JPH0225026A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、被覆層上に別の層を設けることによって該被
覆層の開口部を通って露出された導電レベルの領域に電
気接触部を設け、被覆層の表面と導電レベルの領域を露
出しこれにより開口部の側壁上に、露出された領域を限
界する前記の別の層の残留部分を残すように、前記の別
の層を異方的にエンチングし、導電レベルの露出された
領域と導電接触を形成するように被覆層上に導電層を設
けることより成る半導体デバイスの製造方法に関するも
のである。

（従来の技術） このような方法は米国特許公告公報（Ａ−４）第６４１
４２０号に記載しであるが、ここでは接触される導電レ
ベルはドープされた珪素領域とすることができる。別の
層の残った部分すなわちスペーサ、例えば前記の米国特
許公告公報に記載されているような二酸化珪素は、アル
ミニウム層でもよい次の導電層による被覆面積をより良
くすることができるように開口部の側壁を平滑にするの
に実際役立ちはするが、スペーサすなわち残留部分の壁
は特に開口部の底近くで依然として象、となり、その結
果、接触領域とスペーサすなわち別の層の残留部分との
間に比較約２、な彎曲または角度を生じ、ここで導電性
層の破損や弱点が生じることがある。

（発明が解決しようとする課Ｂ） 本発明の目的は、スペーサすなわち別の層の残留部分を
、接触領域とスペーサすなわち別の層の残留部分との間
の彎曲または角度の急峻さを減らすような方法で形成し
、以て導電性層に破損または弱点の生じる可能性を低減
することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明は前記の目的を達成するために、被覆層上に別の
層を設けることによって該被覆層の開口部を通って露出
された導電レベルの領域に電気接触部を設け、被覆層の
表面と導電レベルの領域を露出しこれにより開口部の側
壁上に、露出された領域を限界する前記の別の層の残留
部分を残すように、前記の別の層を異方的にエツチング
し、導電レベルの露出された領域と導電接触を形成する
ように被覆層上に導電層を設けることより成る半導体デ
バイスの製造方法において、前記の別の層を、１つの材
料の第１層を被覆層主成る厚さにまた別の材料の第２層
を第１層上に成る厚さに設けることによって設け、この
別の層を、第１層が第２層よりも緩りとエッチされるよ
うにして第１層と第２層とを異なる速度でエッチする異
方性エンチング工程を用いて異方的にエッチし、被覆層
の表面と導電レベルの前記の領域を露出するこの異方性
エツチングの後、開口部の側壁が前記の１つの材料で被
覆されたまま残りまた前記の異なる材料の部分が前記の
１つの材料上を前記の露出された領域から開口部の側壁
を上方に該開口部の深さよりも小さな距離、第１層の厚
さおよび該第１層と第２層がエッチされる異なる速度と
に関係して延在するようにしたことを特徴とするもので
ある。

したがって、本発明の方法では、別の層は異なる材料の
第１層と第２層より成り、これ等の層は、異方性エツチ
ングの間異なる速度でエッチされてその結果異方性エツ
チング後に異なる高さで残る第１層と第２層の部分を生
じ、これにより、特に接触さるべき導電レベルの領域に
隣接してスペーサに緩やかな傾斜を与え、この領域に生
じる次の金属化部の破損または弱点を減少すべくする。

その上、第２層の残留部分すなわちスペーサ（したがっ
て、導電レベルの領域と接触させるために導電層が設け
られる表面の形と傾斜）が開口部の側壁を上方に延在す
る距離は、適当な異方性エツチング工程および／または
第１層の厚さを選択することにより第１層と第２層がエ
ッチされる異なる速度を決めることによって簡単に選ぶ
ことができる。更に、第１層が第２層よりも緩りとエッ
チされるようにした本発明の方法を用いることにより、
通常の自動化手段により異方性エツチングの終点を正確
に決めることができる。

その上、本発明の方法では、異方性エツチングの後露出
される導電レベルの接触領域の寸法は第２層の厚さに関
係し、したがって異方性エツチング後に露出される接触
領域の寸法は第２層の厚さを選ぶことによって所望通り
に調節することができる。更にまた、本発明の方法の使
用は、被覆層の開口部よりも小さな接触領域を生じる筈
である。

したがって、本発明の方法を用いることにより、被覆層
の開口部を実際の所望の接触領域よりも太き（すること
ができるので、例えば開口部を形成させるため感光レジ
ストマスク層に小さな窓をフォトリソグラフ技術で形成
することに関しての問題を避けることができ或いは少な
くとも軽減することができる。

本発明の好ましい一実施例では、被覆層を絶縁層として
設け、開口部を、この絶縁層をマスクを通して異方的に
エッチすることにより形成することができる。

第１層と第２層は通常は絶縁層であるが、導電層を使用
することもできる。第１層および第２層の一方を二酸化
珪素の層としてまた第１層および第２層の他方を窒化珪
素の層として設けることができる。第１層が窒化珪素の
層で第２層が二酸化珪素の層である場合には、この別の
層は、弗化水素含有プラズマを用いて異方的にエッチす
ることができる。

（実施例） 以下に添付の図面を参照して本発明を実施例によって説
明する。

図面は略図的なもので寸法比通りのものでないことを留
意され度い。見易くしまた図面を描く上での便宜上図面
の各部の相対寸法および割合（特に厚さ方向の）は誇張
しまたは縮小されている。

図面特に第１図から第６図において、半導体デバイスを
製造する本発明の方法は、被覆層３上に別の層４，５を
設けることにより被覆層３の開口部を通って露出された
導電レベル１の領域に電気接点を設け、被覆層３の表面
３ａと導電レベルの領域１０を露出するように別の層４
，５を異方性にエツチングし、それによって、露出され
た領域１０を限界する開口部２の側壁２ａ上に前記の別
の層４゜５の一部を残し、導電レベルの露出された領域
１０との電気接触を形成するために被覆層３上に導電層
６を設けることから成る。

本発明によれば、前記の別の層４，５は次のようにして
設けられる。すなわち、１つの材料の第１層４を被覆層
３上に厚さａ迄設け、別の材料の第２層５を第１層４上
に厚さｂ迄設け、第１層４が第２層５よりも緩りとエッ
チされるようにして第１層４と第２層５とが異なる速度
でエッチされる異方性エツチング工程を用いて層４と５
を異方的にエッチし、このため、被覆層３の表面３ａと
導電レベル１の前記の領域を露出するための異方性エツ
チングの後、開口部２の側壁２ａは前記の１つの材料４
０で被覆されたままでおり、前記の別の材料の部分５０
は、露出された領域１０から開口部２の側壁２ａの上方
に、開口部２の深さよりも小さな距離でそして第１層４
の厚さａおよび第１層と第２層がエッチされる異なる速
度に関係して前記の材料４０上に延在する。

本発明の実施例を図面を追って更に詳しく説明する。

第１図において、この実施例における導電レベル１は、
半導体の基板（第１図から６図には図示せず）の一部と
して設けられた金属レベル例えばアルミニウムレベルで
ある。このアルミニウムレベルは、チタン、タングステ
ン、モリブデン、コバルト、クロム、ハフニウムまたは
これ等の任意の合金或いは珪化物のような非アルミニウ
ム含有導電体の保護層で被覆することができる。第７図
に関して後に述べるように、アルミニウムレベルは、半
導体デバイスの最終金属化レベルでもよく、或いは中間
金属化レベルでもよい。導電レベルは必ずしも金属化レ
ベルである必要はなく、例えば絶縁ゲートの導電性ゲー
トを形成する例えばドープされた多結晶シリコンレベル
或いは更には、例えば、絶縁ゲート電界効果トランジス
タのソースまたはドレーンのようなドープされた領域と
することもできる。導電レベルＩは、例えば所望の金属
化パターンまたは絶縁ゲート構造を得るためにパターン
を与えられることができること、また導電レベルの１つ
の領域の部分のみが図に示されていることはあ論わかる
であろう。

この実施例におけるように導電レベル１がアルミニウム
で形成されている場合には、このアルミニウムはスパッ
タ堆積または化学気相堆積のような通常の技術を用いて
下の構造体（第１図から第６図には図示せず）上に設け
ることができ、例えば約１マイクロメートルの厚さを有
することができる。

被覆層３は、この実施例では、例えばプラズマ化学気相
堆積（ｐｌａｓｍａ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ　ｖａｐｏｕｒｄｅｐｏｓｉｔｊｏｎ）或いは、例
えばトリエチルオキシシラン（ｔｒｊｅｔｈｙｌｏｘｙ
ｓｉｌａｎｅ：ＴＥ０１）のようなオルガノシラン化合
物を用いた低圧化学気相堆積技術のような任意の適当な
技術を用いて堆積されることのできる二酸化シリコンの
層として導電レベル１上に設けられる。この被覆Ｎ３は
例えば約０．７マイクロメードルの厚さを有することが
できる。

被覆または絶縁層３の形成後、通常の感光レジシスト例
えばＨｕｎｔ　Ｃｏｍｐａｎｙでつ（られている１（Ｐ
Ｒ２０４のようなポジティブ感光レジストの層１１が例
えば約１．３マイクロメートルの厚さに被覆層３上に設
けられ、開口部２が形成される窓１２を有する感光レジ
ストマスクを形成するために通常のりソグラフィおよび
マスクパターン技術を用いてパターン付けされる。前述
よりわかるように感光レジスト層１１は被覆層３の略々
２倍の厚さとなるが、簡単のためにレジスｌ−１１１は
第１図には実際よりも幾らか薄く示しである。

被覆層３は次いで開口部２を形成するように窓１２を通
して異方的にエッチされ、これにより導電レベル１の領
域が露出する。第１図は開口部２が形成された後の構造
を示すもので、この場合窓１２の開口および異方性工・
ンチング以前の被覆層３とマスク（感光レジスト層）１
１の広がりが点線で示されている。開口部２は、上から
見た場合すなわち被覆層３の表面３ａを見上した場合に
任意の所望の形を有することができ、円形または略々円
形状の開口部でもよく、この場合には側壁２ａは連続的
で実際には単一の壁を形成するものであることは言う迄
もなくわかるであろう。

被覆Ｎ３は任意の適当な異方性エツチング技術を用いて
エッチすることができる。したがって、不活性キャリヤ
ーガス例えばアルゴン内の弗素含有プラズマ（例えば被
覆層３が二酸化珪素の場合にはＣＦ４．　ＣＨＦ３また
はＣＸＦ、　　（例えばＣ２Ｆ４）または被覆層３を形
成する絶縁材料に対して適当な場合にはＳＦ、或いはＮ
Ｆ＋）を開口部２をエッチするのに用いることができる
。

この実施例では、開口部２は約１から２マイクロメート
ルの幅を存することができる。

開口部２が形成された後、被覆層３の表面３ａを露出す
るために感光レジストマスク１１が通常の技術を用いて
除去される。第２図に示すように、被覆層３、開口部の
側壁２ａおよび露出された接点領域１０を被覆するよう
に次いで第１層４がプラズマ化学気相堆積法のよな通常
の技術を用いて窒化珪素の薄い層として設けられる。こ
の実施例では、窒化珪素層４は約１００ナノメートル（
ｎｍ）の厚さを有することができる。

次に第３図において、窒化珪素の第１層４が形成された
後第２層５が二酸化珪素の層として形成されるが、この
層もやはり任意の適当な技術例えばプラズマ化学気相堆
積法を用いて設けることができる。この二酸化珪素の第
２層５は窒化珪素の第１層４全体を覆い、約２００ｎｍ
の厚さを有することができる。

第２層５、この実施例では二酸化珪素の層が設けられて
別の層が完成されると、この別の層４５は、第４図と５
図に関して後述するように第２層５よりも第１層４をよ
り緩りとエッチする技術を用いて、例えば異方性プラズ
マエツチングにより異方的にエッチされる。

第１層と第２層４と５が夫々窒化珪素と二酸化珪素で形
成されたこの実施例では、次いで、キャリヤーガスとし
てのアルゴン内の四弗化炭素（ＣＦ４）、　ＣＨＦ：ｌ
またはＣＸＦｙ（例えばＣ２Ｆ４）のようなフルオロカ
ーボンプラズマを用いて異方性エツチングを行うことが
できる。この実施例では、二酸化珪素の第２層を窒化珪
素の第１層４の少なくとも２倍速くエッチする組合せ四
弗化炭素およびＣＩＩＦ：ｌプラズマが用いられる。

異方性エツチングの進行は通常の技術でモニターされ、
この場合にはプラズマ内の成分のスペクトル特にスペク
トルの一酸化炭素の（４８３ｒ＋ｎ＋にオケる）放出線
を検査することによってモニターされる。したがって、
−酸化炭素線の強さは最初二酸化珪素の第２層５がエッ
チされている時は大きく、次いで第４図に示すように窒
化珪素の第１層４の頂面４ａが露出された時に急に落ち
、窒化珪素の第１層４が被覆層３の頂面３ａより除去さ
れて被覆層３の二酸化珪素がエッチされ始める時に最後
に急に上る。したがって、本発明の方法を用いれば、第
１層４の存在が、通常の自動化手段による異方性エツチ
ングの終点の正確な決定を可能にする。

第５図に示した窒化珪素の第１層４が被覆層３の頂面か
ら除去される時点、したがってまた最終の接点領域１０
が露出される時点はそれ故容易且つ正確に検出すること
ができ、異方性エツチングは、プラズマ窒化珪素の第１
層４が被覆層３の頂面３ｂより取り除かれることまた最
終の接点領域１０上に設けられる導電層６との良好な電
気接続を容易にするように該接点領域に絶縁材料がない
ことを確実にするため場合によっては僅かなオーバーエ
ツチングをもって、この時点で停止する。

使用されるエツチング技術は異方性で、したがって層を
一方向にだけすなわち被覆層３の表面３ａに直角な方向
にエッチするので、プラズマ窒化珪素層表面４ａが丁度
露出された時、第４図に示すように、開口部２の側壁２
ａは、窒化珪素の第１層４および二酸化珪素の第２層５
の部分５′で覆われたままでいる。異方性エツチングは
、第２Ｊ’Ｗ５の材料、この実施例では二酸化珪素を第
１層４の材料、この実施例では窒化珪素よりも速くエッ
チするので、窒化珪素を被覆層の表面３ａより除去する
ための異方性エツチングに費やされる時間中開口部２の
側壁２ａ上の二酸化珪素の厚さは窒化珪素の厚さよりも
多く除去される。したがって、第５図に示すように異方
性エツチングの終りでは開口部２の側壁２ａは第１層４
の残りの部分すなわちスペーサ４０で覆われたままで、
更に、第２層５の残留部分５０すなわちスペーサ５０が
前記のスペーサ４０上に残る。二酸化珪素の第２層５の
残留部分すなわちスペーサ５０は、露出された領域すな
わち最終の接点領域１０から開口部２の側壁２ａの上方
に該開口部の深さｄよりも小さい距離Ｘだけ延在する。

スペーサすなわち第２層５の残留部分５０はこのように
第１Ｎ４の残留部分すなわちスペーサ４０の一部分上だ
けに延在し、したがって、第５図よりわかるように、最
終の接点領域１０を限界する開口部２の側壁に段状の輪
郭を与える。

異方性エツチングが停止されてから、導電層６が第６図
に示したように設けられる。この実施例では、前記の導
電層６は、導電レベル１と同様にして堆積されたアルミ
ニウムの別のレベルとして与えられる。第１層４が第２
層５よりも緩りとエッチされるように異なる材料の第１
層と第２層４と５を設ける結果、第５図に示すように第
１層と第２層４と５の残留部分４０と５０で形成された
段状または二重スペーサができ、このため、接点孔すな
わち開口部２の側壁２ａは、そうでない場合よりも著し
く緩やかな傾斜を有する。更に、第５図に示すように、
第１層と第２層４と５の異方性エッチングの結果第１層
４の残留部分４０の頂部４０ａが僅かに円くなる。した
がって、本発明゛の方法を用いることにより、導電層６
を、垂直に近い１頃斜および鋭いかどではなくて既に比
較的緩やかな傾斜とかどを有する表面上に設けることが
可能になり、このため、垂直に近い傾斜と鋭いかどがあ
る場合に起こりがちな導電層の不適当な被覆や弱さ或い
は更には破損のような問題を避けることができ、或いは
少なくとも軽減することができる。その上、第５図から
れかるように、本発明の方法を用いる結果最終接点領域
の面積が最初の開口部２よりも幾から小さくなるので、
特に含まれる寸法が小さな場合、１マイクロメートル或
いはそれ以下の場合、Ｎ３内の最初の開口部２を所望の
最終の接点領域１０の断面積よりも大きくつくることが
でき、このことは、感光レジストマスク層１１によって
形成される窓が最終の接点領域よりも大きくてよ（した
がって感光レジストマスク層に極めて小さな窓をフォト
リソグラフ技術で形成することに関する問題を避けるこ
とができ或いは少なくとも軽減できることを意味する。

前述したように、開口部２の側壁２ａを上方に延在する
スペーサ５０の高さＸは、第１ＦＦ４と第２層５がエッ
チされる速度の差すなわち使用する異方性エツチング工
程の選択度と第１層４の厚さとに関係する。

前述したように、第１層と第２層４と５が夫々窒化珪素
と二酸化珪素で形成されまた異方性エツチング工程が二
酸化珪素を窒化珪素より約２倍の速度でエッチする場合
、第４図に示すように窒化珪素層４の表面４ａが一旦露
出されると、この窒化珪素層４を被覆層３の厚さを表面
３ａから除去するのに用いられる時間内に約２倍の二酸
化珪素の第２層５の厚さが開口部２の側壁２ａより除去
されるので、前述した実施例におけるように第１層が１
００ナノメートルの厚さを有する場合第２層５の約２０
０ナノメートルの厚さが開口部の側壁２ａより除去され
る。

本発明者は、−船釣に、スペーサ５０の高さＸは式（ｄ
−ｘ）＝（ｓ−１）ａ　（ｄ、ｘ、ｓおよびａは前述し
た通りのものである）で与えられることを見出したもの
で、したがって第２層５が第１層４よりも２倍速くエッ
チされて選択度Ｓが２となりまた第１１４が１００ナノ
メートルの厚さを存する場合は（ｄ−ｘ）＝（２−１）
　１００・１００ナノメートルになる。したがって、前
述の実施例において開口部の深さｄ・０．７マイクロメ
ードルの場合にはｘ＝６００ナノ−トルである。

開口部の側壁２ａを上方に延在する残留部分すなわちス
ペーサ５０の距離Ｘは、異方性エツチング工程を選択す
ることによって選ぶことができる。したがって、例えば
、仮りに異方性エツチング工程が第２層５を第１層４よ
り速くエッチして選択度Ｓが３であるとすれば、同じ第
１層の厚さで（ｄ−ｘ）は２００ナノメートルになり、
ｄ＝０．７マイクロメードルに対しＸ・５００ナノ−ト
ルになろう。

開口部２０寸法により第１および第２層の厚さの増加に
制限はあるが、選択度Ｓ＝２を保ち、第１層の厚さａを
２００ナノメートルに調節することによって同じ結果を
得ることができる。

スペーサ５０に対して所望の高さＸを与えるために、第
１層４の厚さａと選択度Ｓの両方を選択または調節でき
ることは勿論である。第２層５の厚さは、スペーサ５０
の高さに影響はしないが、最終の接点領域１０が開口部
２の幅（この開口部２が断面円形の場合には直径）から
第１層４と第２層５を合わせた厚さの２倍を引いたもの
に略々等しい幅（最終の接点領域１０が円形の場合には
例えば直径）を有するという点で、異方性エツチング後
に露出される最終の接点領域に影響を与える。若し第２
層５をより厚くまたはより薄くすると、異方性エツチン
グ後に残されるスペーサ５０はこれに応じてより厚くま
たはより薄くなり、したがって最終の接点領域１０はよ
り小さ（またはより大きくなる。このように、最終の接
点領域１０の寸法は、開口部２を所望の最終の接点領域
１０よりも大きくすることを許容ししたがって開口部２
を形成するのに用いる感光レジストマスクＪｉｌｌの窓
１２を所望の接点領域よりも大きくすることを可能にし
ながら第２層の厚さを選択することによって選ぶことが
できので、■から２マイクロメートルのオーダーの小さ
な窓をマスク層１１にフォトリソグラフ技術で形成する
時に生じることのある問題を避けることができまたは少
なくとも軽減することができる。

前述した実施例では、第１層４と第２層５は夫々窒化珪
素と二酸化珪素で形成されている。けれども、第１層を
第２層よりも緩りとエッチさせる異方性技術を用いるこ
とができるならば、任意の２つの異なる絶縁材料を第１
層と第２層４と５を形成するのに用いることができる。

したがって、例えば、第１および第２層の一方はポリイ
ミドまたは酸窒化珪素層で他方は窒化珪素または二酸化
珪素でもよい。更に、第１層４は二酸化珪素で第２層は
窒化珪素とすることもできるが、この場合には、異方性
エツチング工程は窒化珪素を二酸化珪素よりも速くエッ
チするように選ばれ、例えばやはりアルゴンのような不
活性キャリーガス内の酸素を含むＳＦｂプラズマを用い
ることができるであろう。

どちらかといえば汚いまたは汚染される傾向を有する窒
化珪素を用いる代りに、第１層と第２層４と５を共に二
酸化珪素で形成し、この場合第２層５の方が第１層４よ
りも速くエッチすることを確実にするように第２層をド
ープすることもできる。けれども、ドープされない二酸
化珪素とドープされた二酸化珪素との間の選択度Ｓはそ
れ程大きくないのが普通で、通常は２よりも小さい。

第１層４はＡＩＪｚ層とすることもでき、このＡＩ、０
．は、やはり二酸化珪素層でよい第２層よりも著しく緩
りとエッチされるという利点を有する。

けれども、Ａ１２Ｏｆｆ層を第１層として用いた場合に
は、スペーサ５０が一旦形成されると、残留酸化アルミ
ニウムを所望の一定の領域１０より除去するように、異
方性エツチング工程において別の工程例えば異方性プラ
ズマエツチングを用いる場合にはプラズマの含有量の調
節が必要であろう。

第７図は電子デバイス、例えば本発明方法を用いて得ら
れた金属化レベルを有するＣＭＯ５集積回路のような集
積回路の単結晶シリコン半導体７０の一部の略断面図を
示す。

第７図に示した半導体７０の部分は該半導体７０の表面
７０ａに隣接してドープ領域７１を有する。この半導体
７０は勿論多数のこのようなドープ領域を有する。第７
図に示した特定の領域７１は絶縁ゲート電界効果トラン
ジスタ（ＨＯＳＴ）のソースまたはドレーン領域を形成
する。このＨＯＳＴの絶縁ゲートは、薄い二酸化珪素ゲ
ート層７３上に堆積されたドープ多結晶珪素導電ゲート
７２により半導体７０の表面７Ｑａに設けられる。公知
のようにして珪素の局部酸化（ＬＯＧＯＳ）で形成され
たフィールド酸化物７４（一部を第７図に破線で示す）
はＨＯＳＴの領域を形成する。

次の金属化に下部接点抵抗を設けるために、チタンが表
面７０ａ上にスパッタ堆積され、次いで急速に加熱され
て、露出された珪素表面領域すなわちドープ領域７１と
多結晶珪素ゲート層７２上に珪化チタン接点層７５を形
成する。絶縁材料上の残りのチタンは、例えば過酸化水
素と水酸化アンモニウムの水溶液中でのエツチングによ
り除去される。

珪化チタンの代りに、珪化コバルトのようなその他の珪
化物を用いることもできる。

次いで絶縁層７６が化学気相堆積により表面上に堆積さ
れる。通常のフォトリソグラフおよびエツチング技術を
用い、次の金属化部との接続を可能ならしめるために、
絶縁層７６を通って通路７７があけられる。次に堆積さ
れるタングステン層の絶縁材料への付着を改良するため
に、先ず付着層（図示せず）を絶縁層７６上および通路
７４内に堆積することによって導電性充填物８０を形成
することができる。この付着層は、例えばチタンまたは
チタン−タングステンでよく、当該技術で公知のように
スパッタ堆積することができる。例えば化学気相堆積に
よるタングステンの堆積の後、堆積材料は例えばＳＰ、
を用いてエッチバック（ｅｔｃｈｉｎｇ　ｂａｃｋ）さ
れ、タングステンの充填物８０を通路７７内に残して絶
縁層７６の表面を露出する。金属化の導電レベル、この
実施例ではアルミニウムレベルが次いでスパッタ堆積と
バターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）により通常の方
法で形成される。代りに、充填物８０を省略し、導電レ
ベルを直接に通路７７上に堆積してもよい。

この実施例では導電レベル１００は第１図から５図に示
した導電レベルに相当するが、この場合下にある絶縁層
と半導体とが、上に導電レベル１００が設けられる基板
１０１を形成する。

本発明の方法は、次いで、前述したように、別の金属化
部６′を、被覆層３′に形成され且つスペーサ４０′と
５０′が前述のようにして設けられた開口部を経て導電
レベル１に接触させるのに用いられる。前記の別の層６
′が最後の金属化層の場合には、当該技術において普通
のようにこの別の金属化部上に不活性化層（第７図には
図示せず）を設けることができる。

したがって、第７図に示した実施例では、本発明の方法
は、第２のおそらくは最後の金属化レベルを設け、下に
ある図示のような第１の金属化レベルと相互に接続する
のに用いられている。けれども本発明の方法は、第７図
よりわかるであろうように、第２、第３、第４等の金属
化レベルを下の例えば第１、第２、第３等の金属化レベ
ルと接触させるのに用いることができる。その上、本発
明の方法は、特にタングステン充填物が設けられない場
合、第１金属化レベルを半導体領域例えば第７図に示し
た領域７１および／または絶縁ゲート７３、７２或いは
導電性ストリップのようなその他の表面主要部に接続す
るのに用いることもできる。

以上述べた方法では第１および第２層４と５は絶縁層で
あるが、必ずしもそうでなくてもよく、実際にこれ等の
第１層および第２層は導電層例えば夫々タングステンと
チタン−タングステン合金層とすることもできる。

更にまた、図面による前述の方法では別の層は第１およ
び第２層４および５で形成されているが、この別の層を
３つまたはそれ以上の層で形成し、第１層が最も緩りと
０、また最後の層が最も速くエッチされてこれにより開
口部の側壁２ａに３重またはそれ以上の段状スペーサを
設けることも可能であろう。

以上の発明の開示から、その他の変更は当業者には明ら
かであろう。このような変更は、この技術において既に
知られ、またはここに既に述べた特徴の代りにまたはそ
れに加えて用いられることができる他の特徴を含むこと
ができる。この出願では特許請求の範囲は特徴の特定の
組合せを示しているが、本願に開示した観点は、それが
任意の請求項に既に請求さているのと同じ発明であろう
となかろうと、明白にまたは暗にここに開示された任意
の新規な特徴またはその組合せ或いはその特徴またはそ
れ等特徴の１つまたはそれ以上の概括または変形をも含
むものと理解され度い。本願人は、本願または本願より
派住した別の出願の係属中に新しい特許請求の範囲がこ
のような特徴および／またはこのような特徴の組合せに
対して示されることがあることをここに明らかにしてお
く。

【図面の簡単な説明】

第１図から第６図は本発明の方法の各工程段階における
半導体の一部の断面図、 第７図は本発明の方法を用いて製造した半導体デバイス
の一部の断面図である。 １、１００・・・導電レベル　　２・・・開口部２ａ・
・・開口部の側壁　　　３．３′・・・被覆層４・・・
第１層　　　　　　５・・・第２層６．６′・・・導電
層　　　　ＩＯ・・・接触領域４０、５０．４０’、　
５０’・・・スペーサ１０１・・・デバイス構造体

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被覆層上に別の層を設けることによって該被覆層の
   開口部を通って露出された導電レベルの領域に電気接触
   部を設け、被覆層の表面と導電レベルの領域を露出しこ
   れにより開口部の側壁上に、露出された領域を限界する
   前記の別の層の残留部分を残すように、前記の別の層を
   異方的にエッチングし、導電レベルの露出された領域と
   導電接触を形成するように被覆層上に導電層を設けるこ
   とより成る半導体デバイスの製造方法において、前記の
   別の層を、１つの材料の第１層を被覆層上或る厚さにま
   た別の材料の第２層を第１層上に或る厚さに設けること
   によって設け、この別の層を、第１層が第２層よりも緩
   りとエッチされるようにして第１層と第２層とを異なる
   速度でエッチする異方性エッチング工程を用いて異方的
   にエッチし、被覆層の表面と導電レベルの前記の領域を
   露出するこの異方性エッチングの後、開口部の側壁が前
   記の１つの材料で被覆されたまま残りまた前記の異なる
   材料の部分が前記の１つの材料上を前記の露出された領
   域から開口部の側壁を上方に該開口部の深さよりも小さ
   な距離、第１層の厚さおよび該第１層と第２層がエッチ
   される異なる速度とに関係して延在するようにしたこと
   を特徴とする半導体デバイスの製造方法。 ２、被覆層を絶縁層として設け、開口部を、この絶縁層
   をマスクを通して異方的にエッチすることにより形成す
   る請求項１記載の半導体デバイスの製造方法。 ３、第１層と第２層を絶縁層として設ける請求項１また
   は２記載の半導体デバイスの製造方法。 ４、第１層および第２層の一方を二酸化珪素の層として
   また第１層および第２層の他方を窒化珪素の層として設
   ける請求項３記載の半導体デバイス。 ５、第１層を窒化珪素の層としてまた第２層を二酸化珪
   素の層として設ける請求項４記載の半導体デバイスの製
   造方法。 ６、別の層を、弗素含有プラズマを用いて異方的にエッ
   チする請求項５記載の半導体デバイスの製造方法。