JPH02228049A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02228049A JPH02228049A JP4885589A JP4885589A JPH02228049A JP H02228049 A JPH02228049 A JP H02228049A JP 4885589 A JP4885589 A JP 4885589A JP 4885589 A JP4885589 A JP 4885589A JP H02228049 A JPH02228049 A JP H02228049A
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に誘電体分離
構造を持つ半導体装置の製造方法に関する。
構造を持つ半導体装置の製造方法に関する。
従来、誘電体骨Ｎ′！ｆＩＩ造を持つ半導体装置の製造
方法としては、サファイア基板上に設けられた島状シリ
コン層を用いて半導体素子を形成する方法（Ｓｉｌｉｃ
ｏｎ ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ、Ｓ ＯＳと記す）、シ
リコン基板に酸素をイオン注入した後にシリコン層をエ
ピタキシャル成長し、このシリコン層を島状として、そ
こに半導体素子を形成する方法（５ｅｐａｒａＬｉｏｎ
ｂｙ Ｉｎ＋ｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ、 Ｓ
Ｉ Ｍ ＯＸと記す）などが知られていた。しかしなが
ら、ＳＯ８ではシリコン層の結晶性が通常のバルク状シ
リコンに比べて悪く、電子や正孔の移動度が低いという
欠点があり、Ｓ ＩＭＯＸでは多量の酸素をイオン注入
する必要があり、基板の形成が困難であるという欠点が
あった。
方法としては、サファイア基板上に設けられた島状シリ
コン層を用いて半導体素子を形成する方法（Ｓｉｌｉｃ
ｏｎ ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ、Ｓ ＯＳと記す）、シ
リコン基板に酸素をイオン注入した後にシリコン層をエ
ピタキシャル成長し、このシリコン層を島状として、そ
こに半導体素子を形成する方法（５ｅｐａｒａＬｉｏｎ
ｂｙ Ｉｎ＋ｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ、 Ｓ
Ｉ Ｍ ＯＸと記す）などが知られていた。しかしなが
ら、ＳＯ８ではシリコン層の結晶性が通常のバルク状シ
リコンに比べて悪く、電子や正孔の移動度が低いという
欠点があり、Ｓ ＩＭＯＸでは多量の酸素をイオン注入
する必要があり、基板の形成が困難であるという欠点が
あった。
最近、二枚のシリコン基板を用い、少なくとも一方の基
板の表面に酸化膜を形成した後、酸化膜を間に介して画
板を貼り合わせることにより誘電体分離構造を持つ半導
体装置が形成できることが報告されている。この技術は
、単結晶シリコンを半導体素子の形成に用いることがで
きるため、ＳＯ８における移動度の低下はなく、また、
貼り合わせの工程も熱処理や電圧をかけるだけでよく、
ＳＩＭＯＸにおける多量のイオン注入を必要としないと
いう利点を持っている。
板の表面に酸化膜を形成した後、酸化膜を間に介して画
板を貼り合わせることにより誘電体分離構造を持つ半導
体装置が形成できることが報告されている。この技術は
、単結晶シリコンを半導体素子の形成に用いることがで
きるため、ＳＯ８における移動度の低下はなく、また、
貼り合わせの工程も熱処理や電圧をかけるだけでよく、
ＳＩＭＯＸにおける多量のイオン注入を必要としないと
いう利点を持っている。
しかし、この貼り合わせ技術においては、半導体素子を
形成するためのシリコン層を薄く形成することが重要と
なるが、従来報告された方法ではコントロール良く容易
に薄いシリコン層を形成することが困難であった０例え
ば、研磨により薄膜化する方法は、コストはかからない
が、精度良く均一なシリコン層を得ることは困難である
。また、エピタキシャルウェーハを用い、選択エツチン
グによりシリコンを薄くする方法も知られているが、エ
ピタキシャルウェーハのコストが高いという欠点がある
。
形成するためのシリコン層を薄く形成することが重要と
なるが、従来報告された方法ではコントロール良く容易
に薄いシリコン層を形成することが困難であった０例え
ば、研磨により薄膜化する方法は、コストはかからない
が、精度良く均一なシリコン層を得ることは困難である
。また、エピタキシャルウェーハを用い、選択エツチン
グによりシリコンを薄くする方法も知られているが、エ
ピタキシャルウェーハのコストが高いという欠点がある
。
最近、高ホウ素濃度ウェーハを酸化することにより表面
に低ホウ素濃度層を形成したウェーハを用い、高希釈の
フッ硝酢酸で選択エツチングを行い低ホウ素層を残す方
法が報告されている（有本由弘他、貼り合わせＳＯＩ基
板の薄膜化、第３５回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集、５７９頁、１９８８年春季）が、均一な薄膜を精
度良く得ることは困難であった。
に低ホウ素濃度層を形成したウェーハを用い、高希釈の
フッ硝酢酸で選択エツチングを行い低ホウ素層を残す方
法が報告されている（有本由弘他、貼り合わせＳＯＩ基
板の薄膜化、第３５回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集、５７９頁、１９８８年春季）が、均一な薄膜を精
度良く得ることは困難であった。
また、シリコン表面にホウ素を高濃度拡散したシリコン
ウェーハを用い、エチレンジアミンピロカテコールによ
る選択エツチングにより高ホウ素濃度のシリコン層を残
す方法も知られている（今井和雄他、接着技術によるＳ
ＯＩ構造の形成、第４９回応用物理学会学術講演会講演
予稿集、頁６２４．１９８８年秋季）が、その後ホウ素
濃度を下げることが困難で半導体素子を形成するのには
適していなかった。
ウェーハを用い、エチレンジアミンピロカテコールによ
る選択エツチングにより高ホウ素濃度のシリコン層を残
す方法も知られている（今井和雄他、接着技術によるＳ
ＯＩ構造の形成、第４９回応用物理学会学術講演会講演
予稿集、頁６２４．１９８８年秋季）が、その後ホウ素
濃度を下げることが困難で半導体素子を形成するのには
適していなかった。
本発明の目的は、大幅な工程の増加を伴わないで、均一
な厚さのシリコン層を精度良く形成できる誘電体分離ウ
ェーハを主とする半導体装置を製造方法を提供すること
にある。
な厚さのシリコン層を精度良く形成できる誘電体分離ウ
ェーハを主とする半導体装置を製造方法を提供すること
にある。
本発明の半導体装置の製造方法は、ｐ型シリコン基板の
一主面にｎ型領域を形成した後表面に酸化シリコン膜を
形成して第１のウェーハを作成する工程と、前記ｐ型シ
リコン基板とは別の第２のシリコン基板の表面に酸化シ
リコン膜を形成して第２のウェーハを作成する工程と、
前記第１のウェーハの前記ｎ型頭域側に前記第２のウェ
ーハを密着させ熱処理を施すことにより前記第１と第２
のウェーハの酸化シリコン膜を接着させて貼合わせる工
程と、アルカリ性の異方性エツチングが停止する電位に
保ち前記ｐ型シリコン基板のｎ型領域の電位をエツチン
グが行われる電位に保って電気化学エツチングすること
により前記ｎ型領域をエツチング除去する工程とを含ん
で構成される。
一主面にｎ型領域を形成した後表面に酸化シリコン膜を
形成して第１のウェーハを作成する工程と、前記ｐ型シ
リコン基板とは別の第２のシリコン基板の表面に酸化シ
リコン膜を形成して第２のウェーハを作成する工程と、
前記第１のウェーハの前記ｎ型頭域側に前記第２のウェ
ーハを密着させ熱処理を施すことにより前記第１と第２
のウェーハの酸化シリコン膜を接着させて貼合わせる工
程と、アルカリ性の異方性エツチングが停止する電位に
保ち前記ｐ型シリコン基板のｎ型領域の電位をエツチン
グが行われる電位に保って電気化学エツチングすること
により前記ｎ型領域をエツチング除去する工程とを含ん
で構成される。
本発明の半導体装置の製造方法において、第１のウェー
ハの表面のｎ型領域には、アルカリ性の異方性エツチン
グ液によりエツチングが行われないように陽極酸化によ
り酸化膜が生成される電位が与えられ、また、第１のウ
ェーハのｎ型領域には、陽極酸化が起こらずアルカリ性
の異方性エツチング液によりエツチングされるような電
位が与えられているため、第１のウェーハと第２のウェ
ーハをシリコン酸化膜を介して貼り合わせた後、アルカ
リ性の異方性エツチング液を用いて電気化学エツチング
を行うことにより、第１のウェーハのｎ型領域のみをエ
ツチングにより除去でき、ｎ型領域を残すことができる
。従って、精度良く誘電体分離された薄い単結晶シリコ
ン層を形成することができる。
ハの表面のｎ型領域には、アルカリ性の異方性エツチン
グ液によりエツチングが行われないように陽極酸化によ
り酸化膜が生成される電位が与えられ、また、第１のウ
ェーハのｎ型領域には、陽極酸化が起こらずアルカリ性
の異方性エツチング液によりエツチングされるような電
位が与えられているため、第１のウェーハと第２のウェ
ーハをシリコン酸化膜を介して貼り合わせた後、アルカ
リ性の異方性エツチング液を用いて電気化学エツチング
を行うことにより、第１のウェーハのｎ型領域のみをエ
ツチングにより除去でき、ｎ型領域を残すことができる
。従って、精度良く誘電体分離された薄い単結晶シリコ
ン層を形成することができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した半導体ウェーハの断面図である。
めに工程順に示した半導体ウェーハの断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、ｐ型シリコン型基板
１に砒素を表面からドープしてｎ型領域２を設け、熱酸
化して表面に二酸化シリコン膜４ａを形成して、これを
第１のウェーハとする。また、別のシリコン基板３を熱
酸化して表面に二酸化シリコン膜４ｂを形成してこれを
第２のウェーハとする。
１に砒素を表面からドープしてｎ型領域２を設け、熱酸
化して表面に二酸化シリコン膜４ａを形成して、これを
第１のウェーハとする。また、別のシリコン基板３を熱
酸化して表面に二酸化シリコン膜４ｂを形成してこれを
第２のウェーハとする。
次に、第１図（ｂ）に示すように、第１のウェーハの第
２のウェーハとを二酸化シリコン膜４ａと４ｂの表面で
貼り合わせ、熱処理により化学的に結合させる。結合し
た二酸化シリコン膜を番号４で示す。この方法は、例え
ば、アイイーイーイー、インターナショナル エレクト
ロン デバイス ミーティング（Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ 、
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｒｅｃｔｒｏｎ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ ）のテクニカル ダイ
ジェスト（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ） ６８
４−６８７頁（１９８５年）に報告されている。また、
同様の技術は、特公昭３９−．１７８６９号公報にも報
告されている。
２のウェーハとを二酸化シリコン膜４ａと４ｂの表面で
貼り合わせ、熱処理により化学的に結合させる。結合し
た二酸化シリコン膜を番号４で示す。この方法は、例え
ば、アイイーイーイー、インターナショナル エレクト
ロン デバイス ミーティング（Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ 、
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｒｅｃｔｒｏｎ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ ）のテクニカル ダイ
ジェスト（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ） ６８
４−６８７頁（１９８５年）に報告されている。また、
同様の技術は、特公昭３９−．１７８６９号公報にも報
告されている。
次に、第１図（ｃ）に示すように、第１のウェーハの二
酸化シリコン膜を電Ｆｆ１５の近傍だけに残して他の領
域部分はエツチングにより除いた後、ｐ型シリコン型基
板１およびｎ型領域２に電極５を形成する。
酸化シリコン膜を電Ｆｆ１５の近傍だけに残して他の領
域部分はエツチングにより除いた後、ｐ型シリコン型基
板１およびｎ型領域２に電極５を形成する。
第２図は第１図（Ｃ）に示すウェーハを電気化学エツチ
ングするための装置を説明するための断面模式図である
。
ングするための装置を説明するための断面模式図である
。
石英容器６の中には異方性エツチング液として、例えば
ヒドラジン水和物７が充たされており、上記のウェーハ
が浸されている。第１のウェーハのｎ型領域２およびｎ
型領域には、ポテンショスタット８と参照電極９および
プラチナ対！ｆ１１０により、それぞれエツチングがス
トップする電位およびエツチングがストップしない電位
が加えられている。エツチング液としてヒドラジン水和
物７を使用する場合、ｎ型領域２には、参照電極９に対
し５ボルト（Ｖ）以上の電圧、ｎ型領域は参照電極９に
対し約−１，４ボルト（Ｖ）の電位が加えられている。
ヒドラジン水和物７が充たされており、上記のウェーハ
が浸されている。第１のウェーハのｎ型領域２およびｎ
型領域には、ポテンショスタット８と参照電極９および
プラチナ対！ｆ１１０により、それぞれエツチングがス
トップする電位およびエツチングがストップしない電位
が加えられている。エツチング液としてヒドラジン水和
物７を使用する場合、ｎ型領域２には、参照電極９に対
し５ボルト（Ｖ）以上の電圧、ｎ型領域は参照電極９に
対し約−１，４ボルト（Ｖ）の電位が加えられている。
第１のウェーハのｎ型領域を十分に取り除くためには、
ウェーハの電極部分とは反対側からエツチングが進むこ
とが除ましく、上記ウェーハを電極部分と反対側から徐
々にエツチング液に浸していくことが有効である。
ウェーハの電極部分とは反対側からエツチングが進むこ
とが除ましく、上記ウェーハを電極部分と反対側から徐
々にエツチング液に浸していくことが有効である。
次に、第１図（ｄ ）に示すように、第２図に示す装置
を用いて電気化学エツチングして第１のシリコン基板１
の電極部分を残してｎ型領域をエツチングにより除去す
る。
を用いて電気化学エツチングして第１のシリコン基板１
の電極部分を残してｎ型領域をエツチングにより除去す
る。
次に、第１図（ｅ）に示すように、リード線１１をはず
し、電極部分をダイシングにより取り除くことにより、
誘電体分離されたシリコンウェーハが得られる。
し、電極部分をダイシングにより取り除くことにより、
誘電体分離されたシリコンウェーハが得られる。
このようにしてｎ型領域２の厚さを薄くすることにより
、誘電体分離された薄いシリコン層を精度良く形成する
ことができ、シリコンの局所酸化（Ｌ ＯＧ ＯＳ
： Ｌｏｃａｌ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ
５ｉｌｉｃｏｎ） やシリコンに溝を設けることに
より、容易に互いに誘電対分離された半導体素子を形成
することができる。
、誘電体分離された薄いシリコン層を精度良く形成する
ことができ、シリコンの局所酸化（Ｌ ＯＧ ＯＳ
： Ｌｏｃａｌ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ
５ｉｌｉｃｏｎ） やシリコンに溝を設けることに
より、容易に互いに誘電対分離された半導体素子を形成
することができる。
以上説明したように、本発明は、誘電体で分離された半
導体ウェーハをウェーハの貼り合わせ技術を使用して容
易に製造でき、電気化学エツチングにより厚さが均一で
精度良くコントロールされた誘電体分離シリコン層を形
成することができるという効果を有する。
導体ウェーハをウェーハの貼り合わせ技術を使用して容
易に製造でき、電気化学エツチングにより厚さが均一で
精度良くコントロールされた誘電体分離シリコン層を形
成することができるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体ウェーハの断面模式図、第２
図はシリコンウェーハを部分的にエツチングするための
装置の断面模式図である。 １・・・ｐ型シリコン基板、２・・・ｎ型領域、３・・
・シリコン基板、４．４ａ、４ｂ・・・二酸化シリコン
膜、５・・・電極、６・・・石英容器、７・・・ヒドラ
ジン水和物、８・・・ポテンショスタット、９・・・参
照電極、１０・・・プラチナ対極、１１・・・リード線
。
めの工程順に示した半導体ウェーハの断面模式図、第２
図はシリコンウェーハを部分的にエツチングするための
装置の断面模式図である。 １・・・ｐ型シリコン基板、２・・・ｎ型領域、３・・
・シリコン基板、４．４ａ、４ｂ・・・二酸化シリコン
膜、５・・・電極、６・・・石英容器、７・・・ヒドラ
ジン水和物、８・・・ポテンショスタット、９・・・参
照電極、１０・・・プラチナ対極、１１・・・リード線
。
Claims (1)
- ｐ型シリコン基板の一主面にｎ型領域を形成した後表面
に酸化シリコン膜を形成して第１のウェーハを作成する
工程と、前記ｐ型シリコン基板とは別の第２のシリコン
基板の表面に酸化シリコン膜を形成して第２のウェーハ
を作成する工程と、前記第１のウェーハの前記ｎ型領域
側に前記第２のウェーハを密着させ熱処理を施すことに
より前記第１と第２のウェーハの酸化シリコン膜を接着
させて貼合わせる工程と、アルカリ性の異方性エッチン
グ液中で前記ｎ型領域の電位を電気化学エッチングにお
いてエッチングが停止する電位に保ち前記ｐ型シリコン
基板のｐ型領域の電位をエッチングが行われる電位に保
って電気化学エッチングすることにより前記ｐ型領域を
エッチング除去する工程とを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4885589A JPH02228049A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4885589A JPH02228049A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02228049A true JPH02228049A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=12814883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4885589A Pending JPH02228049A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02228049A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010177378A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2011024358A1 (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | 信越半導体株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137330A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Yokogawa Electric Corp | 半導体の微細加工方法 |
| JPS6390147A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Toshiba Corp | 誘電体分離基板の製造方法 |
| JPS63299236A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体の電解エッチング方法 |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4885589A patent/JPH02228049A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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