JPH02222184A - レーザ出力制御回路 - Google Patents
レーザ出力制御回路Info
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- JPH02222184A JPH02222184A JP1043527A JP4352789A JPH02222184A JP H02222184 A JPH02222184 A JP H02222184A JP 1043527 A JP1043527 A JP 1043527A JP 4352789 A JP4352789 A JP 4352789A JP H02222184 A JPH02222184 A JP H02222184A
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- Japan
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- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮血欠１
本発明はレーザ出力制御回路に関し、特に半導体レーザ
素子の温度変化により生ずるレーザ出力を制御するため
のシー１ノ゛出力制御回路に関するものである。
素子の温度変化により生ずるレーザ出力を制御するため
のシー１ノ゛出力制御回路に関するものである。
従来技術
光デイスク装置では、情報の記録再生手段としてレーザ
光が使用されている。このレーザ光を光学レンズで極小
のスポラ１〜収束させ、光エネルギにより記憶媒体上に
ピッ）へもしくは磁化反転を形成することで情報の記録
が行われている。
光が使用されている。このレーザ光を光学レンズで極小
のスポラ１〜収束させ、光エネルギにより記憶媒体上に
ピッ）へもしくは磁化反転を形成することで情報の記録
が行われている。
この様な光ティスフ装置における書込回路ては、第３図
に示すように記録情報に対応した所定のパルス幅の書込
信号（０）の供給を受け、この書込信号をレーザ光の出
力（ｐ）、（ｒ）、（ｔ）に変換して媒体上に照射する
ことでピット形成を行っている。
に示すように記録情報に対応した所定のパルス幅の書込
信号（０）の供給を受け、この書込信号をレーザ光の出
力（ｐ）、（ｒ）、（ｔ）に変換して媒体上に照射する
ことでピット形成を行っている。
記録時のレーザパワーＰ１１． ＰＩ３． ＰＩ３にば
らつきがあると、媒体上のピットの大きさ１１，１２．
１３が変化しいてしまうため、媒体から情報（ｑ）、（
ｓ）、（ｔ）を読取るとき、正確に情報を再生できない
恐れがある。そのため、記録時のレーザパワーＰ１１．
ＰＩ３． ＰＩ３は一定値であることが望ましい。
らつきがあると、媒体上のピットの大きさ１１，１２．
１３が変化しいてしまうため、媒体から情報（ｑ）、（
ｓ）、（ｔ）を読取るとき、正確に情報を再生できない
恐れがある。そのため、記録時のレーザパワーＰ１１．
ＰＩ３． ＰＩ３は一定値であることが望ましい。
記録時のレーザパワーＰ１１． ＰＩ３． ＰＩ３は数
百ｎｓ以下のパルスであるｌ二め、レーザ出力を感知で
きるモニタ用受光素子を用いて補正するには時間が短か
すぎる。また、モニタ用受光素子を用いてレーザ出力（
ｐ）、（ｒ）、（ｔ＞の平均出力に対する信号を得て補
正することも５書込信号が不規則な信号であるためでき
ない。
百ｎｓ以下のパルスであるｌ二め、レーザ出力を感知で
きるモニタ用受光素子を用いて補正するには時間が短か
すぎる。また、モニタ用受光素子を用いてレーザ出力（
ｐ）、（ｒ）、（ｔ＞の平均出力に対する信号を得て補
正することも５書込信号が不規則な信号であるためでき
ない。
第４図に示すように、半導体レーザにおりる注入電流・
光出力特性は温度依存性をもっていることがわかってい
るが、書込回路において、記録時のレー→ノ゛パワーＰ
２１． Ｆ２２． Ｆ２３を（第３図においてはＰｌｌ
、 Ｆ１２． Ｆ１３）を得る以外（サンプルモード時
）は、媒体に影響を与えない程度の小さなレーザ出力、
ベースパワーＰ２０（第３図においてはＰｌｏ）を得ら
れるよう設計されている。サンプルモード時、レーザ素
子の温度変化（Ｔ”２１＜１”２２＜ Ｔ ２３ ）が
生じても、レーザ出力を感知できるモニタ用受光素子か
ら得られる信号によって、レーザ出力がベースパワーＰ
２０になるように、レーザの注入電流■２１（温度Ｔ２
１時） 、 Ｉ ２２ （′ｒ’ ２２１Ｒｉ ）１
２３（Ｔ２３時）を制御するベースパワー制御回路が動
作している。
光出力特性は温度依存性をもっていることがわかってい
るが、書込回路において、記録時のレー→ノ゛パワーＰ
２１． Ｆ２２． Ｆ２３を（第３図においてはＰｌｌ
、 Ｆ１２． Ｆ１３）を得る以外（サンプルモード時
）は、媒体に影響を与えない程度の小さなレーザ出力、
ベースパワーＰ２０（第３図においてはＰｌｏ）を得ら
れるよう設計されている。サンプルモード時、レーザ素
子の温度変化（Ｔ”２１＜１”２２＜ Ｔ ２３ ）が
生じても、レーザ出力を感知できるモニタ用受光素子か
ら得られる信号によって、レーザ出力がベースパワーＰ
２０になるように、レーザの注入電流■２１（温度Ｔ２
１時） 、 Ｉ ２２ （′ｒ’ ２２１Ｒｉ ）１
２３（Ｔ２３時）を制御するベースパワー制御回路が動
作している。
また、従来の技術として、記録時めレーザパワーＰ２１
． Ｆ２２． Ｆ２３（第３図においてはＰｌｌ Ｆ
１２、 Ｆ１３）を得る時（ボールドモード時）におい
ては、サンプルモー１〜時のレーザの注入電流Ｔ２１（
温度’Ｔ”２１時） 、 Ｉ ２２ （”Ｆ２２時）
、 Ｉ ２３ （Ｔ２３１＋ｑ ）をボールドさせ
ておいて、二っめの電流増幅回路を通して得られる一定
の電流△１２０をホールドさせている電流■２１（温度
’Ｔ’２１時）、Ｉ２２（Ｔ２２時）Ｉ ２３ （’ｆ
” ２３時）に加算することによって、記録時のレーザ
パワーＰ２１． Ｆ２２． Ｆ２３を得られるよう設計
されている。 前述した従来の記録時のレーザパワーを
得る方法では、サンプルモード時の注入電流Ｉ２１（温
度Ｔ２１時）、Ｉ２２（Ｔ２２時）Ｉ２３（Ｔ”２３時
）に一定の電流△Ｉ２０を加算することによって得てい
るため、第４図に示ず温度変化Ｔ２１． ”ｒ’２２．
Ｔ２３に対する閾値電流１ ｔｈｌ 、 Ｉ ｔｈ
２、Ｉｔｈ３の変化には補正が行われるが、注入電流・
光出力１、ν性の直線部分の傾きｄｒ−’２１／ｄＴｃ
：］ Ｆ２２／ｄ Ｔ 、 ｄ Ｆ２３／ｄ Ｉに対し
ては補正が行われない。
． Ｆ２２． Ｆ２３（第３図においてはＰｌｌ Ｆ
１２、 Ｆ１３）を得る時（ボールドモード時）におい
ては、サンプルモー１〜時のレーザの注入電流Ｔ２１（
温度’Ｔ”２１時） 、 Ｉ ２２ （”Ｆ２２時）
、 Ｉ ２３ （Ｔ２３１＋ｑ ）をボールドさせ
ておいて、二っめの電流増幅回路を通して得られる一定
の電流△１２０をホールドさせている電流■２１（温度
’Ｔ’２１時）、Ｉ２２（Ｔ２２時）Ｉ ２３ （’ｆ
” ２３時）に加算することによって、記録時のレーザ
パワーＰ２１． Ｆ２２． Ｆ２３を得られるよう設計
されている。 前述した従来の記録時のレーザパワーを
得る方法では、サンプルモード時の注入電流Ｉ２１（温
度Ｔ２１時）、Ｉ２２（Ｔ２２時）Ｉ２３（Ｔ”２３時
）に一定の電流△Ｉ２０を加算することによって得てい
るため、第４図に示ず温度変化Ｔ２１． ”ｒ’２２．
Ｔ２３に対する閾値電流１ ｔｈｌ 、 Ｉ ｔｈ
２、Ｉｔｈ３の変化には補正が行われるが、注入電流・
光出力１、ν性の直線部分の傾きｄｒ−’２１／ｄＴｃ
：］ Ｆ２２／ｄ Ｔ 、 ｄ Ｆ２３／ｄ Ｉに対し
ては補正が行われない。
そのため、記録時に温度変化が生じると、記録時のレー
ザパワーＰ２１（温度′Ｖ２１時）、Ｆ）２２（７２２
時） 、 Ｆ２３ （’Ｔ”２３時）に差が生じてしま
い、媒体に記録するピッ１〜の大きさが変化してしまう
。
ザパワーＰ２１（温度′Ｖ２１時）、Ｆ）２２（７２２
時） 、 Ｆ２３ （’Ｔ”２３時）に差が生じてしま
い、媒体に記録するピッ１〜の大きさが変化してしまう
。
このことは、媒体」二の情報を読込み再生する時に不正
確さが増すという欠点がある。
確さが増すという欠点がある。
発明の目的
本発明の目的は、パルスレーザ出力をレーザ素子の温度
に関係なく一定に維持することが可能なレーザ出力制御
回路を提供することである。
に関係なく一定に維持することが可能なレーザ出力制御
回路を提供することである。
発明の構成
本発明によれば、半導体レーザ素子の温度に応じな温度
検出信号を発生ずる温度検出手段と、この温度検出信号
に応じて前記半導体レーザ素子に流す注入電流を制御す
る電流制御手段とを含むことを特徴とするレーザ出力制
御回路が得られる。
検出信号を発生ずる温度検出手段と、この温度検出信号
に応じて前記半導体レーザ素子に流す注入電流を制御す
る電流制御手段とを含むことを特徴とするレーザ出力制
御回路が得られる。
実施例
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すブ１−？ツク図である
。本実施例はサンプルホールド回路１．半導体レーザ出
力を感知できるモニタ用ポトタイオード２．半導体レー
ザ３．半導体レーザ素子の温度を感知できるサーミスタ
４、Ａ／Ｄ変換回路５ペース電流増幅回路６．記録電流
増幅回ＩＷ７． Ｄ／Ａ変換回路８．記憶制御口Ｉ￥８
（ＲＯＭ）９により構成されている。第２図は半導体レ
ーザにおける注入電流・光出力特性の温度依存性を示す
。
。本実施例はサンプルホールド回路１．半導体レーザ出
力を感知できるモニタ用ポトタイオード２．半導体レー
ザ３．半導体レーザ素子の温度を感知できるサーミスタ
４、Ａ／Ｄ変換回路５ペース電流増幅回路６．記録電流
増幅回ＩＷ７． Ｄ／Ａ変換回路８．記憶制御口Ｉ￥８
（ＲＯＭ）９により構成されている。第２図は半導体レ
ーザにおける注入電流・光出力特性の温度依存性を示す
。
サンプルモード時の動きを３ｅってみる。ＲＯＭ９から
の書込信号（１（）は常に０″であるのて記録電流増幅
回路７は動作しない、これによって記録電流（ｊ）は零
で、レーザの全注入電流（ｉ）はベース電流（１１）に
等しくなる。また、半導体レーザのザンプル出力（Ｃ）
によって、ボ１ヘタイオード２からサンプル出力信号’
（ａ ）を得る。ＲＯＭ９からザンブルホールド切替
信号（ｂ）により、サンプルモードとなっているサンプ
ルホールド回路１によってサンプル出力信号（ａ）はベ
ース制御電流（ｇ）に変換される。ベース電流増幅回［
６によってベース制御電流（ｇ）はベース電流（ｈ）に
増幅される。
の書込信号（１（）は常に０″であるのて記録電流増幅
回路７は動作しない、これによって記録電流（ｊ）は零
で、レーザの全注入電流（ｉ）はベース電流（１１）に
等しくなる。また、半導体レーザのザンプル出力（Ｃ）
によって、ボ１ヘタイオード２からサンプル出力信号’
（ａ ）を得る。ＲＯＭ９からザンブルホールド切替
信号（ｂ）により、サンプルモードとなっているサンプ
ルホールド回路１によってサンプル出力信号（ａ）はベ
ース制御電流（ｇ）に変換される。ベース電流増幅回［
６によってベース制御電流（ｇ）はベース電流（ｈ）に
増幅される。
以上のループはサンプル出力信号（ａ）が一定値Ｘにな
るよう設計されている。ｉｎ記の一定値Ｘはサンプルモ
ード時において得たいベース出力ＰＯＯ（第２図参照）
に対応するサンプル出力信号（ａ、 ）の値とする。本
実施例のループでは、サンプル出カイ、４号（ａ＞がＸ
より大きいとすると、サンプルポール１〜回路によって
、ベース制御電流（ｇ）を小さくする」：うに動作する
。これによって、ベース電流（１））は小さくなり、サ
ンプル出力（ｃ）が小さくなってサンプル出力イａ号（
ａ）が下がる。またサンプル出力信号（ａ）がＸより小
さい時は、１ｉｉｆ記の反対の動作を行う。以上よりサ
ンプル出力信号（ａ、 ）は一定値Ｘになる。前記ルー
プによって、サンプル出力（Ｃ＞は一定となり、媒体に
瞭射するベース出力（ｄ）は一定値Ｐ００となる。
るよう設計されている。ｉｎ記の一定値Ｘはサンプルモ
ード時において得たいベース出力ＰＯＯ（第２図参照）
に対応するサンプル出力信号（ａ、 ）の値とする。本
実施例のループでは、サンプル出カイ、４号（ａ＞がＸ
より大きいとすると、サンプルポール１〜回路によって
、ベース制御電流（ｇ）を小さくする」：うに動作する
。これによって、ベース電流（１））は小さくなり、サ
ンプル出力（ｃ）が小さくなってサンプル出力イａ号（
ａ）が下がる。またサンプル出力信号（ａ）がＸより小
さい時は、１ｉｉｆ記の反対の動作を行う。以上よりサ
ンプル出力信号（ａ、 ）は一定値Ｘになる。前記ルー
プによって、サンプル出力（Ｃ＞は一定となり、媒体に
瞭射するベース出力（ｄ）は一定値Ｐ００となる。
第２図において説明すると、レーザ素子の温度′Ｖｏ１
． ’Ｔ’０２． ’ｆ０３が変化しても、その時の温
度に対応するベース電流（ｈン１０１ （温度”ｒ’ｏ
１時）１０２ （Ｔ”０２時） 、 Ｔ ０３ （’
Ｔ”０３時）が半導体レーザの注入電流（ｉ）となり、
一定のベース出力Ｐ００が得らえる。この時、一定のベ
ース出力Ｐｏｏに対応するサンプル出力（ｃ）を通して
、ホトタイオード２から得られるサンプル出力信号（ａ
）の値はＸとなっている。
． ’Ｔ’０２． ’ｆ０３が変化しても、その時の温
度に対応するベース電流（ｈン１０１ （温度”ｒ’ｏ
１時）１０２ （Ｔ”０２時） 、 Ｔ ０３ （’
Ｔ”０３時）が半導体レーザの注入電流（ｉ）となり、
一定のベース出力Ｐ００が得らえる。この時、一定のベ
ース出力Ｐｏｏに対応するサンプル出力（ｃ）を通して
、ホトタイオード２から得られるサンプル出力信号（ａ
）の値はＸとなっている。
つぎに、ホールドモード時におｃ−する動きを追ってみ
る。ＲＯＭ９からサンプルホールド信号（ｂ）によって
サンプルボールド回路１はホールドモードになり、サン
プルモード時に流していたベース制御電流（ｇ）つまり
ベース電流（ｈ）ＩＯＩ（温度１゛０１時）、ｌ０２（
ＴＯ２時） 、 Ｉ ０３ （”１０３時）を維持す
る。ホールドモード時は、Ｒ，ＯＭ ９からの書込信号
（ｋ）は常に“１″であるので、レーザの全注入電流ｊ
はベース電流（ｈ）と記録電流（ｊ）との和になる。
る。ＲＯＭ９からサンプルホールド信号（ｂ）によって
サンプルボールド回路１はホールドモードになり、サン
プルモード時に流していたベース制御電流（ｇ）つまり
ベース電流（ｈ）ＩＯＩ（温度１゛０１時）、ｌ０２（
ＴＯ２時） 、 Ｉ ０３ （”１０３時）を維持す
る。ホールドモード時は、Ｒ，ＯＭ ９からの書込信号
（ｋ）は常に“１″であるので、レーザの全注入電流ｊ
はベース電流（ｈ）と記録電流（ｊ）との和になる。
半導体レーザ素子の温度（ｅ ） ＴＯＩ、 ＴＯ２，
Ｔ０３によってサーミスタ４からサンプル温度信号（ｆ
）が得られる。Ａ／Ｄ変換回路５によってそのサンプル
温度信号（ｆ）はデジタル化され、デジタルサンプル温
度信号（ｎ）に変換される。そのデジタルサンプル温度
信号（ｎ）はＲＯＭ９に入力され、記録時のレーザ出力
ＰＯ１を得るために加算ずべき電流△■０１（温度ＴＯ
ｌ時）、△１０２（Ｔｏ２時） 、 △Ｉ ０３ （’
Ｉ”０３時）に対応するデジタル記録電流信号（ｍ）に
変換される。
Ｔ０３によってサーミスタ４からサンプル温度信号（ｆ
）が得られる。Ａ／Ｄ変換回路５によってそのサンプル
温度信号（ｆ）はデジタル化され、デジタルサンプル温
度信号（ｎ）に変換される。そのデジタルサンプル温度
信号（ｎ）はＲＯＭ９に入力され、記録時のレーザ出力
ＰＯ１を得るために加算ずべき電流△■０１（温度ＴＯ
ｌ時）、△１０２（Ｔｏ２時） 、 △Ｉ ０３ （’
Ｉ”０３時）に対応するデジタル記録電流信号（ｍ）に
変換される。
そのデジタル記録′屯流信号（ｍ）はＤ／Ａ変換回路８
によって記録制御電流（Ω）に変換される。
によって記録制御電流（Ω）に変換される。
記録制御電流（Ω）は記録電流増幅回路によって記録電
流（））△ｌ０Ｉ（温度ＴＯｌ時）、△ＴＯ２（Ｔ’０
２時）、△Ｔｏ］（ＴＯ３時）に増幅され、ベース電流
＜ｈｌｒｏｌ（温度ＴＯｌ時） 、 Ｉ Ｏ２（’ｒ
’０２時）ＩＯ３（１”０３時）と加算されてレー→ノ
゛の全注入電流（ｉ）となる。
流（））△ｌ０Ｉ（温度ＴＯｌ時）、△ＴＯ２（Ｔ’０
２時）、△Ｔｏ］（ＴＯ３時）に増幅され、ベース電流
＜ｈｌｒｏｌ（温度ＴＯｌ時） 、 Ｉ Ｏ２（’ｒ
’０２時）ＩＯ３（１”０３時）と加算されてレー→ノ
゛の全注入電流（ｉ）となる。
以上の書込回路によって記録時のレーザ出カド）０１を
得るため、ベース電流（ｈ）ＩＯＩ（温度１０１時）
、 Ｉ Ｏ２（’Ｉ’０２時） 、 Ｉ ０３ （
’ｆ’０３時）に加算すべき記録電流（ｊ）△ｌ０１（
温度１゛０１時）、△ｌ０２（’Ｔ’０２時）、△ｌ０
３（１”０３時）がレーザ素子の温度ＴＯ１，Ｔ”０２
． ’Ｔ”０３によってそれぞれれ得られる１、よって
、記録時のレーザ出力は、レーーリ゛素子の温度′Ｉ″
０１． ＴＯ２，Ｔ０３によって左右されることなく一
定値ＰＯ１となる。
得るため、ベース電流（ｈ）ＩＯＩ（温度１０１時）
、 Ｉ Ｏ２（’Ｉ’０２時） 、 Ｉ ０３ （
’ｆ’０３時）に加算すべき記録電流（ｊ）△ｌ０１（
温度１゛０１時）、△ｌ０２（’Ｔ’０２時）、△ｌ０
３（１”０３時）がレーザ素子の温度ＴＯ１，Ｔ”０２
． ’Ｔ”０３によってそれぞれれ得られる１、よって
、記録時のレーザ出力は、レーーリ゛素子の温度′Ｉ″
０１． ＴＯ２，Ｔ０３によって左右されることなく一
定値ＰＯ１となる。
たたし、半導体レー→ノ′によって注入電流・先出力特
性の温度依存性が異るため、使用するレーザにおいて、
記録時のレーザ出力ＰＯ１を得るために温度ＴＯＩ、
ＴＯ２，’ｌ’０３時における加算ずべき電流△ｌ０１
（温度１′０１時）、△ｌ０２（ＴＯ２時）、△■０３
（１’０３時）を求めて、Ｒ，０Ｍ９に記憶させておく
必要かある。
性の温度依存性が異るため、使用するレーザにおいて、
記録時のレーザ出力ＰＯ１を得るために温度ＴＯＩ、
ＴＯ２，’ｌ’０３時における加算ずべき電流△ｌ０１
（温度１′０１時）、△ｌ０２（ＴＯ２時）、△■０３
（１’０３時）を求めて、Ｒ，０Ｍ９に記憶させておく
必要かある。
また、この一実施例では、半導体レーザ素子の温度（ｅ
） ＴＯｌ、 ７ｆ”０２． ＴＯ３を感知するため
にサーミスタ４を使用したが、レーザ素子の温度を感知
する素子とｊ−てサーミスタに限定するものではなく、
タイオードのＶ−１特性を利用したものや、半導体素子
たとえばトランジスタにおりるベースエミッタ間のＶ−
Ｉ特性を利用したものなど、温度を感知できる素子であ
ればよい。
） ＴＯｌ、 ７ｆ”０２． ＴＯ３を感知するため
にサーミスタ４を使用したが、レーザ素子の温度を感知
する素子とｊ−てサーミスタに限定するものではなく、
タイオードのＶ−１特性を利用したものや、半導体素子
たとえばトランジスタにおりるベースエミッタ間のＶ−
Ｉ特性を利用したものなど、温度を感知できる素子であ
ればよい。
発明の詳細
な説明したように本発明によれは、半導体レーザにおい
てこの半導体素子の温度を感知する素子を設けて、その
素子より得られる信号によって半導体レーザ素子に注入
する電流を制御することに」；す、パルスレーザ出力を
レーザ素子の温度によって左右されることなく一定値に
することができるという効果がある。
てこの半導体素子の温度を感知する素子を設けて、その
素子より得られる信号によって半導体レーザ素子に注入
する電流を制御することに」；す、パルスレーザ出力を
レーザ素子の温度によって左右されることなく一定値に
することができるという効果がある。
第１図は本発明の実施例のブロック図、第２図は半導体
レーザの注入電流・光出力特性の温度依存性を示す図、
第３図はレーザ出力の違いによる記録媒体上のピットの
大きさを示す図、第４図は半導体レーザ素子の注入電流
・光出力特性を示す図である。 主要部分の符号の説明 ３・・・・・・半導体レーザ素子 ４・・・・・・温度感知素子ザーミスタ５・・・・・・
Ａ／Ｄ変換回路 ８・・・・・・Ｄ／Ａ変換回路 ９・・・・・・ＲＯＭ
レーザの注入電流・光出力特性の温度依存性を示す図、
第３図はレーザ出力の違いによる記録媒体上のピットの
大きさを示す図、第４図は半導体レーザ素子の注入電流
・光出力特性を示す図である。 主要部分の符号の説明 ３・・・・・・半導体レーザ素子 ４・・・・・・温度感知素子ザーミスタ５・・・・・・
Ａ／Ｄ変換回路 ８・・・・・・Ｄ／Ａ変換回路 ９・・・・・・ＲＯＭ
Claims (1)
- （１）半導体レーザ素子の温度に応じた温度検出信号を
発生する温度検出手段と、この温度検出信号に応じて前
記半導体レーザ素子に流す注入電流を制御する電流制御
手段とを含むことを特徴とするレーザ出力制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043527A JPH02222184A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | レーザ出力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043527A JPH02222184A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | レーザ出力制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222184A true JPH02222184A (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=12666218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1043527A Pending JPH02222184A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | レーザ出力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02222184A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537066A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Nec Corp | 光中継器 |
| US9980336B2 (en) | 2016-09-29 | 2018-05-22 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Light receiving device, light emitting device and light receiving/emitting device |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1043527A patent/JPH02222184A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537066A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Nec Corp | 光中継器 |
| US9980336B2 (en) | 2016-09-29 | 2018-05-22 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Light receiving device, light emitting device and light receiving/emitting device |
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