JPH02247937A - 電子放出素子、それを用いた電子源及び画像形成装置 - Google Patents

電子放出素子、それを用いた電子源及び画像形成装置

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JPH02247937A
JPH02247937A JP1067433A JP6743389A JPH02247937A JP H02247937 A JPH02247937 A JP H02247937A JP 1067433 A JP1067433 A JP 1067433A JP 6743389 A JP6743389 A JP 6743389A JP H02247937 A JPH02247937 A JP H02247937A
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一郎 野村
Toshihiko Takeda
俊彦 武田
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    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/316Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
    • H01J2201/3165Surface conduction emission type cathodes

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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野] 本発明は、表面伝導形電子放出素子及び該素子を並配列
した線状1面状電子源に関するものである。また、該電
子源を利用した画像形成装置に関するものである。
【従来の技術】
従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子として、
例えば、エムアイエリンソン(M、I。 Elinson)等によって発表された冷陰極素子が知
られている。
【ラジオ エンジニアリング エレクトロン フイジイ
ツス (Radio Eng、Electron、f’
hys、l第10巻、12901’1296頁、196
5年1これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜
面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現
象を利用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼
ばれている。 この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等に
より開発されたSnow (Sb)薄膜を用いたもの、
Au薄膜によるもの[ジー・ディトマー“スイン ソリ
ド フィルムス”IG、 Ditts+er: @Th
1nSolid Fil+n+”l  、  9巻、3
1?頁、 (1972年)]。 ITO薄膜によるもの[エム ハートウェル アンド 
シージーフオンスタツド  アイイーイーイートランス
“イーディーコンファレン1M。 Hartwell and C,G、Fonstad:
”IEEE Trans、EDConf、”) 619
頁、  (1975年)】、カーボン薄膜によるもの[
荒木久他:”真空”、第26巻、第1号、22頁、 (
1983年)]などが報告されている。 また、本発明者らは特願昭61−210588号、特願
昭62−225667号、特開昭63−184230号
、特願昭62−255063号において電極間に電子を
放出せしめる微粒子を島状に設けた新規な表面伝導形電
子放出素子を技術開示した。 この表面伝導形放出素子は。 1)高い電子放出効率が得られる 2)構造が簡単であるため、製造が容易である3)同一
基板上に多数の素子を配列形成できる当の利点を有する
。 これらの表面伝導形電子放出素子の典型的な素子構成を
第1図に示す、第1図に右いてl及び2は電気的接続を
得るための電極、3は電子放出せしめる微粒子が島状に
配置した電子放出部、4は絶縁性基板である。
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これら表面伝導形電子放出素子は、I 
X 10−’torr程度の真空環境下で駆動されると
放出電流に変動を生じる欠点があった。 第2図は、特性を評価するための装置の概略図である。 5は電子放出素子への電圧印加用電源、6は該素子電流
Ifの測定用電流計、7は該素子に対応するアノード電
極、8はアノード電極7への電圧印加用高圧電源、9は
放出電流の測定用電流計である。 第2図で示すような装置において、真空度1x1G−@
torr近傍の環境下で電子放出特性を測定すると放出
電流Ieが30〜40%程度変動する。この変動量は、
カソードレイチューブや電子線露光装置などの電子線応
用装置においては大変重要な問題である0本発明はこの
点に鑑み、このような変動量を改善するために成された
ものである。 一方、表面伝導形電子放出素子の放出電流の変動がなぜ
起こるかは未だ解明されていないが、つぎのようなこと
が原因として考えられる。 1、電極間に配置された島状微粒子膜の構造が素子に電
圧を印加することにより変化し素子電流Ifが変動する
。この素子電流の変動に伴い放出電流1eが変動する。 2、島状微粒子からなる電子放出部にガス分子等が吸着
或は脱着することにより仕事関数が変化し、放出電流I
eが変動する。 3、電子放出部近傍で形成されたイオン化ガスが電子放
出部に衝突することにより放出電流!eが変動する。 本発明は、上記原因のうち、素子電流Ifの変動を抑え
ることにより放出電流Isの変動を改善させるものであ
る。 また、素子電流Ifの変動は一般につぎのような素子が
大きいと考えられる。 ■数時間駆動した素子、(駆動開始時には殆ど変動しな
いが、数時間駆動すると徐々に太き(なる) ■電子放出部も限定する電極l、2の間隔の狭い素子、
(一般に本素子の電極間隔は、数百人から数μmが適当
であるが、電極間隔の狭い方が素子電流Ifの変動量が
大きい) ■駆動電圧の大きい素子、(一般に本素子の駆動電圧は
、 iovから100vであるが、駆動電圧の高い素子
の方が変動量が大きい) 本発明は上述Φ〜■の素子に対して有効であゐ。 第9図は上述した電子放出素子を多数個並べた画像形成
装置を示すものである。21は電極配線、22は素子電
極、23は電子放出部、24はグリッド電極、25は電
子通過孔、26は画像形成板、27は画像形成部材で、
例えば蛍光体、レジスト材等電子が衝突することにより
発光、変色、帯電、変質等する部材から成る。28は蛍
光体の輝点である。 本画像形成装置は、2つの配4121の間に素子を並列
に並べた線状電子源とグリッド電極24でXYマトリク
ス駆動を行い1画像形成板26上の蛍光体27に電子を
衝突させることにより画像形成を行う装置であるが、次
のような問題があった。 1、各素子からの電子放出量が変動するため蛍光体の輝
度ムラが生じた。 2、各輝点28の光放出量が変動するため表示にちらつ
きを生じた。 上記問題点は、画像形成装置としては致命的なものであ
り、また1画像形成装置以外の電子線応用装置等におい
ても同様である。 上記問題点は前述した放出電流量のゆらぎに起因するこ
とは言うまでもない。 [課題を解決するための手段及び作用]本発明は、二つ
の相対向する電極間に電子放出部を有する表面伝導形電
子放出素子において、該二つの電極の少なくとも一方を
薄膜抵抗体で構成することにより上述問題点を改善する
ものである。 ここで、本発明の電子放出素子を説明する。 第3図は本発明の第1の構成図である。 10は薄膜抵
抗体で電子放出部3を挟むように形成した。 また薄膜抵抗体lOは電極l及び電極2に接続されてお
り、実質的に電子放出素子の電極を形成するものである
。 第4図は本発明の第2の構成図である。薄膜抵抗体lO
は電子放出部3の片側に設けた。 電極l及び電極2はAu、 Ag、 N、i等の金属あ
るいは金属と同程度の電気抵抗を有する材料であり、1
000A以上の厚さが望ましい。 薄膜抵抗体10の材料としてはニクロム合金、酸化スズ
、TaJ、 Cr−3iO等のサーメツト材が代表的な
ものとして挙げられる。薄膜抵抗体10の膜厚は、材料
の種類にもよるが例えばニクロム合金であれば150〜
5GOAが適当であるがこれに限るものではない、薄膜
抵抗体10の比抵抗値は100Ω・as〜5 X 1G
−@Ω・C−が適当であり、抵抗値としては電子放出部
3の抵抗値の0.01〜1倍が適当である。 以上のように、電子放出部3を挟む少なくとも一方の電
極を薄膜抵抗体で形成することにより。 上述問題点を解決するものである。 また、電極配線間に上記薄膜抵抗体を素子電極とする電
子放出素子を複数個設けた電子源を形成することにより
、上述した画像形成装置としての問題点を解決するもの
である。 次に1本発明を実施例で詳述する。
【実施例】
11且ユ 第3図は、本実施例で用いた素子の構成図である。 次に素子の作成法を第5図を用いて述べる。 1、基板4は石英ガラスを用い、重クロム酸混液に浸漬
させ、その後流水洗、純水煮沸、フレオン超音波洗浄を
施し、洗浄した。 2、次に基板4上に通常良く知られているホトエツチン
グ技術と真空蒸着法によりニクロム合金薄膜抵抗体lO
を形成する。電極間隔はIgm、幅は0.5−一に形成
した。ニクロム合金薄膜抵抗体lOの面積抵抗は200
Ω/口である。 3、次に第5−2図に示すように、金属電極l、2をマ
スク蒸着法1ごより作成した。II電極、2の間隔を適
当に選択することにより薄膜抵抗体の抵抗値を設定した
。 4、電極形成後、薄膜抵抗体10の両電極間にスピナー
塗布法で有機パラジウム(奥野製薬Cep−4230>
を塗布し、その後300℃の濃度で1時間焼成せしめ、
該パラジウムを主成分とする電子放出部を形成した。 本実施例において、薄膜抵抗体10の抵抗値が2000
−となるように素子を作成し、従来の素子(薄膜抵抗体
のない素子)と特性を比較した結果表1に示すような値
を得た。真空度はI X 10−@torrで第2図に
示す測定評価装置により検討した。 以下余白 表1 ここで、放出電流、素子電流のゆらぎとは、IIh以上
の変動量ΔIe、ΔIfを百分率で表わしたもので各々
、 放出電流のゆらぎ;(ΔIe/Ie ) x l 00
 [%]素子電流のゆらぎ=(ΔIf/If ) X 
100 [%]と定義した。 表2から明らかなように、本実施例は従来例に比べ、素
子電圧、素子電流、放出電流が同等であるにもかかわら
ず素子電流のゆらぎ量及び放出電流のゆらぎ量を著しく
向上させるのに効果があった。 次に、本実施例における素子電圧と素子電流の関係を第
6図に示す。 ■の電圧領域では、電圧とともに素子電流が増加する。  IIの領域では、電圧とともに素子電流が著しく減少
する(電圧制御型負性抵抗特性) 、 IIIの領域で
は、電圧を変えても大きな電流変化がなく、この領域で
放出電流が得られる。 このような電圧電流特性は、表面伝導形電子放出素子の
固有な特性である。 第7図に本実施例の薄膜抵抗体lOの抵抗値を変えたと
きの素子電流と放出電流のゆらぎ量の関係を示す。 この測定結果からも明らかなように薄膜抵抗体の抵抗値
を大きくするとゆらぎ量は小さくなる。 また、抵抗値をIKΩ以上にするとゆらぎ量の変化率は
小さくなるが放出電流も小さくなった。 この原因を第6図で説明する。Iの領域の素子抵抗は4
00Ω前後である0例えば素子に2にΩの薄膜抵抗体を
直列に設けると20V前後の電圧で急激に負性抵抗を示
し同時に電子放出が得られる。 この現象は、電子放出素子の微小な電子放出部に、約2
0.vの電圧がパルス的に印加されることによ、るもの
である、このことにより電子放出部を形成する超微粒子
の薄膜構造が何等かの変化を受け、素子電流と放出電流
の低下を生じるものと思われる。 またこの現象は、薄膜抵抗体の抵抗値がIKΩ前後から
生じ、5にΩまで徐々に大きくなった。 5にΩでは殆ど放出電流は得られなくなった。つまり゛
、■の領域における電子放出素子の抵抗値的5にΩの値
が決定的な素子劣化を生じる目安と考えられる。 以上説明したように、本実施例の薄膜抵抗体の抵抗値を
駆動時の電子放出部3の抵抗値(■の領域)より小さい
値にすることにより、素子電流と放出電流のゆらぎ量を
向上させるのに効果があった。 本実施例は、電圧制御型負性抵抗特性を有する素子につ
いての発明であるが、表面伝導形電子放出素子ならすべ
て同等な効果が期待できる。 良1旦ユ 第4図は本発明の第2の実施例を示す素子構成図である
。 薄膜抵抗体lOは電子放出部≦の片側に設けた。 つまり、電子放出部3の電極は薄膜抵抗体lGと電極2
より形成した。 本実施例の素子は実施例1と同様な方法で形成した。 本実施例における素子を実施例1と同様な方法で検討し
た結果はぼ実施例1と同等な結果が得られた。またここ
で薄膜抵抗体lO側の電極lにプラス電圧を印加しても
マイナス電圧を印加しても同等の結果が得られた。 11且ユ 第8図は、本実施例の表面伝導形電子放出素子を表わす
概略図である。 第18図において、l!及び12は電気的接続を得るた
めの電極、13は電子放出体、14は段差形成層、15
は電極間隔、16は薄膜抵抗体である。この電子放出素
子は、端部が対向した一対の薄膜抵抗体電極1−6の電
極間隔部15の側端面に、電子放出体13を配置してな
り薄膜抵抗体電極間に電圧を印加することにより電子放
出体13から電子を放出するものである。 本実施例において、段差形成層15は、一般に絶縁材料
を用いる。 例えば、 SiO富、 MgO,TiO□
。 Tag’s、 AlzOs等及びこれらの積層物、もし
くはこれらの混合物でも良い、電極間隔部!5は、段差
形成層14の厚みと薄膜抵抗体電極16の厚みによって
決定されるが、数十A〜数μが良い、その他の本実施例
における構成部材は、前述と同様な材料、構成を用いる
ことができる。 以上説明した表面伝導形電子放出素子において実施例1
と同様な検討をした結果間等な効果を得られた。 !J口IA 第1O図は本発明の第4の実施例であるところの電子源
とそれを用いた画像形成装置である。29は素子電極で
あるところの薄膜抵抗体である。その材料としてはニク
ロム合金、酸化スズ、TaJ、Cr−5iO等のサーメ
ツト材が代表的なものとして挙げられる。電極配線21
の材料はニッケルとし、抵抗値を十分低くして作成した
0本実施例は電極配線21の間に実施例1における電子
放出素子を並列に並べたものである。 次に本実施例の画像形成装置を説明する。 上述した電子源の上に電子通過孔25を有するグリッド
電極24を設け、さらにその上にガラス基板(画像形成
板)26上に蛍光体27が塗布された画像形成部材を設
けた。該画像形成装置をl X 10−’t、orrの
真空環境下に右いて、電極配線とグリッド電極でxYマ
トクリスを形成し画像形成するものである。 電極配@21−a、21−bに14V 17)電圧を印
加することにより各電子放出部23から電子を放出させ
、グリッド電極に適当な電圧を印加することにより電子
源から電子を引き出し蛍光体27に電子を衝突させた。 蛍光体を設けた画像形成部材には500Rto、ooo
vの電圧を印加した0本実施例において画像形成部材の
上に各画素の明るさを測定するための受光素子を設け、
薄膜抵抗素子のない場合と比較検討し、表2に示す結果
を得た。 (画素数=25素子) また、明るさのバラツキとは、次の式で表わすものであ
る。 最も明るい  最も暗い ここで、ちらつきとは、任意の画素に対して発光量の変
動を百分率で表わしたもので、次の式で表わすものであ
る。 ちらつきと明るさのバラツキは、装置駆動1時間後の値
で比較した。 表2からもCらかなように、本実施例の画像形成装置は
、ちらつきや明るさのバラツキに効果があった。 また、本実施例において電極配線21−a、21−bの
どちらの電極にプラスの電圧を印加しても同等の結果が
得られた。 【発明の効果] 以上説明したように、表面伝導形電子放出素子に右いて
、電子放出部を挟む少なくとも一方の電極を薄膜抵抗体
で作成することにより、放出電流のゆらぎを改善させる
効果がある。 また、該薄膜抵抗体の抵抗値を表面伝導形電子放出素子
の駆動時の抵抗値より小さくすることにより、放出電流
を低下させることなしに放出電流量のゆらぎを改善する
効果がある。 さらに、電極配線間に上記薄膜抵抗体を素子電極とする
表面伝導形電子放出素子を複数個設けた電子源を用いる
ことにより、画像形成装置における、表示のちらつきや
バラツキを改善させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は表面伝導形電子放出素子の典型的な構成図であ
る。 第2図は特性評価装置の概略図である。 第3図は実施例1の素子構成図である。 第4図は実施例2の素子構成図である。 第5図は実施例1の電極作成図である。 第6図は実施例1における電子放出素子の電圧−電流特
性である。 第7図は実施例1における素子電流及び放出電流のゆら
ぎ量を示す図である。 第8図は実施例3の素子構成図である。 第9図は従来の電子放出素子を用いた画像形成装置の概
略図である。 第1O図は実施例4の画像形成装置の概略図である。 1.2.11.12−電極 3.13.23−電子放出部 4−絶縁性基板 5−素子電圧印加用電源 6−素子電流測定用電流計 7−アノード電極 8−高圧電源 9−放出電流測定用電流計 1O116,29−薄膜抵抗体 21−電極配線 22−素子電極 25−グリッド電極 25−電子通過孔 26−画像形成板 27−画像形成部材(蛍光体) 28−蛍光体の輝点 14−段差形成層 15−電極間隔部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電極間に電子放出体を有する表面伝導形電子放出
    素子において、電極の少なくとも一方が薄膜抵抗体から
    なることを特徴とする表面伝導形電子放出素子。
  2. (2)前記薄膜抵抗体の抵抗値が表面伝導形電子放出素
    子駆動時の電子放出部の抵抗値より小さいことを特徴と
    する請求項1記載の表面伝導形電子放出素子。
  3. (3)電極配線間に請求項1又は2記載の表面伝導形電
    子放出素子を並列に複数個並べたことを特徴とする線状
    電子源。
  4. (4)基板上に請求項3記載の線状電子源を2個以上設
    けたことを特徴とする面状電子源。
  5. (5)請求項1〜4いずれかに記載の電子源から放出し
    た電子を画像形成部材に照射することを特徴とする画像
    形成装置。
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