JPH02238641A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(概要〕
半導体ウェハを個々の半導体チップ(ダイ)に分割する
ダイシング及び半導体チップをステージにろう付けする
グイボンディング方法に関し,背面に金属層のない半導
体チップのダイボンディングを可能にして,半導体装置
製造の簡易化とコスト低減を目的とし, 導電性接着剤,金属層, UVテープが順に積層された
3層フィルムの導電性接着剤面に半導体ウェハを貼り付
ける工程と,該3層フィルムを加熱して該導電性接着剤
をキュアする工程と,該IJVテープを厚さ方向に全部
切断しないで該ウェハ及び該金属層をグイシングし,背
面に金属層を被着した個々のチップに分割する工程と,
該チップをステージ上にボンディングする工程とを有す
るように構成する。
ダイシング及び半導体チップをステージにろう付けする
グイボンディング方法に関し,背面に金属層のない半導
体チップのダイボンディングを可能にして,半導体装置
製造の簡易化とコスト低減を目的とし, 導電性接着剤,金属層, UVテープが順に積層された
3層フィルムの導電性接着剤面に半導体ウェハを貼り付
ける工程と,該3層フィルムを加熱して該導電性接着剤
をキュアする工程と,該IJVテープを厚さ方向に全部
切断しないで該ウェハ及び該金属層をグイシングし,背
面に金属層を被着した個々のチップに分割する工程と,
該チップをステージ上にボンディングする工程とを有す
るように構成する。
本発明は半導体装置の製造方法に係り,特に半導体ウェ
ハを個々の半導体チップ(ダイ)に分割するダイシング
及び半導体チップをステージにろう付げするダイボンデ
ィング方法に関する。
ハを個々の半導体チップ(ダイ)に分割するダイシング
及び半導体チップをステージにろう付げするダイボンデ
ィング方法に関する。
ダイシング及びグイポンディング工程は半導体装置の組
み立て工程の出発点であり,その合理化が望まれている
。
み立て工程の出発点であり,その合理化が望まれている
。
〔従来の技術]
第4図は従来例によるダイシング及びグイホンディング
工程の流れ図である。
工程の流れ図である。
従来法は.まず背面に半田に対して濡れ性の良い金属層
を形成した半導体ウェハをUVテープ(紫外線照射によ
り接着力を失う性質を持つ接着剤を塗布した樹脂フィル
ム)に貼り付け,ダイシングソーによりグイシングし.
次に紫外線をUvテープに照射して.チップをグイコレ
ソトでつかんでテープより剥離している。
を形成した半導体ウェハをUVテープ(紫外線照射によ
り接着力を失う性質を持つ接着剤を塗布した樹脂フィル
ム)に貼り付け,ダイシングソーによりグイシングし.
次に紫外線をUvテープに照射して.チップをグイコレ
ソトでつかんでテープより剥離している。
この後,半導体チップは, Agペーストを塗布したス
テージ(表面に濡れ性の良い金属メッキ層を被着してい
る)上にグイボンディングされる。
テージ(表面に濡れ性の良い金属メッキ層を被着してい
る)上にグイボンディングされる。
第5図は従来のダイポンディング状態を説明する断面図
である。
である。
図において,1は半導体チップ 2はチップを搭載する
ステージ,3はチップ背面の金属層,4は半田,5はス
テージのメンキ層である。
ステージ,3はチップ背面の金属層,4は半田,5はス
テージのメンキ層である。
このように従来は.半導体チップを半H]によってステ
ージに付けるために,蒸着又はスパンタ法により,半田
に対して濡れ性の良い金属層をチンプ裏面に形成してい
る。
ージに付けるために,蒸着又はスパンタ法により,半田
に対して濡れ性の良い金属層をチンプ裏面に形成してい
る。
この金属層の形成には蒸着又はスパッタ等の工数と材料
費がかかり,コストの増加を招くので簡便でコストの安
い方法が望まれる。
費がかかり,コストの増加を招くので簡便でコストの安
い方法が望まれる。
本発明は背面に金属層のない半導体チップのグイポンデ
ィングを可能にして,半導体装置製造の簡易化とコスト
低減を目的とする。
ィングを可能にして,半導体装置製造の簡易化とコスト
低減を目的とする。
上記課題の解決は,導電性接着剤,金属層, UVテー
プが順に積層された3層フィルムの導電性接着剤面に半
導体ウェハを貼り付ける工程と,該3層フィルムを加熱
して該導電性接着剤をキュアする工程と,該UVテープ
を厚さ方向に全部切断しないで該ウェハ及び該金属層を
グイシングし,背面に金属層を被着した個々のチップに
分割する工程と,該チップをステージ上にボンディング
する工程とを有する半導体装置の製造方法により達成さ
れる。
プが順に積層された3層フィルムの導電性接着剤面に半
導体ウェハを貼り付ける工程と,該3層フィルムを加熱
して該導電性接着剤をキュアする工程と,該UVテープ
を厚さ方向に全部切断しないで該ウェハ及び該金属層を
グイシングし,背面に金属層を被着した個々のチップに
分割する工程と,該チップをステージ上にボンディング
する工程とを有する半導体装置の製造方法により達成さ
れる。
〔作用]
第1図は本発明に使用する貼り付け用3層フィルムの断
面図である。
面図である。
本発明は,導電性接着剤6,金属層7,UVテープ8か
らなる3層フィルムに背面に金属層のない半導体ウェハ
を貼り付けて,導電性接着剤をキュアした後ダイシング
することにより,チップ背面に半田接合が可能な金属層
を形成することができ,この後従来とほぼ同し工程でグ
イボンディングができるようにしたものである。
らなる3層フィルムに背面に金属層のない半導体ウェハ
を貼り付けて,導電性接着剤をキュアした後ダイシング
することにより,チップ背面に半田接合が可能な金属層
を形成することができ,この後従来とほぼ同し工程でグ
イボンディングができるようにしたものである。
(実施例〕
第2図は本発明によるダイシング及びダイボンディング
工程の流れ図である。
工程の流れ図である。
従来例と相違する点は.ウェハに背面金属層のないもの
を使用したことと,貼り付けフィルムに3層フィルムを
用いたたことと,3層フィルムの導電性接着剤をキュア
する加熱工程を有することで,その他は従来工程と全く
同じである。
を使用したことと,貼り付けフィルムに3層フィルムを
用いたたことと,3層フィルムの導電性接着剤をキュア
する加熱工程を有することで,その他は従来工程と全く
同じである。
ここで貼り付け用3層フィルムは次のものを用いる。
Uvテーブ8は厚さ70μmの透明な樹脂フィルム上に
紫外線照射により接着力を失う性質を持つ接着剤を塗布
した市販のものを用い,この上に厚さ25〜50μmの
金属層7を貼り付け,その上に導電性接着剤6を厚さ2
5〜50μm塗布する。
紫外線照射により接着力を失う性質を持つ接着剤を塗布
した市販のものを用い,この上に厚さ25〜50μmの
金属層7を貼り付け,その上に導電性接着剤6を厚さ2
5〜50μm塗布する。
ここで,金属層7はAu (又はAg, Cu, Ni
, Pd等)層を用いる。
, Pd等)層を用いる。
導電性接着剤6として接着剤に導電性のフィラを含んだ
Agペーストを厚さ25〜50μm塗布する。
Agペーストを厚さ25〜50μm塗布する。
接着剤はエボキシ系以外のもので良く,フィラ材料とし
てAu, Cu, Ni等を用い,フィラの形状は無定
形,球,繊維状のいずれでもよい。
てAu, Cu, Ni等を用い,フィラの形状は無定
形,球,繊維状のいずれでもよい。
次に1第2図の流れ図に従って実施例の工程を説明する
。
。
第3図(a)〜(f)は実施例の各工程を説明する断面
図である。
図である。
第3図(a) 6こおいて,背面に金属層を形成してい
ない半導体ウェハ11を.貼り付け用3層フィルムの導
電性接着剤6上に貼り付ける(第2図の工程■)。
ない半導体ウェハ11を.貼り付け用3層フィルムの導
電性接着剤6上に貼り付ける(第2図の工程■)。
第3図(b)において,ダイシングソ−12を用いてダ
イシングを行う。この際,最下層のUνテープ8の一部
に食い込むまで切断する(第2図の工程■)。
イシングを行う。この際,最下層のUνテープ8の一部
に食い込むまで切断する(第2図の工程■)。
ウェハ11は個々のチソプ1に分割される。
第3図(C)において,所定の温度,例えば150゜C
で導電性接着剤6をキュアし(第2図の丁程■)続いて
水銀ランプにより紫外線をウェハ背面より照射してUV
テーブ8の接着剤をギュアし,金属層7をUVテープ8
より剥離し易くする(第2図の工程■)。
で導電性接着剤6をキュアし(第2図の丁程■)続いて
水銀ランプにより紫外線をウェハ背面より照射してUV
テーブ8の接着剤をギュアし,金属層7をUVテープ8
より剥離し易くする(第2図の工程■)。
この後は従来と同じ工程でダイボンディングを行う(第
2図の工程■)。
2図の工程■)。
第3図(d)において, UVテープ8を伸長し.ダイ
コレッ目3により目的のチップ1を真空吸引しダイボン
ダに搬送する。
コレッ目3により目的のチップ1を真空吸引しダイボン
ダに搬送する。
第3図(e)において,ダイコレッ1−13につかまれ
たチップ1は図示されないヒーク6こより加熱されたス
テージ2のメッキ層5上に半田4によりボンディングさ
れる。
たチップ1は図示されないヒーク6こより加熱されたス
テージ2のメッキ層5上に半田4によりボンディングさ
れる。
第36(f)はポンディング状態を示す断面図である。
従来例の第5図と相違する点は,実施例では千ップ1と
金属層7との間に導電性接着剤6による半田層を介在す
ることである。
金属層7との間に導電性接着剤6による半田層を介在す
ることである。
以上説明したように本発明によれば,背面に金属層のな
い半導体チップのグイボンディングを可能にして,従来
と同しAgペースI・による場合も実施例のように半田
による場合にも本発明を適用でき,半導体装置製造の簡
易化とコスト低減化がはかれる。
い半導体チップのグイボンディングを可能にして,従来
と同しAgペースI・による場合も実施例のように半田
による場合にも本発明を適用でき,半導体装置製造の簡
易化とコスト低減化がはかれる。
第1図は本発明に使用する貼りイ;Jり用3層フイルム
の断面図, 第2図は本発明によるダイシング及びダイホンディング
工程の流れ図2 第3図(a)〜(f)は実施例の各工程を説明する断面
図, 第4図は従来例によるダイシング及びグイボンディング
工程の流れ図 第5図は従来のグイボンデイング状態を説明する断面図
である。 図において 1ば半導体チップ 2はステージ 3はチップ背面の金属層 4は半田 5はステージのメッキ層 6は導電性接着剤 7は金属層, 8はUVテープ ψトOD
の断面図, 第2図は本発明によるダイシング及びダイホンディング
工程の流れ図2 第3図(a)〜(f)は実施例の各工程を説明する断面
図, 第4図は従来例によるダイシング及びグイボンディング
工程の流れ図 第5図は従来のグイボンデイング状態を説明する断面図
である。 図において 1ば半導体チップ 2はステージ 3はチップ背面の金属層 4は半田 5はステージのメッキ層 6は導電性接着剤 7は金属層, 8はUVテープ ψトOD
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性接着剤、金属層、UVテープが順に積層された3
層フィルムの導電性接着剤面に半導体ウェハを貼り付け
る工程と、 該3層フィルムを加熱して該導電性接着剤をキュアする
工程と、 該UVテープを厚さ方向に全部切断しないで該ウェハ及
び該金属層をダイシングし、背面に金属層を被着した個
々のチップに分割する工程と、該チップをステージ上に
ボンディングする工程とを有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6001589A JP2626033B2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6001589A JP2626033B2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02238641A true JPH02238641A (ja) | 1990-09-20 |
JP2626033B2 JP2626033B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=13129817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6001589A Expired - Lifetime JP2626033B2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2626033B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0464250A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Rohm Co Ltd | エキスパンドテープ及びチップ部品の実装方法 |
JPH04247640A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
EP0550014A2 (en) * | 1991-12-30 | 1993-07-07 | Nitto Denko Corporation | Dicing-die bonding film |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7507638B2 (en) | 2004-06-30 | 2009-03-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ultra-thin die and method of fabricating same |
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1989
- 1989-03-13 JP JP6001589A patent/JP2626033B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
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US5476565A (en) * | 1991-12-30 | 1995-12-19 | Nitto Denko Corporation | Dicing-die bonding film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2626033B2 (ja) | 1997-07-02 |
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