JPH02102525A - 金属薄膜の付着方法 - Google Patents
金属薄膜の付着方法Info
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- JPH02102525A JPH02102525A JP25614188A JP25614188A JPH02102525A JP H02102525 A JPH02102525 A JP H02102525A JP 25614188 A JP25614188 A JP 25614188A JP 25614188 A JP25614188 A JP 25614188A JP H02102525 A JPH02102525 A JP H02102525A
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- 238000005137 deposition process Methods 0.000 title 1
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属薄膜の付着方法に関し、特にスパッタリン
グ法による金属薄膜の付着方法に関する。
グ法による金属薄膜の付着方法に関する。
従来、この種の金属薄膜の付着方法は主にスパッタリン
グ法により行なわれ、その際、ターゲットと基板間の距
離は固定されており、その距離は付着速度を大きくする
ため５０〜１００ｍｍ程度と比較的小さかった。
グ法により行なわれ、その際、ターゲットと基板間の距
離は固定されており、その距離は付着速度を大きくする
ため５０〜１００ｍｍ程度と比較的小さかった。
上述した従来の金属薄膜の付着方法ではターゲットと基
板間の距離が短かいため、ターゲットから基板に入射し
てくるスパッタ粒子は基板に対して斜めに入射する成分
が多いため基板上の絶縁膜に設けられた素子接続のため
の開口部が小さく深くなってくると開口部内に金属薄膜
が付着されず配線が断線してしまうという欠点を有する
。
板間の距離が短かいため、ターゲットから基板に入射し
てくるスパッタ粒子は基板に対して斜めに入射する成分
が多いため基板上の絶縁膜に設けられた素子接続のため
の開口部が小さく深くなってくると開口部内に金属薄膜
が付着されず配線が断線してしまうという欠点を有する
。
また開口部での付着性を向上させるため、スパッタリン
グと同時に基板にバイアスを印加するバイアススパッタ
リング法がこころみられているが、この方法でも開口部
が小さくなってくると、第３図に示すように開口部内に
空洞が生じて、信頼性上大きな問題となる。これは、開
口部内に入り込むスパッタ粒子の量が少ないので、開口
部がふさがれてしまうためと思われる。
グと同時に基板にバイアスを印加するバイアススパッタ
リング法がこころみられているが、この方法でも開口部
が小さくなってくると、第３図に示すように開口部内に
空洞が生じて、信頼性上大きな問題となる。これは、開
口部内に入り込むスパッタ粒子の量が少ないので、開口
部がふさがれてしまうためと思われる。
本発明の金属薄膜の付着方法は、金属薄膜がスパッタリ
ング法により付着される際、ターゲットと基板間の距離
を付着開始当初は大きくしておき、その後連続的あるい
は不連続的あるいはその両方を組合わせて小さくしてい
くという特徴を有している。
ング法により付着される際、ターゲットと基板間の距離
を付着開始当初は大きくしておき、その後連続的あるい
は不連続的あるいはその両方を組合わせて小さくしてい
くという特徴を有している。
金属薄膜がスパッタリング法により付着される際には、
基板に直流バイアスあるいは高周波バイアスを印加する
ことができる。
基板に直流バイアスあるいは高周波バイアスを印加する
ことができる。
また、金属薄膜をスパッタリング法により付着する際、
ターゲットと基板間の距離を不連続的に大きくすると伴
にターゲット材質を変化させることもできる。
ターゲットと基板間の距離を不連続的に大きくすると伴
にターゲット材質を変化させることもできる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の主要工程の断面図であ
る。まず素子に達する開口部が設けられたシリコン酸化
膜２でおおわれたシリコン基板１上にターゲットと基板
間の距離が２００〜２５０ａｍ程度、！Ｚ 大？！な第
１のスパッタチャンバー室にて、Ａｎ−８ｉ合金膜３を
０．１〜０．５ ／１７ ｍの厚さに被着する（第１図
（Ａ））。次に、ターゲットと基板間の距離が５０〜１
００ｍｍ程度の第２のスパッタチャンバー室にてＡβ−
５ｉ−Ｃｕ合金膜４を０．５〜１．０μｍの厚さに被着
する。この際基板に高周波バイアスを印加しておくと第
１図（Ｂ）に示すように、開口部内はＡρ−３ｉ−Ｃｕ
合金膜４で埋込まれる。次に通常のりソグラフィ技術及
びドライエツチングにて、Ａｆｆ−８ｉ−Ｃｕ合金膜４
とＡ１７−８ｉ合金膜３をパターンニングして素子をつ
なぐ金属配線を形成する（第１図（Ｃ））。
る。まず素子に達する開口部が設けられたシリコン酸化
膜２でおおわれたシリコン基板１上にターゲットと基板
間の距離が２００〜２５０ａｍ程度、！Ｚ 大？！な第
１のスパッタチャンバー室にて、Ａｎ−８ｉ合金膜３を
０．１〜０．５ ／１７ ｍの厚さに被着する（第１図
（Ａ））。次に、ターゲットと基板間の距離が５０〜１
００ｍｍ程度の第２のスパッタチャンバー室にてＡβ−
５ｉ−Ｃｕ合金膜４を０．５〜１．０μｍの厚さに被着
する。この際基板に高周波バイアスを印加しておくと第
１図（Ｂ）に示すように、開口部内はＡρ−３ｉ−Ｃｕ
合金膜４で埋込まれる。次に通常のりソグラフィ技術及
びドライエツチングにて、Ａｆｆ−８ｉ−Ｃｕ合金膜４
とＡ１７−８ｉ合金膜３をパターンニングして素子をつ
なぐ金属配線を形成する（第１図（Ｃ））。
第２図は本発明の第２の実施例により付着したＭｏ膜１
３の断面図である。本実施例では、Ｍ。
３の断面図である。本実施例では、Ｍ。
膜１３をバイアススパッタ法により付着してシリコン酸
化膜１２の開口部内を埋込むが、この際、ターゲットと
基板間の距離を２００ｍｍからスバ。
化膜１２の開口部内を埋込むが、この際、ターゲットと
基板間の距離を２００ｍｍからスバ。
タリングを開始し、徐涜にターゲットと基板間の距離を
小さくしていき望みの膜厚の３分の１から半分の膜厚と
なるまでにターゲットと基板間の距離を１００鴫程度に
する。その後、ターゲットと基板間の距離を固定して残
りの膜厚を被着する。
小さくしていき望みの膜厚の３分の１から半分の膜厚と
なるまでにターゲットと基板間の距離を１００鴫程度に
する。その後、ターゲットと基板間の距離を固定して残
りの膜厚を被着する。
この実施例ではスパッタチャンバー室は１つでよく、チ
ャンバー室間の移動が必要無く、通常のスパッタリング
法により付着した時と処理枚数には大きな違いが無いと
いう利点を有する。
ャンバー室間の移動が必要無く、通常のスパッタリング
法により付着した時と処理枚数には大きな違いが無いと
いう利点を有する。
以上説明したように本発明は、金属薄膜をスパッタリン
グ法により付着する際、ターゲットと基板間の距離を通
常のスパッタリングの時の距離より大きくしてスパッタ
リングを開始することにより、ターゲットから基板に入
射するスパッタ粒子は基板に対して垂直に近い方向から
入射するものが多く、小さくて深い開口部内の底にも多
くの膜が付着する。その後、通常のスパッタリングで使
用されるターゲットと基板間の距離で残りの膜厚を付着
しているため、通常のスパッタリング法に比べ開口部内
の付着性は良好であるが、巣位時間あたりの処理枚数の
低下は小さい。特にバイアススパッタ法で本発明を採用
すると、開口部内を金属膜で埋込む際開口部に比較的多
くの金属膜が入り込むため従来の実施例（第３図）のよ
うに空洞が発生するということは無い。また第１の実施
例のようにＡＡ−３ｉ合金膜とＡｌ７−８ｉ−Ｃｕ合金
膜というような２種類以上の積層構造とすることでＡＡ
−３ｉ−Ｃｕ合金膜をドライエツチングする際発生する
エツチング残渣はＡ１７−８ｉ−Ｃｕ合金の下にＡｌ２
−８ｉ合金があるため、全く発生することは無いという
効果を有する。
グ法により付着する際、ターゲットと基板間の距離を通
常のスパッタリングの時の距離より大きくしてスパッタ
リングを開始することにより、ターゲットから基板に入
射するスパッタ粒子は基板に対して垂直に近い方向から
入射するものが多く、小さくて深い開口部内の底にも多
くの膜が付着する。その後、通常のスパッタリングで使
用されるターゲットと基板間の距離で残りの膜厚を付着
しているため、通常のスパッタリング法に比べ開口部内
の付着性は良好であるが、巣位時間あたりの処理枚数の
低下は小さい。特にバイアススパッタ法で本発明を採用
すると、開口部内を金属膜で埋込む際開口部に比較的多
くの金属膜が入り込むため従来の実施例（第３図）のよ
うに空洞が発生するということは無い。また第１の実施
例のようにＡＡ−３ｉ合金膜とＡｌ７−８ｉ−Ｃｕ合金
膜というような２種類以上の積層構造とすることでＡＡ
−３ｉ−Ｃｕ合金膜をドライエツチングする際発生する
エツチング残渣はＡ１７−８ｉ−Ｃｕ合金の下にＡｌ２
−８ｉ合金があるため、全く発生することは無いという
効果を有する。
第１図は本発明の第１の実施例の主要工程断面図、第２
図は本発明の第２の実施例の断面図、第３図は従来の技
術の断面図である。 １．１１．２１・・・・・・シリコン基板、２，１２゜
２２・・・・・・シリコン酸（ｆＪ、３．２３・川・・
Ａｊ７−８ｉ合金膜、４・・・・・・Ａｆｆｌ−８ｉ−
Ｃｕ合金膜、１３・・・・・・Ｍｏ膜、２４・・・・・
・空洞。 代理人 弁理士 内 原 晋 Ｍ１凹 ′！Ｆｉ３図
図は本発明の第２の実施例の断面図、第３図は従来の技
術の断面図である。 １．１１．２１・・・・・・シリコン基板、２，１２゜
２２・・・・・・シリコン酸（ｆＪ、３．２３・川・・
Ａｊ７−８ｉ合金膜、４・・・・・・Ａｆｆｌ−８ｉ−
Ｃｕ合金膜、１３・・・・・・Ｍｏ膜、２４・・・・・
・空洞。 代理人 弁理士 内 原 晋 Ｍ１凹 ′！Ｆｉ３図
Claims (3)
- （１）金属薄膜の付着方法において、前記金属薄膜がス
パッタリング法により付着され前記金属薄膜の付着時タ
ーゲットと基板間の距離を連続的又は不連続的あるいは
その両方を組合わせて小さくしていくことを特徴とする
金属薄膜の付着方法。 - （２）前記金属薄膜がスパッタリング法により付着され
る際、基板に直流バイアスあるいは高周波バイアスが印
加されることを特徴とする請求項１記載の金属薄膜の付
着方法。 - （３）前記金属薄膜をスパッタリング法により付着する
際ターゲットと基板間の距離を不連続的に大きくすると
伴にターゲット材質を変化させることを特徴とする請求
項１記載の金属薄膜の付着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63256141A JP2759983B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 金属薄膜の付着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63256141A JP2759983B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 金属薄膜の付着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102525A true JPH02102525A (ja) | 1990-04-16 |
| JP2759983B2 JP2759983B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=17288472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63256141A Expired - Fee Related JP2759983B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 金属薄膜の付着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2759983B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04225219A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体膜作製方法 |
| EP0692551A1 (en) * | 1994-07-15 | 1996-01-17 | Applied Materials, Inc. | Sputtering apparatus and methods |
| CN113308676A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-27 | 西安微电子技术研究所 | 一种实现物理气相淀积铝硅铜厚金属薄膜的腔体处理方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164874A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPS62287071A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Tadahiro Omi | 薄膜の形成装置および形成方法 |
| JPS6334923A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPS6381641A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01102956A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Fujitsu Ltd | マスクｒｏｍおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP63256141A patent/JP2759983B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164874A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
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| JPS6334923A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPS6381641A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01102956A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Fujitsu Ltd | マスクｒｏｍおよびその製造方法 |
Cited By (4)
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| JPH04225219A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体膜作製方法 |
| EP0692551A1 (en) * | 1994-07-15 | 1996-01-17 | Applied Materials, Inc. | Sputtering apparatus and methods |
| CN113308676A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-27 | 西安微电子技术研究所 | 一种实现物理气相淀积铝硅铜厚金属薄膜的腔体处理方法 |
| CN113308676B (zh) * | 2021-05-25 | 2023-02-24 | 西安微电子技术研究所 | 一种铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积的腔体处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2759983B2 (ja) | 1998-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |