JP2002237041A

JP2002237041A - 試し書き記録制御方法及び試し書き記録制御装置及び光り記録媒体

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Publication number: JP2002237041A
Application number: JP2001390771A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Fuji; 寛藤
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2001-12-25
Filing date: 2001-12-25
Publication date: 2002-08-23
Anticipated expiration: 2020-03-23
Also published as: JP3632849B2

Abstract

(57)【要約】【課題】繰り返しマークパターンｙに対応する部分
の再生信号ｗの部分のレベルと、孤立パターンレベルｘ
に対応する部分の再生信号ｗの部分のレベルを検出し、
上記レベルを比較することにより、正確に熱干渉の違い
を知ることができる。このため異なるマークパターンに
対応した記録マーク間の熱干渉を同じにすることができ
る。【解決手段】光ビームａにより情報が記録される光磁
気ディスク２４から繰り返しマークパターンｙに対応す
る再生信号ｗの部分のレベルと孤立マークパターンｘに
対応する再生信号ｗの部分のレベルを検出し、上記レベ
ルを比較することにより、記録条件を設定する試し書き
記録制御方法及びこれを採用した試し書き記録制御装置
及び光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームにより情
報が記録される光磁気ディスク等の光記録媒体に対し、
最適な記録条件を求めるための試し書き記録制御方法お
よび試し書き記録制御装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】第１の従来例として特開平５−２６６４
７６に開示された情報記憶装置があった。この例では半
導体レーザーのパワーをＰＨとＰＬの２値で変調する方
法を開示しており、ＰＨとＰＬの関係をあらかじめ決め
ておき（ＰＨ＋αＰＬ＝一定）、半導体レーザの出射パ
ワーをフィードバックすることによって記録パワーの制
御を行っていた。ところが、この方法では、半導体レー
ザーの出射パワーを一定に制御することはできても、記
録媒体上での記録状態をフィードバックしていないた
め、記録媒体まで含めた実際の記録条件の制御ができな
いという問題点を有していた。

【０００３】第２の従来例としてＪ．Ｍａｇｎ．Ｓｏ
ｃ．Ｊａｐ．，Ｖｏｌ．１５，Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ
Ｎｏ．Ｓ１（１９９１），ＰＰ３９５−３９８に開示さ
れた記録制御方法があった。この方法では、記録光パル
スのエッジの位置をパルスの種類毎に制御することによ
り、最適な記録マークを記録していた。ところが、この
方法では、記録マークの形状が涙型の形状となり、マー
クの前方と後方で再生波形が異なるため、正確なデータ
が再生できないという問題点を有していた。

【０００４】この問題点を解決するために第３の従来例
である試し書き記録制御方法がある。試し書き記録制御
方法とは、光磁気ディスクに所定のデータを仮に記録
し、記録されたデータを読み出すことにより最適なレー
ザーパワーを設定する方法のことである。電子情報通信
学会技報ＭＲ９２−６２（１９９１−１１），ｐ，１３
〜１８あるいは１９９２年電子情報通信学会秋季大会予
稿ｃ−３４２，ｐ，５〜２１に開示された光磁気ディス
クの試し書き記録制御方法を図３１に基づいて説明す
る。

【０００５】この方法では、まず、光磁気ディスクに最
短マーク繰り返しパターンＸの記録マーク１６と、最長
マーク繰り返しパターンＹの記録マーク１７を記録す
る。それから、記録マーク１６，１７を読み出し、最短
マーク繰り返しパターンＸに対応した再生信号Ｗの平均
電圧Ｖ１と、最長マーク繰り返しパターンＹに対応した
再生信号Ｗの平均電圧Ｖ２との電圧差ΔＶを求める。

【０００６】この電圧差ΔＶがゼロになるように、光ビ
ームのパワーを制御して記録を行うことにより、正確な
記録を行うことができる。

【０００７】また、レーザーパワーＰｗをＰａｓに比例
して変化させており（Ｐｗ＝２×Ｐａｓ）、第１の従来
例と同様に２値のパワー値の関係をあらかじめ決めてい
た。また、記録光パルスをさらに細分化して、一つの記
録マークを多数の記録パルスで記録することによって、
涙型の形状の記録マークになることを防止していた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記第３の
従来例の構成では、正確に熱干渉を一定にすることは困
難であるという第１の問題点を有している。

【０００９】ここで、熱干渉とは、ある記録マークを記
録したときの熱が隣の記録マークを記録するときに影響
を与えることである。

【００１０】マークの長さやマークとマークとの間の長
さが異なると、熱干渉の大きさも異なり、マークの長さ
がばらつくため所定の大きさのマークが記録できなくな
る。

【００１１】最短マーク繰り返しパターンＸの記録マー
ク１６・１６間における熱干渉は、再生信号Ｗの上下変
動（レベル変動）を引き起こす。もう一方の最長マーク
１７・１７間における熱干渉はマークとマークとの間が
長いため生じない。このため、熱干渉によって平均電圧
Ｖ１は変動するが、平均電圧Ｖ２は変動しない。すなわ
ち、上述の第３の従来例の構成では最短マーク繰り返し
パターンＸのみの熱干渉は最適化できるが、その他のマ
ークについては全く最適化できなかった。これらの電圧
差ΔＶからすべての熱干渉を正確に知ることは困難であ
り、電圧差ΔＶがゼロになっても、すべての熱干渉が一
定になるとは限らないという問題点を有している。つま
り最短マーク繰り返しパターンＸの熱干渉を最適化する
ことによって再生デューティーは最適になるが、その他
の熱干渉は最適にはならないという問題点があった。

【００１２】また第２の問題点は、以下のとおりであ
る。あらかじめ２値のレーザーパワーの関係を決めてお
くと一次元だけのパワー値の調整しかできない。しかし
周囲温度が変わったり記録媒体の感度が変化すると、２
値のレーザーパワーの関係（ＰＨ＋αＰＬ＝一定または
Ｐｗ＝２×Ｐａｓ）も変化し、２次元のパワー値の調整
が必要である。つまり２値のレーザーパワーを独立に制
御していないため、調整範囲が狭く、最適な記録パワー
を求めることが困難であった。これは、光パワー値だけ
に限らず、記録パルスのエッジの位置も固定しており、
光パワー値とエッジ（あるいはエッジ間隔およびエッジ
周期）を含めた、複数の記録変数に対しても、独立に制
御できないという問題点があった。

【００１３】また第３の問題点は以下のとおりである。
試し書きによって誤って記録再生情報を破壊する恐れが
ある。これを防ぐためには、試し書き専用の試し書き領
域を新たに設け、情報記録再生領域と区別する必要があ
る。また試し書きは周囲温度の変化や、記録媒体の差し
替え等による感度の変化のたび毎に行う必要があるた
め、前記試し書き領域は書き換え回数が極端に多くなる
ことが予想される。例えば、３分毎に一回の試し書きを
行うと仮定すると、約６年間で１０6回の書き換えを行
うことになり、記録媒体の書き換えの保証回数を越える
ことが予想でき、以後試し書きが行えなくなるという問
題点が発生する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る試
し書き記録制御方法は、上記第２の問題点を解決するた
めに、複数の記録変数によって記録パルスを発生させて
光記録媒体に記録を行い、前記複数の記録変数をそれぞ
れ最適化するための試し書き記録制御方法であって、前
記複数の記録変数どうしの相対関係を求め、さらにこれ
らの相対関係をすべて満足する前記複数の記録変数の最
適値を求めて、最適な記録条件とすることを特徴として
いる。

【００１５】請求項２の発明に係る試し書き記録制御装
置は、上記第２の問題点を解決するために、複数の記録
変数によって記録パルスを発生させて光記録媒体に記録
を行い、前記複数の記録変数をそれぞれ最適化するため
の試し書き記録制御装置であって、前記複数の記録変数
どうしの相対関係を求める相対関係決定手段と、前記複
数の相対関係をすべて満足する前記複数の記録変数の最
適値を求める最適値決定手段を具備し、前記最適値決定
手段によって決定された前記複数の記録変数の最適値を
最適な記録条件とすることを特徴としている。

【００１６】請求項３の発明に係る試し書き記録制御装
置は、相対関係決定手段は第１記録パターンが孤立マー
クパターンからなり、第２記録パターンが繰り返しマー
クパターンからなり、第３記録パターンが孤立非マーク
パターンからなり、それぞれのパターンに対応する再生
信号の部分のレベルを検出し、上記レベルを比較するこ
とにより、記録変数の相対関係を決定する手段であるこ
とを特徴としている。

【００１７】請求項４の発明に係る試し書き記録制御装
置は、上記第２の問題点を解決するために、請求項２載
の試し書き記録制御装置であって、複数の記録変数は第
１パワー値と第２パワー値の２つのパワーからなり、相
対関係決定手段は記録マークのデューティーが最適とな
る時の前記第１パワー値と第２パワー値との第１相対関
係を求めるデューティー条件決定手段と、記録マーク相
互の熱干渉が最適となる時の前記第１パワー値と第２パ
ワー値との第２相対関係を求める熱干渉条件決定手段か
らなり、最適値決定手段は前記第１相対関係と第２相対
関係を同時に満足する第１パワー値及び第２のパワー値
を求める最適値決定手段からなり、該最適値決定手段に
よって決定された前記第１パワー値と第２パワー値を最
適なパワー値とすることを特徴としている。

【００１８】請求項５の発明に係る試し書き記録制御装
置は、上記第２の問題点を解決するために、請求項２記
載の試し書き記録制御装置であって、相対関係決定手段
は複数の記録変数と同数の連立方程式を求める連立方程
式決定手段からなり、最適値決定手段は前記連立方程式
の解を求める計算手段からなり、該計算手段によって決
定された前記複数の記録変数の最適値を最適な記録条件
とすることを特徴としている。

【００１９】請求項６の発明に係る光記録媒体は、上記
第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記
録再生を行う光記録媒体において、情報記録領域以外の
試し書き記録領域であって、所定期間あるいは所定動作
毎に光記録媒体に試し書きを行うための複数の試し書き
領域を具備し、前記試し書き記録領域への試し書き回数
が記録媒体の書き換え保証回数以下となることを特徴と
している。

【００２０】請求項７の発明に係る光記録媒体は、上記
第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記
録再生を行う光記録媒体において、情報を記録する情報
記録領域と区別して、所定期間あるいは所定動作毎に試
し書きを行う試し書き領域を、試し書き回数が記録媒体
の書き換え保証回数以下となるべく複数具備することを
特徴としている。

【００２１】請求項８の発明に係る光記録媒体は、上記
第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記
録再生を行う光記録媒体において、情報を記録する情報
記録領域と区別して、所定期間あるいは所定動作毎に試
し書きを行う試し書き領域を複数具備し、記録媒体の書
き換え保証回数以下の試し書き性能を備えることを特徴
としている。

【００２２】請求項９の発明に係る光記録媒体は、上記
第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記
録再生を行う光記録媒体において、情報を記録する情報
記録領域と区別し、記録媒体の書き換え保証回数以下で
あって、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う
試し書き領域を具備することを特徴としている。

【００２３】以下、本発明の作用を記載する。

【００２４】請求項１の構成によれば、記録変数の相対
関係を求め、これらをすべて満足する前記複数の変数の
解を求めるので、複数の変数と同次元の空間まで調整範
囲を拡張できる。したがって、周囲温度の変化や記録媒
体の記録感度が変化しても、常に複数の変数をそれぞれ
独立に最適値に設定することが可能となる。

【００２５】請求項２の構成によれば、請求項２の試し
書き記録制御方法を採用した試し書き記録制御装置を実
現できる。

【００２６】請求項３の構成によれば、簡単な記録パタ
ーンを使用ことにより、記録変数の相対関係を求めるこ
とが可能となる。

【００２７】請求項４ないし５の構成によれば、記録変
が２つのパワー値からなり、請求項２の試し書き記録制
御装置を簡単な構成で実現できる。

【００２８】請求項６乃至９の構成によれば、所定期間
あるいは所定動作毎に光記録媒体に試し書きを行うため
の試し書き領域を備えている。したがって試し書きによ
って誤って記録再生情報破壊を防止できる。また、複数
の試し書き記録領域を備えているため、一つの試し書き
領域あたりの試し書き回数を減らすことができ、記録媒
体の書き換え保証回数以下に減じることができるため、
試し書きの信頼性を向上させることが可能となる。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例について図
１ないし図５に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。

【００３０】本実施例の試し書き記録制御装置は、図１
に示すように、半導体レーザー２３と、レベル差Δｖ
（後述する）が最小になるように、孤立マークパターン
ｘ（第２記録パターン）及び繰り返しマークパターンｙ
（第１記録パターン）に対応した記録信号ｚを半導体レ
ーザー２３に出力する繰り返し・孤立パターン発生手段
４とを備えている。

【００３１】半導体レーザー２３は、記録信号ｚに応じ
た強度及びパルス長の光ビームａを光磁気ディスク２４
（光記録媒体）に照射し、これより、図２に示すよう
に、孤立マークパターンｘの記録マーク５・・・および
繰り返しマークパターンｙの記録マーク６・・・を光磁
気ディスクに記録する。ここで、孤立マークパターンｘ
とは、互いに離れた記録マーク５・・・のように、熱干
渉に影響されにくいパターンであり、繰り返しマークパ
ターンｙとは、互いに近接した記録マーク６・・・のよ
うに、熱干渉に影響されやすいパターンである。

【００３２】試し書き記録制御装置は、さらに、光磁気
ディスク２４からの反射光ｂを受光し、光電変換するこ
とにより、再生信号ｗを出力するフォトディテクター２
２と、繰り返しマークパターンｙに対応する再生信号ｗ
の部分のピークレベルｖ１を検出する繰り返しパターン
レベル検出手段（第１のレベル検出手段）と、孤立マー
クパターンｘに対応する再生信号ｗの部分のピークレベ
ルｖ２を検出する孤立パターンレベル検出手段２（第２
レベル検出手段）と、ピークレベルｖ１とｖ２とのレベ
ル差Δｖを上記の繰り返し・孤立パターン発生手段４に
出力する比較手段３とを備えている。

【００３３】さて、繰り返しマークパターンｙとは、光
磁気ディスクの第１記録状態（例えば紙面上方Ｓ極）で
ある第１微小領域（記録マーク６と６に挟まれた非マー
ク）と第２記録状態（例えば紙面上方Ｎ極）であって光
ビーム径よりも短い第２微小領域（記録マーク６・・
・）との組み合わせからなる第１記録パターンである。
ここで光ビーム径と第２微小領域の長さの相対関係は、
第２微小領域（記録マーク６・・・）からの再生波形ｗ
のレベルｖ１が飽和しない条件であり、つまり記録マー
ク６が光ビーム径よりも短い場合である。なお、長くな
るとレベルｖ１は飽和してしまう。飽和するまでは、記
録条件（例えばレーザパワー）の変化に対して、敏感に
レベル変化を生じさせることができるが、飽和してしま
うと、記録条件をいくら変化させてもレベルの変動が生
じなくなり、記録マーク状態を検出できなくなる。この
ため、再生波形のレベルが飽和しない条件が必要とな
る。

【００３４】また、孤立マークパターンｘとは、光磁気
ディスクの第１記録状態（例えば紙面上方Ｓ極）であっ
て第１微小領域よりも長い第３微小領域（記録マーク５
と５に挟まれた非マーク）と第２状態（例えば紙面上方
Ｎ極）であって光ビーム径よりも短い第２微小領域（記
録マーク５・・・）との組み合わせからなる第２記録パ
ターンである。記録マーク６と６に挟まれた非マーク
は、記録マーク５と５に挟まれた非マークよりも短いた
め、記録マーク６・・・は記録マーク５・・・に比べて
互いに熱干渉を受けやすい。

【００３５】上記の構成において、同一強度および同一
パルス長の光ビームａを光磁気ディスク２４に照射する
ことにより、記録マーク５・・・および記録マーク６・
・・を記録した場合、熱干渉を受けやすい記録マーク６
・・・は、図２に実線で示されているように、熱干渉を
受けにくい記録マーク５・・・より大きくなる。このた
め、繰り返しマークパターンｙに対応する再生信号ｗの
部分のピークレベルｖ１は、孤立マークパターンｘに対
応する再生信号ｗの部分のピークレベルｖ２よりも大き
くなる。したがって、レベル差Δｖが発生する。

【００３６】これに対し、記録マーク５・・・および記
録マーク６・・・を記録したとき、記録マーク５・５間
の熱干渉と、記録マーク６・６間の熱干渉とが同一であ
ったか、あるいは、いずれの熱干渉も発生しなかった場
合、記録マーク６・・・は、図２に破線で示されている
ように、記録マーク５・・・と同じ大きさになる。この
ため、ピークレベルｖ１とｖ２は等しくなる。したがっ
て、レベル差Δｖはゼロとなる。

【００３７】以上より、繰り返し・孤立パターン発生手
段４によって、レベル差Δｖが最小となるように、光ビ
ームの強度およびパルス長を設定することにより、同一
熱干渉の下で情報を記録するための記録条件を設定でき
る。これにより、情報を正確に記録することが可能にな
る。

【００３８】ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇＵｎｉｔ）を用いると、記録条件を変化させな
がら、上記Δｖの変化を測定し、自動的に試し書き記録
制御を行うことが可能である。

【００３９】なお、レベル差Δｖは、熱干渉によるだけ
でなく、光学伝達特性（ＯＴＦ）によっても発生するこ
とがある。この場合、トータルのレベル差Δｖは次式で
表される。

【００４０】 Δｖ＝Δｖ（ＯＴＦ）＋Δｖ（ｔｈｅｒｍａｌ）ここで、Δｖ（ＯＴＦ）は光学伝達特性によるレベル差
であり、Δｖ（ｔｈｅｒｍａｌ）は熱干渉によるレベル
差である。

【００４１】Δｖ（ＯＴＦ）がある場合、レベル差Δｖ
はゼロとはならないが、レベル差Δｖが最小になると
き、上記の場合と同様に、熱干渉が同一になる。つま
り、本実施例の試し書き記録制御装置によれば、Δｖ
（ＯＴＦ）の有無に関わらず、同一熱干渉の下で情報を
記録するための記録条件を設定できる。これにより、情
報を正確に記録することが可能になる。

【００４２】以上の実施例では、ピークレベルｖ１とｖ
２とのレベル差Δｖが最小になる記録条件を設定した
が、繰り返しマークパターンｙに対応する再生信号ｗの
部分の極小レベルｖ３と、ピークレベルｖ２とのレベル
差（＝ｖ２−ｖ３）が最大となるように記録条件を設定
することもできる。

【００４３】上記の試し書き記録制御装置の繰り返しパ
ターンレベル検出手段１、孤立パターンレベル検出手段
２には、具体的には例えば、図３に示すように、エンベ
ロープ検波手段７、エンベロープ検波手段８を用いるこ
とができ、比較手段３には、減算器９を用いることがで
きる。

【００４４】エンベロープ検波手段７、８は、詳細には
例えば、図４に示すように、ピークホールド回路２５と
サンプルホールド回路２６とにより構成される。ピーク
ホールド回路２５は、抵抗２７、ダイオード２８、コン
デンサー２９およびバッファ３０からなっており、サン
プルホールド回路２６は、スイッチ３１、コンデンサー
３２およびバッファ３３からなっている。ピークホール
ド回路２５で得られたピークレベルｖ１，ｖ２は、タイ
ミング信号ｈでスイッチ３１をオン・オフ制御すること
により取り出され得る。

【００４５】また、上記試し書き記録制御装置の繰り返
しパターンレベル検出手段１、孤立パターンレベル検出
手段２には、図５に示すように、再生信号ｗのピーク毎
にタイミング信号ｔを発生するタイミング発生手段１０
と、タイミング信号ｔに基づいて再生信号ｗをＡ／Ｄ
（アナログ／ディジタル）変換することにより、再生信
号ｗのピークレベルｖ１，ｖ２，を取り出すＡ／Ｄコン
バーター１１とを用いることができ、比較手段３には、
タイミング信号ｔに基づいてピークレベルｖ１，ｖ２，
からレベル差Δｖ（＝ｖ１−ｖ２）を算出して出力する
プロセッサー１２を用いることができる。

【００４６】タイミング発生手段１０は、例えば再生信
号ｗから同期クロックを取り出すためのＰＬＬ回路（フ
ェーズ・ロックト・ループ）と復調器とで容易に構成さ
れ得る。

【００４７】本発明の第２の実施例について図６に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。

【００４８】本実施例の試し書き記録制御装置は、図６
に示すように、繰り返しマークパターンｙに対応する再
生信号ｗの部分の平均レベルｖ１’を検出する平均化手
段１３（第１のレベル検出手段）と、孤立マークパター
ンｘに対応する再生信号ｗの部分の平均レベルｖ２’を
検出する平均化手段１４（第２のレベル検出手段）と、
平均レベルｖ１’，ｖ２’からレベル差Δｖ’（＝ｖ
１’−ｖ２’）を求め出力する減算器１５（比較手段）
とを備えている。

【００４９】平均化手段１３、１４は、詳細には例え
ば、図７に示すように、ローパスフィルタ３４とサンプ
ルホールド回路３５とにより構成される。ローパスフィ
ルタ３４は、抵抗３６、コンデンサー３７およびバッフ
ァ３８からなっており、サンプルホールド回路３５は、
スイッチ３９、コンデンサー４０およびバッファ４１か
らなっている。ローパスフィルタ３４で得られた平均レ
ベルｖ１’，ｖ２’は、タイミング信号ｈでスイッチ３
９をオン・オフ制御することにより取り出され得る。

【００５０】上記の構成において、レベル差ｖ’が最
小となるように、光ビームａの強度およびパルス長を設
定することにより、同一熱干渉の下での情報を記録する
ための記録条件を設定できる。これにより、情報を正確
に記録することが可能になる。

【００５１】以上の実施例において、光磁気ディスク２
４には情報記録領域とは別に試し書き専用の記録領域を
設けることが好ましい。この試し書き専用の記録領域を
用いて記録条件の設定を行えば、情報記録領域の情報を
破壊する恐れがなくなる。また、以上の実施例では、光
記録媒体として光磁気ディスク２４を挙げて本発明の試
し書き記録制御装置および試し書き記録制御方法を説明
したが、これに限定されることなく、相変化型の光ディ
スクや追記型の光ディスク等、光ビームａを照射したと
きに発生する熱を利用して情報の記録を行う光記録媒体
あるいは情報記録再生装置に対し、本発明を広く応用で
きる。

【００５２】本発明の第３の実施例について図８に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。孤立非マークパタ
ーンｘ’の記録マーク５’・・・および繰り返し非マー
クパターンｙ’の記録マーク６’・・・を光磁気ディス
クに記録する。つまり、図２で示した記録パターンに対
して、記録マークと非マークを全く入れ替えたパターン
である。ここで、孤立非マークパターンｘ’とは、互い
に離れた長い記録マーク５’・・・のように、熱干渉に
大きく影響されるパターンであり、繰り返し非マークパ
ターンｙ’とは、互いに近接した記録マーク６’・・・
のように、熱干渉に少し影響されやすいパターンであ
る。

【００５３】言い換えると、繰り返し非マークパターン
ｙ’とは、光磁気ディスクの第１記録状態（例えば紙面
上方Ｎ極）である第１微小領域（記録マーク６’・・
・）と第２記録状態（例えば紙面上方Ｓ極）であって光
ビーム径よりも短い第２微小領域（記録マーク６’と
６’に挟まれた非マーク）との組み合わせからなる第１
記録パターンである。ここで光ビーム径と第２微小領域
の長さの相対関係は、第２微小領域（記録マーク６’と
６’に挟まれた非マーク）からの再生波形ｗの下方レベ
ルｖ１”が飽和しない条件であり、つまりが記録マーク
６’と６’に挟まれた非マークが光ビーム径よりも短い
場合である。なお、長くなるとレベルｖ１”は飽和す
る。また、孤立非マークパターンｘ’とは、光磁気ディ
スクの第１記録状態（例えば紙面上方Ｎ極）であって第
１微小領域よりも長い第３微小領域（記録マーク５’・
・・）と第２状態（例えば紙面上方Ｓ極）であって光ビ
ーム径よりも短い第２微小領域（記録マーク５’と５’
に挟まれた非マーク）との組み合わせからなる第２記録
パターンである。記録マーク５’・・・は記録マーク
６’・・・に比べて長いため、蓄積した熱量も多く、熱
干渉も大きくなる。したがって、記録マーク５’と５’
に挟まれた非マークは、記録マーク６’と６’に挟まれ
た非マークよりもさらに短くなりやすい。

【００５４】上記の構成において、の光ビームａを光磁
気ディスク２４に照射することにより、記録マーク５’
・・・および記録マーク６’・・・を記録した場合、熱
干渉を大きく受けやすい記録マーク５’・・・は、実線
で示されているように、熱干渉を少し受けやすい記録マ
ーク６’・・・より大きくなる。このため、繰り返し非
マークパターンｙ’に対応する再生信号ｗの部分の下方
ピークレベルｖ１”は、孤立非マークパターンｘ’に対
応する再生信号ｗの部分の下方ピークレベルｖ２”より
も大きくなる。したがって、レベル差Δｖ”が発生す
る。

【００５５】これに対し、記録マーク５’・・・および
記録マーク６’・・・を記録したとき、記録マーク５’
・５’間の熱干渉と、記録マーク６’・６’間の熱干渉
とが同一であったか、あるいは、いずれの熱干渉も発生
しなかった場合、記録マーク５’・・・は、破線で示さ
れているように、記録マーク６’・・・と同じ大きさに
なる。このため、ピークレベルｖ１”とｖ２”は等しく
なる。したがって、レベル差Δｖ”はゼロとなる。

【００５６】以上より、図１における繰り返し・孤立パ
ターン発生手段４から繰り返し非マークパターンｙ’と
・孤立非マークパターンｘ’を発生させることによっ
て、レベル差Δｖ”が最小となるように、光ビームの強
度およびパルス長を設定することにより、同一熱干渉の
下で情報を記録するための記録条件を設定できる。これ
により、情報を正確に記録することが可能になる。

【００５７】上記の試し書き記録制御装置の繰り返しパ
ターンレベル検出手段１、孤立パターンレベル検出手段
２には、図４に示したエンベロープ検波手段７、エンベ
ロープ検波手段８を図９に示す回路で置き換えるだけで
よい。

【００５８】エンベロープ検波手段７、８は、ピークホ
ールド回路４２とサンプルホールド回路２６とにより構
成される。ピークホールド回路４２は、抵抗４３、ダイ
オード４４、コンデンサー４５およびバッファ４６から
なっており、サンプルホールド回路２６は、スイッチ３
１、コンデンサー３２およびバッファ３３からなってい
る。ピークホールド回路４２で得られたピークレベルｖ
１，ｖ２は、タイミング信号ｈでスイッチ３１をオン・
オフ制御することにより取り出され得る。ピークホール
ド回路４２と図４に示したピークホールド回路２５の違
いは、ダイオード４４とダイオード２８の向きが逆であ
る点だけである。

【００５９】なお、図２において（図３においても）、
繰り返して記録するパターンに限定する必要はなく、記
録マーク（または非マーク）の長さは同一にしておく
が、非マーク（または記録マーク）の長さが異なる２つ
のパターンを記録すればよい。たとえば、記録マークと
非マークを一つあるいは２つづつ組にして記録してもよ
い。

【００６０】本発明の実施例４について図１０ないし図
１７に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００６１】図１０に示す試し書き制御装置は、説明を
簡単にするために複数の記録変数として後述する２つの
パワー値ＰｂとＰｐを使用し、これらの和（または差）
によって光記録パワーを発生させて光記録媒体に試し書
きを行い、ＰｂとＰｐをそれぞれ最適化するための試し
書き記録制御装置の例である。２つのパワー値Ｐｂ、Ｐ
ｐの最適化のために、お互いの相対関係を求めることに
より最適化するすることができる。ただし、相対関係が
ただ一つの場合は、Ｐｂ、Ｐｐの相対値は決定できる
が、絶対値を決定できないいう問題点がある。したがっ
て、この場合は２つの相対関係を求め、これらを同時に
満足させることによってＰｂ、Ｐｐの絶対値を求めるこ
とが可能となる。これは、多数の変数を含む連立方程式
の解法と同じ意味をもつ。つまり、複数の変数の場合は
複数の方程式があれば解が求まるわけである。なお、パ
ワー値が３つ以上の場合でも、解を求めるために必要な
数の相対関係を求めれば同様に絶対値を決定できること
は言うまでもない。説明の都合上、以下には２つのパワ
ー値の最適化を例に挙げ、記録マークのデューティー条
件と熱干渉条件の２つの相対関係によって、絶対値を最
適化する例を示す。

【００６２】図１０において、熱干渉条件決定手段４
９、光学ヘッド４７及び光磁気ディスク４８は図１の試
し書き記録制御装置とほぼ同一の構成である。異なる点
は再生信号のデューティーが最適となる条件を決定する
ためのデューティー条件決定手段５０と、最適値決定手
段５１を付加した点である。

【００６３】すなわち、熱干渉条件決定手段４９は、例
えば図１で示した繰り返しパターンレベル検出手段１、
孤立パターンレベル検出手段２、比較手段３および繰り
返し・孤立パターン発生手段４で構成している。図１０
において、記録信号ｚを光学ヘッド４７へ送出し、光学
ヘッド４７内には、図１１に示すレーザ駆動回路５２と
図１で示した半導体レーザ２３およびフォトディテクタ
２２を備えている。

【００６４】図１１に示す半導体レーザ駆動回路５２に
おいて、記録信号ｚを波形変換回路５３に入力し、後述
するバイアス分パワーＰｂを得るための波形と、パルス
分パワーＰｐを得るための波形に変換する。これらを電
流発生回路５４と５５に信号を送出し、それぞれ２つの
電流ＩｂとＩｐを発生させる。電流Ｉｂ、Ｉｐを加算器
５６により加算することで、半導体レーザ２３の駆動電
流Ｉｗを得る。これによって半導体レーザ２３は、バイ
アス分パワーＰｂとパルス分パワーＰｐの和である記録
パワーＰｗを出射できる。

【００６５】図１２は半導体レーザ２３から出射する記
録パルス波形の一実施例を示す図である。図に示すよう
に記録パワーＰｗは、バイアス分パワーＰｂとパルス分
パワーＰｐの２つの和である。なお、これ以外にＰｗか
らＰｂを差し引いた２つのパワー値の差としてもよい。
変調方式として、一般によく知られている（１，７）Ｒ
ＬＬ方式を用い、記録１．３３Ｔ〜５．３３Ｔまでの７
種類の記録波形を使用する。

【００６６】図に１０において、このようにして得た光
ビームａを光学ヘッド４７から出射し、光磁気ディスク
４８に試し書きを行い、反射光ｂを光学ヘッド内のフォ
トディテクター２２により光電変換することにより、再
生信号ｗを出力する。その他は図１と同一部分の説明は
省略する。

【００６７】さて、デューティー条件決定手段５０は再
生信号ｗのデューティーが最適化どうかを決定する手段
である。最適値決定手段５１は、上記熱干渉条件決定手
段４９の出力とデューティー条件決定手段５０の出力と
によって、２つの条件を同時に満足するパワー値Ｐｂと
Ｐｐを求める。

【００６８】デューティー条件決定手段５０と熱干渉条
件決定手段４９を、３つの記録パターン発生手段と３つ
の記録パターンレベル検出手段によって置き換えること
により、お互いに回路を兼用することができる。

【００６９】図１３はこの点について、改めて分かりや
すく説明するために、要部のみ示した図である。第１記
録パターン発生手段５７と第２記録パターン発生手段５
８と第３記録パターン発生手段５９から発生させた記録
信号ｚ１、ｚ２、ｚ３を光磁気ディスク４８に記録す
る。図１４を用いて各パターンの記録マーク及び再生波
形を示す。第１記録パターンは、図２に示す孤立マーク
パターンｘであり、１．３３Ｔの記録マークと４Ｔの非
マークの組み合わせである。第２記録パターンは、図２
の繰り返しマークパターンｙであるが、図８に示した繰
り返し非マークパターンｙ’でもよい。１．３３Ｔの記
録マークと１．３３Ｔの非マークの組み合わせである。
第３記録パターンは図８に示した孤立非マークパターン
ｘ’であり、４Ｔの記録マークと１．３３Ｔの非マーク
の組み合わせである。

【００７０】各パターンにおける再生波形のピークレベ
ルおよびボトムレベルは図１５に示すレベル検出手段に
よって検出することができる。再生信号ｗを第１パター
ンレベル検出手段６０のエンベロープ検波手段６６、６
７、第２パターンレベル検出手段６１のエンベロープ検
波手段６８、６９、第３パターンレベル検出手段６２の
エンベロープ検波手段７０、７１に入力する。これらの
エンベロープ検波手段６６ないし７１にはタイミング発
生手段６５から検出タイミング信号を送る。エンベロー
プ検波手段６６、６７によって、図１４の示す第１パタ
ーンのピークレベルｖ２とボトムレベルｖ４を検出す
る。エンベロープ検波手段６８、６９によって第２パタ
ーンのピークレベルｖ１とボトムレベルｖ３を検出す
る。エンベロープ検波手段７０、７１によって第３パタ
ーンのピークレベルｖ５とボトムレベルｖ６を検出す
る。

【００７１】ボトムレベルｖ３，ｖ４をデューティー条
件決定手段６３における減算手段７２に入力し、Δｖｄ
−を得る。ピークレベルｖ５、ｖ１をデューティー条件
決定手段６３における減算手段７３に入力し、Δｖｄ＋
を得る。図１４においてデューティーが等しい場合はΔ
ｖｄ＋がΔｖｄ−が等しくなるため、図１５においてΔ
ｖｄ＋とΔｖｄ−を減算手段７４に入力し、その出力で
あるΔｖｄがゼロになる条件をデューティーの最適条件
とすることができる。

【００７２】ピークレベルｖ１、ｖ２を熱干渉条件決定
手段６４における減算手段７５に入力し、Δｖｔ＋を出
力する。図１４において熱干渉が最適となる条件を、ｖ
１とｖ２が等しい時とおくと、Δｖｔ＋がゼロになる。
デューティー条件Δｖｄ＝０と、熱干渉条件Δｖｔ＋＝
０を同時に満足するＰｂとＰｐを求めるための動作の流
れ図を図１６に示す。Ｐｂを初期値Ｐｂ（ｍｉｎ）に設
定する（ｓ１）。Ｐｐを初期値Ｐｐ（ｍｉｎ）に設定す
る（ｓ２）。第１パターン、第２パターン、第３パター
ンを光磁気ディスクに記録する（ｓ３）。各パターンの
再生波形レベルｖ１ないしｖ６を検出する（ｓ４）。Δ
ｖｄ＝０により、デューティーが最適化どうか判断する
（ｓ５）。最適であれば（ｓ６）へ進み、そうでなけれ
ば（ｓ８）に進む。さらにΔｖｔ＋＝０により、熱干渉
が最適化どうか判断する（ｓ６）。最適であれば（ｓ
７）へ進み、そうでなければ（ｓ８）に進む。最適でな
い場合は、Ｐｐが動作範囲を越えないように最大値Ｐｐ
（ｍａｘ）と比較する（ｓ８）。越えていれば（ｓ１
０）に進み、そうでなければ（ｓ９）に進む。越えてい
ない場合は、Ｐｐに増加分ΔＰｐを加え（ｓ９）、再び
（ｓ３）へ戻る。一方、越えていればＰｂが動作範囲を
越えないように最大値Ｐｂ（ｍａｘ）と比較する（ｓ１
０）。越えていれば（ｓ１２）に進み、そうでなければ
（ｓ１１）に進む。越えていない場合は、Ｐｂに増加分
ΔＰｂを加え（ｓ１１）、再び（ｓ３）へ戻る。なお、
越えていれば最適値はなく、動作を終了する（ｓ１
２）。こうして、Ｐｐ、Ｐｂを少しづつ増加させなが
ら、デューティー条件と熱干渉条件を同時に満足すると
きのＰｂ、Ｐｐを最適値と決定する（ｓ７）。

【００７３】図１７は、このようにしてＰｐとＰｂを最
適化した実例である。デューティー条件を満足する（Ｐ
ｂ，Ｐｐ）の組み合わせを５点、熱干渉条件を満足する
（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを３点測定した。どちらの
条件においても（Ｐｂ，Ｐｐ）は直線上に乗っている。
その交点であるＡ１点は（Ｐｂ，Ｐｐ）＝（４ｍＷ，
２．６ｍＷ）となり、同時に２つの条件を満足する最適
値を決定することができた。

【００７４】本発明の実施例５のレベル検出方法につい
て図１８及び、図１４、図１５に基づいて説明すれば、
以下の通りである。なお、実施例４と共通で使用できる
構成要素については説明を省略する。

【００７５】図１５において、同様にΔｖｄがゼロにな
る条件をデューティーの最適条件とする。

【００７６】ボトムレベルｖ６、ｖ３を熱干渉条件決定
手段６４における減算手段７６に入力し、Δｖｔ−を出
力する。図１４において熱干渉が最適となる条件を、ｖ
６とｖ３が等しい時とおくと、Δｖｔ−がゼロになる。

【００７７】図１８は、このようにしてＰｐとＰｂを最
適化した実例である。デューティー条件を満足する（Ｐ
ｂ，Ｐｐ）の組み合わせを５点、熱干渉条件を満足する
（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを３点測定した。どちらの
条件においても（Ｐｂ，Ｐｐ）は直線上に乗っている。
その交点であるＡ２点は（Ｐｂ，Ｐｐ）＝（１ｍＷ，
６．５ｍＷ）となり、同時に２つの条件を満足する最適
値を決定することができた。

【００７８】本発明の実施例６のレベル検出方法につい
て図１９及び、図１４、図１５に基づいて説明すれば、
以下の通りである。なお、実施例４及び５と共通で使用
できる構成要素については説明を省略する。

【００７９】図１５において、同様にΔｖｄがゼロにな
る条件をデューティーの最適条件とする。

【００８０】実施例４と実施例５において、図１５にお
けるΔｖｔ＋か、又はΔｖｔ−のどちらか一方のみがゼ
ロになる時を熱干渉の最適条件とした。しかし、図１４
においてΔｖｔ＋とΔｖｔ−が等しいときの方が、熱干
渉を各パターンに均等に生じさせることができるため、
より正確に熱干渉条件を最適化することができる。

【００８１】図１５においてΔｖｔ＋とΔｖｔ−を熱干
渉条件決定手段６４における減算手段７７に入力し、Δ
ｖｔを出力する。熱干渉の条件をΔｖｔがゼロになる条
件とすると、Δｖｔ＋とΔｖｔ−が等しくなり、より正
確に熱干渉条件を最適化することができる。

【００８２】図１９は、このようにしてＰｐとＰｂを最
適化した実例である。デューティー条件を満足する（Ｐ
ｂ，Ｐｐ）の組み合わせを６点、熱干渉条件を満足する
（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを５点測定した。どちらの
条件においても（Ｐｂ，Ｐｐ）は直線上に乗っている。
その交点であるＡ点は（Ｐｂ，Ｐｐ）＝（３．４ｍＷ，
３．７ｍＷ）となり、同時に２つの条件を満足する最適
値を決定することができた。

【００８３】本発明の実施例７のレベル検出方法につい
て図２０に基づいて説明すれば、以下の通りである。な
お、実施例４ないし６と共通で使用できる構成要素につ
いては説明を省略する。

【００８４】再生波形レベルｖ１ないしｖ６をアナログ
スイッチ７８にそれぞれ入力し、タイミング発生手段６
５から送られてくるタイミング信号ｔ’によってｖ１な
いしｖ６の中の１つを順次選択しながら、Ａ／Ｄコンバ
ータ７９に入力する。変換したディジタル信号をＣＰＵ
８０に入力し、図１５と同様にΔｖｄおよびΔｖｔ＋、
Δｖｔ−、Δｖｔを検出することが可能である。

【００８５】本発明の実施例８の記録パターンについて
図２１に基づいて説明すれば、以下の通りである。な
お、実施例４ないし７と共通で使用できる構成要素につ
いては説明を省略する。

【００８６】第１記録パターンは、孤立マークパターン
であり、２Ｔの記録マークと５．３３Ｔの非マークの組
み合わせである。第２記録パターンは、繰り返しマーク
パターンであり、２Ｔの記録マークと２Ｔの非マークの
組み合わせである。第３記録パターンは孤立非マークパ
ターンであり、５．３３Ｔの記録マークと２Ｔの非マー
クの組み合わせである。これらのパターンにより同様に
最適化を行うことが可能である本発明の実施例９の記録
パターンについて図２２に基づいて説明すれば、以下の
通りである。なお、実施例４ないし７と共通で使用でき
る構成要素については説明を省略する。

【００８７】各パターンは、長さのみ異なる繰り返しパ
ターンである。第１記録パターンは、１．３３Ｔの記録
マークと非マークの組み合わせである。第２記録パター
ンは、２Ｔの記録マークと非マークの組み合わせであ
る。第３記録パターンは、５．３３Ｔの記録マークと非
マークの組み合わせである。第１パターンからピークレ
ベルｖ７とボトムレベルｖ８を検出し、第２パターンか
らピークレベルｖ９とボトムレベルｖ１０を検出し、第
３パターンからピークレベルｖ１１とボトムレベルｖ１
２を検出する。Δｖｄα（＝ｖ１１−ｖ７）とΔｖｄβ
（＝ｖ８−ｖ１２）が等しくなる条件をデューティー条
件とする。Δｖｔα（＝ｖ９−ｖ７）とΔｖｔβ（＝ｖ
８−ｖ１０）が等しくなる条件を熱干渉条件とする。

【００８８】図２３は、このようにしてＰｐとＰｂを最
適化した実例である。デューティー条件を満足する（Ｐ
ｂ，Ｐｐ）の組み合わせを６点、熱干渉条件を満足する
（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを６点測定した。どちらの
条件においても（Ｐｂ，Ｐｐ）は直線上に乗っている。
その交点であるＡ３点は（Ｐｂ，Ｐｐ）＝（３．４ｍ
Ｗ，３．５ｍＷ）となり、同時に２つの条件を満足する
最適値を決定することができた。

【００８９】本発明の実施例１０について図２４ないし
２６に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００９０】これまでの方法では、ＰｐとＰｂをそれぞ
れ少しずつ変化させながら条件を最適化するため、テス
ト回数が非常に多く、最適化するまでにかなりの時間が
必要である。そこで以下に、テスト回数を削減した高速
の最適化方法について説明する。

【００９１】これまで図１７、図１８、図１９、図２３
に示したように、デューティー条件と熱干渉条件は共に
直線上に乗っている。したがって、この２つの直線の方
程式を求め、次に連立方程式を解いてＰｂとＰｐを最適
化することにより、高速に最適化が可能となる。デュー
ティー条件の方程式を算出するために、デューティー条
件を満足する２つの測定サンプル点が必要となり、熱干
渉条件の方程式を算出するために、熱干渉条件を満足す
る２つの測定サンプル点が必要である。つまり合計４つ
のサンプル点を求めるだけで、２つの方程式が算出で
き、さらにはどちらの条件も満足する最適条件を決定す
ることが可能となる。

【００９２】図２４において、再生信号ｗを、デューテ
ィー条件決定手段６３におけるサンプル点検出手段８１
と、熱干渉条件決定手段６４におけるサンプル点検出手
段８２に入力する。サンプル点検出手段８１からは、図
２５におけるデューティー条件を満足する２つのサンプ
ル点（Ｘ１，Ｙ１４）、（Ｘ２，Ｙ２）を検出する。サ
ンプル点検出手段８２からは、図２５における熱干渉条
件を満足する２つのサンプル点（Ｘ１，Ｙ６）、（Ｘ
２，Ｙ１０）を検出する。図２４において、（Ｘ１，Ｙ
１４）、（Ｘ２，Ｙ２）を方程式算出手段８３に入力
し、図２５におけるデューティー条件ラインと等価であ
る方程式Ａ・Ｐｂ＋Ｂ・Ｐｐ＋Ｃ＝０を算出する。図２
４において、（Ｘ１，Ｙ６）、（Ｘ２，Ｙ１０）を方程
式算出手段８４に入力し、図２５における熱干渉条件ラ
インと等価である方程式Ｄ・Ｐｂ＋Ｅ・Ｐｐ＋Ｆ＝０を
算出する。この２つの方程式を最適値決定手段５１にお
ける連立方程式計算手段８５に入力し、図２５における
交点を求めることによって、最適値を決定することが可
能となる。

【００９３】動作流れ図について図２６に基づいて説明
すれば、以下の通りである。ＰｂをＸ１に設定する（ｓ
１０１）。Ｐｐを初期値Ｙ１に設定する（ｓ１０２）。
第１パターン、第２パターン、第３パターンを光磁気デ
ィスクに記録する（ｓ１０３）。各パターンの再生波形
レベルｖ１ないしｖ６を検出する（ｓ１０４）。デュー
ティーが最適かどうか（Δｖｄ＝０）判断する（ｓ１０
５）。最適であれば（ｓ１０７）へ進み、そのときのＰ
ｂとＰｐを記憶する。そうでなければ、（ｓ１０６）へ
進み、熱干渉が最適かどうか（Δｖｔ＝０）判断する
（ｓ１０６）。最適であれば（ｓ１０７）へ進み、その
ときのＰｂとＰｐを記憶する。そうでなければ、４つの
サンプル点が検出できたか判断する（ｓ１０８）。サン
プル点の検出が終わればデューティー条件の方程式を算
出する（ｓ１１０）。そうでなければ、つぎのＰｐをＹ
２に設定し（ｓ１０３）へ進むことによって、順にパワ
ーＰｐを変えて動作を繰り返す。Ｐｐが図２５に示すＹ
１〜Ｙ１６まで進んだならば、ＰｂをＸ２に変えて、再
びＰｐをＹ１〜Ｙ１６まで変化させながら繰り返す。こ
のようにして、例えばＰｂの値をＸ１とＸ２のみに限定
できるため、テストの回数を大幅に削減できる。デュー
ティー条件の方程式を算出したら、熱干渉条件の方程式
を算出する（ｓ１１１）。連立方程式から交点を求める
ことにより、最適値を決定する（ｓ１１２）。

【００９４】本発明の実施例１１について図２７ないし
２９に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００９５】実施例１１までは、デューティー条件と熱
干渉条件が共に直線上に乗っている場合について説明し
てきたが、そうでない場合もあったり、また詳細にはわ
ずかな曲線にになっている場合もある。本実施例はこの
ような場合でもＰｂとＰｐを最適化できる方法を説明す
る。

【００９６】図２７において、再生信号ｗをデューティ
ー条件決定手段８６と、熱干渉条件決定手段８７に入力
する。デューティー条件決定手段８６では、図２８にお
いてまずＰｂを固定しておきＰｐを変化させて記録しな
がら、デューティー条件ライン上のＤ１を検出する。熱
干渉条件決定手段８７では、図２８における熱干渉条件
ライン上のＴ１を検出する。図２７における中点算出手
段８８は、デューティー条件最適点Ｄ１と熱干渉条件最
適点Ｔ１との中点Ｍ１を算出する。

【００９７】今度は、中点Ｍ１におけるＰｐを固定して
おき、Ｐｂを変化させて記録しながら、デューティー条
件ライン上のＤ２を検出し、熱干渉条件ライン上のＴ２
を検出する。同様にＤ２とＴ２との中点Ｍ２を算出す
る。

【００９８】同様にこれを繰り返して行くと、中点Ｍ
１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４・・・は、しだいにデューティー
条件ラインと熱干渉条件ラインの交点に近づいて行き、
最適値を決定することが可能となる。

【００９９】動作流れ図について図２９に基づいて説明
すれば、以下の通りである。Ｐｂをを固定する（ｓ２０
１）。Ｐｐを変化させる（ｓ２０２）。第１パターン、
第２パターン、第３パターンを光磁気ディスクに記録す
る（ｓ２０３）。各パターンの再生波形レベルを検出す
る（ｓ２０４）。デューティー最適条件を満たすかどう
か判断し（ｓ２０５）、（ｓ２０２）に戻ってこれを繰
り返しながら、Ｄ１を決定する。同様に熱干渉最適条件
を満たすＴ１を決定する（ｓ２０６）。中点Ｍ１を算出
する（ｓ２０７）。Ｐｐを固定する（ｓ２０８）。Ｐｂ
を変化させる（ｓ２０９）。第１パターン、第２パター
ン、第３パターンを光磁気ディスクに記録する（ｓ２１
０）。各パターンの再生波形レベルを検出する（ｓ２１
１）。デューティー最適条件を満たすかどうか判断し
（ｓ２１２）、（ｓ２０９）に戻ってこれを繰り返しな
がら、デューティー最適条件を満たすＤ２を決定する。
同様に熱干渉最適条件を満たすＴ２を決定する（ｓ２１
３）。中点Ｍ２を算出する（ｓ２１４）。再び（２０
１）へ戻る。これを繰り返して行くと、中点Ｍ１、Ｍ
２、Ｍ３、Ｍ４・・・は、しだいにデューティー条件ラ
インと熱干渉条件ラインの交点に近づいて行き、最適値
を決定することが可能となる。

【０１００】尚、上述の従来例では記録変数が２つのパ
ワー値Ｐｂ、Ｐｐからなる例を示したが、これに限らず
３つ以上の変数を用いた場合でも同様である。また、記
録パワーに限らず記録パルスの長さ、幅（あるいはパル
スの間隔及び周期）を記録変数とした場合でも同様であ
る。図２５に示したように、例えば２変数の場合は２つ
の直線の交点が２つの相対関係をすべて満足する点とな
るが、３変数の場合は必ずしも３つの直線が１点で交差
するとは限らない。そのため、３つの直線からの距離が
平均で一番近くなる点を最適点とすれば、３つの相対関
係を平均的に満足するすることが可能である。４つ以上
の変数の場合も同様となる。

【０１０１】また、光パワーＰｂ、Ｐｐについて最適化
した例を示したが、これに限らず半導体レーザの駆動電
流Ｉｂ、Ｉｐを最適化しても同様である。なぜなら、図
１１に示すとおり、光パワーＰｂ、Ｐｐは半導体レーザ
駆動電流Ｉｂ、Ｉｐと１対１に対応しているからであ
る。

【０１０２】以上の実施例において、光磁気ディスク２
４には情報記録領域とは別に試し書き専用の記録領域を
設けることが好ましい。この試し書き専用の記録領域を
用いて記録条件の設定を行えば、情報記録領域の情報を
破壊する恐れがなくなる。

【０１０３】本発明の実施例１２の光記録媒体について
図３０に基づいて説明すれば、以下の通りである。これ
までの実施例で示したように、１回のパワーの最適化を
行うための試し書きの回数は１回だけではなく、複数回
となる。したがって、年月の経過と共に試し書きの累積
回数は増加して行く。特に複数のパワー値の最適化に
は、さらに多くの試し書きが必要であり、書き換え保証
回数への到達が心配される。そこで、図３０に示す光磁
気ディスク８９は、例えば内周にトラック単位で第１試
し書き領域９０、第２試し書き領域９１、第３試し書き
領域９２を配置している。前期トラックはスパイラル状
あるいは同心円状に形成されている。この領域は情報記
録領域９７とは区別しておき、情報の記録は禁止してお
く。このように複数の試し書き領域を配置することによ
って、書き換え回数を複数の領域へ分散させる事がで
き、寿命を確保することが可能となる。なお、トラック
単位での複数の試し書き領域に限定する必要はなく、例
えばセクタ単位の複数の試し書き領域を配置してもよ
い。また、外周にも試し書き領域９３、９４、９５を配
置してもよい。

【０１０４】以上の実施例では、光記録媒体として光磁
気ディスク２４を挙げて本発明の試し書き記録制御装置
および試し書き記録制御方法を説明したが、これに限定
されることなく、相変化型の光ディスクや追記型の光デ
ィスク等、光ビームａを照射したときに発生する熱を利
用して情報の記録を行う光記録媒体あるいは情報記録再
生装置に対し、本発明を広く応用できる。

【０１０５】また図２、図８、図１４、図２１、図２２
における繰り返しマーク、繰り返し非マーク、孤立マー
ク、孤立非マークの数は図のとおり限定する必要は無
く、多くても少なくても熱干渉あるいはデューティーを
検出できる数であれば良いことは言うまでもない。

【０１０６】実施例１では、図２に示すように短い記録
マークのみの記録を行うため、半導体レーザの記録パル
ス照射時間を削減できる。従って頻繁に試し書きを行う
場合でも半導体レーザの劣化を抑えることが可能とな
り、寿命を長くすることができる。また記録マークの大
きさの変動は波形のピークレベルの変動に敏感に現れ
る。従ってエンベロープ検波手段により再生信号波形の
ピークを検出することによって、感度良く熱干渉を検出
可能である。

【０１０７】実施例２では図６に示すように平均化手段
によってレベルを検出するため、記録媒体上の傷やゴミ
によるスパイクノイズが多い場合にエンベロープ検波手
段に比べて誤検出を抑えることが可能である。

【０１０８】実施例３では図８に示すように、長い記録
マークを記録するため、レーザービームの照射時間が長
く、熱干渉をより大きく発生させることができる。した
がって記録マークが短い場合に比べて、感度良く熱干渉
を検出することが可能である。

【０１０９】実施例４では図１４に示すように、ピーク
レベルｖ１〜ｖ６の６つのレベルのうち、ｖ１〜ｖ５の
５つのレベルを検出すれば良いので、構成を簡略化する
ことが可能である。

【０１１０】同様に実施例５では、図１４に示すように
ピークレベルｖ１〜ｖ６の６つのレベルのうち、ｖ１、
ｖ３〜ｖ５の５つのレベルを検出すれば良いので、構成
を簡略化することが可能である。

【０１１１】実施例６では図１９に示すように、デュー
ティー最適条件ラインと熱干渉最適条件ラインが図１７
および図１８に比べて深く交差するため、精度良く交点
を求めることが可能である。

【０１１２】実施例７では図２０に示すように、それぞ
れのピークレベルをすべて一旦Ａ／Ｄ変換した後、ＣＰ
Ｕを用いてレベル差を算出するため、構成を簡素化でき
る。

【０１１３】実施例８では図２１に示すように、図１４
の１．３３Ｔ記録マークおよび非マークを、２Ｔの記録
マーク及び非マークに置き換えるため、ＯＴＦによる波
形レベルの減少を抑えることができ、より正確に熱干渉
を検出することができる。

【０１１４】実施例９では図２２に示すように、波形パ
ターンが、図１４および図２１における波形パターンに
比べて直流成分を持たないため、回路のＣ結合によるレ
ベル変動が無く、より正確にピークレベルを検出するこ
とができる。

【０１１５】実施例１０では、図２４における方程式算
出手段８３、８４および連立方程式計算手段８５をＣＰ
Ｕによって代用できるため、構成を簡素化することが可
能である。

【０１１６】実施例１１では、図２８に示すようにＭ
１、Ｍ２・・・を順に求めるため、しだいに最適点Ａ点
に近づける。したがって中点を求める回数を増やすこと
により、精度を向上させることが可能である。

【０１１７】実施例１２では、図３０における試し書き
領域の数を増やせば増やすほど、記録媒体の感度むらに
よる検出誤差を平均化できるため、より精度よく最適パ
ワーを決定することが可能である。

【０１１８】

【発明の効果】請求項１の発明に係る試し書き記録制御
方法は、上記第２の問題点を解決するために、複数の記
録変数によって記録パルスを発生させて光記録媒体に記
録を行い、前記複数の記録変数をそれぞれ最適化するた
めの試し書き記録制御方法であって、前記複数の記録変
数どうしの相対関係を該記録変数の種類と同数だけ求
め、さらにこれらの相対関係をすべて満足する前記複数
の記録変数を求めて、最適な記録変数とすることを特徴
としている。

【０１１９】これによれば、記録変数（例えばパワー
値）の種類と同数の該相対関係を求め、これらをすべて
満足する前記複数の記録変数を求めるので、複数の記録
変数と同次元の空間まで調整範囲を拡張できる。したが
って、周囲温度の変化や記録媒体の記録感度が変化して
も、常に複数の記録変数をそれぞれ独立に最適値に設定
することが可能となる。

【０１２０】請求項２の発明に係る試し書き記録制御装
置は、上記第２の問題点を解決するために、複数の記録
変数によって記録パルスを発生させて光記録媒体に記録
を行い、前記複数の記録変数をそれぞれ最適化するため
の試し書き記録制御装置であって、前記複数の記録変数
どうしの相対関係を該記録変数の種類と同数だけ求める
相対関係決定手段と、前記複数の相対関係をすべて満足
する前記複数の記録変数を求める最適値決定手段を具備
し、前記最適値決定手段によって決定された前記複数の
記録変数の最適値を最適な記録条件とすることを特徴と
している。

【０１２１】これによれば、請求項１の試し書き記録制
御方法を採用した試し書き記録制御装置を実現できる。

【０１２２】請求項３の発明に係る試し書き記録制御装
置は、相対関係決定手段は第１記録パターンが孤立マー
クパターンからなり、第２記録パターンが繰り返しマー
クパターンからなり、第３記録パターンが孤立非マーク
パターンからなり、それぞれのパターンに対応する再生
信号の部分のレベルを検出し、上記レベルを比較するこ
とにより、記録変数の相対関係を決定する手段であるこ
とを特徴としている。

【０１２３】これによれば、簡単な記録パターンを使用
ことにより、記録変数の相対関係を求めることが可能と
なる。

【０１２４】請求項４の発明に係る試し書き記録制御装
置は、上記第２の問題点を解決するために、請求項９記
載の試し書き記録制御装置であって、複数の記録変数は
第１パワー値と第２パワー値の２つのパワーからなり、
相対関係決定手段は記録マークのデューティーが最適と
なる時の前記第１パワー値と第２パワー値との第１相対
関係を求めるデューティー条件決定手段と、記録マーク
相互の熱干渉が最適となる時の前記第１パワー値と第２
パワー値との第２相対関係を求める熱干渉条件決定手段
からなり、最適値決定手段は前記第１相対関係と第２相
対関係を同時に満足する第１パワー値及び第２のパワー
値を求める最適値決定手段からなり、該最適値決定手段
によって決定された前記第１パワー値と第２パワー値を
最適なパワー値とすることを特徴としている。

【０１２５】これによれば、請求項２の試し書き記録制
御装置を簡単な構成で実現できる。

【０１２６】請求項５の発明に係る試し書き記録制御装
置は、上記第２の問題点を解決するために、請求項９記
載の試し書き記録制御装置であって、相対関係決定手段
は複数の記録変数と同数の連立方程式を求める連立方程
式決定手段からなり、最適値決定手段は前記連立方程式
の解を求める計算手段からなり、該計算手段によって決
定された前記複数の記録変数の最適値を最適な記録条件
とすることを特徴としている。

【０１２７】これによれば、請求項２の試し書き記録制
御装置を簡単な構成で実現できる。

【０１２８】請求項６の発明に係る光記録媒体は、上記
第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記
録再生を行う光記録媒体において、情報記録領域以外の
試し書き記録領域であって、所定期間あるいは所定動作
毎に光記録媒体に試し書きを行うための複数の試し書き
領域を具備し、前記試し書き記録領域への試し書き回数
が記録媒体の書き換え保証回数以下となることを特徴と
している。

【０１２９】請求項７の発明に係る光記録媒体は、上記
第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記
録再生を行う光記録媒体において、情報を記録する情報
記録領域と区別して、所定期間あるいは所定動作毎に試
し書きを行う試し書き領域を、試し書き回数が記録媒体
の書き換え保証回数以下となるべく複数具備することを
特徴としている。

【０１３０】請求項８の発明に係る光記録媒体は、上記
第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記
録再生を行う光記録媒体において、情報を記録する情報
記録領域と区別して、所定期間あるいは所定動作毎に試
し書きを行う試し書き領域を複数具備し、記録媒体の書
き換え保証回数以下の試し書き性能を備えることを特徴
としている。

【０１３１】請求項９の発明に係る光記録媒体は、上記
第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記
録再生を行う光記録媒体において、情報を記録する情報
記録領域と区別し、記録媒体の書き換え保証回数以下で
あって、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う
試し書き領域を具備することを特徴としている。

【０１３２】これによれば、所定期間あるいは所定動作
毎に光記録媒体に試し書きを行うための試し書き領域を
備えている。したがって試し書きによって誤って記録再
生情報破壊を防止できる。また、複数の試し書き記録領
域を備えているため、一つの試し書き領域あたりの試し
書き回数を減らすことができ、記録媒体の書き換え保証
回数以下に減じることができるため、試し書きの信頼性
を向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における試し書き記録制
御装置を示す図である。

【図２】図１の試し書き記録制御装置の動作を示すため
の説明図である。

【図３】図１の試し書き記録制御装置の具体例を示すた
めのブロック図である。

【図４】図３の試し書き記録制御装置の詳細を示す回路
図である。

【図５】図１の試し書き記録制御装置の他の具体例を示
すブロック図である。

【図６】本発明の第２の実施例における試し書き記録制
御装置を示す図である。

【図７】図６の試し書き記録制御装置の詳細を示す回路
図である。

【図８】本発明の第３の実施例における試し書き記録制
御装置を示す図である。

【図９】図９の試し書き記録制御装置の詳細を示す回路
図である。

【図１０】本発明の第４の実施例における試し書き記録
制御装置を示す図である。

【図１１】図１０における半導体レーザ駆動回路を説明
する図である

【図１２】図１１における記録波形を説明する図であ
る。

【図１３】図１０における試し書き記録制御装置の詳細
なブロックを説明する図である。

【図１４】図１０の試し書き記録制御装置の動作を示す
ための説明図である。

【図１５】図１３の試し書き記録制御装置の詳細を示す
回路図である。

【図１６】図１３の試し書き記録制御装置の動作の流れ
を示す図である。

【図１７】図１３の試し書き記録制御装置によって最適
化したパワーの実測値を示す図である。

【図１８】本発明の第５の実施例における試し書き記録
制御装置の動作を説明する図である。

【図１９】本発明の第６の実施例における試し書き記録
制御装置の動作を説明する図である。

【図２０】本発明の第７の実施例における試し書き記録
制御装置を示す図である。

【図２１】本発明の第８の実施例における試し書き記録
制御装置の動作を説明する図である。

【図２２】本発明の第９の実施例における試し書き記録
制御装置の動作を説明する図である。

【図２３】図２２の試し書き記録制御装置によって最適
化したパワーの実測値を示す図である。

【図２４】第１０の実施例における試し書き記録制御装
置の詳細なブロックを説明する図である。

【図２５】図２４における試し書き記録制御装置の動作
を説明する図である。

【図２６】図２５の試し書き記録制御装置の動作の流れ
を示す図である。

【図２７】第１１の実施例における試し書き記録制御装
置の詳細なブロックを説明する図である。

【図２８】図２７における試し書き記録制御装置の動作
を説明する図である。

【図２９】図２８の試し書き記録制御装置の動作の流れ
を示す図である。

【図３０】第１２の実施例における光記録媒体を説明す
る図である。

【図３１】従来の試し書き記録制御装置の動作を示すた
めの説明図である。

【符号の説明】

１繰り返しパターンレベル検出手段２孤立パターンレベル検出手段３比較手段４繰り返し・孤立パターン発生手段５記録マーク６記録マーク７エンベロープ検波手段８エンベロープ検波手段９減算手段１０タイミング発生手段１１Ａ／Ｄコンバータ１２プロセッサ１３平均化手段１４平均化手段１５減算手段２４光磁気ディスク４９熱干渉条件決定手段５０デューティー条件決定手段５１最適値決定手段５７第１パターン発生手段５８第２パターン発生手段５９第３パターン発生手段６０第１パターンレベル検出手段６１第２パターンレベル検出手段６２第３パターンレベル検出手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 20/12 Ｇ１１Ｂ 20/12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の記録変数によって記録パルスを
発生させて光記録媒体に記録を行い、前記複数の記録変
数をそれぞれ最適化するための試し書き記録制御方法で
あって、前記複数の記録変数どうしの相対関係をそれぞ
れ求め、さらにこれらの相対関係をすべて満足する前記
記録変数の解を求めて、最適な記録条件とすることを特
徴とする試し書き記録制御方法。
【請求項２】複数の記録変数によって記録パルスを発
生させて光記録媒体に記録を行い、前記複数の記録変数
をそれぞれ最適化するための試し書き記録制御装置であ
って、前記複数の記録変数どうしの相対関係をそれぞれ
求める相対関係決定手段と、前記複数の相対関係をすべ
て満足する前記複数の記録変数の解を求める最適値決定
手段を具備し、前記最適値決定手段によって決定された
前記複数の記録変数の最適値を最適な記録条件とするこ
とを特徴とする試し書き記録制御装置。
【請求項３】相対関係決定手段は第１記録パターンが
孤立マークパターンからなり、第２記録パターンが繰り
返しマークパターンからなり、第３記録パターンが孤立
非マークパターンからなり、それぞれのパターンに対応
する再生信号の部分のレベルを検出し、上記レベルを比
較することにより、記録変数の相対関係を決定する手段
であることを特徴とする請求項２記載の試し書き記録制
御装置。
【請求項４】複数の記録変数は第１パワー値と第２パ
ワー値の２つのパワーからなり、相対関係決定手段は記
録マークのデューティーが最適となる時の前記第１パワ
ー値と第２パワー値との第１相対関係を求めるデューテ
ィー条件決定手段と、記録マーク相互の熱干渉が最適と
なる時の前記第１パワー値と第２パワー値との第２相対
関係を求める熱干渉条件決定手段からなり、最適値決定
手段は前記第１相対関係と第２相対関係を同時に満足す
る第１パワー値及び第２のパワー値を求める最適値決定
手段からなり、該最適値決定手段によって決定された前
記第１パワー値と第２パワー値を最適なパワー値とする
ことを特徴とする請求項２記載の試し書き記録制御装
置。
【請求項５】相対関係決定手段は複数の記録変数と同
数の連立方程式を求める連立方程式決定手段からなり、
最適値決定手段は前記連立方程式の解を求める計算手段
からなり、該計算手段によって決定された前記複数の記
録変数の最適値を最適な記録条件することを特徴とする
請求項２記載の試し書き記録制御装置。
【請求項６】光ビームを照射して記録再生を行う光記
録媒体において、情報記録領域以外の試し書き記録領域
であって、所定期間あるいは所定動作毎に光記録媒体に
試し書きを行うための複数の試し書き領域を具備し、前
記試し書き記録領域への試し書き回数が記録媒体の書き
換え保証回数以下となることを特徴とする光記録媒体。
【請求項７】光ビームを照射して記録再生を行う光記
録媒体において、情報を記録する情報記録領域と区別し
て、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し
書き領域を、試し書き回数が記録媒体の書き換え保証回
数以下となるべく複数具備することを特徴とする光記録
媒体。
【請求項８】光ビームを照射して記録再生を行う光記
録媒体において、情報を記録する情報記録領域と区別し
て、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し
書き領域を複数具備し、記録媒体の書き換え保証回数以
下の試し書き性能を備えることを特徴とする光記録媒
体。
【請求項９】光ビームを照射して記録再生を行う光記
録媒体において、情報を記録する情報記録領域と区別
し、記録媒体の書き換え保証回数以下であって、所定期
間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し書き領域を
具備することを特徴とする光記録媒体。