト
リプレット列毎に配設された場き、カソードから放出さ
れた電子はトリブレットの任意のアドレスされた蛍光体
ドツトに対応てき、１本のカソードが１組みのトリブレ
ットに対して面状の広がりをもって対応する。カソード
はアドレスパネルに接近して配置できるから、デイスプ
レィを薄く形成できる。

背面パネル面内に突設したスペーサ条（３０）はアドレ
ス基板＜１２）を支持して、カソード（１４）とアドレ
ス基板（１２）の間隔を一定に保ち、且つカソード（１
４）から放出された電子の移動を、対応するトリプレッ
トの範囲に制限することによって、スペーサ条（３０）
を越えて隣のトリブレラＦ−まで電子ヒームが移動する
ことを防止している。

しかも背面パネル内面のスペーサ条は背面パネルの機械
的曲げ強度を高めて、大気圧による圧縮に対して耐圧を
向上している。

アパチャー基板（３６）を配備した場き、電子ビーム〈
４０）は連通ずる２つのアパチャー（２４）　（３８）
を通過して蛍光面を叩き、蛍光面を発光させると共に、
アパチャー基板（３６）は前面パネル（１０）の内面を
支え、又アパチャー基板自身はアドレス電極基板（１２
）を介して背面パネル（１６）のスペーサ条（３０）の
先端によって支持されるから、両パネル（１０）　（１
Ｂ）の耐圧を著しく向上して爆縮を防止する。

（実施例） 図面及び以下の説明は本発明の１つの実施例を示すもの
てあって、これを特許請求の範囲を減縮するために理解
するべきでない。

フラットデイスプレィの前面パネルク１０）は横長さ８
８０　＋ｎｍ、　縦長さ４９７　＋ｎ＋ｎ、厚さ３　＼
４ｍ＋ｎの大型パネルであって、内面には公知のとおり
、赤、青、緑の３原色蛍光体ドツト（１８）を１組とす
るトリブレット（２０）が全面に形成されている。蛍光
体ドツト及びトリプレットは第１図に示したとおり規則
正しく配置し、多数の平行したトリプレソト列を形成し
ている。前面パネルの内面及び蛍光体ドツト間にはコン
置〜ラスト向上のためカーボンを塗布し、それ等の表面
は薄いアルミバンク＜２２）で覆い、帯電を防止する。

第５図の如く、図背面パネル（１６）は３〜４．ｍ＋ｎ
の厚いガラス板によって形成され、周囲を前面バネ・ル
（１０）の内面と一体に結きし、デイスプレィパネルユ
ニットを構成する。

背面パネル（１６）の内側には両端をアンカー（１５）
（１５）（第３図参照）に留めたライン状フィラメント
カソード（１４）が緊張状態で張られている。カソード
は直径３０〜５０ミクロンのタングステンワイヤーに酸
化バリウム等の電子のエミッター材を塗布したものであ
って、第２図の如く、裏面パネル（１６）から離れて、
接触しないようにアンカー（１５）に支持されている。

カソード（１４）は蛍光面のトリプレット（２０）の１
列毎に１本が対応し、３４５本が平行に張られる。背面
パネル（１６）の裏面には各フィラメントカン−１−’
（１４）を挾んて両側にスペーサ条（３０）が約Ｑ　、
　３　ｍｍの高さに突設され、裏面パネル（１６）の内
面及びスペーサ条（３０）の全長側面を金属膜によって
覆い、背面型ｉ　（３２）を形成する。

スペーサ状（３０）は、アドレス電極基板（１２）側が
徐々に幅狭に形成され、スペーサ条の両側面は背面パネ
ル（１６）の板面に対して、対称的に傾斜している。

カソード（１４）は公知のとおり零ボルトを中心電圧と
して振幅±２■の範囲で１００ＫＨｚの交流が加わり、
自由電子を放出しており、一方背面電極り３２）は直流
零ボルト或いはやや高い電位に保たれて、カソード（１
４）の周面から電子の放出を容易にする。

前面及び背面パオ・ル（１０）（１６）間にアドレス電
極基板（１２）が配置される。これはガラス或いはセラ
ミックによって形成された厚さｌ＋ｎｍの基体（２５）
の一方の表面に蛍光体ドツト（１８）の列毎にＸＹマト
リックスの一方に向かうアドレス電極（２６）を形成し
、基板（２５）の他方の表面には前記アドレス電極と直
交して形成され、その方向に存在する蛍光体ドツト列毎
に第２アドレス電′！ｆ１（２８）を形成する。

画電極（２６）　（２８）の交差位置は各蛍光体ドラｌ
〜（１８）に対応しており、電極交差位置に於て、電極
及び基体を貫通ずるアパチャー（２４）　（２４ａ）　
（２４１１）をアドレス電極基板（１２）の全面に亘っ
て形成する。

アドレス電極（２６）は前面バネルク１０）の幅方向に
存在する蛍光体ドツト列に対応し、３１４３本が平行に
並んでいる。

第２アドレス電極（２８）は縦方向に配列された蛍光体
ドツト列の数に対応し、１０３５本が平行に形成されて
いる。アドレス電極基板（１２）は、アパチャ（２４）
（２４ａ）（２４ｂ）間においてスペーサ条（３０）の
先端に支持され、必要により接着されて撓み振動か防止
されており、背面パネル（１６）の内面から０　、３　
＋ｎｍの高さに支えられている。スペーサ条（３０）に
は、全長の数ゲ所に於て、隣設するスペーサ条との間を
繋ぐ短い補助スペーサ（３４）が形成され、該補助スペ
ーサ（３４）の上面中央に形成した凹み（３５）／＼フ
ィラメントカソード（１４）を嵌め、カソード（１４）
の弛み及び上下振動による第２アドレス電極（２８）と
の接触を防止している。カソード（１４）と補助スペー
サ（３４）との接触は凹み（３５）に於ける点接触であ
るから、カソード（１４）は補助スペーサと接触しても
熱伝導による温度低下は殆んと起こらず、電子放出に支
障はない。

カソード（１４）は赤、青、緑の３つの蛍光体ドラ）　
（１８）からなる１トリブレツト（２０）に対応してい
るから、２つのスペーサ条（３０）　（３０）の間隔中
にはカソード（１４）を中心として３つのアパチャー（
２４）（２４ａ）　（２４１１）が対称的に開口してい
る。中央のアパチャー（２４）はカソード（１４）の真
上に位置するから、アパチャー真上のＢ蛍光体ドツト（
１８）ヘアドレスがあったときには、電子ビームを放出
することは容易である。

両側のＲ，Ｇ蛍光体ドツト（１８）に対しては、電子ビ
ーム（４０）は−旦側方へ伸びた後、電極（２６）（２
８）に引かれてアパチャー（２４）の方向ｌ＼９０６の
方向転換することになる。Ｒ蛍光体ドツト（１８）に対
応するアドレス電極に３０ボルトを加え、中央及び他の
側方電極を零ボルトとしたとき、電子軌道のシュミレー
ションの結果を、第５図Ａ、第５１２ＩＢに示した。

電子ビーノ＼（４０）は支障なく側方ｌ＼流れ、アパチ
ャー延長上のＲ蛍光体ドラ）−（１，８＞を叩くことは
確認。

された。

第５図Ａは、電子ビーム（４０）が、フイシン〉′トカ
ソード（１４）の真上のＢ蛍光体ドツトに対応するアパ
ーチャ（２４）を通過する状態を示し、第５１７１Ｂは
、電子ビームが左のＲ蛍光体ドラ１〜に対応するアパチ
ャー（２４ａ）を通過する状態を示している。

第５図Ａ、５図Ｂから、電子ビーム（４０）が、真上の
アパーチャ（２４）を通過する場合も、両側のアパーチ
ャ（２４ａ）　（２４１＋）を通過する場きでも、電子
ヒームが各アパチャーの延長上の蛍光体ドツトに当たる
面積はそればと差異はなく、画素を確実に叩き明るく鮮
明な画像を得られることを確認した。

ところか、第６図Ａ、第６図Ｂに示す如く、電子ビーム
（４０）が各アパチャー延長上の蛍光体トントに当たる
面積に大きな差異か生じ、画像のチクつき等の不都合の
あることが判った。

第５図Ａ、第５図Ｂの如く、スペーサ条（３０）の側面
が傾斜していることにより、スペーサ条（３０）、背面
パネル（１６）及びアドレス電極基板（１２）とて囲ま
れた部分の電位分布が変化し、中央、左右の何れのアパ
ーチャを通過しても、電子ビームの前面パネル（１０）
へ当たる面積に殆ど差異は生じない様に、フィラメント
カソード（１４）から放出される電子ビームの軌道か変
化すると考えられる。

第７図は本発明の他の実施例を示している。前面パネル
（１０）とアドレス電極基板（１２）とは］、＋ｎ＋ｎ
以下の間隔がある。第７図に示す如くガラス、セラミッ
クス等の絶縁材料によって形成したアパチャー基板り３
６）を前面パイ・ル（１０）とアドレス電極基板（１２
）との間に配置し、アドレス電極基板（１２）のアパチ
ャー（２４）と一致する位置にアパチャー（３８）を全
面に形成する。アパチャー基板（３６）はアパチャー　
（３８）を形成しているから、電子ビーノ＼が２つのア
パチャー（２４）　（３８）を通過して蛍光体ドラ）−
（１８）を叩くことを全く妨害しない。しかも前面パネ
ル（１０）と背面パネル（１６）との間をスペーサ条（
３４）、アドレス電極基板（１２）、アパチャー基板（
３６）によつて直接に支持するから、パネルの耐圧構造
を著しく向上するものである。

第８図は本発明の更に他の実施例であって、アパチャー
基板（３６）に加工されたアパチャー〈３８）の内径は
、アドレス電極基板（１２）のアパチャー（２４）より
も稍小径に形成した点及び前面パネル側に形成ずべきＸ
Ｙマトリクスの一方のアドレス電極（２６）を、アパチ
ャー基板（３６）の下表面に形成した点で、第７図の実
施例を改良したものである。

第８図の実施例ては、アドレス電極基板り１２）のアパ
チャー＜２４）内に露出するアドレス電極（２６）の面
積は増えるから、電子ビームの引き寄せが容易となり、
従ってアドレス電１（２６）に印加ずべき電圧を低める
ことができ、消費電力の節減に有効である。

蛍光面がモノクローム発光の場き、アドレス電極基板（
１２）及びアパチャー基板（３６）に加工すべきアパチ
ャー（２４）　（３８）は、蛍光面の画素の大きさであ
って、画素と同一ピッチに形成すればよい。この場合、
背面パネル（１６）の内面に突出するスペーザ条（３０
）は画素の１ピツチ又は複数ピッチの間隔て配設される
。

上記の実施例は、第９図Ａに示す様に、アドレス電極基
板（１２）の上に於て、アドレス電極（２６）と第２ア
ドレス電極（２８）とが基体（２５）を挟んで、重なり
６う位置の中央部に１個のアパーチャ（２４）を開設し
ている場きであるが、この場き、アパーチャや各電極の
製造時における誤差の累積により、第９図Ｂの如く、電
極（２６）と（２８）の交差部の中央がら、アパーチャ
（３）の位置にズレが生し、位置ずれが極端な場きは、
第９図Ｃのごとく、電極り２６）とく２８）との交差部
からアパーチャが外れる。これは全く光らない画素が生
しることを意味する。

上記の問題を解決するには、アドレス電極基板（１２）
の基体（２５）に、隣自うアパーチャが重ならない様に
密なるピッチで規則正しくアパーチャ（２４〉を開設し
、電極（２６）とく２８）の交差部に対応して、１以上
のアパーチャを対応させれば可い。

例えば、第１０図の如く、 アパーチャ（２４）の直径をＤａ、隣きうアバチャ−間
の最短距離をＩｎ、 第２アドレス電極（２８）の幅をＷｘｇ、電極り２８）
＜２８）間の隙間幅をＩＸｇ、第２アドレス電極のピン
チをＰｘｇ、 アドレス電極（２６）の幅をＷｘｇ、電極（２６）（２
６）間の隙間幅をＩｙｇ、アドレス電極のピッ１−をＰ
ｘｇとする。

Ｗｘｇ＝に：Ｘ　（Ｄａ十Ｉ　ａ） Ｉ　　ｘｇ＝ＩＸ　　（Ｄａ　＋　Ｉ　　ａ）Ｐｘｇ−
（ｋ＋ｊりＸ（Ｄａ＋Ｉ　ａ）Ｗｙｇ＝＋ｎＸ　（Ｄ　
ａ−１−１ａ）Ｉ）’ｇ＝ｎ＞ぐ　（Ｄａ　＋　Ｉａ）
Ｐｙｇ＝（＋ｎ＋ｎ）Ｘ（Ｄａ−１−Ｉａ）但し、ｋ、
β、Ｉｎ、１１は整数 となる様に、各部寸法を決定すれば可い。

即ち、アドレス電極（２６）、第２アドレス電極り２８
）の夫々の幅、隙間幅、ピッチがアパーチャ（２４）の
直径と、隣り合うアパチャーの最短距離の和（Ｄａ十Ｉ
ｎ）の整数倍になる様に決める。

第１０図は、ｋ＝３　　Ｎ−１珀−４ｎ−１の場ばであ
る。

第１１図は、アバ−チャフ２４）の断面か長方形の場き
である。

アパーチャ（２４）のアドレス電極（２６）方向の幅を
”ｖＶａｘ、第２アドレス電極〈２８）方向の幅をＷａ
ｙ、アドレス電極（２６）方向に隣り合うアパチャー間
の距離をｌａｘ、第２アドレス電１　（２８）方向に隣
り白うアパチャー間の距離をＩａｙとし、 第２ア■・レス電極（２８）の幅をＷＸｇ、電極（２８
）り２８）間の隙間をＩｘｇ、ピンチをＰｘｇ、アドレ
ス電ｆｌ（２６）ノ幅をｗｙ、、電ｖｉ！（２６）　（
２６）間の隙間をＩｌ’ｇ、ピンチをＦ’ｙｇとする。

Ｗｘ８＝　ｋ〉、　（Ｗａｘ−１−Ｉ　ａｘ）Ｉ　ｘｇ
−１！Ｘ　（Ｗａｘ＋　Ｉ　ａｘ）Ｐ　ｘＦｌ−（ｋ＋
　ｎ）　＞（Ｗａｘ−ｔ−Ｉ　ａｘ）Ｗｙ８＝ｍＸ　（
Ｗａｙ−１−１ａｙ）Ｉ　ｙＢ＝ｎ／（Ｗｎｙ−１−Ｉ
　ａｙ）Ｐｙｇ＝（＋ｎ＋ｎ）＞て　（Ｗａｙ＋　　Ｉ
　　ａｘ）但し、ｋ、ｌ、Ｉｎ、宣ｌは整数 となる様に、各部寸法を決定すれば可い。

即ち、第２アドレス電極（２８）の幅Ｗｘｇ、電極（２
８）　（２８）間のｔ？巨離１ｘｇ、ビ・ンチＦ’Ｘｇ
がアパーチャ（２４）のアドレス電極（２６）方向の幅
Ｗａｘと、アドレス電極（２６）方向に隣り合う電極間
Ｉｕｘの隙間の和（Ｗａｘ＋　ｆ　ａｘ）の整倍数にな
ると共に、アドレス電極（２６）の幅Ｗｙｇ、アドレス
電極（２６）（２６）間の隙間■ｙｇ、ピッチＰｙｇが
アパーチャ（２４）の第２アドレス電極（２８）方向の
幅Ｗａｙと、第２アドレス電極（２８）方向に隣りきう
電極間の隙間Ｉａｙの和（Ｗａｙ＋　Ｉ　ａｙ）の整数
倍になる様に決める。

第１１図は、ｋ＝３　１＝１１Ｏ−４１１＝］−の揚重
である。

本発明は、上記説明及び図面の記載に限定されることは
なく、当業者てあれば特許請求の範囲に記載の範囲内で
各種実施例を得ることは容易であり、それ等は本発明の
具体例であると解されるへきである。

【図面の簡単な説明】

第１Ｉ２Ｉはフラントチ仁スプレィの要部を示す斜面図
、第２図は第１図■−■線に沿う拡大断面図、第３図は
背面パネルの内面を示す平面図、第４［Ｊは背面パネル
の拡大斜面図、第５図Ａ及び第５図Ｂは、スベーザ条の
側面が傾斜しているときの電子ビーノ、の前面パネルへ
の当たり状態の説明図、第６図Ａ、第６１Ｂはスベーザ
条の側面が垂直であるときの電子ビームの前面パネルハ
＼の当たり状態の説明図、第７図、第８図はアパーチャ
基板を配備した他の実施例の断面図、第９図Ａ、第９１
Ｂ、第９図Ｃはアパーチャとアドレス電極及び第２アド
レス電極の位置関係の説明図、第１０図は円形アパーチ
ャの配列状態の説明図、第１１図は矩形アパーチャの配
列状態の説明図、第１２図は従来例の斜面図である。 （１０）・・−前面パネル （１２）−アドレス電極基板 （１４）−フィラメントカソード （１６）・・・背面パネル 〈２４）・・・アパチャー （２６）　（２８）・・・アドレス電極スベーザ条 アパチャー基板 （３８）・ アパチャー

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］内面に蛍光面を具えた前面パネル（１０）と背面
   パネル（１６）との間の扁平な空間に、背面パネル側に
   ライン状フィラメントカソード（１４）、前面パネル側
   にアドレス電極基板（１２）を配置すると共に、アドレ
   ス電極基板（１２）の基体（２５）に多数のアパチャー
   （２４）を明け、該アパチャー（２４）に従って、基体
   （２５）の一方の表面にＸＹマトリクスの一方のアドレ
   ス電極（２６）、基体（２５）の他方の表面に前記アド
   レス電極（２６）とは直角方向に延びる第２アドレス電
   極（２８）を配設して、背面パネル（１６）内面には前
   記ライン状フィラメントカソード（１４）の１本又は複
   数本毎にアドレス電極基板（１２）に達する高さのスペ
   ーサ条（３０）を突設したフラットディスプレイ。 ［２］内面に蛍光トリプレット列からなる蛍光面を具え
   た前面パネル（１０）と背面パネル（１６）との間の扁
   平な空間に、前面パネルの各トリプレット列に対応して
   背面パネルにライン状フィラメントカソード（１４）、
   前面パネル側にアドレス電極基板（１２）を配置すると
   共に、アドレス電極基板（１２）の基体（２５）に多数
   のアパチャー（２４）を明け、該アパチャー（２４）に
   従って、基体（２５）の一方の表面にＸＹマトリクスの
   一方のアドレス電極（２６）、基体（２５）の他方の表
   面に前記アドレス電極（２６）とは直角方向に延びる第
   ２アドレス電極（２８）を配設したフラットディスプレ
   イ。 ［３］内面に蛍光面を具えた前面パネル（１０）と背面
   パネル（１６）との間の扁平な空間に、背面パネルにラ
   イン状フィラメントカソード（１４）、前面パネル側に
   アドレス電極基板（１２）を配置すると共に、アドレス
   電極基板（１２）の基体（２５）に多数のアパチャー（
   ２４）を明け、該アパチャー（２４）に従って、基体（
   ２５）の一方の表面にＸＹマトリクスの一方のアドレス
   電極（２６）、基体（２５）の他方の表面に前記アドレ
   ス電極（２６）とは直角方向に延びる第２アドレス電極
   （２８）を配設しており、アドレス電極（２６）と第２
   アドレス電極（２８）がアドレス電極基板（１２）の基
   体（２５）を挟んで重り合う部分には、１個以上のアパ
   ーチャ（２４）が開設されているフラットディスプレイ
   。 ［４］背面パネル（１６）の内面には、各フィラメント
   カソード（１４）を挟んで両側にアドレス電極基板（１
   ２）達する高さのスペーサ条（３０）を突設した特許請
   求の範囲第２項又は第３項のフラットディスプレイ。 ［５］アドレス電極基板（１２）と前面パネル（１０）
   との間の間隔に、アドレス電極基板（１２）のアパチャ
   ー（２４）と一致する位置にアパチャー（３８）を明け
   たアパチャー基板（３６）を配備し、前面パネル（１０
   ）と背面パネル（１６）とをアパチャー基板（３６）、
   アドレス電極基板（１２）、スペーサ条（３０）によっ
   て支持し、爆縮を防止した特許請求の範囲第１項乃至第
   ４項の何れかに記載のフラットディスプレイ。 ［６］スペーサ条（３０）はアドレス電極基板（１２）
   側が徐々に幅狭に形成され、スペーサ条（３０）の両側
   面は背面パネル（１６）の板面に対して、傾斜している
   特許請求の範囲第１項、第３項、第４項、第５項の何れ
   かに記載のフラットディスプレイ。 ［７］アドレス電極（２６）と第２アドレス電極（２８
   ）がアドレス電極基板（１２）の基体（２５）を挟んで
   重り合う部分には、１以上のアパーチャが開設されてい
   る特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のフラットデ
   ィスプレー。