JPH02253625A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02253625A JPH02253625A JP1075545A JP7554589A JPH02253625A JP H02253625 A JPH02253625 A JP H02253625A JP 1075545 A JP1075545 A JP 1075545A JP 7554589 A JP7554589 A JP 7554589A JP H02253625 A JPH02253625 A JP H02253625A
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- Japan
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- lead
- semiconductor device
- probe
- extraction electrode
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にウェハ状態での電気的
特性試験を行う半導体装置に関する。
特性試験を行う半導体装置に関する。
従来の半導体装置は、第４図に示すように、半導体装置
ＩＡの周辺部に複数個の引き出し電極２を配列形成して
いる。この引き出し電極２は、半導体装置ＩＡを搭載し
た後にボンディングワイヤ等により外部リードに電気接
続するために用いられる。従来この引き出し電極２は一
辺が１００μ程度の寸法に形成されている。
ＩＡの周辺部に複数個の引き出し電極２を配列形成して
いる。この引き出し電極２は、半導体装置ＩＡを搭載し
た後にボンディングワイヤ等により外部リードに電気接
続するために用いられる。従来この引き出し電極２は一
辺が１００μ程度の寸法に形成されている。
この引き出し電極は、第５図に示すように、半導体基板
１１の絶縁膜１２上にアルミニウム等で形成し、保護膜
１３に設けた窓から一部を露呈させるように構成してい
る。
１１の絶縁膜１２上にアルミニウム等で形成し、保護膜
１３に設けた窓から一部を露呈させるように構成してい
る。
上述した従来の半導体装置では、パッケージ等に搭載す
る前のウェハ状態において、試験装置の探針を引き出し
電極２に接触させ、この探針を通して半導体装置に通電
を行って電気的特性試験を行っている。このため、引き
出し電極２への探針の接触により、第６図のように探針
傷Ｘが生じるという問題がある。また、探針の位置がず
れると、第７図のように、探針が保護膜１３と干渉して
クラックＹが生じる。
る前のウェハ状態において、試験装置の探針を引き出し
電極２に接触させ、この探針を通して半導体装置に通電
を行って電気的特性試験を行っている。このため、引き
出し電極２への探針の接触により、第６図のように探針
傷Ｘが生じるという問題がある。また、探針の位置がず
れると、第７図のように、探針が保護膜１３と干渉して
クラックＹが生じる。
このように、引き出し電極２の表面に傷Ｘが生じると、
表面が化学反応的に活性化され易くなり、かつ探針等か
ら不純物も付着され易くなる。このため、パッケージ等
に搭載した後、ボンディングワイヤ等を伝わって浸入さ
れてきた水分と引き出し電極表面及びパッケージ中に含
まれる不純物とにより、引き出し電極が腐蝕して？を解
し消失し易くなるという問題がある。
表面が化学反応的に活性化され易くなり、かつ探針等か
ら不純物も付着され易くなる。このため、パッケージ等
に搭載した後、ボンディングワイヤ等を伝わって浸入さ
れてきた水分と引き出し電極表面及びパッケージ中に含
まれる不純物とにより、引き出し電極が腐蝕して？を解
し消失し易くなるという問題がある。
また、第７図のように、保護膜１３に生じたクランクＹ
より同様に不純物と共に水分が浸入し、内部配線７が腐
蝕して断線するということもある。
より同様に不純物と共に水分が浸入し、内部配線７が腐
蝕して断線するということもある。
本発明は上述した問題を解消した半導体装置を提供する
ことを目的とする。
ことを目的とする。
本発明の半導体装置は、外部との電気接続を行う複数個
の引き出し電極と、これらの引き出し電極に配線により
夫々接続され、試験装置の探針を接触させる複数個の補
助引き出し電極とを半導体装置の周辺部に配設している
。
の引き出し電極と、これらの引き出し電極に配線により
夫々接続され、試験装置の探針を接触させる複数個の補
助引き出し電極とを半導体装置の周辺部に配設している
。
上述した構成では、探針を補助引き出し電極に接触させ
るので、引き出し電極に傷が生じたり、或いは引き出し
電極において保護膜にクラックが生じることが防止でき
る。
るので、引き出し電極に傷が生じたり、或いは引き出し
電極において保護膜にクラックが生じることが防止でき
る。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例の平面図である。
この図はウェハ状態の半導体装置を示しており、１枚の
ウェハに複数の半導体装置が折目状に配列形成されてい
る。各半導体装置１には夫々その周辺部に複数個の引き
出し電極２を形成している。
ウェハに複数の半導体装置が折目状に配列形成されてい
る。各半導体装置１には夫々その周辺部に複数個の引き
出し電極２を形成している。
そして、このウェハ状態において、複数の半導体装置間
に存在する切断分離領域４上には、各引き出し電極２に
配線５によって電気的に接続されている複数個の補助引
き出し電極３を配列形成している。なお、引き出し電極
２の断面構造は第５図と同じである。
に存在する切断分離領域４上には、各引き出し電極２に
配線５によって電気的に接続されている複数個の補助引
き出し電極３を配列形成している。なお、引き出し電極
２の断面構造は第５図と同じである。
この構成によれば、ウェハ状態における半導体装置１の
電気的特性試験に際しては、補助引き出し電極３に試験
装置の探針を接触させ、半導体装置に通電を行って特性
試験を実行する。
電気的特性試験に際しては、補助引き出し電極３に試験
装置の探針を接触させ、半導体装置に通電を行って特性
試験を実行する。
この特性試験を行った後、切断分離領域４においてウェ
ハを切断し、個々の半導体装置に切断分離する。この切
断により、配線５が切断され、補助引き出し電極３は各
補助引き出し電極２及び半導体装置１から分離される。
ハを切断し、個々の半導体装置に切断分離する。この切
断により、配線５が切断され、補助引き出し電極３は各
補助引き出し電極２及び半導体装置１から分離される。
なお、この後、各半導体装置ｌをパッケージ内に搭載し
、引き出し電極２に対してボンディングワイヤにより電
気的接続を行うことは言うまでもない。
、引き出し電極２に対してボンディングワイヤにより電
気的接続を行うことは言うまでもない。
したがって、この半導体装置では、電気的特性試験にお
ける探針は補助引き出し電極３に接触させて半導体装置
１に電気接続することができるので、補助引き出し電極
３に探針による傷が生じても、引き出し電極２に傷が生
じることはない。このため、ボンディングワイヤ等によ
って水分が浸入された場合でも、引き出し電極２におけ
る化学的な変化、即ちＷ１１蝕や溶解等を防止すること
が可能へなる。
ける探針は補助引き出し電極３に接触させて半導体装置
１に電気接続することができるので、補助引き出し電極
３に探針による傷が生じても、引き出し電極２に傷が生
じることはない。このため、ボンディングワイヤ等によ
って水分が浸入された場合でも、引き出し電極２におけ
る化学的な変化、即ちＷ１１蝕や溶解等を防止すること
が可能へなる。
なお、補助引き出し電極３は短辺で３０ｕｍ程度以上あ
ればよい。
ればよい。
なお、第２図に示すように、引き出し電極２と補助引き
出し電極３を結ぶ配線５にスリット６を設けてもよい。
出し電極３を結ぶ配線５にスリット６を設けてもよい。
このスリット６はパッケージ中の切断分離後の半導体装
置側面から水分の侵食をより少なくするためのものであ
る。
置側面から水分の侵食をより少なくするためのものであ
る。
第３図に本発明の第２実施例の一部を示す。この実施例
は、補助引き出し電極をウェハにおける分離切断領域で
なく、各半導体装置の内部に形成している。即ち、引き
出し電極２に隣接する余裕領域に補助引き出し電極３を
形成し、配線５により引き出し電極２に接続させている
。７は内部配線である。
は、補助引き出し電極をウェハにおける分離切断領域で
なく、各半導体装置の内部に形成している。即ち、引き
出し電極２に隣接する余裕領域に補助引き出し電極３を
形成し、配線５により引き出し電極２に接続させている
。７は内部配線である。
この構成においても、電気的特性試験に際しては補助引
き出し電極３に探針を接触させるため、引き出し電極２
における傷の発生が防止でき、搭載後における腐蝕等の
問題を解消できる。また、補助引き出し電極３を引き出
し電極２よりも大きく形成しておけば、探針の位置ずれ
による保護膜のクラックを防止し、引き出し電極や配線
の腐蝕を抑制できる。
き出し電極３に探針を接触させるため、引き出し電極２
における傷の発生が防止でき、搭載後における腐蝕等の
問題を解消できる。また、補助引き出し電極３を引き出
し電極２よりも大きく形成しておけば、探針の位置ずれ
による保護膜のクラックを防止し、引き出し電極や配線
の腐蝕を抑制できる。
また、この実施例においても、配線５にスリットを設け
てもよい。
てもよい。
なお、実際に本発明の半導体装置をプラスチックパッケ
ージに搭載、した後、例えば温度８５°Ｃで湿度８５％
の環境下で１０００Ｈｒ保管した後、プラスチックを除
去し半導体装置を検査すると、従来のものは引き出し電
極の溶解が０．１〜０．２％見られたが、本発明では０
．０５％以下に抑えることが実現できた。
ージに搭載、した後、例えば温度８５°Ｃで湿度８５％
の環境下で１０００Ｈｒ保管した後、プラスチックを除
去し半導体装置を検査すると、従来のものは引き出し電
極の溶解が０．１〜０．２％見られたが、本発明では０
．０５％以下に抑えることが実現できた。
また、探針接触時に生じる保護膜のクラックは、従来の
１％から略０に低減できることが確認された。
１％から略０に低減できることが確認された。
以上説明したように本発明は、外部との電気接続を行う
引き出し電極と、この引き出し電極に接続されて試験装
置の探針を接触させる補助引き出し電極とを半導体装置
の周辺部に配設しているので、探針を補助引き出し電極
に接触させて電気的試験を行うことができ、引き出し電
極における傷の発生や保護膜のクラックの発生が防止で
きる効果がある。
引き出し電極と、この引き出し電極に接続されて試験装
置の探針を接触させる補助引き出し電極とを半導体装置
の周辺部に配設しているので、探針を補助引き出し電極
に接触させて電気的試験を行うことができ、引き出し電
極における傷の発生や保護膜のクラックの発生が防止で
きる効果がある。
第１図は本発明の第１実施例の平面図、第２図は変形例
の一部の平面図、第３図は本発明の第２実施例の一部の
平面図、第４図は従来の半導体装置の平面図、第５図は
その一部の断面図、第６図は従来の問題点を説明するた
めの第５図と同様の断面図、第７図は従来の他の問題点
を説明するための一部の平面図である。 １、ＩＡ・・・半導体装置、２・・・引き出し電極、３
・・・補助引き出し電極、４・・・切断分離領域、５・
・・配線、６・・・スリット、７・・・内部配線、１１
・・・半導体基板、１２・・・絶縁膜、１３・・・保護
膜、Ｘ・・・傷、Ｙ・・・クラック。 第１図 第３図 第４図 第２図
の一部の平面図、第３図は本発明の第２実施例の一部の
平面図、第４図は従来の半導体装置の平面図、第５図は
その一部の断面図、第６図は従来の問題点を説明するた
めの第５図と同様の断面図、第７図は従来の他の問題点
を説明するための一部の平面図である。 １、ＩＡ・・・半導体装置、２・・・引き出し電極、３
・・・補助引き出し電極、４・・・切断分離領域、５・
・・配線、６・・・スリット、７・・・内部配線、１１
・・・半導体基板、１２・・・絶縁膜、１３・・・保護
膜、Ｘ・・・傷、Ｙ・・・クラック。 第１図 第３図 第４図 第２図
Claims (1)
- １、半導体装置の周辺部に外部との電気接続を行う複数
個の引き出し電極と、これらの引き出し電極に配線によ
り夫々接続され、試験装置の探針を接触させる複数個の
補助引き出し電極とを配設したことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075545A JPH02253625A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075545A JPH02253625A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02253625A true JPH02253625A (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=13579278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075545A Pending JPH02253625A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02253625A (ja) |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1075545A patent/JPH02253625A/ja active Pending
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