JPH08100256A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH08100256A JPH08100256A JP23697494A JP23697494A JPH08100256A JP H08100256 A JPH08100256 A JP H08100256A JP 23697494 A JP23697494 A JP 23697494A JP 23697494 A JP23697494 A JP 23697494A JP H08100256 A JPH08100256 A JP H08100256A
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- Japan
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- vacuum container
- plate
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- film forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】真空容器の真空が保持されたまま、効果的に比
較的大きな塵埃を除去することができる成膜装置を提供
する。 【構成】真空容器１１ａ内に、スパッタターゲット４０
および基体４３を配置するとともに、このターゲットを
プラズマイオンでスパッタし、このスパッタ粒子を前記
基体の表面に堆積させて基体表面に薄膜を形成するよう
になした成膜装置において、前記ターゲットと基体４３
との間で、かつターゲット周辺に、前記真空容器との間
に高電圧が印加され、スパッタ粒子の散乱を防止する防
着板３３を設けるとともに、この防着板を、前記真空容
器の内壁に対してターゲット側へ下降傾斜するように形
成し、かつ反ターゲット側端近傍の真空容器部に真空バ
ルブを介して塵埃取り出し室３５を設けるようになし
た。
較的大きな塵埃を除去することができる成膜装置を提供
する。 【構成】真空容器１１ａ内に、スパッタターゲット４０
および基体４３を配置するとともに、このターゲットを
プラズマイオンでスパッタし、このスパッタ粒子を前記
基体の表面に堆積させて基体表面に薄膜を形成するよう
になした成膜装置において、前記ターゲットと基体４３
との間で、かつターゲット周辺に、前記真空容器との間
に高電圧が印加され、スパッタ粒子の散乱を防止する防
着板３３を設けるとともに、この防着板を、前記真空容
器の内壁に対してターゲット側へ下降傾斜するように形
成し、かつ反ターゲット側端近傍の真空容器部に真空バ
ルブを介して塵埃取り出し室３５を設けるようになし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶あるいは半導体な
どの製造に使用されるスパッタリング装置やＣＶＤ装置
などの成膜装置に関するものである。
どの製造に使用されるスパッタリング装置やＣＶＤ装置
などの成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に液晶表示素子あるいは半導体の製
造装置として、スパッタリング装置やＣＶＤ装置などが
多く用いられているが、このスパッタリング装置やＣＶ
Ｄ装置は、成膜装置を備えているのが普通である。
造装置として、スパッタリング装置やＣＶＤ装置などが
多く用いられているが、このスパッタリング装置やＣＶ
Ｄ装置は、成膜装置を備えているのが普通である。
【０００３】この成膜装置において成膜処理を行なう
と、その膜は被処理基板のみならず、真空容器の内壁や
電極などにも付着してしまう。このため長期間にわたっ
て成膜処理を行なうと、基板以外の場所にかなりの膜が
蓄積形成され、やがてこの膜は、剥離をおこして真空容
器内で比較的大きな塵埃となる。
と、その膜は被処理基板のみならず、真空容器の内壁や
電極などにも付着してしまう。このため長期間にわたっ
て成膜処理を行なうと、基板以外の場所にかなりの膜が
蓄積形成され、やがてこの膜は、剥離をおこして真空容
器内で比較的大きな塵埃となる。
【０００４】このようにして発生した大きな塵埃は、異
常放電を引き起こしたり、また崩れて微小な塵埃の発生
源となることがある。そして、この微小な塵埃は、急激
な圧力変化やガスの流れにより舞上げられ、やがて基板
に付着し、製品の製造歩留まりを悪化させる原因とな
る。
常放電を引き起こしたり、また崩れて微小な塵埃の発生
源となることがある。そして、この微小な塵埃は、急激
な圧力変化やガスの流れにより舞上げられ、やがて基板
に付着し、製品の製造歩留まりを悪化させる原因とな
る。
【０００５】これまで、この塵埃の対策として、例えば
特開平３−５６６６９号公報にも開示されているよう
に、ガス流方向の工夫や、また特公平２−５７１５６号
公報に開示されているように、基板に付着した塵埃を容
易に除去する工夫などが考えられている。
特開平３−５６６６９号公報にも開示されているよう
に、ガス流方向の工夫や、また特公平２−５７１５６号
公報に開示されているように、基板に付着した塵埃を容
易に除去する工夫などが考えられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の対策は微小な塵埃に対しては有効ではあるが、ミリメ
ートルオーダーの比較的大きな塵埃の除去には適してい
ない。成膜すべき薄膜が蓄積することによって生じる塵
埃は、比較的大きい場合が多く、これらは前述したよう
に、成膜室内で異常放電を誘起したり、微小な塵埃の発
生源となったりする。
の対策は微小な塵埃に対しては有効ではあるが、ミリメ
ートルオーダーの比較的大きな塵埃の除去には適してい
ない。成膜すべき薄膜が蓄積することによって生じる塵
埃は、比較的大きい場合が多く、これらは前述したよう
に、成膜室内で異常放電を誘起したり、微小な塵埃の発
生源となったりする。
【０００７】この最も有効な対策としては、頻繁に真空
容器の内部を清掃することと思われるが、当然のことな
がら、清掃の頻度が多いと成膜装置の稼動率は低下し、
それにもまして、真空容器を大気開放して内部を清掃す
ることは、清掃後、再び真空排気するのに多大な時間，
また手間を要し、さらに成膜装置の生産性を大きく下げ
る要因となる。そこで、真空を保持したまま、効果的に
比較的大きな塵埃を除去できる方法が望まれている。
容器の内部を清掃することと思われるが、当然のことな
がら、清掃の頻度が多いと成膜装置の稼動率は低下し、
それにもまして、真空容器を大気開放して内部を清掃す
ることは、清掃後、再び真空排気するのに多大な時間，
また手間を要し、さらに成膜装置の生産性を大きく下げ
る要因となる。そこで、真空を保持したまま、効果的に
比較的大きな塵埃を除去できる方法が望まれている。
【０００８】本発明はこれに鑑みなされたもので、その
目的とするところは、真空容器の真空が保持されたま
ま、効果的に比較的大きな塵埃を除去することができる
この種成膜装置を提供するにある。
目的とするところは、真空容器の真空が保持されたま
ま、効果的に比較的大きな塵埃を除去することができる
この種成膜装置を提供するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、真空
容器内に、スパッタターゲットおよび基体を配置すると
ともに、このターゲットをプラズマイオンでスパッタ
し、このスパッタ粒子を前記基体の表面に堆積させて基
体表面に薄膜を形成するようになした成膜装置におい
て、前記ターゲットと基体との間で、かつターゲット周
辺に、前記真空容器との間に高電圧が印加され、スパッ
タ粒子の散乱を防止する防着板を設けるとともに、この
防着板を、前記真空容器の内壁に対してターゲット側へ
下降傾斜するように形成し、かつ反ターゲット側端近傍
の真空容器部に真空バルブを介して塵埃取り出し室を設
けるようになし初期の目的を達成するようにしたもので
ある。
容器内に、スパッタターゲットおよび基体を配置すると
ともに、このターゲットをプラズマイオンでスパッタ
し、このスパッタ粒子を前記基体の表面に堆積させて基
体表面に薄膜を形成するようになした成膜装置におい
て、前記ターゲットと基体との間で、かつターゲット周
辺に、前記真空容器との間に高電圧が印加され、スパッ
タ粒子の散乱を防止する防着板を設けるとともに、この
防着板を、前記真空容器の内壁に対してターゲット側へ
下降傾斜するように形成し、かつ反ターゲット側端近傍
の真空容器部に真空バルブを介して塵埃取り出し室を設
けるようになし初期の目的を達成するようにしたもので
ある。
【００１０】
【作用】すなわちこのように形成された成膜装置である
と、導電性の塵埃は、電界の作用により電極間を往復運
動し、そして電極間には傾斜が形成されていることか
ら、塵埃は往復運動をしながら電極間隔が大きくなって
いる方向に誘導され、やがては塵埃取り出し室に集めら
れ、したがって真空容器の真空を保持した状態で、効果
的に塵埃を除去することができるのである。
と、導電性の塵埃は、電界の作用により電極間を往復運
動し、そして電極間には傾斜が形成されていることか
ら、塵埃は往復運動をしながら電極間隔が大きくなって
いる方向に誘導され、やがては塵埃取り出し室に集めら
れ、したがって真空容器の真空を保持した状態で、効果
的に塵埃を除去することができるのである。
【００１１】
【実施例】以下、図示した実施例に基づいて本発明を詳
細に説明する。なお、本発明の成膜装置は、真空中で基
体に薄膜を形成するものであれば、種々のものに採用可
能であるが、ここでは、マグネトロンスパッタ装置に使
用されている成膜装置の場合を例にとり説明していく。
細に説明する。なお、本発明の成膜装置は、真空中で基
体に薄膜を形成するものであれば、種々のものに採用可
能であるが、ここでは、マグネトロンスパッタ装置に使
用されている成膜装置の場合を例にとり説明していく。
【００１２】［実施例１］、図１には、その成膜装置の
一実施例が線図で示されている。この種成膜装置は、ロ
ードアンロード室１２およびこのロードアンロード室に
隣接配置された成膜室１１を備えている。
一実施例が線図で示されている。この種成膜装置は、ロ
ードアンロード室１２およびこのロードアンロード室に
隣接配置された成膜室１１を備えている。
【００１３】この装置で基体表面に成膜を行なう場合、
基体すなわち基板２２は、外部（大気）からロードアン
ロード室１２に搬送され、その状態でロードアンロード
室１２は真空排気される。また、必要に応じ、ロードア
ンロード室１２内に配置されているヒータ２１により基
板２２の予備加熱が行なわれる。
基体すなわち基板２２は、外部（大気）からロードアン
ロード室１２に搬送され、その状態でロードアンロード
室１２は真空排気される。また、必要に応じ、ロードア
ンロード室１２内に配置されているヒータ２１により基
板２２の予備加熱が行なわれる。
【００１４】真空排気および予備加熱が終了した後、基
板２２は隣接している成膜室１１に移され（図中４３の
状態）、ここで成膜が行なわれる。マグネトロンスパッ
タカソードはターゲット４０、バッキングプレート３
７、アースシールド３８、磁石３６、電源３９で構成さ
れている。そして、磁石３６の磁場により電子をターゲ
ット４０近傍に閉じ込めて高密度のプラズマを発生さ
せ、プラズマ中のイオンでターゲット４０をスパッタす
ることにより基板４３へスパッタ粒子を堆積させる。勿
論、基板加熱が必要な場合にはヒータ３２により基板加
熱を行ないながら成膜する。
板２２は隣接している成膜室１１に移され（図中４３の
状態）、ここで成膜が行なわれる。マグネトロンスパッ
タカソードはターゲット４０、バッキングプレート３
７、アースシールド３８、磁石３６、電源３９で構成さ
れている。そして、磁石３６の磁場により電子をターゲ
ット４０近傍に閉じ込めて高密度のプラズマを発生さ
せ、プラズマ中のイオンでターゲット４０をスパッタす
ることにより基板４３へスパッタ粒子を堆積させる。勿
論、基板加熱が必要な場合にはヒータ３２により基板加
熱を行ないながら成膜する。
【００１５】ターゲット４０から放出されるスパッタ粒
子は、基板４３のみならずターゲット周辺のアースシー
ルド３８や防着板３３に付着する。このアースシールド
や防着板に付着した膜は、長期間のスパッタにより徐々
に厚くなり、やがて剥離しやすい状態になる。
子は、基板４３のみならずターゲット周辺のアースシー
ルド３８や防着板３３に付着する。このアースシールド
や防着板に付着した膜は、長期間のスパッタにより徐々
に厚くなり、やがて剥離しやすい状態になる。
【００１６】防着板３３は、成膜時には真空容器１１ａ
と同電位にしておくのが普通であるが、塵埃移動時には
高電圧を印加できるように真空容器１１ａと絶縁した構
造とし、その切り替えを切換装置，すなわちスイッチ４
２で行なう。防着板３３は真空容器１１ａの内壁に対し
て平行ではなく、ターゲット４０側へ下降傾斜し、例え
ば約１０度の角度をつけておく。
と同電位にしておくのが普通であるが、塵埃移動時には
高電圧を印加できるように真空容器１１ａと絶縁した構
造とし、その切り替えを切換装置，すなわちスイッチ４
２で行なう。防着板３３は真空容器１１ａの内壁に対し
て平行ではなく、ターゲット４０側へ下降傾斜し、例え
ば約１０度の角度をつけておく。
【００１７】塵埃移動時には、真空容器１１ａ内を１×
１０Ｐａ~3以下の真空度とし、防着板３３に、高電圧電
源装置４１により２５０００Ｖの高電圧を印加する。こ
の電圧値は印加される電極の間隔にも依存するが、およ
そ０．５ＭＶ／ｍ程度の電界が得られる程度でよい。
１０Ｐａ~3以下の真空度とし、防着板３３に、高電圧電
源装置４１により２５０００Ｖの高電圧を印加する。こ
の電圧値は印加される電極の間隔にも依存するが、およ
そ０．５ＭＶ／ｍ程度の電界が得られる程度でよい。
【００１８】なお、無理のない塵埃の移動また効率の点
を考慮すると、この防着板に印加される電圧値は種々変
えられた方が便利であり、このように電源装置４１を形
成すると良好であろう。また、この電圧は直流あるいは
低周波交流のどちらでもよく、直流の場合正負の極性ど
ちらでもよい。
を考慮すると、この防着板に印加される電圧値は種々変
えられた方が便利であり、このように電源装置４１を形
成すると良好であろう。また、この電圧は直流あるいは
低周波交流のどちらでもよく、直流の場合正負の極性ど
ちらでもよい。
【００１９】次に、塵埃が移動するメカニズムを図２で
説明する。防着板５１に電源５４から高電圧を印加した
とき、防着板５１および真空容器内壁５２は極性が異な
る電荷が互いに向い合う。真空容器内壁５２に付着して
いる導電性の塵埃５３も電荷を帯びる。極性が異なる電
荷が向い合うと互いに引力が生じるため、塵埃５３は防
着板５１に向かって飛行する。
説明する。防着板５１に電源５４から高電圧を印加した
とき、防着板５１および真空容器内壁５２は極性が異な
る電荷が互いに向い合う。真空容器内壁５２に付着して
いる導電性の塵埃５３も電荷を帯びる。極性が異なる電
荷が向い合うと互いに引力が生じるため、塵埃５３は防
着板５１に向かって飛行する。
【００２０】塵埃５３が防着板５１に達すると電荷の極
性が異なるだけで同様の現象が発生し、塵埃５３は防着
板５１から真空容器内壁５２へ飛行する。このように塵
埃５３は電極間を往復する。図１のように防着板３３と
真空容器内壁５２とは平行ではなく１０度の角度がある
ために塵埃は電極間を往復しながら誘導され、真空バル
ブ３４を通って塵埃取り出し室３５に集められる。塵埃
が塵埃取り出し室３５に集まった時点で真空バルブ３４
を閉めれば、塵埃だけを大気中に回収することができ
る。
性が異なるだけで同様の現象が発生し、塵埃５３は防着
板５１から真空容器内壁５２へ飛行する。このように塵
埃５３は電極間を往復する。図１のように防着板３３と
真空容器内壁５２とは平行ではなく１０度の角度がある
ために塵埃は電極間を往復しながら誘導され、真空バル
ブ３４を通って塵埃取り出し室３５に集められる。塵埃
が塵埃取り出し室３５に集まった時点で真空バルブ３４
を閉めれば、塵埃だけを大気中に回収することができ
る。
【００２１】なお、防着板３３の傾斜角度は、実験の結
果では１０度前後が最も有効であるが、５度〜８５度の
範囲であれば良好であった。すなわち電極間の角度が５
度未満の場合には塵埃がランダムに飛行して一方向に誘
導するのが困難であり、また、電極間の角度が８５度を
越えると電極表面に十分強い電界が得にくく塵埃を飛行
させることができなかった。なお、この場合防着板３３
は、傾斜角を変えられるように形成し、そのときの塵埃
の大きさに応じて調整するようにするとさらに有効であ
ろう。
果では１０度前後が最も有効であるが、５度〜８５度の
範囲であれば良好であった。すなわち電極間の角度が５
度未満の場合には塵埃がランダムに飛行して一方向に誘
導するのが困難であり、また、電極間の角度が８５度を
越えると電極表面に十分強い電界が得にくく塵埃を飛行
させることができなかった。なお、この場合防着板３３
は、傾斜角を変えられるように形成し、そのときの塵埃
の大きさに応じて調整するようにするとさらに有効であ
ろう。
【００２２】［実施例２］、前述した実施例は防着板を
真空容器に対して斜めに取付け、防着板に高電圧を印加
することにより除塵を行なうものであったが、真空容器
側に角度を付けても同様の効果が得られる。
真空容器に対して斜めに取付け、防着板に高電圧を印加
することにより除塵を行なうものであったが、真空容器
側に角度を付けても同様の効果が得られる。
【００２３】図３は、防着板３３が真空容器１１ａおよ
びターゲット４０と平行であるが、真空容器１１ａの内
壁に取り付けた補助板６２が防着板３３に対して斜めで
ある実施例である。本実施例においても、前述実施例と
同様な作用で導電性の塵埃は防着板３３と補助板６２と
の間を往復運動したあと塵埃取り出し室３５に入る。
びターゲット４０と平行であるが、真空容器１１ａの内
壁に取り付けた補助板６２が防着板３３に対して斜めで
ある実施例である。本実施例においても、前述実施例と
同様な作用で導電性の塵埃は防着板３３と補助板６２と
の間を往復運動したあと塵埃取り出し室３５に入る。
【００２４】［実施例３］、真空室内で高電圧電極を走
査し、より高い塵埃除去効果が得られる実施例を図４に
示す。基本的な構造は実施例２の場合と同じであるが、
塵埃除去用の高電圧電極板７４を矢印７５の方向に走査
（移動）できる構成としている。また、電極板７４はピ
ボット７３により回転可能に形成されている。
査し、より高い塵埃除去効果が得られる実施例を図４に
示す。基本的な構造は実施例２の場合と同じであるが、
塵埃除去用の高電圧電極板７４を矢印７５の方向に走査
（移動）できる構成としている。また、電極板７４はピ
ボット７３により回転可能に形成されている。
【００２５】電極板７４は移動可能のため、ターゲット
４０上の塵埃７１も矢印７５のようにターゲット４０あ
るいは補助板６２と、電極板７４あるいは防着板３３と
の間を往復させ、取り除くことができる。ピボット７３
により電極板７４を回転させれば、塵埃を飛ばす方向を
変更でき、塵埃の除去をより効果的に行なうことができ
る。
４０上の塵埃７１も矢印７５のようにターゲット４０あ
るいは補助板６２と、電極板７４あるいは防着板３３と
の間を往復させ、取り除くことができる。ピボット７３
により電極板７４を回転させれば、塵埃を飛ばす方向を
変更でき、塵埃の除去をより効果的に行なうことができ
る。
【００２６】以上のようにこの成膜装置によれば、真空
容器を大気開放することなく小さな塵埃は勿論のこと比
較的大きな塵埃をも真空容器内から除去できる。そのた
め成膜装置の清掃のために真空容器を大気に開放する頻
度を著しく低減でき、また塵埃がほとんど基板に付着す
ることなく成膜を行なうことができ、延いては成膜装置
における製品の歩留まりを高め、かつ成膜装置の稼動率
を高く保つことができる。
容器を大気開放することなく小さな塵埃は勿論のこと比
較的大きな塵埃をも真空容器内から除去できる。そのた
め成膜装置の清掃のために真空容器を大気に開放する頻
度を著しく低減でき、また塵埃がほとんど基板に付着す
ることなく成膜を行なうことができ、延いては成膜装置
における製品の歩留まりを高め、かつ成膜装置の稼動率
を高く保つことができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、真空容器を大気開放することなく比較的大きな塵埃
を真空容器内から除去でき、したがって真空容器の真空
を保持した状態で、効果的に塵埃を除去することができ
るこの種成膜装置を得ることができる。
ば、真空容器を大気開放することなく比較的大きな塵埃
を真空容器内から除去でき、したがって真空容器の真空
を保持した状態で、効果的に塵埃を除去することができ
るこの種成膜装置を得ることができる。
【図１】本発明の成膜装置の一実施例を示す概略線図で
ある。
ある。
【図２】本発明の成膜装置の塵埃除去原理を示す説明図
である。
である。
【図３】本発明の成膜装置の他の実施例を示す概略線図
である。
である。
【図４】本発明の成膜装置のさらに他の実施例を示す概
略線図である。
略線図である。
１１…成膜室、１１ａ…真空容器、１２…ロードアンロ
ード室、２２…基板、２３…ゲート弁、３１…ゲート
弁、３３…防着板、３５…塵埃取り出し室、４１…高電
圧電源、４２…スイッチ、４３…基板。
ード室、２２…基板、２３…ゲート弁、３１…ゲート
弁、３３…防着板、３５…塵埃取り出し室、４１…高電
圧電源、４２…スイッチ、４３…基板。
Claims (7)
- 【請求項１】 真空容器内に、スパッタターゲットおよ
び基体を配置するとともに、このターゲットをプラズマ
イオンでスパッタし、このスパッタ粒子を前記基体の表
面に堆積させて基体表面に薄膜を形成するようになした
成膜装置において、 前記ターゲットと基体との間で、かつターゲット周辺
に、前記真空容器との間に高電圧が印加され、スパッタ
粒子の散乱を防止する防着板を設けるとともに、この防
着板を、前記真空容器の内壁に対してターゲット側へ下
降傾斜するように形成し、かつ反ターゲット側端近傍の
真空容器部に真空バルブを介して塵埃取り出し室を設け
たことを特徴とする成膜装置。 - 【請求項２】 前記防着板の傾斜角度が５度〜８５度の
範囲に形成されてなる請求項１記載の成膜装置。 - 【請求項３】 前記防着板は、その傾斜角度が変えられ
るように形成してなる請求項１記載の成膜装置。 - 【請求項４】 真空容器内に、スパッタターゲットおよ
び基体を配置するとともに、このターゲットをプラズマ
イオンでスパッタし、このスパッタ粒子を前記基体の表
面に堆積させて基体表面に薄膜を形成するようになした
成膜装置において、 前記ターゲットと基体との間で、かつターゲット周辺
に、前記真空容器との間に高電圧が印加され、スパッタ
粒子の散乱を防止する防着板を設けるとともに、この防
着板を、前記真空容器の内壁に対して平行に設けるとと
もに、この防着板に対向している真空容器の内壁に、前
記ターゲット側へ上昇傾斜する案内板を設け、かつ該案
内板の反ターゲット側端近傍に位置する真空容器の部分
に真空バルブを介して塵埃取り出し室を設けたことを特
徴とする成膜装置。 - 【請求項５】 前記防着板のターゲット側に、電極板を
配置するとともに、該電極板を真空容器内で移動あるい
は回転、あるいは移動および回転可能に形成してなる請
求項４記載の成膜装置。 - 【請求項６】 前記装置に、成膜時には防着板の電位を
真空容器と同電位となし、かつ塵埃除去時には防着板の
電位を高電圧に切り換える切換装置を設けてなる請求項
１，２，３，４若しくは５記載の成膜装置。 - 【請求項７】 前記防着板に高電圧を印加する電源装置
は、その出力電圧値が変えられるように形成されてなる
請求項１，２，３，４，５若しくは６記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23697494A JPH08100256A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23697494A JPH08100256A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08100256A true JPH08100256A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17008527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23697494A Pending JPH08100256A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08100256A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7458870B2 (en) | 2004-06-30 | 2008-12-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Producing method for substrate, producing apparatus for substrate, producing method for image display apparatus and image display apparatus |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP23697494A patent/JPH08100256A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7458870B2 (en) | 2004-06-30 | 2008-12-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Producing method for substrate, producing apparatus for substrate, producing method for image display apparatus and image display apparatus |
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