JPH02248950A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH02248950A JPH02248950A JP1071097A JP7109789A JPH02248950A JP H02248950 A JPH02248950 A JP H02248950A JP 1071097 A JP1071097 A JP 1071097A JP 7109789 A JP7109789 A JP 7109789A JP H02248950 A JPH02248950 A JP H02248950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- pattern
- glass
- dust
- electrostatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はフォトマスクに関するものである。
従来の技術
近年、半導体回路の高集積化にともない、その製造に用
いられるフォトマスクのパターンも、より微細化する傾
向にある。そのためフォトマスク上にダストが付着する
と、ウェアに転写する際にダストも転写されて欠陥の原
因になり、ダストに対する問題もより深刻になってきて
いる。
いられるフォトマスクのパターンも、より微細化する傾
向にある。そのためフォトマスク上にダストが付着する
と、ウェアに転写する際にダストも転写されて欠陥の原
因になり、ダストに対する問題もより深刻になってきて
いる。
以下に従来のフォトマスクについて説明する。
従来は、フォトマスクを製造した後、イオンを含んだ超
純水により、パターン面、ガラス面を洗浄し、乾燥する
だけで、マスク自身には特別な処理がほどこされていな
かった。そして、ユーザーへフォトマスクを出荷すると
きには、プラスチックケースが用いられ、ユーザーはフ
ォトマスクを専用ケースに保存し、使用毎に洗浄して使
用している。
純水により、パターン面、ガラス面を洗浄し、乾燥する
だけで、マスク自身には特別な処理がほどこされていな
かった。そして、ユーザーへフォトマスクを出荷すると
きには、プラスチックケースが用いられ、ユーザーはフ
ォトマスクを専用ケースに保存し、使用毎に洗浄して使
用している。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、ケースで出荷したり、保存したりしてい
ると、フォトマスク自身が静電気を帯びることがある。
ると、フォトマスク自身が静電気を帯びることがある。
このフォトマスクの静電気の帯電によりダストの付着や
パターンの静電破壊の原因となる。
パターンの静電破壊の原因となる。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、パターン面
とガラス面へのダストの付着、およびパターンの静電破
壊を抑制することができるフォトマスクを提供すること
を”目的としている。
とガラス面へのダストの付着、およびパターンの静電破
壊を抑制することができるフォトマスクを提供すること
を”目的としている。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明のフォトマスクはパタ
ーン面を含みガラス面全面にわたり、光透過性でかつ導
電性の薄膜をコーティングしたものである。
ーン面を含みガラス面全面にわたり、光透過性でかつ導
電性の薄膜をコーティングしたものである。
作用
上記構成により、導電性薄膜のコーティングにより、フ
ォトマスク本体に静電気が帯電しなくなるため、ダスト
の付着や静電破壊の発生が抑制される。
ォトマスク本体に静電気が帯電しなくなるため、ダスト
の付着や静電破壊の発生が抑制される。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図において、ガラス１の一面にはパターン２が形成
されてフォトマスク本体３が製作され、このフォトマス
ク本体３は検査された後、そのパターン面２ａを含みガ
ラス面１ａの全面にわたり光透過性でかつ導電性の薄＄
４がコーティングされている。
されてフォトマスク本体３が製作され、このフォトマス
ク本体３は検査された後、そのパターン面２ａを含みガ
ラス面１ａの全面にわたり光透過性でかつ導電性の薄＄
４がコーティングされている。
上記構成により、薄ＷＡ４は導電性であるためフォトマ
スク本＃３の静電気の帯電は最小限に抑えられる。また
、薄ｓ４は光透過性であるため、フォトマスクとしての
機能は維持される。
スク本＃３の静電気の帯電は最小限に抑えられる。また
、薄ｓ４は光透過性であるため、フォトマスクとしての
機能は維持される。
以下、導電性の薄膜４をコーティングしたフォトマスク
と、コーティングしていないフォトマスクとについて、
それぞれの表面の静電気を測定したのでその結果を示す
、各フォトマスクをプラスチックのケースから出入れす
る操作を縁り返し、実験前後の静電気を測定した。ケー
スは最初から４００ Ｖ程度帯電していた。導電性薄膜
をコーティングしていないフォトマスクでは、最初はほ
とんど帯電していないが、出入れを繰り返すと１〜３ｋ
Ｖまで帯電した。しかし、導電性の薄Ｍ４をコーティン
グしたものはほとんど帯電しなかった。
と、コーティングしていないフォトマスクとについて、
それぞれの表面の静電気を測定したのでその結果を示す
、各フォトマスクをプラスチックのケースから出入れす
る操作を縁り返し、実験前後の静電気を測定した。ケー
スは最初から４００ Ｖ程度帯電していた。導電性薄膜
をコーティングしていないフォトマスクでは、最初はほ
とんど帯電していないが、出入れを繰り返すと１〜３ｋ
Ｖまで帯電した。しかし、導電性の薄Ｍ４をコーティン
グしたものはほとんど帯電しなかった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、導電性でかつ光透過性の
薄膜をフォトマスクのパターン面を含みガラス面全面に
コーティングすることにより、静電気の帯電を最小限に
できる。そのため、ダストは付着しにくくなり、仮にダ
ストがのったとしても、フォトマスクとの電気的な結合
は著しく弱いので、エアガンなどの噴射で容易に除去で
きる。
薄膜をフォトマスクのパターン面を含みガラス面全面に
コーティングすることにより、静電気の帯電を最小限に
できる。そのため、ダストは付着しにくくなり、仮にダ
ストがのったとしても、フォトマスクとの電気的な結合
は著しく弱いので、エアガンなどの噴射で容易に除去で
きる。
さらに静電気が帯電しにくくなるため、パターンの破壊
を少なくすることができる。
を少なくすることができる。
第１図は本発明の一実施例におけるフォトマスクの断面
図である。 １・・・ガラス、ｌａ・・・ガラス面、２・・・パター
ン、２ａ・・・パターン面、３・・・フォトマスク本体
、４・・・薄膜。 代理人 森 本 義 弘 第１図 Ｉδ １− がラス ｔａ−一一力１ラス面 ２−−−ノぐターン ２ａ−−−パター２面 ３−−−フ姓マスクオイ本 ４−一一清 Ｊ糖
図である。 １・・・ガラス、ｌａ・・・ガラス面、２・・・パター
ン、２ａ・・・パターン面、３・・・フォトマスク本体
、４・・・薄膜。 代理人 森 本 義 弘 第１図 Ｉδ １− がラス ｔａ−一一力１ラス面 ２−−−ノぐターン ２ａ−−−パター２面 ３−−−フ姓マスクオイ本 ４−一一清 Ｊ糖
Claims (1)
- １、パターン面を含みガラス面全面にわたり光透過性で
かつ導電性の薄膜をコーティングしたフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1071097A JPH02248950A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1071097A JPH02248950A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02248950A true JPH02248950A (ja) | 1990-10-04 |
Family
ID=13450696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1071097A Pending JPH02248950A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02248950A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113577A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-02-03 | Western Electric Co | |
| JPS5984244A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-15 | Matsushita Electronics Corp | ホトマスク |
| JPS6159449A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体製造用マスク |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1071097A patent/JPH02248950A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113577A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-02-03 | Western Electric Co | |
| JPS5984244A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-15 | Matsushita Electronics Corp | ホトマスク |
| JPS6159449A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体製造用マスク |
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