JPH02240254A - 基板の真空コーティング方法、基板の真空コーティング装置及び真空コーティング基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、光学ディスク用のガラス板、ホイル、プラス
チック基板等のような基板を真空コーティングする方法
に関するものであり、この基板を真空コーティング装置
内へと導入し、例えば陰極スパッタリング又は蒸着のよ
うな物理蒸着（ＰＶＤ）法に従って真空中で層を設ける
。

（背景技術） こうした方法は既知であり、例えばＣＤレコード、建築
用ガラス等をコーティングするのに採用されている０例
えば欧州特許比１１１０．２７７．５３６　ＡＩ参照。

この主題についての包括的文献として、例えば、「バク
ームテクニク　（Ｖａｋｕｕｍｔｅｃｈｎｉｋ）、　２
４（１９７５）、　　ｒディヘルシュテルンク　デュン
ネルフィルメドルフカソーデンツエルシュトイプンク」
（Ｄｉｅ　Ｈｅｒｓｔｅｌｌｕｎｇ　ｄｉｉｎｎｅｒ　
Ｆｉｌｍｓ　ｄｕｒｃｈ　Ｋａｔｈ。

ｄｅｎｚｅｒａｔｉｉｕｂｕｎｇ　Ｌ　（Ｋ、　Ｒｅ１
ｃｈｅｌｔ）、　　及び「＾１ｒｃｏ　Ｔｅｍｅｓｃａ
ｌ　Ｊ　（１９７７Ｌ　　’外部プラスチック車両部分
の生産スパッタメタライゼーション」（Ｐｒｏｄｕｃｔ
ｉｏｎ　Ｓｐｕｔｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　
ｏｆ　ＥｘｔｅｒｉｏｒＰｌａｓｔｉｃ　Ａｕｔｏｍｏ
ｔｉｖｅ　Ｐａｒｔｓ）　　（Ｌｅｓ　Ｈｕｇｅｓ、　
　Ｒ，Ｌｕ−ｃａｒｉｅｌｌｏ及びＰ、　Ｂｉｖｍ）参
照（これらはここで参照し、包含する）。

従来技術で頻繁に生ずる問題として、基板表面が粒子で
汚染されることから生ずる堆積層中の面倒な欠陥がある
。この粒子は基板表面へと付着し、またコーティング工
程の間にコートされる。もし続く工程で粒子をもとの位
置から除去すると、このコーティングは移送中に明瞭に
見えるホール（ピンホールとして言及する）を示す。極
端な場合、これは必要な製品特性さえも損傷し、不合格
品となる。例えばピンホールがデータキャリアの光学情
報構造の大きさのオーダーのものでありうることから光
学データキャリアの判読率が減少しうる。

この問題の見地から、基板に付着した粒子を、この基板
のコーティングに先立って効果的に除去するために多く
の提案が既になされている。例えば、公衆の閲覧のため
に公開された日本国特許出願昭５９−１６７７号では、
可動性分子ビーム構成を蒸着室内に配置し、気体ジェッ
トによって基板に付着した粒子を除去する装置について
記載する。実際には、基板へと付着した粒子を完全に除
去することは非常に難しいことが解った。一般に粒子は
単に置き換わるだけで、基板上の他の位置に落ち着く。

更に、この既知の装置が有する他の重大な欠陥は、粒子
を基板から完全に除去したとしても、これらが蒸発源へ
と達し、ここで粒子が悪影響を与えることである。

（発明の開示） 本発明の目的は、物理蒸着法によって、完全に又は実質
的に不所望のピンホールのない層を基板に設けることを
可能とする方法及びこの方法を実施する装置を提供する
ことである。従来技術とは対照的に、本発明の方法は少
なくとも三つの工程からなる点で特徴づけられる。即ち
、基板とこの基板へと付着したいかなる粒子をもコート
する第一のＰＶＤ工程；コートした粒子を基板上で粒子
の最初の位置から転置する、真空コーティング装置の内
側での粒子転置工程；及び更に、この基板を第二回目に
コートし、最初の堆積工程で形成された付着粒子によっ
て層内に生じた欠陥を覆う第二〇ＰＶＤ工程である。本
発明は、ＰＶＤ法によってコートした製品中のピンホー
ルを防止するために、基板上で粒子の存在を避けること
が必要ではないという驚くべき事実を認識できたごとに
基いている。本発明により、粒子を少しだけ、即ち、粒
子の最初の位置から非常に小さい距離に亘って転置する
点で、この粒子の悪影響を防止できることを見出した。

本発明の思想に従い、これに先立ち、１粒子の最初の位
置から粒子を移動させる基板部分に、ＰＶＤ法によって
堆積した層を設けることが必要である。

この転置の後、粒子が無害な場所に位置すると、第二の
層を堆積する。本発明の方法によって製造された製品の
特別の特徴は、粒子が未だ基板表面上に位置してはいる
が、しかし、この粒子の存在によっても又はこれに続く
粒子の転置や除去によっても製品が損傷を受けないとい
う点にある。

既知のＰＶＤ法の多くは非連続型のものである。

即ち、基板をプロセシングチャンバ内へと導入し、この
チャンバを密封シール及び排気し、基板を真空中でコー
トし、プロセシングチャンバを大気圧に戻し、次いでこ
のコート・シた製品をプロセシングチャンバから除去す
る。しかし、生産性を増大させ製造コストを低減するた
めに、基板が多かれ少なかれ連続的に流れて装置を通過
し、この装置がロック又はゲートによって互いに分離さ
れた複数のステーションからなるところの方法を使用す
る傾向が増大している。こうした装置は、例えば前記欧
州特許出願第０．２７７．５３６号から知られている。

本発明に従う方法は、こうした従来技術の装置に関して
使用するのに非常に適しており、真空コーティング装置
の内側で基板を第一〇ＰＶＤステーションから粒子転置
ステージ日ンへと移送し、続いてこの粒子転置ステーシ
ョンから第二〇ＰＶＤステーションへと移送することで
特徴付けられる。

注意すべきことに、ＰＶＤ装置内で側方に複数のｐｖロ
ステーションヲ配置し、複数のＰＶＤブロセシングチャ
ンバを基板が連続的に横切るようにすることは、特に前
記欧州特許出願からそれ自体は知られている。基板に実
際にコーティングを設ける前に一つ以上のステージジン
で前処理することから、これはしばしば必要となる。一
般に、装置を通る基板の通過速度を増大させるために幾
つかのステーションを使用し、これらのプロセシング工
程の各々において、最終コーティングの全厚の一部を堆
積する。一般に、異なる組成のコーティングを対応する
ステーションで適用する。しかし７、本発明に従う装置
は、二つのＰｖＤステーションの間にある粒子転置ステ
ーションが知られていない。

本発明の一つの実施態様は、粒子の転置にガスジェット
を使用することで特徴付けられる。ＰＶＤ装置に必要と
される排気ポンプのディメンシ目ニングのため、基板上
の粒子を転置するために使用するガスの量を最小とする
ことが一般に重要となる。この点において、ガスジェッ
トを超音波分子ビームによって形成することで特徴づけ
られる本発明の実施態様が重要である。基板上の粒子を
転置するのに必要な運動エネルギーは、ガスジェットの
ガス粒子によって与えなければならない。ガス粒子の速
度を増加させることによってガスの必要量を低減でき、
従ってもしガスジェット中のガス粒子に最大速度を与え
ると有利である。ガスジェットが真空チャンバに入ると
きに通るノズル開口に特別の形状を与えることによって
、音速を遥かに越える速度を得ることができる。このた
め、例えば、Ｗ、　Ｄｅｍｔｒ２；ｃｌｅｒ及びＨ，Ｊ
、　Ｆｏｔｈによる文献ｒＭｏｌｅｋｔｉｌａｐｅｋ　
ｔｒｏｓｋｏｐｉｅ　ｋｎ　Ｋａｌｔｅｎ　Ｄｉｉｓｅ
ｎｓｔｒａｈｌｅｎ　Ｊ　　（Ｐｈｙｓｉ！１ａｌｉｓ
ｃｈｅ　ＢＩＭｔｔｅｒ　４３　（１９８７）＋ｎｏ、
１　）を参照する。ここでは音速の１００倍に上る速度
に言及している。

ガスジェットが脈動することで特徴づけられる本発明の
実施態様では、ガスの必要量を更に低減できる０粒子転
置に必要なガスが前記の二つのコーティング工程のプロ
セスガスとして使用したガスと同じであることで特徴づ
けられる本発明の好適例を利用することにより、この工
程で粒子転置ステーション内へのガスの流入の影響を更
に低減できる。多くの陰極スパッタリング装置では、こ
のプロセスガスは、例えば、アルゴンである。アルゴン
は真空中で凝縮しないので、この目的に本来適する。

粒子を転置するためにガスジェットを使用する実施態様
は、前記ガスジェットが基板を基板の幅全体に亘って吹
き流すことで特徴づけられる。この実施態様の主要な利
点は、基板表面を吹き払うために可動性ノズルを必要と
しないことである。

可動性部分は汚染の結果として問題を生じさせるおそれ
があり、また、損耗の結果として粒子が製造されるので
、ＰｖＤプラントでは可動性部分は常に望ましくない。

更に、基板の幅全体をカバーするガスジェットを使用す
ると、装置を通る製品の通過速度が結果として増加する
。

必要なガス量を低減するために粒子の転置に脈動ガスジ
ェットを使用するときは、コートした基板表面の実質的
に全体が通過の間にジェットの下側にカバーされるよう
に、基板の輸送速度だけでなくジェットの幅、パルスの
持続時間及びパルス周波数を互いに適合させることを特
徴とする、他の実施態様が重要である。この点で、「実
質的に」とは、基板の少なくとも有効部分がカバーされ
、これにより転置される粒子の実数が全くないか又は不
充分となることを防止するような相互適合を意味するも
のと理解される。

本発明の好適例は、基板が第一のＰＶＩ）ステーション
と粒子転置ステーションとの間の第一のガス障壁、例え
ばロック又はゲートを通過し、この基板が第二のＰＶＤ
ステーションの途中で第二のガス障壁を通る点で特徴づ
けられる。これは、基板から完全に分離され始めに粒子
がＰｖＤステーションを汚染しうる可能性を減らす。も
し粒子転置ステーションで粒子の転置にガスジェットを
使用すると、これはガスの与え過ぎや不所望なタイプの
ガスがＰｖＤステーシッンへと入り込む可能性を減らす
ことを可能にする。

上で規定したものとは別のタイプによる本発明方法の実
施態様は、電気的荷電粒子のビーム、例えば電子又はイ
オンビームを粒子転置に使用する点で特徴づけられる。

注意すべきことに、基板から塵粒子を除去するのに電子
ビーム又はイオンビームを使用すること自体は、即ちシ
リコンウェハ上に半導体回路を実装する技術から知られ
ている。

例えば、公衆の閲覧へと公開された日本国特許出願昭６
２−１２４２８４号から、電子ビームによってシリコン
ウェハの表面に負電荷を与え、次いで基板に対して正の
電位を直流電源によって与えられた棹状電極の下に前記
シリコンウェハを通過させ、この棹状電極と塵粒子との
間に働く静電力の影響下に負荷電塵粒子の基板表面から
の除去を可能とすることが知られている。こうした既知
の方法もまた本発明の方法で使用できる。

本発明の他の実施態様は、ビームの強度とエネルギーと
が、基板と前記粒子との間の静電力の影響下に粒子を転
置するのに充分である点で特徴づけられる。この現象そ
れ自体は電子顕微鏡のユーザーによって知られている。

蒸着コントラスト可変金属コーティングを有する被観測
基板を、電子顕微鏡の真空チャンバ内で電子ビームへと
露光すると、基板を離れて来る粒子によって引き起され
た突然の妨害が走査中の像に生ずるのが頻繁に見られる
。この現象は次のように起るものと考えられる。基板へ
と付着した粒子にも、この基板と共に金属コーティング
がなされる。しかし、粒子と基板との間では、この位置
で基板が粒子によって遮られ、従って金属で覆われてい
ないため、金属層が局所的に存在しない。電子ビームの
結果として、金属化された表面上の粒子が荷電される。

基板の周辺の金属化された部分に対して粒子が絶縁性で
あるので、この粒子と基板の周辺部分との間の電荷及び
電位の大きさの差より、粒子と周辺基板との間のこうし
た静電力がこの粒子をそのもとの位置から転置させ得る
。これは基板の非金属化領域となり、像に妨害を引き起
す、この現象は今日まで単に電子顕微鏡の煩しい効果と
してのみ知られていたが、驚くべきことに、本発明で有
利に利用できる。

電子ビームを使用するときは、コートした基板表面が荷
電粒子ビームの下側を通るにつれてこのコートした基板
表面を実質的に妨害なしに露光することで特徴づけられ
る実施態様も重要である。

本発明は、方法に関するだけでな（、またこの方法を実
施するための装置に関するものである。

例えば、好適例は、前記方法の前記の三つの工程のため
に三個の別個のステーションを備え、これらがガス障壁
によって互いに分離され、かつ並んで配置されているこ
とを特徴とする装置である。

これにより得られる利益は既に記載した。

（実施例） 次いで、本発明の実施態様を、実施例によって、添付図
面を参照しながら更に詳細に説明する。

本発明の正確な理解に直接関連のない詳細は第１図〜第
３図に示していない。第１図に示す装置部分は、ガスロ
ツタ１０〜１３を有する隔壁６〜９によって互いに分離
された五つのステーション１〜５を有する。図示しない
輸送装置によって、矢印で示す方向へとロックを通して
一つのステーションから他のステーションへと移送され
る基板キャリア１５上に、基板１４が配置されている。

これらのロックは、例えば既知のスパッタリングプラン
ト、例えばｒＭｅｓｓｒｓ、　Ｂａ１ｚｅｒｓ　Ｊ製の
装置ｒｃＤＩ　６０３　Ｊで採用されたように、ゲート
型のものである。

ステーションｌは、通例の方法でグロー放電装置を有す
るエツチング装置１６を有する前処理ステーションであ
る。ステーション２．４はそれぞれ第−及び第二の金属
化ステーションを形成する。

これらは、例えばアルミニウムで作られた第−及び第二
のスパッタリング陽極１７．１８を有する。本発明に従
い、粒子転置ステーション３を二つの金属化ステーショ
ンの間に挾む。粒子転置ステーションの二つの例を第２
図〜第５図を参照しながら更に詳細に説明する。

第２図〜第４図は、基板１４の表面上の粒子２０を転置
するのにガスジェッ）１９を使用する例に関するもので
ある。粒子転置ステーション３内には分子ビーム装置２
１を配置し、これを図示しない方法でガス源へと接続す
る。好ましくは、このガスは陽極スパッタリング装置中
でプロセスガスとして使用できるタイプのものであり、
例えばアルゴンである。ガスジェット１９によって、基
板１４の表面上の粒子２０を特定距離、例えば僅か１ミ
リメータの１０分の幾つかの距離に亘って転置する。本
発明の可能な他の例を説明すると、第２図では基板表面
から完全に分離し始めた粒子を集める収集板２２を示す
、基板から分離し始めた粒子が静電力によってこの収集
板へと引きつけられるように、適当な手段で収集板に電
位を与えることができる。明らかに、これは収集した粒
子を収集板へと確実に付着させるためである。

分子ビーム装置２１は、特に第４図に示すように、基板
の幅全体をカバーするスロットノズル２３を有する。使
用分野によっては、基板の幅全体をカバーする一個のノ
ズルの代りに、それぞれがより小さい幅を持つ複数のノ
ズルを有する分子ビーム装置を使用できる。次いで基板
の幅全体を未だ適当な装置によってカバーできる。

既に述べたように、ガスジェット１９を超音波領域で動
作させると有利である。これはノズル２３を正確かつ臨
界的にデザインすることを必要とする。

ノズルのスロット長Ｌ１は例えば５〜１０ＩＪｍの大き
さの範囲であってよい。第３図は、最初に一点に集まり
次いで分岐すべきこのノズルの大体の形状を示す。この
ガス速度は、最も狭い場所、即ち、ノズルの喉部で音速
に匹敵する。ノズルのデザインに関する他の情報につい
ては、例えば、前記の文献ｒＭｏｌｅｋ”ｕｌ　５ｐｅ
ｃｒｏｓｃｏｐｉｅ　ｉｎ　Ｋａｌｔｅｎ　Ｄｕｓｅｎ
ｓｔｒａｈｌｅｎ　Ｊを参照する。

既に述べたように、ガスの必要流量を最小にするために
は、脈動ガス流を利用することが有利である。こうした
流れを得るために、電気的に操作できるバルブ２４を分
子ビーム装置２１内に配置してもよい。好ましくは、分
子ビーム装置においてバルブの下流に配置された部分の
容量２５を最小とする。仮にこの容量が大きすぎると、
圧力変化の大きさが実質的に減るからである。好ましく
は、基板の輸送速度だけでな（、−個の又は複数個のノ
ズルの全体の幅、パルス周波数及びパルスの持続時間を
、大体において、基板表面全体が通過の間に一つの又は
複数のガスジェットの下側に実質的に完全にカバーされ
るように、互いに適合させる。

おそらく、このガスジェットの脈動は、ガス流容積の低
減を助けるだけでなく、表面に付着した粒子の分離をも
促進する。

第５図は、パーツ２０の転置に荷電粒子ビーム、例えば
電子又はイオンビームを使用した例を示す。

本例では、記号的にのみ示した電子Ｂ２７から流出する
電子ビームを使用することをもくろむ。更に、第５図は
有用な幾つかの工程を示す。例えば、電子源２７に粒子
転置ステーション３の壁２９に対して負電位を持たせる
ための直流電源２８を示す。収集板２２もまた壁２９へ
と電気的に接続される。

電子ビーム２６の使用により推定される効果を、第６図
及び第７図を参照しながら説明する。第６図は基板１４
の一部分を大きく、しかし不均等に拡大して示す、この
基板上で第一の金属層３１をスパッタリング法によって
堆積した。付着粒子２０は基板表面上に位置し、第一の
ＰＶＤ工程においてやはり金属コーティング３２が設け
られている。前記した粒子の影となる効果の結果として
、この粒子２０の下側で金属層３］、にピンホール３３
が形成される。

金属層３２が基板の層３１に対して絶縁されているので
、電子ビーム２６が粒子２０上の金属層３２中へと負電
荷を集まらせる。これはＪＩ３１と層３２との間に静電
力を生じさせる結果となり、これが粒子２０を、第６図
に示すそのもとの位置から、ピンホール３３と特定距離
離れた第７図に示す新しい位置へと移動させる。第二の
ＰｖＯ工程では、第二の金属Ｎ３４を基板１４上に形成
する。この結果、除去されず単に転置されただけの粒子
２０に第二の金属層３５が設けられ、この間のホール３
６がこの粒子の下側で前記の第二の金属層に形成される
。しかし、第６図のピンホール３３はここでは第二の金
属層３４によって被覆され、一方新しいホール３６は何
ら悪影響を与えない。

図面を参照しつつ説明した実施例に加え、添付した特許
請求の範囲に規定した本発明の範囲内で、図示しない多
くの他の実施例が可能である。付着粒子を基板表面から
完全に除去しようと、小さい間隔を置いて転置しようと
、本発明の効果には影響しない。これらの粒子を除去及
び／又は転置するため、すべての従来技術方法、例えば
引用文献から知られている方法を、単独で又は組み合わ
せて使用できる。更に、これらの粒子を除去するのに全
く異なった方法を使用でき、例えば、ブラシ又は布類似
材料のように基板表面と機械的に接触する手段を使用で
き及び／又は流体を使用できる。

更に、光学ディスク用基板以外の製品、例えば建築用ガ
ラス又はプラスチックホイル等の製品にも、本方法を使
用すると有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図は光学媒体を連続流で段階的に金属化する陽極ス
パッタリング装置の一部分を示す概略断面図、 第２図は第１図の陽極スパッタリング装置の粒子転置ス
テーションの拡大図、 第３図は第２図に示す分子ビーム装置のノズルを示す拡
大断面図、 第４図はノズルを第３図に示す矢印ＩＶから見た正面図
、 第５図は粒子転置ステーションの他の例を第２図と同様
の方法で示す断面図、 第６図は、第一の金属化工程の後に基板表面上に位置す
る不所望の粒子を示す、太きくしがし不均等に拡大した
断面図、及び 第７図は第二の金属化工程の後の状態を示す第６図と同
様の断面図である。 １、２．３．４．５・・・ステーション６、７．８．９
・・・障壁 １０、．１１．１２．１３・・・ガスロック１４・・・
基板 １６・・・エツチング装置 １７、１８・・・スパッタリング陽極 １９・・・ガスジェット ２０・・・粒子（パーツ） ２１・・・分子ビーム装置 ２２・・・収集板 ２３・・・スロットノズル ２６・・・電子ビーム ２７・・・電子源 ２９・・・粒子転置ステーションの壁 ３１・・・第１の金属層 ３２・・・金属層 ３３・・・ピンホール ３４・・・第二の金属層 ３６・・・ホール ｃ５ 一

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ガラス板、ホイル、光学ディスク用プラスチック基
   板等のような基板を真空コーティング装置内へと導入し
   、例えば陽極スパッタリング又は蒸着のような物理蒸着
   （ＰＶＤ）方法に従って真空中で前記基板に層を設ける
   基板の真空コーティング方法において、 少なくとも三つの工程、即ち： 前記基板とこの基板へと付着したあらゆる粒子とをコー
   トする第一の物理蒸着工程、 前記のコートした粒子を前記基板上で粒子の最初の位置
   から転置する、真空コーティング装置の内側での粒子転
   置工程、及び 更に、前記基板を再度コートして前記第一のコーティン
   グ工程で付着した粒子によって層に生じた欠陥を被覆す
   る第二の物理蒸着工程 を有することを特徴とする、基板の真空コーティング方
   法。 ２、前記真空コーティング装置の内側で、前記基板を第
   一の物理蒸着ステーションから粒子転置ステーションへ
   と移送し、次いでこの粒子転置ステーションから第二の
   物理蒸着ステーションへと移送することを特徴とする、
   請求項１記載の基板の真空コーティング方法。 ３、前記粒子の転置にガスジェットを使用することを特
   徴とする、請求項１記載の基板の真空コーティング方法
   。 ４、前記ガスジェットを超音波分子ビームによって形成
   することを特徴とする、請求項３記載の基板の真空コー
   ティング方法。 ５、前記ガスジェットが脈動することを特徴とする、請
   求項３又は４記載の真空コーティング方法。 ６、粒子転置に必要な前記ガスが、前記の二つのコーテ
   ィング工程においてプロセスガスとして使用されるガス
   と同じであることを特徴とする、請求項３記載の真空コ
   ーティング方法。 ７、前記ガスジェットが前記基板をその基板の幅全体に
   亘って吹き払うことを特徴とする、請求項３記載の基板
   のコーティング方法。 ８、コートした基板表面の実質的に全体が通過の間に前
   記ジェットの下側にカバーされるように、前記基板の輸
   送速度の他、ジェットの幅、パルスの持続時間及びパル
   ス周波数を互いに適合させることを特徴とする、請求項
   ５記載の基板のコーティング方法。 ９、前記基板が前記第一の物理蒸着ステーションと前記
   粒子転置ステーションとの間で例えばロック又はゲート
   型ロックのような第一のガス障壁を通過し、前記基板が
   前記第二の物理蒸着ステーションへの途中で第二のガス
   障壁を通ることを特徴とする、請求項２記載の基板のコ
   ーティング方法。 １０、荷電粒子ビーム、例えば電子又はイオンビームを
   粒子転置のために使用することを特徴とする、請求項１
   記載の基板のコーティング方法。 １１、前記ビームの強度とエネルギーとが、前記基板と
   前記粒子との間の静電力の影響下に前記粒子を転置する
   のに充分であることを特徴とする、請求項１記載の基板
   のコーティング方法。 １２、前記コートした基板表面が前記荷電粒子ビームの
   下側を通るのに従い、このコートした基板表面が実質的
   に妨害なしに露光されることを特徴とする、請求項８記
   載の基板のコーティング方法。 １３、前記基板とこの基板へと付着したあらゆる粒子と
   をコートする第一の物理蒸着ステーションと、 前記のコートした粒子を前記基板上で粒子の最初の位置
   から転置する粒子転置ステーションと前記基板を再度コ
   ートして前記第一のコーティングステーションで付着し
   た粒子によって層に生じた欠陥を被覆する第二の物理蒸
   着ステーションと、 を少なくとも有し、これらの三つのステーションがガス
   障壁によって互いに分離されかつ並んで配置されている
   ことを特徴とする、基板の真空コーティング装置。 １４、請求項１記載の基板の真空コーティング方法によ
   って製造された真空コーティング基板。