JP3083755B2 - 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 - Google Patents
化合物半導体のエピタキシャル成長方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体単結
晶のエピタキシャル成長方法に関する。
晶のエピタキシャル成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】硫化亜鉛（ＺｎＳ）等の化合物半導体発
光素子の製造方法であって、該化合物半導体の半導体基
板上へのエピタキシャル結晶成長と電極形成を含む製造
工程における膜厚制御性や量産性に優れた方法として、
分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）がある。ＭＢ
Ｅ法は、例えばＺｎＳを結晶成長させる場合、Ｚｎの元
素単体材料と、Ｓの元素単体材料あるいはＳの水素化物
（Ｈ2Ｓ）材料とを各々独立にクヌーセンセル中で加
熱、飛出させ、その分子（原子）ビーム材料を十分に加
熱された半導体基板上に照射し、結晶成長させる技術で
ある。
光素子の製造方法であって、該化合物半導体の半導体基
板上へのエピタキシャル結晶成長と電極形成を含む製造
工程における膜厚制御性や量産性に優れた方法として、
分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）がある。ＭＢ
Ｅ法は、例えばＺｎＳを結晶成長させる場合、Ｚｎの元
素単体材料と、Ｓの元素単体材料あるいはＳの水素化物
（Ｈ2Ｓ）材料とを各々独立にクヌーセンセル中で加
熱、飛出させ、その分子（原子）ビーム材料を十分に加
熱された半導体基板上に照射し、結晶成長させる技術で
ある。
【０００３】更に、具体的に、半導体発光素子用の多層
エピタキシャル成長結晶の各層にその伝導型と発光色を
制御する不純物をドービングしたい場合、例えば、Ｚｎ
Ｓ等のII−VI族化合物半導体をｎ型にしたい場合には、
アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム
（Ｉｎ）、VII族元素の沃素（Ｉ）、臭素（Ｂｒ）、塩
素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）などを、またｐ型にしたい場
合には、Ｉ族元素のリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎ
ａ）、カリウム（Ｋ）、Ｖ族元素の窒素（Ｎ）、リン
（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等を、また
半絶縁性にしたい場合には、無添加あるいはIV族元素の
シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）あるいは上記
のIII族あるいはVII族元素のうちいずれかとＩ族あるい
はＶ族元素のうちいずれかを組み合わせて同時に不純物
元素として使用する。また特に発光中心としてドービン
グしたい場合には、マンガン（Ｍｎ）、ランタノイド
（希土類元素）のランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃ
ｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、プロメチウム（Ｐ
ｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロビウム（Ｅｕ）、ガ
ドリニウム（Ｇｂ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシ
ウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅ
ｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ル
テチウム（Ｌｕ）等を不純物元素として使用する。従来
のＭＢＥ法においては、単結晶成長させる際に、適当な
温度に加熱された基板上に分子ビーム原料を照射し、あ
るいは、分子ビームを高温に加熱して照射することによ
り単結晶成長させ、またドービング元素の分子ビーム原
料を同時に照射することにより不純物を添加していた。
エピタキシャル成長結晶の各層にその伝導型と発光色を
制御する不純物をドービングしたい場合、例えば、Ｚｎ
Ｓ等のII−VI族化合物半導体をｎ型にしたい場合には、
アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム
（Ｉｎ）、VII族元素の沃素（Ｉ）、臭素（Ｂｒ）、塩
素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）などを、またｐ型にしたい場
合には、Ｉ族元素のリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎ
ａ）、カリウム（Ｋ）、Ｖ族元素の窒素（Ｎ）、リン
（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等を、また
半絶縁性にしたい場合には、無添加あるいはIV族元素の
シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）あるいは上記
のIII族あるいはVII族元素のうちいずれかとＩ族あるい
はＶ族元素のうちいずれかを組み合わせて同時に不純物
元素として使用する。また特に発光中心としてドービン
グしたい場合には、マンガン（Ｍｎ）、ランタノイド
（希土類元素）のランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃ
ｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、プロメチウム（Ｐ
ｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロビウム（Ｅｕ）、ガ
ドリニウム（Ｇｂ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシ
ウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅ
ｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ル
テチウム（Ｌｕ）等を不純物元素として使用する。従来
のＭＢＥ法においては、単結晶成長させる際に、適当な
温度に加熱された基板上に分子ビーム原料を照射し、あ
るいは、分子ビームを高温に加熱して照射することによ
り単結晶成長させ、またドービング元素の分子ビーム原
料を同時に照射することにより不純物を添加していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の不純物
元素を含む単体原料（分子ビーム原料）の多く（例え
ば、亜鉛、硫黄、セレン、テルル、窒素、リン、砒素、
沃素、臭素、塩素、フッ素）は、元素としての蒸気圧が
高く、化合物半導体にとって必要とされる適当な成長温
度（３００℃以上）に加熱された基板上への付着係数が
小さく、従って上記の元素を成分として含有する化合物
半導体個々の化合物の高品質単結晶成長させることが出
来ない。また一方で化合物半導体は個々の化合物の高品
質結晶成長に必要な温度で成長すると深い準位や複合欠
陥の原因となる空孔などの点欠陥が発生することや、好
ましくない不純物が混入する等半導体薄膜の特性上重大
な不都合が生じるので、なるべく低温で成長させること
が望ましい。
元素を含む単体原料（分子ビーム原料）の多く（例え
ば、亜鉛、硫黄、セレン、テルル、窒素、リン、砒素、
沃素、臭素、塩素、フッ素）は、元素としての蒸気圧が
高く、化合物半導体にとって必要とされる適当な成長温
度（３００℃以上）に加熱された基板上への付着係数が
小さく、従って上記の元素を成分として含有する化合物
半導体個々の化合物の高品質単結晶成長させることが出
来ない。また一方で化合物半導体は個々の化合物の高品
質結晶成長に必要な温度で成長すると深い準位や複合欠
陥の原因となる空孔などの点欠陥が発生することや、好
ましくない不純物が混入する等半導体薄膜の特性上重大
な不都合が生じるので、なるべく低温で成長させること
が望ましい。
【０００５】しかるに、不純物元素あるいは半導体構成
元素のうち金属元素（亜鉛、カドミウム、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、ナトリウム、カリウム、シ
リコン、ゲルマニウム、マンガン、すべてのランタノイ
ド元素）は単原子分子として存在するが、低温の基板上
では凝集し易く、化合物を形成しないで、あるいは不純
物としては分散しないで固体を形成し、なおかつ、不純
物元素や、化合物半導体を構成する一方の特に非金属元
素は元来２分子原子（テルル、窒素、沃素、臭素、フッ
素）、４原子分子（砒素、リン）あるいは２〜８原子を
含む多原子分子（硫黄、セレン）として存在するため、
低温基板上に成長の際、分解と結晶への組み込みがスム
ーズに進行しないことになり、構造的欠陥（微小な双
晶、小傾角度結晶粒界、微小な島状成長等）をひき起こ
し半導体素子製作に適用し得る高品質でしかも、ドービ
ングが制御された単結晶を成長させることは極めて困難
であった。
元素のうち金属元素（亜鉛、カドミウム、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、ナトリウム、カリウム、シ
リコン、ゲルマニウム、マンガン、すべてのランタノイ
ド元素）は単原子分子として存在するが、低温の基板上
では凝集し易く、化合物を形成しないで、あるいは不純
物としては分散しないで固体を形成し、なおかつ、不純
物元素や、化合物半導体を構成する一方の特に非金属元
素は元来２分子原子（テルル、窒素、沃素、臭素、フッ
素）、４原子分子（砒素、リン）あるいは２〜８原子を
含む多原子分子（硫黄、セレン）として存在するため、
低温基板上に成長の際、分解と結晶への組み込みがスム
ーズに進行しないことになり、構造的欠陥（微小な双
晶、小傾角度結晶粒界、微小な島状成長等）をひき起こ
し半導体素子製作に適用し得る高品質でしかも、ドービ
ングが制御された単結晶を成長させることは極めて困難
であった。
【０００６】そのため、従来のごとき成長法にて製造さ
れた半導体多層膜エピタキシャル結晶は不純物元素が制
御された形でドービングされる場合でも、成長温度以上
に加熱されると変質を生じ、例えば不純物を十分に添加
された低抵抗半導体エピタキシャル膜の伝導度が加熱処
理により１０桁以上も増大してしまうことは例外的なこ
とではなく、さらに成長温度近くまでの再加熱によって
も高抵抗化するため電極形成の際には加熱処理を避ける
ための特別な電極形成層を必ず余分に工夫しなければな
らないという問題点、発光素子の駆動後の特性変化や劣
化が著しいという問題点がある。特にこれらの問題は、
発光ダイオード、半導体レーザーの実用上の極めて大き
い問題となっている。
れた半導体多層膜エピタキシャル結晶は不純物元素が制
御された形でドービングされる場合でも、成長温度以上
に加熱されると変質を生じ、例えば不純物を十分に添加
された低抵抗半導体エピタキシャル膜の伝導度が加熱処
理により１０桁以上も増大してしまうことは例外的なこ
とではなく、さらに成長温度近くまでの再加熱によって
も高抵抗化するため電極形成の際には加熱処理を避ける
ための特別な電極形成層を必ず余分に工夫しなければな
らないという問題点、発光素子の駆動後の特性変化や劣
化が著しいという問題点がある。特にこれらの問題は、
発光ダイオード、半導体レーザーの実用上の極めて大き
い問題となっている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体の
エピタキシャル成長方法は、化合物半導体を構成する元
素の単体材料と、前記化合物半導体の不純物元素を含む
材料の、多原子分子或いは原子ビーム原料を用いて、半
導体基板の一主面上へ所望伝導型を有する化合物半導体
の結晶を成長させる際、前記多原子分子或いは原子ビー
ム原料が入射する前記半導体基板主面上に、成長する結
晶材料のバンドギャップのエネルギーに共鳴かつ吸収す
るように選ばれた光線を所定領域に照射して化合物半導
体の結晶を成長させ、 結晶成長後の熱処理により照射領
域を低抵抗化すると共に、非照射領域を高抵抗化するこ
とを特徴とする。
エピタキシャル成長方法は、化合物半導体を構成する元
素の単体材料と、前記化合物半導体の不純物元素を含む
材料の、多原子分子或いは原子ビーム原料を用いて、半
導体基板の一主面上へ所望伝導型を有する化合物半導体
の結晶を成長させる際、前記多原子分子或いは原子ビー
ム原料が入射する前記半導体基板主面上に、成長する結
晶材料のバンドギャップのエネルギーに共鳴かつ吸収す
るように選ばれた光線を所定領域に照射して化合物半導
体の結晶を成長させ、 結晶成長後の熱処理により照射領
域を低抵抗化すると共に、非照射領域を高抵抗化するこ
とを特徴とする。
【０００８】以下に、本願の作用を記載する。
【０００９】単体元素より成る、不純物用元素ならびに
半導体構成元素は半導体基板上で特定の光エネルギーを
持つ光線を照射すると光エネルギーを吸収して光分解、
光泳動、光結合、光解離する、即ち光エピタキシャル成
長する。光による分解、泳動、結合、解離の効率は光線
の照射強度と波長に依存するため、特にバンドギャップ
のエネルギーに共鳴、吸収するように選ばれた光線に
て、エネルギーを与えられた基板表面上の原子、分子は
熱エネルギー下の定常状態にはなく、光線なしでは単結
晶成長しない低温においても効率良く単結晶化、不純物
添加が行えるのである。
半導体構成元素は半導体基板上で特定の光エネルギーを
持つ光線を照射すると光エネルギーを吸収して光分解、
光泳動、光結合、光解離する、即ち光エピタキシャル成
長する。光による分解、泳動、結合、解離の効率は光線
の照射強度と波長に依存するため、特にバンドギャップ
のエネルギーに共鳴、吸収するように選ばれた光線に
て、エネルギーを与えられた基板表面上の原子、分子は
熱エネルギー下の定常状態にはなく、光線なしでは単結
晶成長しない低温においても効率良く単結晶化、不純物
添加が行えるのである。
【００１０】
（実施例１）以下に本発明の実施例として、まずＭＢＥ
法によりＺｎＳ単結晶ホモエピタキシャル薄膜の結晶成
長をする方法を説明する。
法によりＺｎＳ単結晶ホモエピタキシャル薄膜の結晶成
長をする方法を説明する。
【００１１】図１は光線を半導体結晶基板面に垂直に照
射するＭＢＥ法結晶成長装置の概略図である。
射するＭＢＥ法結晶成長装置の概略図である。
【００１２】図１において、ステンレス製超高真空容器
１１の内部をイオンポンプ１２により１０-10Ｔｏｒｒ
に排気し、モリブデン製基板ホルダー８上に（１００）
面方位を有するＺｎＳ単結晶基板７を設置し、基板ヒー
ター１３で２５０℃に加熱する。分子ビーム原料１４
（Ａｌ源）、分子ビーム原料１５（Ｇａ源）、分子ビー
ム原料１６（Ｉｎ源）、分子ビーム原料１７（Ｚｎ
源）、分子ビーム原料１８（Ｐ源）ならびに分子ビーム
原料１９（Ｓ源）が基板７に向けて照射されると同時
に、Ｘｅランプ（１ｋｗ）光源１より出て分光された波
長３５０ｎｍ（半値幅１５ｎｍ）の光線２が基板７に向
けて照射される。Ｚｎのビーム５の圧力は１×１０-6Ｔ
ｏｒｒ、Ｓのビーム６の圧力は５×１０-6Ｔｏｒｒであ
る。本実施例において照射した光線２は約２×１０-5Ｗ
／ｃｍ2であり、連続光を成長の全時間にわたって照射
する。
１１の内部をイオンポンプ１２により１０-10Ｔｏｒｒ
に排気し、モリブデン製基板ホルダー８上に（１００）
面方位を有するＺｎＳ単結晶基板７を設置し、基板ヒー
ター１３で２５０℃に加熱する。分子ビーム原料１４
（Ａｌ源）、分子ビーム原料１５（Ｇａ源）、分子ビー
ム原料１６（Ｉｎ源）、分子ビーム原料１７（Ｚｎ
源）、分子ビーム原料１８（Ｐ源）ならびに分子ビーム
原料１９（Ｓ源）が基板７に向けて照射されると同時
に、Ｘｅランプ（１ｋｗ）光源１より出て分光された波
長３５０ｎｍ（半値幅１５ｎｍ）の光線２が基板７に向
けて照射される。Ｚｎのビーム５の圧力は１×１０-6Ｔ
ｏｒｒ、Ｓのビーム６の圧力は５×１０-6Ｔｏｒｒであ
る。本実施例において照射した光線２は約２×１０-5Ｗ
／ｃｍ2であり、連続光を成長の全時間にわたって照射
する。
【００１３】図２は成長温度２５０℃にて成長させたＺ
ｎＳホモエピタキシャル単結晶膜のＲＨＥＥＤ（反射高
速電子線回折）パターンを光線照射下成長結晶の場合
（図中（ａ））、ならびに非照射結晶の場合（同図
（ｂ））について記したものである。図３は同じく、光
線照射下成長（図中（Ｃ））ならびに非照射成長（図中
（Ｄ））のＺｎＳホモエピタキシャル膜のＰＬ（フォト
ルミネッセンス）スペクトルを示す。ＰＬ励起光はＸｅ
ランプを分光した３１５ｎｍ光を用いている。
ｎＳホモエピタキシャル単結晶膜のＲＨＥＥＤ（反射高
速電子線回折）パターンを光線照射下成長結晶の場合
（図中（ａ））、ならびに非照射結晶の場合（同図
（ｂ））について記したものである。図３は同じく、光
線照射下成長（図中（Ｃ））ならびに非照射成長（図中
（Ｄ））のＺｎＳホモエピタキシャル膜のＰＬ（フォト
ルミネッセンス）スペクトルを示す。ＰＬ励起光はＸｅ
ランプを分光した３１５ｎｍ光を用いている。
【００１４】図２（ａ）・（ｂ）から明らかなように、
Ｘｅランプ３５０ｎｍ光線を照射しない場合にはエピタ
キシャル膜は微小な双晶を膜全体に渡って含んでおり低
温成長の為に単結晶化しておらず、また回折点のぼけが
大きいことからも、エピタキシャル結晶膜は極めて細か
なモザイク結晶からなっていることがわかる。それに比
較して、光線照射結晶は、回折点のぼけが全く無い完全
な単結晶膜となっている。
Ｘｅランプ３５０ｎｍ光線を照射しない場合にはエピタ
キシャル膜は微小な双晶を膜全体に渡って含んでおり低
温成長の為に単結晶化しておらず、また回折点のぼけが
大きいことからも、エピタキシャル結晶膜は極めて細か
なモザイク結晶からなっていることがわかる。それに比
較して、光線照射結晶は、回折点のぼけが全く無い完全
な単結晶膜となっている。
【００１５】また、図３中のＣ、Ｄより明らかなよう
に、ＰＬスペクトルにおける自由励起子発光（３．７９
ｅＶ）の発光強度においても光線照射結晶では、その強
度が非照射の場合に比較して（０．５μｍの同じ膜厚に
対して）３倍に増大しており、半値幅も小さく、光線照
射による単結晶化の効果が顕著である。
に、ＰＬスペクトルにおける自由励起子発光（３．７９
ｅＶ）の発光強度においても光線照射結晶では、その強
度が非照射の場合に比較して（０．５μｍの同じ膜厚に
対して）３倍に増大しており、半値幅も小さく、光線照
射による単結晶化の効果が顕著である。
【００１６】また、例えば本実施例において説明したと
同じ成長条件下で光線非照射下でＡｌ分子ビームの圧力
を１×１０-9Ｔｏｒｒとして、Ａｌをｎ型不純物として
ドーピングすると、キャリア濃度２×１０18ｃｍ-3、移
動度２０ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ、抵抗率１×１０-1Ω・ｃ
ｍの低抵抗のｎ型ＺｎＳエピタキシャル膜が得られる。
同じ成長条件下で光線非照射下でＡｌ分子ビームの圧力
を１×１０-9Ｔｏｒｒとして、Ａｌをｎ型不純物として
ドーピングすると、キャリア濃度２×１０18ｃｍ-3、移
動度２０ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ、抵抗率１×１０-1Ω・ｃ
ｍの低抵抗のｎ型ＺｎＳエピタキシャル膜が得られる。
【００１７】これらに対して光照射下成長結晶では移動
度６０ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ、キャリア濃度６×１０18ｃ
ｍ-3、抵抗率０．０１８Ω・ｃｍとなり、抵抗率が減少
する。従って光照射による導電率の向上という効果が現
れている。
度６０ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ、キャリア濃度６×１０18ｃ
ｍ-3、抵抗率０．０１８Ω・ｃｍとなり、抵抗率が減少
する。従って光照射による導電率の向上という効果が現
れている。
【００１８】更に、不純物をドーピングした低抵抗ｎ型
エピタキシャルＺｎＳ結晶は光線照射部分と光線非照射
部分ではその結晶性の違いにより、成長後の加熱処理
で、その電気的特性が大きく変化する。
エピタキシャルＺｎＳ結晶は光線照射部分と光線非照射
部分ではその結晶性の違いにより、成長後の加熱処理
で、その電気的特性が大きく変化する。
【００１９】その変化を説明する例が図４に示されてい
る。図４において、６０はＺｎＳ（１００）単結晶基
板、６１はＸｅランプ光線（３５０ｎｍ、２×１０-5Ｗ
／ｃｍ2）照射部分、６２は光線非照射部分、６３は光
調整用スリット、６４はＸｅランプ光線である。６１、
６２は、亜鉛（Ｚｎ）ビーム圧力１×１０-6Ｔｏｒｒ、
硫黄（Ｓ）ビーム圧力５×１０-6Ｔｏｒｒ、アルミニウ
ム（Ａｌ）ビーム圧力５×１０-9Ｔｏｒｒ、基板温度２
６０℃で成長し、成長膜の電気的特性は６２部分では抵
抗率２×１０-2Ω・ｃｍ、キャリア濃度１０18ｃｍ-3、
６１部分は抵抗率７×１０-3Ω・ｃｍキャリア濃度２×
１０18ｃｍ-3である。
る。図４において、６０はＺｎＳ（１００）単結晶基
板、６１はＸｅランプ光線（３５０ｎｍ、２×１０-5Ｗ
／ｃｍ2）照射部分、６２は光線非照射部分、６３は光
調整用スリット、６４はＸｅランプ光線である。６１、
６２は、亜鉛（Ｚｎ）ビーム圧力１×１０-6Ｔｏｒｒ、
硫黄（Ｓ）ビーム圧力５×１０-6Ｔｏｒｒ、アルミニウ
ム（Ａｌ）ビーム圧力５×１０-9Ｔｏｒｒ、基板温度２
６０℃で成長し、成長膜の電気的特性は６２部分では抵
抗率２×１０-2Ω・ｃｍ、キャリア濃度１０18ｃｍ-3、
６１部分は抵抗率７×１０-3Ω・ｃｍキャリア濃度２×
１０18ｃｍ-3である。
【００２０】図５に、図４に示したエピタキシャル膜
を、成長後に真空中２６０℃で３０分間加熱した場合
の、抵抗率の値を示す。光線照射成長部分６１は抵抗率
が１×１０-2Ω・ｃｍであり、抵抗率は成長後の値がほ
ぼ保たれるが、非照射部分６２の抵抗は成長後の値から
１０9倍程度以上に増大し１０7Ω・ｃｍ以上の高抵抗層
となる。非照射部分６２は結晶化が進んでいないため加
熱処理により容易に高抵抗化する。一方光照射部分６１
は単結晶化が十分に進行しているため加熱処理によって
も成長時の特性が維持されている。
を、成長後に真空中２６０℃で３０分間加熱した場合
の、抵抗率の値を示す。光線照射成長部分６１は抵抗率
が１×１０-2Ω・ｃｍであり、抵抗率は成長後の値がほ
ぼ保たれるが、非照射部分６２の抵抗は成長後の値から
１０9倍程度以上に増大し１０7Ω・ｃｍ以上の高抵抗層
となる。非照射部分６２は結晶化が進んでいないため加
熱処理により容易に高抵抗化する。一方光照射部分６１
は単結晶化が十分に進行しているため加熱処理によって
も成長時の特性が維持されている。
【００２１】光線照射が結晶の単結晶化と安定化に著し
い効果を示している。
い効果を示している。
【００２２】従来のＺｎＳのＭＢＥエピタキシャル成長
において報告されている最適成長温度（単結晶化温度）
は３００℃以上、特に３５０℃〜４５０℃程度であり、
この温度以下では単結晶化していない。本実施例におい
ては、基板温度を２５０℃とした場合の結果を記した
が、基板温度１００℃でも全く同様の結果が得られる。
において報告されている最適成長温度（単結晶化温度）
は３００℃以上、特に３５０℃〜４５０℃程度であり、
この温度以下では単結晶化していない。本実施例におい
ては、基板温度を２５０℃とした場合の結果を記した
が、基板温度１００℃でも全く同様の結果が得られる。
【００２３】（実施例２）本発明の第２の実施例を以
下、図６、図７に示す。第１の実施例に示した図１の成
長装置において、Ｇａの分子ビーム圧力７×１０-7Ｔｏ
ｒｒ、Ａｓの分子ビーム圧力１×１０-6Ｔｏｒｒとし、
第１の実施例と同様、Ｘｅランプ光源を用いて、分光し
た８３０ｎｍ光（半値幅１０ｎｍ、５×１０-5 Ｗ／ｃ
ｍ2）をＧａＡｓ（１００）基板上に照射してＧａＡｓ
エピタキシャル膜を成長させた。
下、図６、図７に示す。第１の実施例に示した図１の成
長装置において、Ｇａの分子ビーム圧力７×１０-7Ｔｏ
ｒｒ、Ａｓの分子ビーム圧力１×１０-6Ｔｏｒｒとし、
第１の実施例と同様、Ｘｅランプ光源を用いて、分光し
た８３０ｎｍ光（半値幅１０ｎｍ、５×１０-5 Ｗ／ｃ
ｍ2）をＧａＡｓ（１００）基板上に照射してＧａＡｓ
エピタキシャル膜を成長させた。
【００２４】図６は成長温度４００℃にて成長させたＧ
ａＡｓ（１００）ホモエピタキシャル単結晶膜のＲＨＥ
ＥＤ（反射高速電子線回折）パターンを光線照射下成長
結晶の場合（同図（ａ））ならびに非照射結晶の場合
（同図（ｂ））について記したものである。図７は同じ
く、光線照射下成長（図中Ｅ）ならびに非照射成長（図
中Ｆ）のＧａＡｓホモエピタキシャル膜のＰＬ（フォト
ルミネッセンス）スペクトルを示す。図６（ａ）（ｂ）
から明らかなように、Ｘｅランプ８３０ｎｍ光線を照射
しない場合にはエピタキシャル膜は微小な双品を膜全体
に渡って含んでおり低温成長の為に単結晶化しておら
ず、また回折点のぼけが大きいことからも、エピタキシ
ャル結晶膜は極めて細かなモザイク結晶からなっている
ことがわかる。さらに逆Ｖ字型の回折パターンが支配的
であることは小傾角粒界結晶が多いことを示している。
それに比較して、光線照射結晶は、回折点のぼけが全く
無い完全な単結晶膜となっている。また、図７より明ら
かなように、ＰＬスペクトルにおけるバンド端発光
（１．５１ｅＶ）の発光強度においても光線照射結晶で
は、その強度が非照射の場合に比較して（１μｍの同じ
膜厚に対して）２倍に増大しており、半値幅も小さく光
線照射による単結晶化の効果が顕著である。
ａＡｓ（１００）ホモエピタキシャル単結晶膜のＲＨＥ
ＥＤ（反射高速電子線回折）パターンを光線照射下成長
結晶の場合（同図（ａ））ならびに非照射結晶の場合
（同図（ｂ））について記したものである。図７は同じ
く、光線照射下成長（図中Ｅ）ならびに非照射成長（図
中Ｆ）のＧａＡｓホモエピタキシャル膜のＰＬ（フォト
ルミネッセンス）スペクトルを示す。図６（ａ）（ｂ）
から明らかなように、Ｘｅランプ８３０ｎｍ光線を照射
しない場合にはエピタキシャル膜は微小な双品を膜全体
に渡って含んでおり低温成長の為に単結晶化しておら
ず、また回折点のぼけが大きいことからも、エピタキシ
ャル結晶膜は極めて細かなモザイク結晶からなっている
ことがわかる。さらに逆Ｖ字型の回折パターンが支配的
であることは小傾角粒界結晶が多いことを示している。
それに比較して、光線照射結晶は、回折点のぼけが全く
無い完全な単結晶膜となっている。また、図７より明ら
かなように、ＰＬスペクトルにおけるバンド端発光
（１．５１ｅＶ）の発光強度においても光線照射結晶で
は、その強度が非照射の場合に比較して（１μｍの同じ
膜厚に対して）２倍に増大しており、半値幅も小さく光
線照射による単結晶化の効果が顕著である。
【００２５】（実施例３）本発明の第３の実施例を以下
図８、図９に示す。成長装置は、前記２実施例と同様で
あり、本実施例に於いては、ＧａＡｓ基板上にバッファ
ー層を介さず、ＡｌＧａＩｎＰ結晶をヘテロエピタキシ
ャル成長させた。基板温度は３５０℃、Ａｌ分子ビーム
圧力は３×１０-7Ｔｏｒｒ、Ｇａ分子ビーム圧力は５×
１０-7Ｔｏｒｒ、Ｉｎ分子ビーム圧力は６×１０-7Ｔｏ
ｒｒ、Ｐ分子ビーム圧力は２×１０-6Ｔｏｒｒである。
ＧａＡｓ（１００）上に（Ａｌ0.5 Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ
0.4Ｐをエピタキシャル成長させた。照射光線は、前記
２実施例と同じＸｅランプ光を分光した６３０ｎｍ（半
値幅１５ｎｍ、強度１０×１０-5Ｗ／ｃｍ2）であり、
成長の全時間にわたって照射した。尚、本実施例では成
長初期には８３０ｎｍ光（半値幅１０ｎｍ、強度５×１
０-5Ｗ／ｃｍ2）を併用し、特に膜厚０．３μｍ程度ま
では８３０ｎｍ光を照射した。
図８、図９に示す。成長装置は、前記２実施例と同様で
あり、本実施例に於いては、ＧａＡｓ基板上にバッファ
ー層を介さず、ＡｌＧａＩｎＰ結晶をヘテロエピタキシ
ャル成長させた。基板温度は３５０℃、Ａｌ分子ビーム
圧力は３×１０-7Ｔｏｒｒ、Ｇａ分子ビーム圧力は５×
１０-7Ｔｏｒｒ、Ｉｎ分子ビーム圧力は６×１０-7Ｔｏ
ｒｒ、Ｐ分子ビーム圧力は２×１０-6Ｔｏｒｒである。
ＧａＡｓ（１００）上に（Ａｌ0.5 Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ
0.4Ｐをエピタキシャル成長させた。照射光線は、前記
２実施例と同じＸｅランプ光を分光した６３０ｎｍ（半
値幅１５ｎｍ、強度１０×１０-5Ｗ／ｃｍ2）であり、
成長の全時間にわたって照射した。尚、本実施例では成
長初期には８３０ｎｍ光（半値幅１０ｎｍ、強度５×１
０-5Ｗ／ｃｍ2）を併用し、特に膜厚０．３μｍ程度ま
では８３０ｎｍ光を照射した。
【００２６】図８は成長温度３５０℃にて成長させたエ
ピタキシャル単結晶膜のＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回
折）パターンを光線照射下成長結晶の場合（同図
（ａ））ならびに非照射の場合（同図（ｂ））について
記したものである。図９は同じく、光線照射下成長（図
中Ｍ）ならびに非照射成長（図中Ｎ）のＡｌＧａＩｎＰ
エピタキシャル膜のＰＬ（フォトルミネッセンス）スペ
クトルを示す。図８（ａ）（ｂ）から明らかなように、
Ｘｅランプ６３０ｎｍ光線を照射しない場合にはエピタ
キシャル膜は微小な双品を膜全体に渡って含んでおり低
温成長の為に単結晶化しておらず、また回折点のぼけが
大きいことからも、エピタキシャル結晶膜は極めて細か
なモザイク結晶からなっていることがわかる。ＡｌＧａ
ＩｎＰ結晶では、特に双晶成分が著しく含まれている。
それに比較して、光線照射結晶は、回折点のぼけが全く
無い完全な単結晶膜となっている。また、図９より明ら
かなように、ＰＬスペクトにおけるバンド端発光（１．
８９５ｃＶ）の発光強度においても光線照射結晶では、
その強度が非照射の場合に比較して（２μｍの同じ膜厚
に対して）７倍に増大しており、半値幅も小さく光線照
射による単結晶化の効果が特に顕著である。
ピタキシャル単結晶膜のＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回
折）パターンを光線照射下成長結晶の場合（同図
（ａ））ならびに非照射の場合（同図（ｂ））について
記したものである。図９は同じく、光線照射下成長（図
中Ｍ）ならびに非照射成長（図中Ｎ）のＡｌＧａＩｎＰ
エピタキシャル膜のＰＬ（フォトルミネッセンス）スペ
クトルを示す。図８（ａ）（ｂ）から明らかなように、
Ｘｅランプ６３０ｎｍ光線を照射しない場合にはエピタ
キシャル膜は微小な双品を膜全体に渡って含んでおり低
温成長の為に単結晶化しておらず、また回折点のぼけが
大きいことからも、エピタキシャル結晶膜は極めて細か
なモザイク結晶からなっていることがわかる。ＡｌＧａ
ＩｎＰ結晶では、特に双晶成分が著しく含まれている。
それに比較して、光線照射結晶は、回折点のぼけが全く
無い完全な単結晶膜となっている。また、図９より明ら
かなように、ＰＬスペクトにおけるバンド端発光（１．
８９５ｃＶ）の発光強度においても光線照射結晶では、
その強度が非照射の場合に比較して（２μｍの同じ膜厚
に対して）７倍に増大しており、半値幅も小さく光線照
射による単結晶化の効果が特に顕著である。
【００２７】本発明の第２、第３の実施例より明らかな
ように、従来のＧａＡｓの適当な成長温度（６００℃）
を２００℃以上も低下できＡｌＧａＩｎＰの場合（５０
０℃）には１５０℃以上も下げることが可能であり、大
幅な成長温度の低下がもたらされる。また、これらの実
施例は、従来の温度付近においても同様の結果となって
おり、発光ダイオード、半導体レーザー等の安定性向上
に、光線照射ＭＢＥエピタキシャル成長が有効であるこ
とを示す。
ように、従来のＧａＡｓの適当な成長温度（６００℃）
を２００℃以上も低下できＡｌＧａＩｎＰの場合（５０
０℃）には１５０℃以上も下げることが可能であり、大
幅な成長温度の低下がもたらされる。また、これらの実
施例は、従来の温度付近においても同様の結果となって
おり、発光ダイオード、半導体レーザー等の安定性向上
に、光線照射ＭＢＥエピタキシャル成長が有効であるこ
とを示す。
【００２８】本発明は、以上の実施例で説明した範囲に
とどまらない。すなわち、本発明は化合物半導体の種類
として第II族元素（Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｍｇ，Ｂｅ）、
第VI族元素（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）の組み合わせより成る二
元以上のII−VI族化合物半導体を母体材料として、第Ｉ
族元素(Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ）、第Ｖ族
元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）、第III族元素（Ｉｎ，Ａ
ｌ，Ｇａ）、第VII族元素（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）、第I
V族元素（Ｓｉ，Ｃｅ，Ｓｎ）、及び遷移金属元素（Ｃ
ｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎ）、あるいは希土類元素（Ｌａ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ）などを不純物原料
とするII−VI族化合物半導体系、及び第III族元素（Ｉ
ｎ，Ａｌ，Ｇａ）と第Ｖ族元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）
の組み合わせより成る２元以上のIII-Ｖ族化合物半導体
を母体材料とし、第II族元素（Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｍ
ｇ，Ｂｅ，Ｍｎ）、第IV族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ）、
第VI族元素（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）及び遷移金属元素（Ｃ
ｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｖ，Ｔｉ）などを不純物原料とするII
I−Ｖ族化合物半導体系、および第４族元素（Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ）あるいはその組み合わせよりなる化合物を母
体材料とし、第III族元素、第Ｖ族元素、第VII元素、遷
移金属元素を不純物とする第４族元素ならびに化合物半
導体系、および第Ｉ族元素、第III族元素および第VI族
元素の組み合わせよりなるカルコバイライト系化合物を
母体材料とし、第II族元素、第IV族元素、第Ｖ族元素、
および第VII族元素などを不純物材料とするカルコバイ
ライト型化合物半導体系などにも適用できる。
とどまらない。すなわち、本発明は化合物半導体の種類
として第II族元素（Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｍｇ，Ｂｅ）、
第VI族元素（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）の組み合わせより成る二
元以上のII−VI族化合物半導体を母体材料として、第Ｉ
族元素(Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ）、第Ｖ族
元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）、第III族元素（Ｉｎ，Ａ
ｌ，Ｇａ）、第VII族元素（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）、第I
V族元素（Ｓｉ，Ｃｅ，Ｓｎ）、及び遷移金属元素（Ｃ
ｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎ）、あるいは希土類元素（Ｌａ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ）などを不純物原料
とするII−VI族化合物半導体系、及び第III族元素（Ｉ
ｎ，Ａｌ，Ｇａ）と第Ｖ族元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）
の組み合わせより成る２元以上のIII-Ｖ族化合物半導体
を母体材料とし、第II族元素（Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｍ
ｇ，Ｂｅ，Ｍｎ）、第IV族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ）、
第VI族元素（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）及び遷移金属元素（Ｃ
ｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｖ，Ｔｉ）などを不純物原料とするII
I−Ｖ族化合物半導体系、および第４族元素（Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ）あるいはその組み合わせよりなる化合物を母
体材料とし、第III族元素、第Ｖ族元素、第VII元素、遷
移金属元素を不純物とする第４族元素ならびに化合物半
導体系、および第Ｉ族元素、第III族元素および第VI族
元素の組み合わせよりなるカルコバイライト系化合物を
母体材料とし、第II族元素、第IV族元素、第Ｖ族元素、
および第VII族元素などを不純物材料とするカルコバイ
ライト型化合物半導体系などにも適用できる。
【００２９】本発明の分子（原子）ビーム原料として
は、上記元素の単体材料とともに、水素化物、メチル
化、エチル化有機金属化合物に適用できる。半導体基板
としてはＺｎＳ基板、ＣｄＴｅ基板、ＣｄＨｇＴｅ基板
などのほかにＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、ＩｎＰ基板、
Ｇｅ基板、ＧａＡｓＰ基板等のすべての半導体基板に適
用できる。照射光線の種類としては、実施例において
は、クセノン（Ｘｅ）ランプ（１ｋＷ〜５ｋＷ）の出力
光を分光して用いたが、本発明には、半導体と共鳴、吸
収する波長（エネルギー）の光線はすべて適用でき、例
えば水銀（Ｈｇ）ランプ（高圧、低圧ランプ）、ヨウ素
（Ｉ）ランプ、炭素（Ｃ）電極ランプ、エキシマレーザ
ー（ＡｒＦ，ＫｒＦ，ＸｅＦ，ＸｅＣｌ，ＫｒＣｌ，Ａ
ｒＣｌ，Ｆ）、アルゴン（Ａｒ）インレーザー、ヘリウ
ム（Ｈｅ）−カドミウム（Ｃｄ）金属蒸気レーザー、ヘ
リウム（Ｈｅ）−亜鉛（Ｚｎ）金属蒸気レーザー、窒素
（Ｎ2）レーザー、ＹＡＧレーザー、半導体レーザーな
らびにこれらのレーザーの第２次高調波レーザー光、な
らびにシンクロトロン軌道放射光（ＳＲ光）などが適用
できる。
は、上記元素の単体材料とともに、水素化物、メチル
化、エチル化有機金属化合物に適用できる。半導体基板
としてはＺｎＳ基板、ＣｄＴｅ基板、ＣｄＨｇＴｅ基板
などのほかにＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、ＩｎＰ基板、
Ｇｅ基板、ＧａＡｓＰ基板等のすべての半導体基板に適
用できる。照射光線の種類としては、実施例において
は、クセノン（Ｘｅ）ランプ（１ｋＷ〜５ｋＷ）の出力
光を分光して用いたが、本発明には、半導体と共鳴、吸
収する波長（エネルギー）の光線はすべて適用でき、例
えば水銀（Ｈｇ）ランプ（高圧、低圧ランプ）、ヨウ素
（Ｉ）ランプ、炭素（Ｃ）電極ランプ、エキシマレーザ
ー（ＡｒＦ，ＫｒＦ，ＸｅＦ，ＸｅＣｌ，ＫｒＣｌ，Ａ
ｒＣｌ，Ｆ）、アルゴン（Ａｒ）インレーザー、ヘリウ
ム（Ｈｅ）−カドミウム（Ｃｄ）金属蒸気レーザー、ヘ
リウム（Ｈｅ）−亜鉛（Ｚｎ）金属蒸気レーザー、窒素
（Ｎ2）レーザー、ＹＡＧレーザー、半導体レーザーな
らびにこれらのレーザーの第２次高調波レーザー光、な
らびにシンクロトロン軌道放射光（ＳＲ光）などが適用
できる。
【００３０】
【発明の効果】本発明の如く、半導体基板と共鳴あるい
は吸収する光線を用いて、半導体基板上で化合物材料お
よび不純物材料の分子ビーム原料を分解、反応させるこ
とにより、低温での単結晶化と不純物の効率的添加が行
え、電気的性質、光学的性質の制御性、安定性の良い半
導体エピタキシャル単結晶を成長させることが可能とな
る。
は吸収する光線を用いて、半導体基板上で化合物材料お
よび不純物材料の分子ビーム原料を分解、反応させるこ
とにより、低温での単結晶化と不純物の効率的添加が行
え、電気的性質、光学的性質の制御性、安定性の良い半
導体エピタキシャル単結晶を成長させることが可能とな
る。
【図１】半導体エピタキシャル成長装置の概略図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例と従来技術とを比較するための
反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ）像を示す図である。
反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ）像を示す図である。
【図３】本発明の実施例と従来技術とを比較するための
フォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトル図である。
フォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトル図である。
【図４】本発明の実施例と従来技術とを比較するための
サンプル作製図である。
サンプル作製図である。
【図５】図４によるサンプルの特性比較図である。
【図６】本発明の実施例と従来技術とを比較するための
反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ）像を示す図である。
反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ）像を示す図である。
【図７】本発明の実施例と従来技術とを比較するための
フォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトル図である。
フォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトル図である。
【図８】本発明の実施例と従来技術とを比較するための
反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ）像を示す図である。
反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ）像を示す図である。
【図９】本発明の実施例と従来技術とを比較するための
フォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトル図である。
フォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトル図である。
１ 光源 ２ 照射光線 ３ 光学窓 ４ Ａｌ分子ビーム ５ Ｚｎ分子ビーム ６ Ｓ分子ビーム ７ ＺｎＳ基 ８ 基板ホルダー ９ ビーム制御イオンゲージ １０ 組成、堆積制御膜厚モニター １１ 超高真空成長容器 １２ イオンポンプ １３ 基板ヒーター １４ Ａｌ分子ビーム源 １５ Ｇａ分子ビーム源 １６ Ｉｎ分子ビーム源 １７ Ｚｎ分子ビーム源 １８ Ｐ分子ビーム源 １９ Ｓ分子ビーム源 ２０ Ａｓ分子ビーム源 ６０ ＺｎＳ（１００）基板 ６１ Ｘｅランプ光線照射部分 ６２ 光線非照射部分 ６３ 光調整用スリット ６４ Ｘｅランプ光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−215287（ＪＰ，Ａ) Ｇａｌｌｉｕｍ Ａｒｓｅｎｉｄｅ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕ ｎｄｓ 1985（1985年９月23〜26日）Ｉ ｎｓｔ．Ｐｈｙｓ．Ｃｏｎｆ．Ｓｅｒ. Ｎｏ．79（Ａｄａｍ Ｈｉｌｇｅｒ Ｌ ｔｄ．，Ｅｎｇｌａｎｄ（1986））ｐ ｐ．73−78 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/203 H01L 21/363
Claims (1)
- 【請求項１】 化合物半導体を構成する元素の単体材料
と、前記化合物半導体の不純物元素を含む材料の、多原
子分子或いは原子ビーム原料を用いて、半導体基板の一
主面上へ所望伝導型を有する化合物半導体の結晶を成長
させる際、 前記多原子分子或いは原子ビーム原料が入射する前記半
導体基板主面上に、成長する結晶材料のバンドギャップ
のエネルギーに共鳴かつ吸収するように選ばれた光線を
所定領域に照射して化合物半導体の結晶を成長させ、 結晶成長後の熱処理により照射領域を低抵抗化すると共
に、非照射領域を高抵抗化することを特徴とする化合物
半導体のエピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08065819A JP3083755B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08065819A JP3083755B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064271A Division JPH0717477B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08239294A JPH08239294A (ja) | 1996-09-17 |
| JP3083755B2 true JP3083755B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=13298028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08065819A Expired - Fee Related JP3083755B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3083755B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011057512A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Univ Of Tokyo | 結晶成長方法及び装置 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP08065819A patent/JP3083755B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｇａｌｌｉｕｍ Ａｒｓｅｎｉｄｅ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ １９８５（１９８５年９月２３〜２６日）Ｉｎｓｔ．Ｐｈｙｓ．Ｃｏｎｆ．Ｓｅｒ．Ｎｏ．７９（Ａｄａｍ Ｈｉｌｇｅｒ Ｌｔｄ．，Ｅｎｇｌａｎｄ（１９８６））ｐｐ．７３−７８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08239294A (ja) | 1996-09-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |