JPH02228166A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH02228166A JPH02228166A JP4965089A JP4965089A JPH02228166A JP H02228166 A JPH02228166 A JP H02228166A JP 4965089 A JP4965089 A JP 4965089A JP 4965089 A JP4965089 A JP 4965089A JP H02228166 A JPH02228166 A JP H02228166A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の専利用分野〉
本発明はファクシミリや文字・画像の読取り入力装置に
好適に用いられる密着型イメージセンサに関するもので
ある。
好適に用いられる密着型イメージセンサに関するもので
ある。
〈従来の技術〉
一般に、ラインセンサを用いた文字・画像の読み取り入
力装置では、蛍光灯やLED (発光ダイオード)アレ
イなどで照明された原稿の情報を光学レンズやロッドレ
ンズアレイや光ファイバーを通してセンサ上に結像し、
原稿またはセンサを移動させることによって、2次元情
報を読み取るように構成されている。このような読み取
り入力装置の従・来のものは、COD (電荷結合素子
)と光学レンズを組み合わせた構成のもの、さらには長
尺イメージセンサとロッドレンズアレイ、光ファイバー
アレイを組み合わせた構成のものがある。
力装置では、蛍光灯やLED (発光ダイオード)アレ
イなどで照明された原稿の情報を光学レンズやロッドレ
ンズアレイや光ファイバーを通してセンサ上に結像し、
原稿またはセンサを移動させることによって、2次元情
報を読み取るように構成されている。このような読み取
り入力装置の従・来のものは、COD (電荷結合素子
)と光学レンズを組み合わせた構成のもの、さらには長
尺イメージセンサとロッドレンズアレイ、光ファイバー
アレイを組み合わせた構成のものがある。
特に、密着型イメージセンサと呼ばれる後者は近年ファ
クシミリなどの小型化・低優格化を目的として開発が進
んでいる。
クシミリなどの小型化・低優格化を目的として開発が進
んでいる。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら上記の密着型イメージセンサの多くは、原
稿の情報を通常ロッドレンズアレイを通してセンサ上に
結像しているため、小型化にはおのずと限界があった。
稿の情報を通常ロッドレンズアレイを通してセンサ上に
結像しているため、小型化にはおのずと限界があった。
このタイプではロッドレンズアレイの共役長だけ原稿と
センナを離さねばならず、通常密着型イメージセンサの
ユニットとして20〜30mmの厚さになってしまう、
更にレンズ系を使っているので光学調整が必要であり、
カラー読み取りの場合には色収差も考慮する必要があり
、かつ光量伝達率が低いという問題もあった。
センナを離さねばならず、通常密着型イメージセンサの
ユニットとして20〜30mmの厚さになってしまう、
更にレンズ系を使っているので光学調整が必要であり、
カラー読み取りの場合には色収差も考慮する必要があり
、かつ光量伝達率が低いという問題もあった。
これに対してレンズ系を使わず光ファイバーアレイを用
いたものは、光学調整が不要であり光量伝達も十分に大
きく、焦点を結ばないことから光ファイバーの長さを短
くできて超小型化に適している。更に、カラー読み取り
時にも色収差がないので非常に有効である。しかし、光
ファイバーに入射した光の中で開口角以上の角度で入射
した光はクラッドとの境界面で全反射を起こさずクラッ
ドを経て隣接するファイバーに伝えられる。光ファイバ
ーアレイで画像を伝送する場合には、この光の漏れが画
質を低下させてしまう、従って、この光の漏れを吸収す
る目的で光ファイバー間に吸収体を挿入したEMA(E
xtra MuralAbsorpt i on)型
の光ファイバーアレイが考案されているが、これを密着
型イメージセンサに用いた場合には読み取るべき原稿面
を照明することができないという問題点があった。
いたものは、光学調整が不要であり光量伝達も十分に大
きく、焦点を結ばないことから光ファイバーの長さを短
くできて超小型化に適している。更に、カラー読み取り
時にも色収差がないので非常に有効である。しかし、光
ファイバーに入射した光の中で開口角以上の角度で入射
した光はクラッドとの境界面で全反射を起こさずクラッ
ドを経て隣接するファイバーに伝えられる。光ファイバ
ーアレイで画像を伝送する場合には、この光の漏れが画
質を低下させてしまう、従って、この光の漏れを吸収す
る目的で光ファイバー間に吸収体を挿入したEMA(E
xtra MuralAbsorpt i on)型
の光ファイバーアレイが考案されているが、これを密着
型イメージセンサに用いた場合には読み取るべき原稿面
を照明することができないという問題点があった。
本発明は上記の問題点に鑑みて創案されたもので、超小
型で光学調整の不要な高画質の密着型イメージセンサを
提供することを目的としている。
型で光学調整の不要な高画質の密着型イメージセンサを
提供することを目的としている。
く課題を解決するための手段〉
受光素子アレイと、該受光素子アレイと読み取るべき原
稿との間に配置した各光ファイバーに吸収体を被覆した
光ファイバーアレイ体と上記吸収体を被覆しない光ファ
イノで−アレイ体とを積層して成る光ファイバー基板と
を有する密着型イメージセンサにおいて、上記各光ファ
イバーの直径を上記受光素子アレイの解像度ピッチの4
0%以下となすように構成する。
稿との間に配置した各光ファイバーに吸収体を被覆した
光ファイバーアレイ体と上記吸収体を被覆しない光ファ
イノで−アレイ体とを積層して成る光ファイバー基板と
を有する密着型イメージセンサにおいて、上記各光ファ
イバーの直径を上記受光素子アレイの解像度ピッチの4
0%以下となすように構成する。
く作 用〉
上記のように本発明では、光ファイバーアレイ基板を2
種以上の光ファイバーアレイ体を積層することによって
構成し、好ましい実施例においては、そのうち1種類の
光ファイバーアレイ体の各光ファイバーのすべてもしく
は部分的に吸収体を被覆しておくことにより、光の漏れ
は受光素子に入射される前に吸収体によって吸収されて
受光素子面での画質の低下を防止することができる。か
つ、もう1種の吸収体の被覆していない光ファイバーア
レイ体側を読み取るべき原稿側に配置することにより、
原稿面を容易に照明することができる。更に、各°光フ
ァイバー9直径を受光素子アレイの解像度ピッチの40
%以下とすることによって、必要十分な密着型イメージ
センサの解像度かえられる0以上のようにして超小型で
光学調整が不要な高画質の密着型イメージセンサを容易
に提供できる。
種以上の光ファイバーアレイ体を積層することによって
構成し、好ましい実施例においては、そのうち1種類の
光ファイバーアレイ体の各光ファイバーのすべてもしく
は部分的に吸収体を被覆しておくことにより、光の漏れ
は受光素子に入射される前に吸収体によって吸収されて
受光素子面での画質の低下を防止することができる。か
つ、もう1種の吸収体の被覆していない光ファイバーア
レイ体側を読み取るべき原稿側に配置することにより、
原稿面を容易に照明することができる。更に、各°光フ
ァイバー9直径を受光素子アレイの解像度ピッチの40
%以下とすることによって、必要十分な密着型イメージ
センサの解像度かえられる0以上のようにして超小型で
光学調整が不要な高画質の密着型イメージセンサを容易
に提供できる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例の密着型イメージセンサの断
面図を示している。同図において、1は原稿、2はLE
Dアレイ光源、3はLEDアレイ実装基板、4は実装基
板に実装された抵抗、5及び6はそれぞれ多数本の光フ
ァイバーを帯状に集束した光ファイバーアレイ体であり
、6は各光ファイバーに吸収体を被覆したファイバーア
レイ体で、5は各光ファイバーに吸収体を被覆しない光
ファイバーアレイ体、7及び8はそれぞれ上記光ファイ
バーアレイ体5及び6を組み込んだ透光性像 基板である。9は絶棹性基板10上に形成した薄膜受光
素子アレイ、11は実装基板12上に実装部 した接動用LSI、13はハウジングである。薄膜受光
素子アレイ9は絶縁性基板10上の端部に形成し、その
受光面と帯状の光ファイバーアレイの光出射面とを対面
近接させ、上記薄膜受光素子ル アレイ9に対して上記地神性基板10の配線引き出し側
の反対側スペースにLEDアレイ光源2を配置し、透光
性基板8.7及び吸収体の無い光ファイバーアレイ体5
を通して原稿1を照明する。
面図を示している。同図において、1は原稿、2はLE
Dアレイ光源、3はLEDアレイ実装基板、4は実装基
板に実装された抵抗、5及び6はそれぞれ多数本の光フ
ァイバーを帯状に集束した光ファイバーアレイ体であり
、6は各光ファイバーに吸収体を被覆したファイバーア
レイ体で、5は各光ファイバーに吸収体を被覆しない光
ファイバーアレイ体、7及び8はそれぞれ上記光ファイ
バーアレイ体5及び6を組み込んだ透光性像 基板である。9は絶棹性基板10上に形成した薄膜受光
素子アレイ、11は実装基板12上に実装部 した接動用LSI、13はハウジングである。薄膜受光
素子アレイ9は絶縁性基板10上の端部に形成し、その
受光面と帯状の光ファイバーアレイの光出射面とを対面
近接させ、上記薄膜受光素子ル アレイ9に対して上記地神性基板10の配線引き出し側
の反対側スペースにLEDアレイ光源2を配置し、透光
性基板8.7及び吸収体の無い光ファイバーアレイ体5
を通して原稿1を照明する。
照明された原稿情報は光ファイバーアレイ体5.6を通
してr4膜受光素子アレイ9に伝送される。
してr4膜受光素子アレイ9に伝送される。
原稿情報は吸収体を被覆しない光ファイバーアレイ体を
通った時点では、漏れ光のために画像は劣化したように
なっているが、次ぎの吸収体を被覆した光ファイバーア
レイ体を通ることによって、不必要な漏れ光は吸収体で
カットされ、必要な画像情報のみ受光素子側に伝わる。
通った時点では、漏れ光のために画像は劣化したように
なっているが、次ぎの吸収体を被覆した光ファイバーア
レイ体を通ることによって、不必要な漏れ光は吸収体で
カットされ、必要な画像情報のみ受光素子側に伝わる。
従って、光源からの照射光がうまく原稿を照射できると
ともに、画像の画質を低下させることなく受光素子に伝
えることができる。
ともに、画像の画質を低下させることなく受光素子に伝
えることができる。
ここで、光ファイバーアレイ体5.6に用いら訳
棹る各光ファイバーの直径は上記薄膜受光素子アレイの
解像度ピッチの40%以下とする。この理由を以下に示
す。
解像度ピッチの40%以下とする。この理由を以下に示
す。
例えば、受光素子アレイの解像度ピッチが125μm
(8b i t s/mmに相当する)で、各光ファイ
バーの直径が25μmの場合、第2図に示すような位置
関係になっている。14,14゜は光ファイバー、15
は受光素子1ビツトが占める領域である。第211(a
)は受光素子1ビツトが占める領域内に完全に含まれる
光ファイバー14が最も多い場合で、第2図(b)は隣
接ビットと共有する光ファイバー14′が最も多く、従
って受光素子1ビツトが占める領域内に完全に含まれる
光ファイバー14が最も少ない場合である。
(8b i t s/mmに相当する)で、各光ファイ
バーの直径が25μmの場合、第2図に示すような位置
関係になっている。14,14゜は光ファイバー、15
は受光素子1ビツトが占める領域である。第211(a
)は受光素子1ビツトが占める領域内に完全に含まれる
光ファイバー14が最も多い場合で、第2図(b)は隣
接ビットと共有する光ファイバー14′が最も多く、従
って受光素子1ビツトが占める領域内に完全に含まれる
光ファイバー14が最も少ない場合である。
いま、最悪の場合(b)について考える。第2図(b)
のように、隣接ビットと共有する光ファイバー14′が
存在すると、隣接領域からの画像情報が混入するととも
に、本ビットからの隣接領域への画像情報の流出が起こ
る。このことを考慮して、この光ファイバーアレイのM
TF (ModuIation transfer
function)を計算した値と光ファイバーの直
径との関係を第3図に示す0例えば、実用上充分なMT
F! 鎖50%以上を確保するためには、4牛ρ/ rn m
(解像度ピッチ125μm)のとき光ファイバー径50
μm(これは解像度ピッチの40%)以下でなければな
らないことがわかる。他の解像度ピッチでも、同様にし
て、光ファイバーの直径は解像度ピッチの40%以下で
なければならない。
のように、隣接ビットと共有する光ファイバー14′が
存在すると、隣接領域からの画像情報が混入するととも
に、本ビットからの隣接領域への画像情報の流出が起こ
る。このことを考慮して、この光ファイバーアレイのM
TF (ModuIation transfer
function)を計算した値と光ファイバーの直
径との関係を第3図に示す0例えば、実用上充分なMT
F! 鎖50%以上を確保するためには、4牛ρ/ rn m
(解像度ピッチ125μm)のとき光ファイバー径50
μm(これは解像度ピッチの40%)以下でなければな
らないことがわかる。他の解像度ピッチでも、同様にし
て、光ファイバーの直径は解像度ピッチの40%以下で
なければならない。
第4ry1に直径25μmの光ファイバーを用いた場合
の光ファイバーアレイのMTF特性の測定結! 果を示す、MTF値50%では8 主P / m m
(解像度ピッチ62.5μm)まで可能であることがわ
かる。ここで光ファイバーの直径(25μm)と解像度
ピッチ(62,5μm)の比は40%となっており、上
記の計算結果と極めて良く一致している。
の光ファイバーアレイのMTF特性の測定結! 果を示す、MTF値50%では8 主P / m m
(解像度ピッチ62.5μm)まで可能であることがわ
かる。ここで光ファイバーの直径(25μm)と解像度
ピッチ(62,5μm)の比は40%となっており、上
記の計算結果と極めて良く一致している。
次ぎに、上記構成の密着型イメージセンサの作製手順を
説明する1本例では、受光素子9として、分解能8bi
ts/mmで1728ドツト(解像度ピッチ125μm
)のa−3L受光素子アレイが を用いた。:I#シラス板10上にa−3t受光素子を
形成し、駆動用LSIIIを実装した基板12上に接着
固定する。a−Si受光素子の引き出し配線と駆動用L
SIIIとをワイヤーボンドによって接続する。また、
駆動用LSIと実装基板12上の配線とをワイヤーボン
ドによって接続する0次ぎにa−3t受光素子アレイ9
の受光面と直径25μmの光ファイバーからなる光ファ
イバーアレイ6の光出射面とを光硬化性樹脂で接着する
。ここで、光硬化性樹脂を用いることにより、上記受光
面と上記光出射面とを光学的に良好に接着することがで
きる。自然硬化タイプの接着剤では、張り合わせ時に入
る気泡を脱泡することが困難であり、光学的に良好な接
着をすることができないが、光硬化タイプの接着剤では
、十分な脱泡処理を施したのち硬化接着することができ
るので、光学的に良好な接着がおこなえる。ここでは光
源に棒レンズ無しのLEDアレイ光源(例えば発光ピー
ク波長570nm)を用い、センサユニットの小型化を
図っている0例えば、このセンサユニットサイズは5.
4mm、幅32mm、長さ255mmである。光学系に
光ファイバーアレイを用いているので光量伝達率が十分
に大きく、従って光源に棒レンズを用いなくてもセンサ
面の照度は十分に得られる。ピーク波長570nmのL
EDアレイを用いた場合で、センサ面照度100jFx
が得られた。更に棒レンズ有りでは原稿面での照明むら
が±lO%程度あるのに対し、棒レンズ無しでは原稿面
での照明むらが±2%程度に小さくなるという利点もあ
る。
説明する1本例では、受光素子9として、分解能8bi
ts/mmで1728ドツト(解像度ピッチ125μm
)のa−3L受光素子アレイが を用いた。:I#シラス板10上にa−3t受光素子を
形成し、駆動用LSIIIを実装した基板12上に接着
固定する。a−Si受光素子の引き出し配線と駆動用L
SIIIとをワイヤーボンドによって接続する。また、
駆動用LSIと実装基板12上の配線とをワイヤーボン
ドによって接続する0次ぎにa−3t受光素子アレイ9
の受光面と直径25μmの光ファイバーからなる光ファ
イバーアレイ6の光出射面とを光硬化性樹脂で接着する
。ここで、光硬化性樹脂を用いることにより、上記受光
面と上記光出射面とを光学的に良好に接着することがで
きる。自然硬化タイプの接着剤では、張り合わせ時に入
る気泡を脱泡することが困難であり、光学的に良好な接
着をすることができないが、光硬化タイプの接着剤では
、十分な脱泡処理を施したのち硬化接着することができ
るので、光学的に良好な接着がおこなえる。ここでは光
源に棒レンズ無しのLEDアレイ光源(例えば発光ピー
ク波長570nm)を用い、センサユニットの小型化を
図っている0例えば、このセンサユニットサイズは5.
4mm、幅32mm、長さ255mmである。光学系に
光ファイバーアレイを用いているので光量伝達率が十分
に大きく、従って光源に棒レンズを用いなくてもセンサ
面の照度は十分に得られる。ピーク波長570nmのL
EDアレイを用いた場合で、センサ面照度100jFx
が得られた。更に棒レンズ有りでは原稿面での照明むら
が±lO%程度あるのに対し、棒レンズ無しでは原稿面
での照明むらが±2%程度に小さくなるという利点もあ
る。
以上のような構成によって、超小型で光学調整が不要で
量産性に適した高解像度の密着型イメージセンサが容易
に提供できる。
量産性に適した高解像度の密着型イメージセンサが容易
に提供できる。
また、第5図に棒レンズ有りのLEDアレイ光源を用い
た一実施例を示す、16が棒レンズで、17はレンズ支
持体兼反射板である。棒レンズを用いることで、センサ
ユニットの超小型化は困難になり照明むらも大きくなる
が、センサ面の照度をさらに大きくすることができると
ともに、必要な部分にのみ原稿照明することができるの
で迷光を低減することができるという利点がある。
た一実施例を示す、16が棒レンズで、17はレンズ支
持体兼反射板である。棒レンズを用いることで、センサ
ユニットの超小型化は困難になり照明むらも大きくなる
が、センサ面の照度をさらに大きくすることができると
ともに、必要な部分にのみ原稿照明することができるの
で迷光を低減することができるという利点がある。
以上説明したように、本発明の実施例によれば、各光フ
ァイバーに吸収体を被覆した光ファイバーアレイ体と吸
収体を被覆しない光ファイバーアレイ体を積層した光フ
ァイバーアレイを用いることにより、原稿面への照射が
可能であるとともに、に 漏れ光を確実にカットして分解能特性を良好保つことが
できる。また、光ファイバーアレイを用いることで光路
長を極端に班くできるため、従来のロッドレンズアレイ
に比べ格段にコンパクトな密着型イメージセンサのユニ
ット化が可能であり、従来のようなレンズの焦点調整が
不要である。また、棒レンズ無しのLEDアレイ光源を
用いれば、照明の均一化とともにセンナユニットの小型
化を図ることができる。
ァイバーに吸収体を被覆した光ファイバーアレイ体と吸
収体を被覆しない光ファイバーアレイ体を積層した光フ
ァイバーアレイを用いることにより、原稿面への照射が
可能であるとともに、に 漏れ光を確実にカットして分解能特性を良好保つことが
できる。また、光ファイバーアレイを用いることで光路
長を極端に班くできるため、従来のロッドレンズアレイ
に比べ格段にコンパクトな密着型イメージセンサのユニ
ット化が可能であり、従来のようなレンズの焦点調整が
不要である。また、棒レンズ無しのLEDアレイ光源を
用いれば、照明の均一化とともにセンナユニットの小型
化を図ることができる。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば光ファイバーの直
径を受光素子アレイの解像度ピッチの40%以下となす
ことによって、必要十分な分解能特性を得ることができ
る。
径を受光素子アレイの解像度ピッチの40%以下となす
ことによって、必要十分な分解能特性を得ることができ
る。
第1図は本発明一実施例の密着型イメージセンサの断面
を示す図、第2図(a)及び(b)は本発明の密着型イ
メージセンサの1ビツト領域と光ファイバーアレイとの
位置関係の一例を示す図、第3図は光ファイバーの直径
とMTFの計算値との関係を表す図、第4図は直径25
μmの光ファイバーを用いたときの光ファイバーアレイ
の実測MTF特性を示す図、第5図は本発明の他の実施
例の密着型イメージセンサの断面を示す図である。 1・・・原稿、 2・・・LEDアレイ光源、 3・・
・イバーアレイ体、 6・・・各光ファイバーに吸収し
r: 体を被覆≠参等光ファイバーアレイ体、7.8・・・各
光ファイバーアレイ体5,6を組み込んだ透光性基板、
9・・・薄膜受光素子アレイ、10・・・絶縁性基板
、 11・・・駆動用LSI、12・・・実装基板、
13・・・ハウジング。 バー 16・・−棒レンズ、 17・・・棒レンズ支 特休兼反射板。
を示す図、第2図(a)及び(b)は本発明の密着型イ
メージセンサの1ビツト領域と光ファイバーアレイとの
位置関係の一例を示す図、第3図は光ファイバーの直径
とMTFの計算値との関係を表す図、第4図は直径25
μmの光ファイバーを用いたときの光ファイバーアレイ
の実測MTF特性を示す図、第5図は本発明の他の実施
例の密着型イメージセンサの断面を示す図である。 1・・・原稿、 2・・・LEDアレイ光源、 3・・
・イバーアレイ体、 6・・・各光ファイバーに吸収し
r: 体を被覆≠参等光ファイバーアレイ体、7.8・・・各
光ファイバーアレイ体5,6を組み込んだ透光性基板、
9・・・薄膜受光素子アレイ、10・・・絶縁性基板
、 11・・・駆動用LSI、12・・・実装基板、
13・・・ハウジング。 バー 16・・−棒レンズ、 17・・・棒レンズ支 特休兼反射板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、受光素子アレイと、該受光素子アレイと読み取るべ
き原稿との間に配置した各光ファイバーに吸収体を被覆
した光ファイバーアレイ体と上記吸収体を被覆しない光
ファイバーアレイ体とを積層して成る光ファイバー基板
とを有する密着型イメージセンサにおいて、 上記光ファイバーの直径を上記受光素子アレイの解像度
ピッチの40%以下となしたことを特徴とする密着型イ
メージセンサ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4965089A JPH02228166A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 密着型イメージセンサ |
US07/432,995 US5004905A (en) | 1988-11-10 | 1989-11-08 | Contact type image sensor with a fiber array coated in part with an absorber |
EP89311697A EP0368681B1 (en) | 1988-11-10 | 1989-11-10 | Contact type image sensor |
DE68915121T DE68915121T2 (de) | 1988-11-10 | 1989-11-10 | Bildsensor von Typ Kontakt. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4965089A JPH02228166A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02228166A true JPH02228166A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=12837071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4965089A Pending JPH02228166A (ja) | 1988-11-10 | 1989-02-28 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02228166A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57101468A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Hitachi Ltd | Photo sensor array device |
JPS6423667A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-26 | Sharp Kk | Contact type image sensor |
JPH01180180A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4965089A patent/JPH02228166A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57101468A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Hitachi Ltd | Photo sensor array device |
JPS6423667A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-26 | Sharp Kk | Contact type image sensor |
JPH01180180A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
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