JPS61137330A - 半導体の微細加工方法 - Google Patents
半導体の微細加工方法Info
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- JPS61137330A JPS61137330A JP26029684A JP26029684A JPS61137330A JP S61137330 A JPS61137330 A JP S61137330A JP 26029684 A JP26029684 A JP 26029684A JP 26029684 A JP26029684 A JP 26029684A JP S61137330 A JPS61137330 A JP S61137330A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、「発明の目的」
〔産業上の利用分野〕 ゛
本発明は、半導体のシリコン単結晶を微細に加工する方
法に関するものである。
法に関するものである。
（従来の技術〕
従来、シリコン単結晶を微細に加工する方法の一つとし
てＩ Ｅ Ｅ Ｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｅｖｉｃｅ
１ｅｔｔｅｒｓｖｏｌ ｅｄｌ −２ＮＯ２Ｆｅ
ｂｒｕａｒｙ １９８１ ４４〜４５頁に次のよう
な方法が記載されている。
てＩ Ｅ Ｅ Ｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｅｖｉｃｅ
１ｅｔｔｅｒｓｖｏｌ ｅｄｌ −２ＮＯ２Ｆｅ
ｂｒｕａｒｙ １９８１ ４４〜４５頁に次のよう
な方法が記載されている。
エチレン・ディアミン・ピロカテコール（ＥＤＰ）又は
水酸化カリウム（ＫＯＨ）のようなアルカリ水溶液中に
白金（Ｐｔ）電極を設け、シリコンのｎ形又はｎ形のい
づれかに対して、＋０．５〜０，６■を加えると、選択
してエツチングを行なうことができる。
水酸化カリウム（ＫＯＨ）のようなアルカリ水溶液中に
白金（Ｐｔ）電極を設け、シリコンのｎ形又はｎ形のい
づれかに対して、＋０．５〜０，６■を加えると、選択
してエツチングを行なうことができる。
（発明が解決しようとする問題点〕
そこで、本出願人はこの文献に基づいて、半導体の加工
実験を行なってみた。しかし、充分な結果を得ることが
できなかった。
実験を行なってみた。しかし、充分な結果を得ることが
できなかった。
この従来技術の不都合な点を示すと
■ シリコンの不純物濃度によっては、０．５〜０．６
■でエツチングがストップしないのでエツチングが不安
定である。
■でエツチングがストップしないのでエツチングが不安
定である。
■ シリコンのｐ形、ｎ形の間に逆バイアスで高い電圧
を印加しようとすると、’Ｏｎ接合部のリーク電流のた
めに充分な電位差を与えることができない。
を印加しようとすると、’Ｏｎ接合部のリーク電流のた
めに充分な電位差を与えることができない。
本発明の目的は、シリコンの選択エツチングの自由度を
大幅に広げて、複雑で精密な微細加工を行なうことがで
きる方法を提供することである。
大幅に広げて、複雑で精密な微細加工を行なうことがで
きる方法を提供することである。
口、「発明の構！ＲＪ
〔問題点を解決するための手段〕
出願人は実験により、逆バイアス時のリーク電流が選択
エツチングを不安定にすることを突止めた。−これを改
善するために、ｐｎ接合部のリーク電流を十分吸収でき
る第２の外部電源を用いてシリコンを選択的にエツチン
グするようにしたものである。
エツチングを不安定にすることを突止めた。−これを改
善するために、ｐｎ接合部のリーク電流を十分吸収でき
る第２の外部電源を用いてシリコンを選択的にエツチン
グするようにしたものである。
（実施例）
以下、図面を用いて、本発明に係る半導体の微細加工方
法の動作を説明する。
法の動作を説明する。
図は、本発明を実施した例を示した因である。
同図において、１は容器、２はこの容器１に注がれたア
ルカリ水溶液である。このアルカリ水溶液２は、例えば
水酸化カリウム（ＫＯＨ）等が用いられる。３と４は加
工対象のシリコン半導体である。３は例えばｎ形で構成
され、４は例えばｐ形で構成される。
ルカリ水溶液である。このアルカリ水溶液２は、例えば
水酸化カリウム（ＫＯＨ）等が用いられる。３と４は加
工対象のシリコン半導体である。３は例えばｎ形で構成
され、４は例えばｐ形で構成される。
本発明では、ｎ形部４をエツチングで除去し、ｎ形部３
を残すように加工しようとするものである。
を残すように加工しようとするものである。
５は例えば白金（Ｐｔ ）で構成された電極、６と７は
図のような極性に接続されたｗｉ源である。
図のような極性に接続されたｗｉ源である。
以上のように構成された装置の動作は以下の如くである
。
。
アルカリ水溶液２中において、この液の電位に対して正
の電位を電源６，７によりシリコン半導体に加えると、
電流は次のルートを流れる。
の電位を電源６，７によりシリコン半導体に加えると、
電流は次のルートを流れる。
（１） 電源７→ｎ形部３→アルカリ水溶液２→電極
（１１） 電１ＩＩ６→ｐ形部４→アルカリ水溶液２
→電極電流がシリコン半導体からアルカリ水溶液２中に
流れると、シリコン半導体の表面にＳｉＯｘの膜が形成
される。
（１１） 電１ＩＩ６→ｐ形部４→アルカリ水溶液２
→電極電流がシリコン半導体からアルカリ水溶液２中に
流れると、シリコン半導体の表面にＳｉＯｘの膜が形成
される。
しかし、この形成されたＳ！Ｏｘもアルカリ水溶液２に
よりエツチングされる。そして、５ｉＯＸの膜がアルカ
リ水溶液でエツチングされる速さより、速くシリコン半
導体の表面に５ｔｙｘが形成される場合には、その部分
のシリコン半導体は、５ｆＯｘの膜により常に保護され
る。その結果、保護された部分のシリコンは、エツチン
グされなくなる。この状態の現象を不動態化と言う。そ
して、この不動態化する時のアルカリ水溶液とシリコン
半導体との電圧を不動態電圧と言う。この不動態電圧は
、ｐ形部、ｎ形部の不純物濃度により定まるものである
。
よりエツチングされる。そして、５ｉＯＸの膜がアルカ
リ水溶液でエツチングされる速さより、速くシリコン半
導体の表面に５ｔｙｘが形成される場合には、その部分
のシリコン半導体は、５ｆＯｘの膜により常に保護され
る。その結果、保護された部分のシリコンは、エツチン
グされなくなる。この状態の現象を不動態化と言う。そ
して、この不動態化する時のアルカリ水溶液とシリコン
半導体との電圧を不動態電圧と言う。この不動態電圧は
、ｐ形部、ｎ形部の不純物濃度により定まるものである
。
従って、成るレベルの電圧を電源６．７で加えると、ｎ
形部４には、５ｆＯｘの躾が形成されず、ｎ形部３には
、５ｆＯｘの躾が形成されるようにすることができる。
形部４には、５ｆＯｘの躾が形成されず、ｎ形部３には
、５ｆＯｘの躾が形成されるようにすることができる。
即ち、エツチングせずに残すシリコン半導体の部分には
、不動態電位以上の電圧を水溶液の電位に対して加え、
エツチングするシリコン半導体の部分には、不動態電位
未満の電圧を水溶液の電位に対して加えるようにすれば
選択性を持ってエツチング加工が行なわれる。
、不動態電位以上の電圧を水溶液の電位に対して加え、
エツチングするシリコン半導体の部分には、不動態電位
未満の電圧を水溶液の電位に対して加えるようにすれば
選択性を持ってエツチング加工が行なわれる。
なお、以上では、ｐｎ接合の逆バイアスにおける動作を
説明したが、順バイアスであっても、順電流が流れない
範囲（約 ０．５Ｖ未満）においては、本発明を適用す
ることができる。
説明したが、順バイアスであっても、順電流が流れない
範囲（約 ０．５Ｖ未満）においては、本発明を適用す
ることができる。
ハ、「本発明の効果」
本発明によれば、次の効果が得られる。
（＋） 拡散、エピタキシャル等によりｐｎ接合部分
を作り込むことは、半導体プロセス技術を使用すること
により、微細で高精度に行なうことができる。従って、
このｐｎ接合を形成したシリコン半導体に、以上に説明
した本発明の方法を用いることにより、自由に高精度の
微細加工が可能となる。
を作り込むことは、半導体プロセス技術を使用すること
により、微細で高精度に行なうことができる。従って、
このｐｎ接合を形成したシリコン半導体に、以上に説明
した本発明の方法を用いることにより、自由に高精度の
微細加工が可能となる。
（り ２電源方式のため、エツチングされずに残す側（
ｎ形部３）の不純物濃度の制約がない。
ｎ形部３）の不純物濃度の制約がない。
図は本発明を実施した例を示す図である。
１・・・容器、２・・・アルカリ水溶液、３・・・ｎ形
部、４・・・ｐ形部、５・・・電極、６．７・・・電源
。 息丞 ％７７り鵡液
部、４・・・ｐ形部、５・・・電極、６．７・・・電源
。 息丞 ％７７り鵡液
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｐ形部分とｎ形部分の接合部を有するシリコン半導体と
、電極とをアルカリ水溶液中に配置し、エッチングせず
に残すシリコン半導体の部分には、不動態電位以上の電
圧をアルカリ水溶液の電位に対して加え、 エッチングするシリコン半導体の部分には、不動態電位
未満の電圧をアルカリ水溶液の電位に対して加えるよう
にした半導体の微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26029684A JPS61137330A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体の微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26029684A JPS61137330A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体の微細加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137330A true JPS61137330A (ja) | 1986-06-25 |
| JPH0479131B2 JPH0479131B2 (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=17346070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26029684A Granted JPS61137330A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体の微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137330A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228049A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013206888A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び半導体材料からなる基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130038A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-12 | Nec Corp | エツチングの方法 |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP26029684A patent/JPS61137330A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130038A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-12 | Nec Corp | エツチングの方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228049A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013206888A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び半導体材料からなる基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0479131B2 (ja) | 1992-12-15 |
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