JPH02243592A - 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 - Google Patents

化合物半導体のエピタキシャル成長方法

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JPH02243592A
JPH02243592A JP1064271A JP6427189A JPH02243592A JP H02243592 A JPH02243592 A JP H02243592A JP 1064271 A JP1064271 A JP 1064271A JP 6427189 A JP6427189 A JP 6427189A JP H02243592 A JPH02243592 A JP H02243592A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、化合物半導体単結晶のエピタキシャル成長方
法に関する。
〈従来の技術〉 硫化亜鉛（ＺｎＳ　）等の化合物半導体発光素子の製造
方法であって、該化合物半導体の半導体基板上べのエピ
タキシャル結晶成長と電極形成を含む製造工程における
膜厚制御性や量産性に優れた方法トして１分子線エピタ
キシャル成長法（ＭＢＥ法）がある。ＭＢＥ法は、例え
ばＺｎＳを結晶成長させる場合、Ｚｎの元素単体材料と
、Ｓの元素単体材料あるいはＳの水素化物（Ｈ２Ｓ）材
料とを各々独立にクヌーセンセル中で加熱、飛出させ、
その分子（原子ンビーム材料を十分に加熱された半導体
基板上に照射し、結晶成長させる技術である。
更に、具体的に、半導体発光素子用の多層エビタキシャ
μ成長結晶の各層にその伝導型と発光色を制御する不純
物をドーピングしたい場合、例えば、ＺｎＳ等の■−■
族化合物半導体をｎ型にしたい場合には、アルミニウム
（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ　）、インジウム（Ｉ　ｎ　
）、■族元素の沃素（１）、臭素（Ｂｒ）、塩素（ＣＩ
Ｌフッ素ＣＦ）などを、またｐ型にしたい場合には、Ｉ
族元素のリチウム（Ｌｉ　）ｅナトリウム（Ｎａ）。
カリウム（Ｋ）、Ｖ族元素の窒素（Ｎ）、リンＰ）。
σ１（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ　）等を、また半絶縁
性にしたい場合には、無添加あるいは■族元素のシリコ
ン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）。
あるいは上記の■族あるいは■族元素のうちいずれかと
１族あるいはＶ族元素のうちいずれかを組み合わせて同
時に不純物元素として使用する。また特に発光中心とし
てドーピングしたい場合には、マンガン（Ｍｎ）、　　
フンタノイド（希土類元素）のランタン（Ｌａ）、セリ
ウム（Ｃｅ）、　プラセオジウム（Ｐｒ）、　　プロメ
チウム（Ｐｍ　）、サマリウム（Ｓｍ　Ｌ　　ユーロピ
ウム（Ｅｕ）、　ガドリニウム（ＧｄＬ　テルビウム（
Ｔｂ）、　ジスプロシウム（Ｄｙ　）、　　ホルミウム
（Ｈｏ）、　　エルビウム（Ｅ　ｒ　Ｌ　ツリウム（Ｔ
ｍ）、イッテルビウム（Ｙ　ｂ　Ｌ　ルテチウム（Ｌｕ
）等を不純物元素として使用する。従来のＭＢＥ法にお
いては、単結晶成長させる際に、適当な温度に加熱され
た基板上に分子ビーム原料を照射し、あるいは、分子ビ
ームを高温に加熱して照射することにより単結晶成長さ
せ、またドー（°ング元素の分子ビーム原料を同時に照
射することにより不純物を添加していた。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、前述の不純物元素を含む単体原料（分子ビーム
原料）の多く（例えば、亜鉛、硫黄、セレン、テ／ｖ／
ｌ／、窒素、リン、石比素、沃素、臭素。
塩素、フッ素）は、元素としての蒸気圧が高く、化合物
半導体にとって必要とされる適当な成長温度（３００℃
以上〕に加熱された基板上への付着係数が小さく、従っ
て上記の元素を成分として含有する化合物半導体側々の
化合物の高品質単結晶成長させることが出来ない。また
一方で化合物半導体は個々の化合物の高品質結晶成長に
必要な温度で成長すると深い準位や複合欠陥の原因とな
る空孔などの点欠陥が発生することや、好ましくない不
純物が混入する等半導体薄膜の特性上重大な不都合が生
じるので、なるべく低温で成長させることが望ましい。
しかるに、不純物元素あるいは半導体構成元素のうち金
属元素（亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ガリウム、
インジウム・、ナトリウム、カリウム、シリコン、ゲル
マニウム、マンガン、スべてのフンタノイド元素）は単
原子分子として存在するが、低温の基板上では凝集し易
く、化合物を形成しないで、あるいは不純物としては分
散しないで固体を形成し、なおかつ、不純物元素や、化
合物半導体を構成する一方の特に非金属元素は元来２分
子原子（テルル ４原子分子（ｆ＃を素，リン）あるいは２〜８原子を含
む多原子分子（硫黄，セレン）として存在するため、低
温基板上に成長の際、分解と結晶への組み込みがスムー
ズに進行しないことになり、構造的欠陥（微小な双晶，
小傾角度結晶粒界，微小な島状成長等）をひき起し半導
体素子製作に適用し得る高品質でしかも、ドーピングが
制御された単結晶を成長させることは極めて困難であっ
た。
そのため、従来のごとき成長法にて製造された半導体多
層膜エピタキシャル結晶は不純物元素が制御された形で
ドーピングされる場合でも、成長温度以上に加熱される
と変質を生じ、例えば不純物を十分に添加された低抵抗
半導体エピタキシャル膜の伝導度が加熱処理により１０
桁以上も増大してしまうことは例外的なことではなく、
さらに成長温度近くまでの再加熱によっても高抵抗化す
るため電極形成の際には加熱処理を避けるための特別な
電極形成層を必ず余分に工夫しなければならないという
問題点、発光素子の駆動後の特性変化や劣化が著しいと
いう問題点がある。特にこれらの問題は，発光ダイオー
ド、半導体レーザーの実用上の極めて大きい問題となっ
ている。
く課題を解決するための手段〉 本発明は上述する問題点を解決するためになされたもの
で、化合物半導体を構成する元素の単体材料と、前記化
合物半導体の不純物元素を含む材料の、分子或いは原子
ビーム原料を用いて、半導体基板一主面上へ所望伝導型
を有する化合物半導体の結晶を成長させる際、 前記分子或いは原子ビーム原料が入射する前記半導体基
板主面上に所定の光線を照射してなる化合物半導体のエ
ピタキシャル成長方法を提供するものである。
く作　用〉 単体元素より成る、不純物用元素ならびに半導体構成元
素は半導体基板上で特定の光エネルギーを持つ光線を照
射すると光エネルギーを吸収して光分解、光泳動、光結
合、光解離する。即ち光エビタキシャμ成長する。光に
よる分解、泳動、結合、解離の効率は光線の照射強度と
波長に依存するため適当に選ばれた。特にバンドギャッ
プのエネルギーに共鳴、吸収するように選ばれた光線に
て、エネルギーを与えられた基板表面上の原子。
分子は熱エネルギー下の定常状態にはなく、光線なしで
は単結晶成長しない低温においても効率良く単結晶化、
不純物添加が行えるのである。
〈実施例〉 （実施例１） 以下に本発明の実施例として、まずＭＢＥ法によりＺｎ
Ｓ単結晶ホモエピタキシャル薄膜の結晶成長をする方法
を説明する。
第１図は光線を半導体結晶基板面に垂直に照射するＭＢ
Ｅ法結高結晶成長装置略図である。
第１図において、ステンレス製超高真空容器１１の内部
をイオンポンプ１２により１０　　”Ｔｏｒｒ　に排気
し、モリブデン製基板ホルダー８上に（１００）面方位
を有するＺｎＳ単結晶基板７を設置し、基板ヒーター１
３で２５０℃に加熱する。分子ビーム原料＋４ＣＡｌ源
）。
分子ビーム原料１５　（Ｇａ源）９分子ビーム原料１６
（Ｉｎ源）９分子ビーム原料１７（Ｚｎ源）９分子ビー
ム原料１８（Ｐ源）ならびに分子ビーム原料１９（Ｓ源
）が基板７に向けて照射されると同時に、Ｘｅランプ（
ｌｋｗ）光源１より出て分光された波長３５０ｎｍ（半
値幅１５　ｎｍ　）の光線２が基板７に向けて照射され
る。Ｚｎのビーム５の圧力はＩ　Ｘ　Ｉ　ＯＴｏｒｒ＋
Ｓのビーム６の圧力は５Ｘ１０　　Ｔｏｒｒである。本
実施例において照射した光線２は約２×１０　　Ｗ／ｃ
ｍ　　であり、連続光を成長の全時間にわたって照射す
る。
第２図は成長温度２５０℃にて成長させたＺｎＳホモエ
ピタキシャル単結晶膜のＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回
折）パターンを光線照射下成長結晶の場合（図中（ａ＞
　）　、ならびに非照射結晶の場合（同図（ｂ））につ
いて記したものである。
第３図は同じく、光線照射下成長（図中Ｃ）ならびに非
照射酸ｇ（図中■）のＺｎＳホモエピタキシャル膜のＰ
Ｌ（フォトルミネッセンス）スペクトルを示す。ＰＬ励
起光はＸｅランプを分光した３１５ｎｍ光を用いている
。
第２図（ａ）・（ｂ）から明らかなように、Ｘｅランプ
３５０　ｎｍ光線を照射しない場合にはエピタキＶヤ／
ｌ’膜は微小な双晶を膜全体に渡って含んでおり低温成
長の為に単結晶化しておらず、また回折点のぼけが大き
いことからも、エビタキシャ／Ｉ’結晶膜は極めて細か
なモザイク結晶からなっていることがわかる。それに比
較して、光線照射結晶は、回折点のぼけが全く無い完全
な単結晶膜となっている。
また、第３図中のＣ，Ｄより明らかなように。
ＰＬスベク）／＆における自由励起子発光（３，７９ｅ
　Ｖ　）の発光強度においても光線照射結晶では、その
強度が非照射の場合に比較して（０，５μｍの同じ膜厚
に対して）３倍に増大しており、半値幅も小さく、光線
照射による単結晶化の効果が顕著である。
また、例えば本実施例において説明したと同じ成長条件
下で光線非照射下でＡ１分子ビームの圧力をＩ　Ｘｉ　
ＯＴｏｒｒ　として、ＡＩをｎ型不純物としてドーピン
グすると、キャリヤ濃度２Ｘ１０　　ｃｍ　　＊移動度
２００ｍ／ｖ−３ｅＣ２抵抗率Ｉ　ＸＩ　ＯΩ・ｃｍの
低抵抗のｎ型ＺｎＳエピタキシャｐ膜が得られる。
これに対して光線射下成長結晶では移動度６０ｃｍ　　
／Ｖ−ｓｅｃ、キャリア濃度６　Ｘ　Ｉ　０１８０ｍ”
、抵抗率０１０１８Ω’ｃｍ　　となり、抵抗率が減少
する。従って光照射による導電率の向上という効果が現
れている。
更に、不純物をドーピングした低抵抗ｎ型エビタキンヤ
ルＺｎＳ結晶は光線照射部分と光線非照射部分ではその
結晶性の違いにより、成長後の加熱処理で、その電気的
特性が大きく変化する。
その変化を説明する例が第４図に示されている。第４図
において、６０はＺｎ５（１００）単結晶基板、６１は
Ｘｅランプ光線（３５０ｎｍ＋２Ｘ１０　　Ｗ／ａｍ　
　）照射部分、６２は光線非照射部分、６３は光調整用
スリット　６４はＸｅランプ光線である。６１．６２は
、亜鉛（Ｚｎ　）ビーム圧力ｌＸｌ０　　　Ｔｏｒｒ＋
硫黄（Ｓ）ビーム圧力５　Ｘ　Ｉ　ＯＴｏ　ｒ　ｒ＋ア
ルミニウム（Ａｌ）ビーム圧力５ＸＩＯＴｏｒｒｅ基板
温度２６０℃で成長し、成長膜の電気的特性は６２部分
では抵抗率２×ｌＯΩ・Ｃｍ＋キャリア濃度１０　　ａ
ｍ　　＋６１部分は抵抗率７Ｘ１０　　　Ω・ｃｍ　　
キャリア濃度２ＸＩＯ′８＝３ ｃｍ　　である。
第５図に、第４図に示したエピタキシャル膜を、成長後
に真空中２６０℃で３０分間加熱した場合の、抵抗率の
値を示す。光線照射成長部分６１は抵抗率がｌＸｌ０　
　　Ω・Ｃｍであり、抵抗率は成長後の値がほぼ保たれ
るが、非照射部分６２の抵抗は成長後の値からＩＯ程度
度以上に増大しｌＯΩ・ｃｍ以上の高抵抗層となる。非
照射部分６２は結晶化が進んでいないため加熱処理によ
り容易に高抵抗化する。−力先照射部分６１は単結晶化
が十分に進行しているため加熱処理によっても成長時の
特性が維持されている。
光線照射が結晶の単結晶化と安定化に著しい効果を示し
ている。
従来のＺｎＳのＭＢＥエビタキンヤル成長において報告
されている最適成長温度（単結晶化温度）は３００℃以
上、特に３５０℃〜４５０℃程度であり、この温度以下
では単結晶化していない。本実施例においては、基板温
度を２５０℃とした場合の結果を記したが、基板温度１
００℃でも全く同様の結果が得られる。
（実施例２） 本発明の第２の実施例を以下、第６図、第７図に示す。
第１の実施例に示した第１図の成長装置において、Ｇａ
の分子ビーム圧カフ×１０ＴｏｒｒｔＡｓの分子ビーム
圧力ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒとし、第１の実施例と同様、
Ｘｅランプ光源を用いて、分光した８３０ｎｍ光（半値
幅１０　ｎｍｌ　５Ｘ１０　　Ｗ／ａｍ　　）をＧａＡ
ｓ（＋００）基板上に照射してＧａＡｓエヒリキシャル
膜を成長させた。
第６図は成長温度４００℃にて成長させたＧａＡｓ　（
１００）ホモエピタキシャル単結晶膜のＲＨＥＥＤ　（
反射高速電子線回折）パターンを光線照射下成長結晶の
場合（同図［株］））ならびに非照射結晶の場合（同図
（ｂ））について記したものである。第７図は同じく、
光線照射下成長（図中Ｅ）ならびに非照射成長（図中Ｆ
）のＧａＡｓホモエピタキシャｌｖ膜のＰＬ（フォトル
ミネッセンス）スペクト）ｖ　ヲ示ｔ。第６　図（ａ）
（ｂ）から明らかなように、Ｘｅフラング３０ｎｍ光線
を照射しない場合にはエピタキシャル膜は微小な双晶を
膜全体に渡って含んでおり低温成長の為に単結晶化して
おらず、また回折点のぼけが大きいことからも、エビタ
キシャρ結晶膜は極めて細かなモザイク結晶からなって
いることがわかる。さらに逆Ｖ字型の回折パターンが支
配的であることは小煩角粒界結晶が多いことを示してい
る。それに比較して、光線照射結晶は、回折点のぼけが
全く無い完全な単結晶膜となっている。また、第７図よ
り明らかなように、ＰＬスペクトルにおけるバンド端発
光（１，５１ｅ　Ｖ　）の発光強度においても光線照射
結晶では、その強度が非照射の場合に比較して（１μｍ
の同じ膜厚に対して）２倍に増大しており、半値幅も小
さく光線照射による単結晶化の効果が顕著である。
（実施例３） 本発明の第３の実施例を以下第８図、第９図に示す。成
長装置は、前記２実施例と同様であり、本実施例に於て
は、ＧａＡｓ基板上にバッファー層を介さず、ＡＩＧａ
ＩｎＰ結晶をヘテロエピタキシャル成長させた。基板温
度は３５０℃。
Ａ１分子ビーム圧力は３ＸｌＯＴｏｒｒｔＧａ子ビーム
圧力は６　ＸＩ　ＯＴｏｒｒ＋　Ｐ分子ビーム圧力は２
ＸＩＯＴｏｒｒである。ＧａＡｓ（１００）上に（Ａｌ
ｏ−ｓ　Ｇａｏ、ｔ）ｏ−５１ｎｏ−４Ｐをエピタキシ
ャル成長させた。照射光線は、前記２実施例と同じＸｅ
ランプ光を分光した６３０ｎｍ（半値幅１５ｎｒｎ＋強
度１ｏｘｌＯＷ／ｃｍ　　）であり、成長の全時間にわ
たって照射した。尚、本実施例では成長初期には８３０
ｎｍ光（半値幅１０ｎｍ＋強度５Ｘ１０　　　Ｗ／ａｍ
　　）を伴用し、特に膜厚０．３μｍ程度までは８３０
ｎｍ光を照射した。
第８図は成長温度３５０℃にて成長させたエピタキシャ
ル単結晶膜のＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折ンパター
ンを光線照射下成長結晶の場合（同図（ａ））ならびに
非照射結晶の場合（同図Ｔｏ））について記したもので
ある。第９図は同じく、光線照射下成長（図中Ｍ）なら
びに非照射成長（図中Ｎ）のＡＩＧａＩｎＰエビタキシ
ャ／Ｌ／膜のＰＬ（フォトルミネッセンス）ヌペクトル
を示す。第８図（ａ）（ｂ）から明らかなように、Ｘｅ
ヲンデ６３０ｎｍ光線を照射しない場合にはエビタキシ
ャ／ｌ’膜は微小な双晶を層全体に渡って含んでおり低
温成長の為に単結晶化しておらず、また回折点のぼけが
大きいことからも、エピタキシャル結晶膜は極めて細か
なモザイク結晶からなっていることがわかる。ＡＩＧａ
ＩｎＰ結晶では、特に双晶成分が著しく含まれている。
それに比較して、光線照射結晶は、回折点のぼけが全く
無い完全な単結晶膜となっている。また、第９図より明
らかなように、ＰＬスペクトルにおけるバンド端発光（
１，８９５ｃＶ）の発光強度においても光線照射結晶で
は、その強度が非照射の場合に比較して（２μｍの同じ
膜厚に対して）７倍に増大しており、半値幅も小さく光
線照射による単結晶化の効果が特に顕著である。
本発明の第２．第３の実施例より明らかなように、従来
のＧａＡｓの適当な成長温度（６００℃）を２００℃以
上も低下できＡＩＧａＩｎＰの場合（５００℃）には１
５０℃以上も下げることが可能であり、大幅な成長温度
の低下がもたらされる。また、これらの実施例は、従来
の温度付近においても同様の結果となっており、発光ダ
イオード、半導体レーザー等の安定性向上に、光線照射
ＭＢＥエピタキシャル成長が有効であることを示す。
本発明は、以上の実施例で説明した範囲にとどまらない
。すなわち、本発明は化合物半導体の種類として筒口族
元素（Ｚｎｔ　　ＣｃＬ　Ｈｇ＋　ＭｇｅＢｅ）、第Ｖ
族元素（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ　）の組み合わせより成る二元
以上のＩ−■族化合物半導体を母体材料として、第１族
元素（Ｌ　ｉ＋　Ｎａｐ　ＫｔＣｕｔ　Ａ　ｇ　＊　Ａ
　ｕ　）　、第Ｖ族元素（Ｎ、Ｐ、Ａｓ。
Ｓｂ　Ｌ第１■族元素（Ｉ　ｎｔ　Ａｌｔ　Ｇａ　）、
第Ｖ族元素（Ｆｔ　Ｃ１＊　Ｂｒ＋　　Ｉ　）、第■族
元素（Ｓ　ｔ＋　Ｃｅ＋　Ｓ　ｎ　）、及び遷移金属元
素（Ｃｒ。
Ｆｅ＋Ｎｉ＊Ｍｎ）、あるいは希土類元素（Ｌａ。
Ｃｅ＋　Ｐｒｙ　Ｎｄｔ　Ｐｍ＋　Ｓｍ＋　Ｅｕｔ　Ｇ
ｄｔＴｂｗ　Ｄｙ＋　Ｈｏｔ　Ｅｒ＋　Ｔｍ＋　Ｙｂ＋
　Ｌｕ　）などを不純物原料とするＩｆ−Ｖｌ族化合物
半導体系、及び第１１族元素（Ｉ　ｎｌ　Ａ　Ｉ　＋　
Ｇａ　）と第Ｖ族元素（Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ　）の組み
合わせより成る２元以上のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
母体材料とし、第１族元素（Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｍｇ、
Ｂｅ、Ｍｎ）第■族元素（Ｓ　Ｌ　Ｇｅ、Ｓｎ　）、第
Ｖ族元素（Ｓ＋　　Ｓｅ、Ｔｅ　）及び遷移金属元素（
Ｃｒ＋　Ｆ　ｅ　ｔＮｉ＋ＶｔＴｉ）などを不純物原料
とするｌ［Ｉ　−Ｖ族化合物半導体系、および第４族元
素（ＣａｓｔｓＧｅ）あるいはその組み合わせよりなる
化合物を母体材料とし、第１ＩＩ族元素、第Ｖ族元素、
第■元素、遷移金属元素を不純物とする第４族元素なら
びに化合物半導体系、および第工族元素、第１ＩＩ族元
素および第Ｖ族元素の組み合わせよりなるカルコバイラ
イト系化合物を母体材料とし、第０族元素、第１ｖ族元
素、第Ｖ族元素、および第Ｖ族元素などを不純物材料と
するカルコパイライト型化合物半導体系などにも適用で
きる。
本発明の分子（原子）ビーム原料としては、上記元素の
単体材料とともに、水素化物、メチル化。
ェチμ化有機金属化合物に適用できる。半導体基板とし
てはＺｎＳ基板、ＣｄＴｅ基板、ＣｄＨｇＴｅ基板など
のほかにＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板。
ＩｎＰ基板、Ｇｅ基板＋　ＧａＡｓＰ基板等のすべての
半導体基板に適用できる。照射光線の種類としては、実
施例においては、クセノン（Ｘｅ　）ランデ（１ｋＷ〜
５ｋＷ）の出力光を分光して用いたが、本発明には、半
導体と共鳴、吸収する波長（二ネμギー）の光線はすべ
て適用でき、例えば水銀（Ｈｇ　）ランデ（高圧、低圧
ランプ）、ヨウ素（Ｉ）ランプ、炭素（Ｃ）電極ランプ
、エキシマレーザ−（ＡｒＦ＊　ＫｒＦ＋　ＸｅＦ＊　
ＸｅＣＬＫ　ｒ　Ｃ１＋　Ａ　ｒ　Ｃｌ　ｖ　Ｆ　）　
ｖ　アルゴン（Ａｒ）インレーザー、ヘリ゛ウムＣＨｅ
）−カドミウム（Ｃｄ）金属蒸気レーザー、ヘリウム（
Ｈｅ）−亜鉛（Ｚｎ　）金属蒸気レーザー、窒素（ＮＺ
　）レーザー、　ＹＡＧレーザ−、半導体レーザーなら
びにこれらのレーザーの第２次高調波レーザー光、なら
びにシンクロトロン軌道放射光（ＳＲ光）などが適用で
きる。
〈発明の効果〉 本発明の如く、半導体基板と共鳴あるりは吸収する光線
を用いて、半導体基板上で化合物材料および不純物材料
の分子ビーム原料を分解２反応させることにより、低温
での単結晶化と不純物の効率的添加が行え、電気的性質
、光学的性質の制御性、安定性の良い半導体エビタキシ
ャρ単結晶を成長させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は半導体エピタキシャル成長装置の概略図、第２
図（ａ）・伽）、第６図（ａ）・缶）、及び第８図１缶
）は本発明の実施例と従来技術とを比較するだめの反射
電子線回折（ＲＨＥＥＤ）像を示す図、第３図、第７図
、及び第９図は本発明の実施例と従来技術とを比較する
ためのフォ）／レミネセンス（ＰＬ）スペクトル図、第
４図は本発明の実施例と従来技術とを比較するためのサ
ンプル作製図、第５図は第４図によるサンプルの特性比
較図である。 ｌ：光源　２：照射光線　３：光学窓　４：Ａ１分子ビ
ーム　５　：Ｚｎｎ分子ピー　　６：Ｓ分子ビーム　７
　：ＺｎＳ基　８：基板ホルダー９：ビーム制御イオン
ゲージ　ｌＯ：組成、堆積制御膜厚モニター　ｌｌ：超
高真空成長容器１２：イオンポンプ　１８：基板ヒータ
ー　１４：Ａ１分子ビーム源　１５：Ｇａ分子ビーム源
１６：Ｉｎ分子ビーム源　１７　：Ｚｎ分子ビーム源　
１８：Ｐ分子ビーム源　１９：Ｓ分子ビーム源　２０　
：Ａｓ分子ビーム源　６０　：　Ｚ　ｎ　５（１００）
基板　６１：Ｘｅランデ光線照射部分　６２：光線非照
射部分　６３：光調整用スリット　６４：Ｘｅランプ光
源 代理人　弁理士　杉　山　毅　至（他１名）第４図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、化合物半導体を構成する元素の単体材料と、前記化
    合物半導体の不純物元素を含む材料の、分子或いは原子
    ビーム原料を用いて、半導体基板一主面上へ所望伝導型
    を有する化合物半導体の結晶を成長させる際、 前記分子或いは原子ビーム原料が入射する前記半導体基
    板主面上に所定の光線を照射してなることを特徴とする
    化合物半導体のエピタキシャル成長方法。
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