JP2009055048A - ZnTe系化合物半導体の表面処理方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ZnTe系化合物半導体の表面処理において、ZnTe系化合物半導体基板に、少なくとも、Zn分子線、および1×10−6Torr以上1×10−4Torr以下の原子状水素を照射しながら150℃から300℃の温度範囲でアニールする第1の表面処理工程(工程B)を少なくとも有するようにした。さらに、前記第1の表面処理工程の前に、前記ZnTe系化合物半導体基板に1×10−6Torr以上1×10−4Torr以下の原子状水素を照射しながら80℃から150℃の温度範囲でアニールする第2の表面処理工程(工程A)を有するようにした。
【選択図】図1
Description
本実施例では、エピタキシャル成長の前処理としてZnTe単結晶基板に図1に示す表面処理を施した。具体的には、図1に示す表面処理工程は、ZnTe単結晶基板に原子状水素のみを照射する工程Aと原子状水素およびZnを照射する工程Bとを有する。
比較例では、エピタキシャル成長の前処理としてZnTe単結晶基板に原子状水素のみによる表面処理工程を行った。つまり、図1の工程BにおいてZn照射を行わないようにした。なお、基板温度および処理時間は実施例と同じで図1に示すとおりである。その結果、得られたZnTe基板表面は凹凸の差の最大値が4nm以上の値となり、また、10nm程度の大きな突起が存在した。
例えば、図1の工程Bにおける処理条件は、処理時間を5分〜2時間の範囲、処理温度を150℃〜300℃の範囲、で適当に変更しても同様の効果を得ることができる。また、図1の工程A,Bにおいて照射する原子状水素の量(圧力)は、効率よく基板表面の清浄化および平坦化を行うために1×10−6Torr以上とし、真空装置の負担を増大させないように1×10−4Torr以下とするのがよい。また、工程Bで照射するZnの量(圧力)は、基板表面に荒れが生じないこと、および真空装置の負担を考慮して決定するべきである。
Claims (3)
- ZnTe系化合物半導体基板に少なくとも、Zn分子線、および1×10−6Torr以上1×10−4Torr以下の原子状水素を照射しながら150℃から300℃の温度範囲で5分以上2時間以下のアニールを行う第1の表面処理工程を有することを特徴とするZnTe系化合物半導体の表面処理方法。
- 前記第1の表面処理工程の前に、前記ZnTe系化合物半導体基板に1×10−6Torr以上1×10−4Torr以下の原子状水素を照射しながら80℃から150℃の温度範囲で5分以上2時間以下のアニールを行う第2の表面処理工程を有することを特徴とする請求項1に記載のZnTe系化合物半導体の表面処理方法。
- ZnTe系化合物半導体基板に請求項1または請求項2に記載の表面処理を施した後、該基板上に分子線エピタキシー法によりエピタキシャル層を成長させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008258525A JP4733729B2 (ja) | 2008-10-03 | 2008-10-03 | ZnTe系化合物半導体の表面処理方法および半導体装置の製造方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009055048A true JP2009055048A (ja) | 2009-03-12 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP4733729B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111584767A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-08-25 | 合肥福纳科技有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
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-
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JP4733729B2 (ja) | 2011-07-27 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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