JPH02227913A - 透明導電性積層体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分！１ｆｆ） 本発明は透明導電性積層体の改良に関するものである。

（従来の技術） 透明導電性層ノ一体としては、透明基体の片面上にイン
ジウム、スズ、カドミウム、アンチモン等の金属の酸化
物薄膜から成る単ｌ−の透明導電性層を設けえもの、或
いは透明基体に設けられ比金属酸化物Ｗ＃膜上に更に金
、銀、パラジウム等の金属薄膜を設け、透明導電性層を
複層としｔもの（特開昭６１−７４８３８号公報）が知
られている。

この透明導電性積層体は１例えば液晶デイスプレィ用の
電極、エレクトロルミネッセンス表示装置１（以下、Ｅ
Ｌ装置と称す）用！極、光導電性感光体用の’ａｌｌ：
極、ブラウン管ｆ各種測定器の窓部分の静電遍蔽材、帯
電防止材１発熱素子等の電気。

電子分野に広く適用できるものである。

ところで、この透明導電性積層体を用いてＥＬ装置を製
造するには、透明導電性層上に発光体層。

および背面電極を積層し、全体をポリクロロ）　ＩＪフ
ルオロエチレン（以下、ＰＣＴＦＥと称す）のような防
湿フィルムで被覆することがあるａまた。

必要により透明基体と防湿フィルムの間にポリアミド等
の捕水フィルムを介在せしめたり１発光体層と背面電極
の間に絶縁層を介在せしめたりすることもある。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、かようにして得られるＫＬ装置は、透明
電極を構成する透明導電性積層体の透明基体と捕水フィ
ルムま几は防湿フィルムの接Ｎ力が必らずしも充分でな
かつ比。接着力が弱いと透明基体と捕水フィルムま几は
防湿フィルムの間で剥離（部分別ＩＩｌま次は全面剥離
）を生じ、外観が悪くなり、商品価値の低下乃至喪失を
招くことになる。

従って１本発明はこれを用いてＥＬ装置を製造し友際に
、捕水フィルムまたは防湿フィルムとの接着力が大きく
剥離を生じ難い透明基体を有する透明導電性積層体を提
供することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 本発明者はｔ記目的を達成するため０種々検討の結果、
透明基体における透明導電性積層体面の反対面にスパッ
タエツチング処理を施すことにより、該処理面と捕水フ
ィルムまたは防湿フィルムの接着力を同上させ得ること
を見出し１本発明に至った。

即ち１本発明に係る透明導電性積層体は、透明基体の片
面上に透明導電性層が設けられ、更に該基体の他面がス
パッタエツチング処理されて成るものである。

以下１図面を参照しながら１本発明の詳細な説明する。

第１図において、ｌは透明基体で、ｂす。

透明で耐熱性を有し、厚さが通常約５０〜２００μ鴇の
高分子フィルムが用いられる。

透明基体ｌとして用いられる高分子フィルムの具体例と
しては、ポリイばド、ポリエーテルスルホン、ポリスル
ホン、ポリエチレンテレ７タレート（以下、ＰＥＴと称
す）、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート
、ポリエチレン２゜６−ナフタレンジカルボキシレート
、ポリジアリルフタレート等を挙げることができる。

セして、この透明基体ｌの片面とには、透明導電性ＮＩ
２が設けられる。透明導電性Ｉ＃２は従来の透明導電性
積層体のそれと同じであってよい。列えは、インジウム
３．スズ、カドミウム　７ンチモン、亜−４！Ｏ金属の
酸化物によって形成できる。

かような金属酸化物の代表例としては酸化インジウム２
酸化スズ、酸化インジウム−酸化スズ混合体、酸化スズ
−酸化アンチモン混合体等が挙げられるにの金属酸化物
薄膜の厚さは透明性と導電性の点から１通常、約ＬＬ）
０〜２００ｔａｌｃ設定される。

本発明においては透明導電性層をｔ記の金属酸化物薄膜
のみから成る単層構造としてもよいが。

該酸化物薄膜上に更に金属層を設けた複ｆｆＡ構造とす
ることへできる。この場合の金属Ｊｍはイ／ジウム、ス
ズ、カドミウム、亜鉛、チタン、アンチモン、アルイニ
ウム、タングステン、モリブデン。

クロム、タンクル　ニッケル、白金、金、銀、鋼。

パラジウム等から形成でき、その厚さは透明性を考慮し
１通常約２００Ａ以下好ましくは約１０〜１００人とす
る。この金属層は比較的薄いので、連続薄膜とならずに
金属酸化物薄膜上に不連続膜、即ち。

島状に点在する形態で形成されることもあるが差支えな
い、勿論、金属ｓｒｉ連続薄膜であってもよい。

ま九５本発明においては透明導電性層を金１ｊ４ｔｔｌ
Ｏみから成る単層構造とすることもでき、この場合は金
属ｊΔの厚さを通常約１０〜２００　Ａとする。

透明基体の片面にＪ：記の如き透明導電性層を形成する
には、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーテ
ィング法等の通常の薄膜形成法を採用できる。

本発明においてはかようにして透明基体の片面に透明導
電性！−が設けられるが、更に該基体の他面がスパッタ
エツチング処理される。

スパッタエツチング処理については、例えば特公昭５３
−２２１０８号公報に詳細に述べられているが、その概
要を示すと、このスパッタエツチング処理とは、耐圧容
器内で減圧雰囲気下において陰陽両電極間に高周波電圧
を印加し、放電域のイオンエネルギーの大きい陰極暗部
において、放電によつ′Ｃ生じ次直場イオンを加速して
、陰４に、の高分子フィルム表面ＶＣ尚突させる処理で
ある。こりための装置としては８列えば特公昭５６−１
３３７号公報゛、特公昭５６−１３３８号等に記載され
た処理装置を用いることができ、これら装置においては
、耐圧容器内に陰極と陽極が対向して配設され、陰極は
インピーダンス盛合器を介して高周波電源に接続さ几、
陽極は高周波電源のアース側に接続されて＃成されてい
る。＊極の外側にはシールド用電極が配設され、アース
電位に保九れている。

本発明においては、透明基体としての高分子フィルムに
対するスパッタエツチング処理を安定して行なう九め、
雰囲気圧を通常０．０Ｏ１〜０．５　Ｔｏｒｒ好ましく
は０．００５〜０．２　Ｔｏｒｒに設定するのがよい。

ま友、放電処塩童、即ち、放電電力（Ｗ／ｃ１４）と処
理時間（ｓｅａ　）の積は通常０．（ｊ　１〜１００　
Ｗ　・ｓｅｅ／ｃイになるように行なう。勿論、処理効
果はフィルムの材質によって変動するので、具体的には
フィルムに応じて決定する。ＰＥＴフィルムの場合は０
．１〜５０Ｗφｓｅｅ／ｃ４が好適であることが判明し
ている。

放電電力および処理時間は、放電処理量が上記所定値哄
噛になるようならば、いかようにも設定し得るが、実用
上から放電電力は通常０．１〜５Ｗ／ｅｄ好ましくは０
．２〜２　Ｗ／ｄの範囲内で、処理時間は通常１〜３０
０秒の範囲内で各々設定される。

また、スパッタエツチング処理に用いる高周波電源とし
ては０通常数百ＫＨｚ〜数十ＭＨｚの周波数のものを用
い得るが、実用上は工業割当周波数の１３．５８ＭＨｚ
の電源を用いるのが好ましい。

雰囲気ガスとしては種々の気体を用しることができるが
、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス。

チッ素ガス、炭酸ガス、水蒸気等が好ましい。

このようにして高分子フィルムの表面をスノくツタエツ
チング処理すると、該処理面に無数の微細針状突起と化
学的に活性なラジカル成分とが形成される。

そして、この処理面上に捕水フィルム１ｆｃ、は防湿フ
ィルムを配置し、熱融着により透明基体と捕水フィルム
または防湿フィルムを接合すると、に記針状突起が投錨
力を発揮すると共にラジカル成分により化学的にも結合
するので、その接着力は大きなものとなる。

なお、この透明導電性積層体においては、透明基体と透
明導電性層の接着力の大きいことは好ましいので、該基
体の透明導電性！−形成画を上記と同様にスパッタエツ
チングすることもできる。

次に、上記透明導電性層）一体を用いたＥＬ装置につい
て述べる。このＥＬ装置は上記透明導電性積層体の透明
導電性層上に発光体層および背面電極が積層されており
、梃にこれらが防湿フィルムでａｌ！！僅し比構造を有
することができる。

第２図はこのＥＬ袈装の実例を示すもので、透明基体ｌ
と透明導電性７１２から成る透明電極３とこれに対向す
る背面電極４（アルミニウム箔、鋼箔等から成る）ｔ−
有し、これら両眠極３，４の間に発光体層５が挾持され
、更に全体がＰＣＴＦＥ等から成る防湿フィルム６．７
により被覆封止されている。なお、８および９は所望に
より設けられ友絶縁Ｉ−および捕水フィルム（ポリアミ
ド等）である。

発光体Ｉ−５は電圧の印加により発光するもので。

例えば螢光体とバインダーとしての高分子誘電体の混合
物により形成でき、その厚さは通常約２０〜１００μ愼
である。

螢光体としては、硫化亜鉛、セレン化ｔｌＪｉ鉛、ｇ化
亜鉛と硫化カドゼウムＯ混晶等の主剤に活性剤としての
銅、銀、金、マンガン等の金属粉末および付活性剤とし
ての塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン或いはアルミニウ
ム、カリウム等の金属粉末を一加した混合物を用いるこ
とができる。この場合、主剤、活性剤および付活性剤の
混合割合は。

通常、主剤１００重を部に対し、活性剤０．０１〜０．
１眞′ｊ１部、付活性剤１〜３麿量部である。

ま次、バインダーとしての高分子誘電体としては、シア
ノエチルセルロース、シアノエチルプルラン、シアノエ
チルポリビニルアルコール　シアノエチルサッカロース
等のシアノエチル化され比高分子を用いるのが好ましい
が、この他ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデンを
含む共暇合体等のフッ素樹脂、エボ牛シ樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、有機ケイ素樹脂、メラミン樹脂、原票
樹脂、ポリウレタン樹脂等を用いることができる。

発光体層形成成分としての螢光体と高分子誘電体の混合
割合は１種々の条件によって変わり得るが通常は高分子
誘電体１００重量部に対し、螢光体５０〜６００重量部
である。

発光体層５は１例えば高分子誘電体粉末をア七トン、メ
チルエチルケトン、ジメチルフォルムアばドウジメチル
アセトアミド、ジメチルスルフォキサイド等の有機溶媒
にｍ解せしめ、このｎ液中に螢光体粉末を分散せしめ、
この液を透明導電性層上に塗布（スクリーン印刷、スピ
ンコード法等）乾燥する方法により形成できる。

ま友、絶縁１１１　ｇは発光体Ｊ−影形成用いたのと同
様の高分子誘電体（所望によりチタン酸バリウム。

酸化チタン等の高誘電率粉体を混入）Ｋより形成できる
。この絶縁層は省略も可能である。

なお、透明導電性１−と発光体ｊ−の接合強度を大きく
する几め、透明導電性層上に予じめ１発光体層の形成に
用いるバインダーと同じ高分子誘電体から成る薄層を形
成しておき、この薄層上に発光体Ｊ−を形成することも
できる。

（実施例） 以Ｆ、実施例により本発明を更に詳細に説明する。

実施例１ Ａ、透明導電性積層体′の製造 雰囲気ガスとしてアルゴンガスを使用し０周波数１３．
５６　ＭＨｚの高周波電圧を印加し、放電電力ｌＷ／ｃ
４．Ｊ囲気圧０．０１　Ｔｏｒｒの条件で、厚さ７５μ
慣の透明ＰＩＴ　フィルムの両面を１秒間各々スパッタ
エツチング処理する。

次に、インジウム−スズ合金（スズ含１１１０重量％）
をターゲットとして用い、酸素との反応性ｉグネトロン
スパッタリング法により、ＰＥＴフィルムの片＃Ｊｋ、
に、厚さ３０ＤＡの酸化インジウム−酸化スズ混合体か
ら成る金属酸化物！−を積層する。

このＰＩＴフィルムと金属酸化物膚から成る複合体の光
線透過率は８５％（５５０ｎｍ）であり、金属酸化物層
側の表面抵抗は３００Ω／口であった。

その後、パラジウムをターゲットとして用い。

スパッタリング法により、金属酸化物層上に厚さ３０人
のパラジウム層をａｍする。このパラジウム層形成後の
光線透過率は８４％、パラジウム層側の表面抵抗ｒｔ３
００Ω／口であっ之。

次いで、パラジウム層上にシアノエチルプルランの１重
量％アセトン浴液をファンテンリバース法により塗布し
、１８０℃の温度で３分間加熱することにより、厚さ６
００へのシアノエチルプルランから収る高分子ｎｔｔ体
層の形成され次透明導電性積ｌ一体を得友。

Ｂ％ＥＬ装置の製造 厚さ２００μ惰のアルミニウム消の片面に、シアノエチ
ルグルランの３０重量％ア七トン溶液にチタン酸バリウ
ム粉末を分散せしめて塗布する。なお、チタン酸バリウ
ムとシアノエチルプルランの配合比（重量比）はｌ：ｌ
とし友。そして、温度１２０℃で６０分間加熱し、厚さ
４０μ鶴の絶縁ノーを形成する。

次に、シアノエチルプルランの３０ｉｉ量％アセトンボ
液に螢光体粉末（、ブルーグリーンに発光するもの）を
分散させ、この液を絶縁１ｍとに塗布し。

１２０℃の温度で３０分間乾燥させ、更に、１２０℃。

ｌ　Ｘ　ｌ　ＯＴｏｒｒ　Ｏ雰囲気中で６時Ｉ１１真空
乾燥させるその後、透明導電性積層体の高分子誘電体ノ
ーと発光体ノーを向い合わせ、＠度１７５℃に維持さｔ
″ＬＬ之ａラミネータを通して接合する。

次いで、この接合物の両面に厚さ２００μ塩のＰＣＴＦ
Ｅフィルムを配置しく更に透明基体とＰＣＴＦＥフィル
ムの間に厚さ１００μ鴨のポリアミド製捕水フィルムを
配置した）、温度２５０℃、圧力２に９／、鑓の条件で
１分間加熱加圧し、と記フィルム同志をその端縁部全周
において熱融着（融看部の巾５・舖）せしめ、第２図と
同構造のＥＬ装置を得た。

実施例２ 透明基体の透明導″電注１−形成面へのスパッタエツチ
ング処理を施さないことおよびパラジウム層上に高分子
誘電体ｌ−を形成しないこと以外は、実施例１と同様に
作業し、透明導電性積層体およびＥＬ装置を得比。

実施例３ 捕水フィルムを用いないこと以外は実施例１と同様に作
業し、透明導電性積層体およびＥＬ装置を得た。

比較例１ 透明基体の捕水フィルムとの接７１ｔ＃Ｊに対するスパ
ッタエツチング処理を施さないこと以外は、実施例１と
同様に作業し、透明導電性積層体およびＥＬ装置を得比
。

比較例２ 捕水フィルムを用いないことおよび透明基体の防湿フィ
ルムとの接着面に対するスパッタエツチングを施さない
こと以外は、実施例３と同様に作業し、透明導砥性積１
Ｉｌｌ１体およびＥＬ装置を得た。

と記実施例および比較例で得られ次透明導屯性績ノ一体
の表面抵抗および光線透過率（５００ｎｍ）を第１表に
示す。ま７’ｔ、ＥＬ装置における透明基体と捕水フィ
ルム１几は防湿フィルムの接着力、耐屈曲性をｆ記要領
で試験し次結果を併記する。

〔接着力〕

ｍ５２５℃、引張り速度３ＱＱｍｘ／ｍｉｎの条件で、
万能引張型試験機（東洋測器社製、テンシロン）鴎より
、透明基体と捕水フィルムま比は防湿フィルムの界面で
剥離せしめ、この剥離に要する力を測定した。

〔耐屈曲性〕

ＥＬ装置を手で屈曲せしめ、透明基体と捕水フィルムま
たは防湿フィルムの間で剥離を生ずるか否かを目視によ
り観察した。第１表中ｒＯＪは数千回屈曲しても剥離を
生じないことを、「×」は数回程度の屈曲で剥離を生ず
ることを示している。

第１表 （発明の効果） 本発明はと記のように構成されており、透明基体表面に
スパッタエツチング処理を施し比ので。

この処理面が強接着面となり、ＥＬ装置を製造し友際、
該処理面に接する捕水フィルムまたは防湿フィルムと強
固に！！着できる特徴がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る透明導電性積層体の実例を示す正
面図、第２図はこの積層体を用いて製造し之ＥＬ装置の
実例を示す断面図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基体の片面上に透明導電性層が設けられ、更
   に該基体の他面がスパッタエッチング処理されて成る透
   明導電性積層体。
2. （２）透明基体の透明導電性層形成面がスパッタエッチ
   ング処理されている請求項１記載の透明導電性積層体。
3. （３）透明導電性層上に高分子誘電体層が設けられてい
   る請求項１または請求項２記載の透明導電性積層体。