JPH02245826A - 命令制御装置 - Google Patents

命令制御装置

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JPH02245826A
JPH02245826A JP6626589A JP6626589A JPH02245826A JP H02245826 A JPH02245826 A JP H02245826A JP 6626589 A JP6626589 A JP 6626589A JP 6626589 A JP6626589 A JP 6626589A JP H02245826 A JPH02245826 A JP H02245826A
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JP
Japan
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instruction
command
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Pending
Application number
JP6626589A
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English (en)
Inventor
Masayoshi Takei
武居 正善
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 命令制御装置に係り、特に、命令データに従って命令を
実行する命令実行手段を有する命令制御装置に関し、 命令記憶手段が読み出されるべき命令データのアドレス
を指示されてから、命令実行部で命令が実行されるまで
の間の命令処理全体の速度を高速化することができる命
令制御装置を提供することを目的とし、 上述のような命令制御装置において、複数種類の各命令
に対応する命令データを記憶する複数の命令記憶手段と
、命令記憶手段を順次切換える命令記憶切換手段と、前
記命令実行手段へは命令実行の指令をし、前記命令記憶
切換手段へは切換えの指令をし、一つの命令記憶手段へ
命令データの読み出しの指令をしてから当該実行手段へ
の命令実行の指令をするまでの間に所定時間間隔で前記
命令記憶手段へは順次読み出しの指令をする実行制御部
とを設けて構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、命令制御装置に係り、特に、命令データに従
って命令を実行する命令制御装置に関する。
(従来の技術) 従来の命令制御装置として、例えば、第5図に示すもの
が知られている。
従来の命令制御装置は、例えば同図に示すように、中央
処理装置として機能するLSIIIと、LSIIIとは
別のチップに設けられて複数種類の各命令に対応する命
令データを記憶する命令記憶メモリ12とからなり、L
SIII内には、命令記憶メモリ12から読み出された
命令データを一時的に保持する命令保持レジスタ13と
、命令保持レジスタ13から命令データを取り出して命
令を実行する命令実行部14と、命令を実行した結果を
保持する結果保持レジスタ15と、命令記憶メモリ12
に対し読み出すべき命令データのアドレスを指示する命
令アドレスレジスタ16と、命令実行部14への命令実
行の指令、及び命令アドレスレジスタ16への命令記憶
メモリ12から読み出すべき命令データのアドレス指示
の指令をする実行制御部17とを有している。
この命令制御装置においては、第6図のタイムチャート
における「クロックJに示すように、命令実行部17が
指令として「highJl 、 [i” low Jl
の2値からなるタイミングパルスを所定周期で発生して
いる。そしてタイミングパルスの1周期毎に命令アドレ
スレジスタ16は、同図の「命令アドレスJに示す通り
に、命令記憶メモリ12に対し読み出すべき命令データ
のアドレスを指示し、また命令記憶メモリ12は命令デ
ータを読み出されて命令保持レジスタ13へ命令データ
を転送していた。そして命令実行部14は、命令保持レ
ジスタ13から命令データを取り出して、同図の「命令
実行」に示す通り、命令アドレスレジスタ16がアドレ
スを指示したサイクルから1周期遅れて、次のサイクル
で命令を実行していた。このため、命令アドレスレジス
タ16による命令記憶メモリ12に対してのアドレスの
指示と、命令実行部14での命令の実行との対応は、同
図に示す符号■、■、・・・、の通りとなる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、近年の半導体技術の進歩により、大規模、超
高速LSIが情報処置装置に多用されるようになり、よ
り高速な命令の実行処理が望まれている。
しかし、−船釣に命令アドレスレジスタが命令記憶メモ
リに対して読み出すべき命令データのアドレスを指示し
てから、命令データが命令保持レジスタに転送されるま
でのアクセス時間は、LSI内部の命令実行部での命令
の実行時間と比較するとそれより非常に遅かった。特に
、この従来例のように命令記憶メモリ12がLSIII
と別のチップに設けられている場合は、LSIIIと同
一のチップに設けられている場合に比べて余分な命令デ
ータ転送時間がかかり、LSIII内部の命令実行部1
4での命令の実行時間より命令データのアクセス時間の
ほうが非常に時間がかかった。
また、命令実行部14は命令記憶メモリ12から命令デ
ータを命令保持レジスタ13に読み出した後に、その命
令データを取り出して命令を実行するものであるため、
命令実行部14での命令実行のサイクルは命令記憶メモ
リ12のアクセス時間により決定されていた。
従って、LSIII内部の命令実行部14では、命令を
実行していない無駄な空き時間が生じてしまい、命令実
行部14での命令実行速度は高速にもかかわらず、命令
アドレスレジスタ16が命令データのアドレスを指示し
てから、命令実行部で命令が実行されるまでの間の命令
処理全体の速度を高速化できないという問題があった。
ここで、命令記憶メモリ12のアクセス時間を短縮化す
ることは、メモリのコストを上昇させ、また信頼性を低
下させるという新たな問題が生じ。
てしまう。
そこで本発明は、命令記憶メモリのアクセス時間を短縮
化することなく、命令記憶メモリが読み出すべき命令デ
ータのアドレスを指示されてから、命令実行部で命令が
実行されるまでの間の命令処理全体の速度を高速化する
ことができる命令制御装置を提供することを目的とする
〔課題を解決するための手段〕
本発明にあって、上記の課題を解決するための手段は、
第1図に示すように、命令データに従って命令を実行す
る命令実行手段1を有する命令制御装置において、複数
種類の各命令に対応する命令データを記憶する複数の命
令記憶手段2と、命令記憶手段2を順次切換える命令記
憶切換手段3と、前記命令実行手段1へは命令実行の指
令をし、前記命令記憶切換手段3へは切換えの指令をし
、一つの命令記憶手段2へ命令データの読み出しの指令
をしてから当該実行手段1への命令実行の指令をするま
での間に所定時間間隔で前記命令記憶手段2へは順次読
み出しの指令をする実行制御部4とを設けたことである
ここで、「所定時間Jとは命令実行手段1が命令を実行
するために必要な命令実行時間以上のものである。
(作用) 複数の命令記憶手段2は、予め命令実行手段1で実行さ
れる複数種類の各命令に対応した命令データを記憶して
いる。実行制御部4は、一つの命令記憶手段2に対しそ
の命令記憶手段2から命令データを読み出すように指令
をしてから、その命令データが命令実行手段1で実行さ
れるまでの間に所定時間間隔で前記命令記憶手段2に対
して命令データを読み出すように順次指令する。このた
め、一つの命令記憶手段2において、命令データを読み
出し始めてから次の命令データを読み出すまでの間に、
他の命令記憶手段2において命令データが読み出されて
いて、複数の命令記憶手段2から命令データが所定時間
づつ間隔をおいて並列して読み出される。
それと同時に実行制御部4は、命令記憶切換手段3に対
して命令実行手段1へ命令データを転送した命令記憶手
段2から次に命令データを転送する命令記憶手段2に切
換えるように指令すると共に、命令実行手段1に対して
、転送された命令データに従って命令の実行するように
指令する。
すると、命令記憶切換手段3は、実行制御部4からの指
令に基づいて作動し順次命令記憶メモリを切換えて、順
次命令記憶メモリ2から命令実行手段1に命令データが
転送される。そして命令実行手段1は、実行制御部4か
らの指令に基づいて命令データに従って命令を実行する
従って、複数の命令記憶手段2に処理すべき順に命令デ
ータを記憶させておけば、順次命令データが命令実行手
段1に転送されて、実行制御部4の制御により命令実行
手段1が順次命令を実行することができ、命令処理全体
の速度を高速化することができる。
(実施例) 以下本発明に係る命令制御装置の実施例を図面、第2図
乃至第4図に基づいて説明する。
第2図は本発明に係る命令制御装置の実施例の構成を示
すものであり、第3図は本実施例の作動を示すフローチ
ャート、第4図は本実施例の作動を示すタイムチャート
である。
本実施例の命令制御装置は、第2図に示すように、中央
処理装置として機能するLSI21と、LSI21とは
別のチップに設けられた複数種類の各命令に対応する命
令データを記憶する3つの命令記憶メモリ22a、22
b、22cと、命令記憶メモリ22a、22b、22c
の夫々に対しLSI21に読み出すべき命令データのア
ドレスを指示する命令アドレスレジスタ23a。
23b、23cと、命令データをLSI21へ転送した
命令記憶メモリから次に命令データを転送する命令記憶
メモリに順次切換える命令記憶切換装置24とを有して
構成されている。
LSI21は、命令記憶メモリ22a。
22b、22cから読み出された命令データを一時的に
保持する命令保持レジスタ26と、命令保持レジスタ2
6から命令データを取り出すと共に、データレジスタ(
図示せず)等から必要なデータを取り出して命令データ
に従って命令を実行する命令実行部27と、命令を実行
した結果を保持する結果保持レジスタ28と、後述する
実行制御部25とを有している。
実行制御部25は、命令アドレスレジスタ23a、23
b、23cの内から一つの命令アドレスレジスタに対し
てその命令レジスタに対応する命令記憶メモリへアドレ
ス指示するように指令を出力してから、命令データが命
令実行部27で実行されるまでの間に所定時間間隔、つ
まり本実施例の場合命令記憶メモリ22a、22b。
22cのアクセス時間を命令記憶メモリの数である3で
除した時間間隔で他の命令アドレスレジスタに対して命
令記憶メモリへアドレス指示するように順次指令を出力
するタイミング信号発生回路29と、タイミング信号発
生回路29から出力される各命令アドレスレジスタ23
a、23b。
23cへの指令の一部を入力させて各命令アドレスレジ
スタ23a、23b、23cへの指令の出力毎に命令記
憶切換装置24に対してはアドレス指示のサイクルと同
時サイクルで指令をし、命令実行部27及び結果保持レ
ジスタ28に対しては命令記憶切替装置24への指令か
ら1サイクル遅らせて作動するように指令をするOR回
路30とから構成されている。
次に、本実施例の作用を第3図に示すフローチャートに
基づいて説明する。
まず最初に、同図に示すように、命令記憶メモリ22a
から命令データを読み出するものとする(STI’)。
すると命令アドレスレジスタ23aは、実行制御部25
の指令により、命令記憶メモリ22aに対し読み出すべ
き命令データのアドレスを出力しく5T2)、命令記憶
切換装置24は実行制御部25の実行制御部25の指令
に基づいて命令データが読み出される命令記憶メモリ2
2aに切換える(Sr1)。
LSI21内では、命令保持レジスタ26が命令記憶メ
モリ23aから転送された命令データを保持する(Sr
4)。そして、命令実行部27は実行制御部25の指令
により作動し1つ前のサイクルの命令を実行する(Sr
1”)。命令の実行結果は結果保持レジスタ28に保持
され(Sr1)これで命令の処理の1サイクルが終了す
る。
次に、命令実行部27で命令が全て実行されたか否かが
判断される(Sr1)。命令が全て実行された場合、こ
れで命令の実行処理が終了する。
これに対し、命令が全て実行されてない場合は、現在命
令記憶メモリから読み出された命令データが命令記憶メ
モリ22cからのものか否かが判断される(Sr8)。
命令記憶メモリ22cのものであれば、再度命令記憶メ
モリ22aから開始する(STI)。これに対し、命令
記憶メモリ22cからのものでなければ、命令記憶メモ
リを次の符号の命令記憶メモリにして(Sr1)、次の
符号の命令アドレスレジスタが対応する命令記憶メモリ
に対しLSI21内の命令保持レジスタ26に読み出す
べき命令データのアドレスを出力するところから開始し
て(Sr1)、上記一連の処理を繰り返す。このため、
命令記憶メモリ22aから始まって、命令記憶メモリ2
2b、命令記憶メモリ22c、また命令記憶メモリ22
a、・・・と命令実行部27で実行すべき命令がなくな
るまで命令データが読み出され、命令実行部27が命令
を全て実行するまで上記一連の処理が続行する。
従って、第4図のタイムチャートに示すように、タイミ
ング設定回路29からそれぞれ命令アドレスレジスタ2
3a、23b、23cへ出力される指令は、同図の「ク
ロックa、b、cJJのように、「high、Q 、 
[i” low Jlの2値からなる一定周波数のタイ
ミングパルスとして出力される。そして、同図の「クロ
ックa、b、c、Qに基づいて、命令アドレスレジスタ
23a、23b、23cは命令記憶メモリ22a、22
b、22cに対し、読み出すべき命令データのアドレス
を指示する。
すると、同図の「命令アドレスa、b、c、11に示す
番号■、■、・・・、の順に夫々命令アドレスレジスタ
23a、23b、23cから命令データのアドレスが出
力される。読み出された命令データは、順次命令保持レ
ジスタ26に転送されるそして、実行制御部25内部の
タイミング信号発生回路29から命令保持レジスタ26
、命令実行部27、及び結果保持レジスタ28に発生さ
れる指令は、各命令アドレスレジスタ23a。
23b、23cへの指令の一部をOR回路30に入力さ
せたものであるから、同図の「クロックmJlに示すサ
イクルに基づいて命令保持レジスタ26は「命令データ
Jに示す通りに命令記憶メモリ22a、22b、22c
から読み出された命令データを保持する。
そして、同図のrクロックmJJに示すサイクルに基づ
いて「命令実行」に示す通りに、命令データの保持から
1サイクル遅れて、命令実行部27では命令データに従
って命令を実行し、命令の実行結果が結果保持レジスタ
28に保持される。
従って、命令実行部27での命令の実行サイクルは、同
図に示すように、rクロックa、b。
cJlのタイミングパルスの一周期、つまり一つの命令
記憶メモリで命令アドレスレジスタにより命令データの
アドレスを指示してから、命令データが読み出されるま
での時間の1/3となり、命令処理の実行時間を従来の
時間より3倍高速化することでき、命令の処理時間は従
来の1/3に削減することができる。
よって本実施例の命令制御装置によれば、LSI内の命
令実行部により命令処理のサイクルを決定でき、LSI
外の命令記憶メモリのアクセス時間により影響されず、
命令処理の時間を高速化することができ、命令の処理時
間を短縮化することができる。このため、低速安価で高
信頼性のメモリを使用しても命令の実行処理の時間を高
速化することができるので、コストの低減、信頼性の向
上に寄与することができる。
尚、上記実施例では命令記憶メモリを3つ設けた場合に
ついて説明したが、命令記憶メモリは2つでもよいし、
4つ以上設けてもよいことは勿論である。
また上記実施例では、命令アドレスレジスタを用いたが
、命令自身に次のアドレスがあってもよく、また命令ア
ドレスレジスタは、それぞれカウンタであっても、前段
の命令アドレスレジスタに加算器を通し、順次インクリ
メントするものでへよい。
更に、命令記憶メモリ22aに対応する命令アドレスレ
ジスタとして新しく命令アドレスレジスタ23aを設け
たが、従来からLSI21内にある命令アドレスレジス
タを用いてもよい。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明に係る命令制御装置によれ
ば、LSI内の命令実行部により命令処理のサイクルを
決定でき、LSI外の命令記憶メモリ素子のアクセス時
間により影響されず、命令処理の時間を高速化すること
ができ、命令の処理時間を短縮化することができる。こ
のため、低速安価で高信頼性のメモリを使用しても命令
の実行処理の時間を高速化することができるので、コス
トの低減、信頼性の向上に寄与することができる。
また、上記実施例では命令記憶メモリを3つ設けたが、
命令記憶メモリのアクセス時間を、LSI内部の命令実
行部での命令の実行時間で除した数だけ命令記憶メモリ
を設ければ、命令記憶メモリのアクセス時間サイクルが
遅くても、命令実行部では命令を実行していない無駄な
空き時間が生じないようすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理図、第2図本実施例に係る命令制
御装置の構成を示す図、第3図は本実施例のフローチャ
ート、第4図は本実施例による命令の処理を示すタイム
チャート、第5図は従来例を示す図、第6図は従来例に
係る命令の処理を示すタイムチャートである。 1・・・命令実行手段 2・・・命令記憶手段 3・・・命令記憶切換手段 4・・・実行制御部

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 命令データに従って命令を実行する命令実行手段(1)
    を有する命令制御装置において、 複数種類の各命令に対応する命令データを記憶する複数
    の命令記憶手段(2)と、 命令記憶手段(2)を順次切換える命令記憶切換手段(
    3)と、 前記命令実行手段(1)へは命令実行の指令をし、前記
    命令記憶切換手段(3)へは切換えの指令をし、一つの
    命令記憶手段(2)へ命令データの読み出しの指令をし
    てから当該実行手段(1)への命令実行の指令をするま
    での間に所定時間間隔で前記命令記憶手段(2)へは順
    次読み出しの指令をする実行制御部(4)とを設けたこ
    とを特徴とする命令制御装置。
JP6626589A 1989-03-20 1989-03-20 命令制御装置 Pending JPH02245826A (ja)

Priority Applications (1)

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JP6626589A JPH02245826A (ja) 1989-03-20 1989-03-20 命令制御装置

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JP6626589A JPH02245826A (ja) 1989-03-20 1989-03-20 命令制御装置

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JPH02245826A true JPH02245826A (ja) 1990-10-01

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ID=13310843

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JP6626589A Pending JPH02245826A (ja) 1989-03-20 1989-03-20 命令制御装置

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JP (1) JPH02245826A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50134736A (ja) * 1974-04-15 1975-10-25
JPS5126427A (ja) * 1974-08-29 1976-03-04 Tokyo Shibaura Electric Co
JPS5346238A (en) * 1976-10-08 1978-04-25 Toshiba Corp Semiconductor memory unit

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