JPH11149678A - 光記憶装置における記録条件制御方法 - Google Patents
光記憶装置における記録条件制御方法Info
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- JPH11149678A JPH11149678A JP9313030A JP31303097A JPH11149678A JP H11149678 A JPH11149678 A JP H11149678A JP 9313030 A JP9313030 A JP 9313030A JP 31303097 A JP31303097 A JP 31303097A JP H11149678 A JPH11149678 A JP H11149678A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスクの熱容量が小さい場合や、環境温
度が高い場合に、光ディスクの熱破壊を防止し、安定し
た記録光量の制御を行う方法を提供する。 【解決手段】 情報が記録された光記録媒体に光を照射
し、読み出された再生信号を測定することにより最適な
再生条件に制御する再生条件制御ステップと、前記最適
な再生条件に基づいて記録条件の制御を行う記録条件制
御ステップを備える。
度が高い場合に、光ディスクの熱破壊を防止し、安定し
た記録光量の制御を行う方法を提供する。 【解決手段】 情報が記録された光記録媒体に光を照射
し、読み出された再生信号を測定することにより最適な
再生条件に制御する再生条件制御ステップと、前記最適
な再生条件に基づいて記録条件の制御を行う記録条件制
御ステップを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体へ光ビ
ームの照射あるいは磁界の印加により情報を記録する光
記憶装置において、光ビームの光量あるいは外部印加磁
界の磁界強度などの記録条件を最適化するための記録条
件制御方法に関する。
ームの照射あるいは磁界の印加により情報を記録する光
記憶装置において、光ビームの光量あるいは外部印加磁
界の磁界強度などの記録条件を最適化するための記録条
件制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクの高密度化の研究がま
すます盛んであるが、光ディスクに照射する光ビームの
記録光量が変化したり、光磁気ディスクに印加する外部
印加磁界の記録磁界強度が変化すると、記録マークの大
きさが変動して一様な記録ができないため、高密度記録
が困難であるという問題点があった。
すます盛んであるが、光ディスクに照射する光ビームの
記録光量が変化したり、光磁気ディスクに印加する外部
印加磁界の記録磁界強度が変化すると、記録マークの大
きさが変動して一様な記録ができないため、高密度記録
が困難であるという問題点があった。
【０００３】この解決方法として、特開平９−１６９６
５号公報に開示された記録光量の制御方法があった。こ
の方法は光ビームのオン／オフによってデータを記録す
るいわゆる光変調記録装置において、このオン時の記録
光量を最適化する装置であった。図１２において、まず
トラック１０１に記録マーク１０２を記録する。次に記
録光量が高くなると、破線で示すように記録マークが長
くなる。これにより記録マーク１０２とそうでない部分
１０３との比率いわゆるデューティーが変化する。この
デューティーの変化は読み出し信号の変化に現れ、実線
で示す読み出し信号１０４ａから破線で示す読み出し信
号１０４ｂへと変化する。この読み出し信号のＤＣ成分
を検出することにより、デューティーの変化を容易に検
出できる。さらに予め所定の範囲内の複数の記録光量に
よってそれぞれ記録マークを記録しておけば、これらの
中からデューティーが１対１となるものを探し出し、こ
のときの記録光量を最適な記録光量に決定することがで
きる。
５号公報に開示された記録光量の制御方法があった。こ
の方法は光ビームのオン／オフによってデータを記録す
るいわゆる光変調記録装置において、このオン時の記録
光量を最適化する装置であった。図１２において、まず
トラック１０１に記録マーク１０２を記録する。次に記
録光量が高くなると、破線で示すように記録マークが長
くなる。これにより記録マーク１０２とそうでない部分
１０３との比率いわゆるデューティーが変化する。この
デューティーの変化は読み出し信号の変化に現れ、実線
で示す読み出し信号１０４ａから破線で示す読み出し信
号１０４ｂへと変化する。この読み出し信号のＤＣ成分
を検出することにより、デューティーの変化を容易に検
出できる。さらに予め所定の範囲内の複数の記録光量に
よってそれぞれ記録マークを記録しておけば、これらの
中からデューティーが１対１となるものを探し出し、こ
のときの記録光量を最適な記録光量に決定することがで
きる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この方法に
よって熱容量の小さいディスクに記録光量の制御を行う
と、予め決められた記録光量の範囲内の最大光量によっ
て、光ディスクが過度に加熱され、熱破壊されるという
問題点が発生した。また、環境温度が高い場合にも最大
光量により、同様に光ディスクが過度に加熱され、熱破
壊されるという問題点が発生した。
よって熱容量の小さいディスクに記録光量の制御を行う
と、予め決められた記録光量の範囲内の最大光量によっ
て、光ディスクが過度に加熱され、熱破壊されるという
問題点が発生した。また、環境温度が高い場合にも最大
光量により、同様に光ディスクが過度に加熱され、熱破
壊されるという問題点が発生した。
【０００５】本発明の目的は、光ディスクの熱容量が小
さい場合や、環境温度が高い場合に、光ディスクの熱破
壊を防止し、安定した記録光量の制御を行う光記憶装置
における記録条件制御方法を提供することにある。
さい場合や、環境温度が高い場合に、光ディスクの熱破
壊を防止し、安定した記録光量の制御を行う光記憶装置
における記録条件制御方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の光記憶装
置における記録条件制御方法は、情報が記録された光記
録媒体に光を照射し、読み出された再生信号を測定する
ことにより最適な再生条件に制御する再生条件制御ステ
ップと、前記最適な再生条件に基づいて記録条件の制御
を行う記録条件制御ステップを備えることを特徴とす
る。
置における記録条件制御方法は、情報が記録された光記
録媒体に光を照射し、読み出された再生信号を測定する
ことにより最適な再生条件に制御する再生条件制御ステ
ップと、前記最適な再生条件に基づいて記録条件の制御
を行う記録条件制御ステップを備えることを特徴とす
る。
【０００７】請求項２記載の光記憶装置における記録条
件制御方法は、請求項１記載の光記憶装置における記録
条件制御方法において、前記再生条件制御ステップは、
再生された信号の第１品質値を測定する第１ステップ
と、前記第１品質値が所定値に近づくように最適な再生
条件に制御する第２ステップを備え、前記記録条件制御
ステップは、前記最適な再生条件に基づいて光ビームの
光量あるいは外部印加磁界の強度を変化させることによ
り所定の複数の記録条件に設定する第３ステップと、光
記録媒体にテスト記録パターンを記録する第４ステップ
と、前記テスト記録パターンを読み出して、再生された
信号の第２品質値を測定する第５ステップと、前記記録
条件と前記第２品質値を関連づけて記憶する第６ステッ
プと、記憶した前記第２品質値の中から所定値に最も近
いものを探すことにより記録条件を決定する第７ステッ
プとを備えることを特徴とする。
件制御方法は、請求項１記載の光記憶装置における記録
条件制御方法において、前記再生条件制御ステップは、
再生された信号の第１品質値を測定する第１ステップ
と、前記第１品質値が所定値に近づくように最適な再生
条件に制御する第２ステップを備え、前記記録条件制御
ステップは、前記最適な再生条件に基づいて光ビームの
光量あるいは外部印加磁界の強度を変化させることによ
り所定の複数の記録条件に設定する第３ステップと、光
記録媒体にテスト記録パターンを記録する第４ステップ
と、前記テスト記録パターンを読み出して、再生された
信号の第２品質値を測定する第５ステップと、前記記録
条件と前記第２品質値を関連づけて記憶する第６ステッ
プと、記憶した前記第２品質値の中から所定値に最も近
いものを探すことにより記録条件を決定する第７ステッ
プとを備えることを特徴とする。
【０００８】請求項３記載の光記憶装置における記録条
件制御方法は、請求項２記載の光記憶装置における記録
条件制御方法において、前記第５ステップは、前記第２
ステップにおいて得られた再生条件に基づいて前記テス
ト記録パターンを読み出すことを特徴とする。
件制御方法は、請求項２記載の光記憶装置における記録
条件制御方法において、前記第５ステップは、前記第２
ステップにおいて得られた再生条件に基づいて前記テス
ト記録パターンを読み出すことを特徴とする。
【０００９】請求項４記載の光記憶装置における記録条
件制御方法は、請求項３記載の光記憶装置における記録
条件制御方法において、前記第５ステップは、前記第２
ステップにおいて得られた再生条件を所定量だけ増加さ
せて前記テスト記録パターンを読み出すことを特徴とす
る。
件制御方法は、請求項３記載の光記憶装置における記録
条件制御方法において、前記第５ステップは、前記第２
ステップにおいて得られた再生条件を所定量だけ増加さ
せて前記テスト記録パターンを読み出すことを特徴とす
る。
【００１０】請求項５記載の光記憶装置における記録条
件制御方法は、請求項２記載の光記憶装置における記録
条件制御方法において、前記第４ステップは、光記録媒
体の第１トラックにテスト記録パターンを記録するステ
ップと、隣接する第２トラックに前記テスト記録パター
ンの反転パターンを記録するステップとを備えることを
特徴とする。
件制御方法は、請求項２記載の光記憶装置における記録
条件制御方法において、前記第４ステップは、光記録媒
体の第１トラックにテスト記録パターンを記録するステ
ップと、隣接する第２トラックに前記テスト記録パター
ンの反転パターンを記録するステップとを備えることを
特徴とする。
【００１１】請求項６記載の光記憶装置における記録条
件制御方法は、請求項２または５記載の光記憶装置にお
ける記録条件制御方法において、前記第４ステップは、
前記第２トラックに予め高めの前記記録光量あるいは記
録磁界強度によって前記反転パターンを記録するステッ
プと、次に低めの初期値から徐々に記録光量あるいは記
録磁界強度を上げながら、前記第１トラックにテスト記
録パターンを記録するステップと、再び第２トラックに
反転パターンを記録するステップとを備えることを特徴
とする。
件制御方法は、請求項２または５記載の光記憶装置にお
ける記録条件制御方法において、前記第４ステップは、
前記第２トラックに予め高めの前記記録光量あるいは記
録磁界強度によって前記反転パターンを記録するステッ
プと、次に低めの初期値から徐々に記録光量あるいは記
録磁界強度を上げながら、前記第１トラックにテスト記
録パターンを記録するステップと、再び第２トラックに
反転パターンを記録するステップとを備えることを特徴
とする。
【００１２】請求項７記載の光記憶装置における記録条
件制御方法は、請求項５または６記載の光記憶装置にお
ける記録条件制御方法において、予め所定の間隔で基準
マークが記録された前記光記録媒体から、基準マーク信
号を読み出し、この信号に同期する外部クロックに基づ
いて前記第４ステップにおける前記テスト記録パターン
と反転パターンとを記録することを特徴とする。
件制御方法は、請求項５または６記載の光記憶装置にお
ける記録条件制御方法において、予め所定の間隔で基準
マークが記録された前記光記録媒体から、基準マーク信
号を読み出し、この信号に同期する外部クロックに基づ
いて前記第４ステップにおける前記テスト記録パターン
と反転パターンとを記録することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】さて近年、基板上に再生層と記録
層とを有する光記録媒体に光ビームを照射し、再生層に
光スポット径よりも小さい検出口を発生させるいわゆる
超解像効果により記録密度を向上させる技術が開発され
ている。この一例として、光ビームの照射による再生層
の温度上昇部分が記録層との磁気的結合によって記録情
報の読み出しのための検出口となる、いわゆる磁気的超
解像が知られている。このときの検出口の温度分布は記
録媒体の熱容量や環境温度に影響されるため、再生光量
の制御により検出口の大きさを常に最適に制御する必要
があり、特開平８−６３８１７号公報にはこの装置が開
示されている。この装置は、前記光記録媒体に記録され
たマークのうち検出口よりも小さい短マークからの再生
信号量と、検出口よりも大きい長マークからの再生信号
量とを検出し、長短マークからの２つの再生信号量の比
が所定の値に近づくように再生光量を制御している。そ
して、記録情報領域と記録情報領域との間に、長マーク
と短マークを記録した再生制御パターンを周期的に記録
し、これを再生することにより、情報の再生時に常に安
定な再生光量の制御を行っている。
層とを有する光記録媒体に光ビームを照射し、再生層に
光スポット径よりも小さい検出口を発生させるいわゆる
超解像効果により記録密度を向上させる技術が開発され
ている。この一例として、光ビームの照射による再生層
の温度上昇部分が記録層との磁気的結合によって記録情
報の読み出しのための検出口となる、いわゆる磁気的超
解像が知られている。このときの検出口の温度分布は記
録媒体の熱容量や環境温度に影響されるため、再生光量
の制御により検出口の大きさを常に最適に制御する必要
があり、特開平８−６３８１７号公報にはこの装置が開
示されている。この装置は、前記光記録媒体に記録され
たマークのうち検出口よりも小さい短マークからの再生
信号量と、検出口よりも大きい長マークからの再生信号
量とを検出し、長短マークからの２つの再生信号量の比
が所定の値に近づくように再生光量を制御している。そ
して、記録情報領域と記録情報領域との間に、長マーク
と短マークを記録した再生制御パターンを周期的に記録
し、これを再生することにより、情報の再生時に常に安
定な再生光量の制御を行っている。
【００１４】以後は、この磁気的超解像の光記録媒体を
備える光磁気ディスクに対する本発明の実施例を説明す
る。尚、説明の便宜上、磁界変調記録における記録光量
の最適化の場合について説明する。一方、記録磁界強度
の最適化の方は、ほぼ同様に説明できるため最後に簡単
に説明する。従って、以後は記録磁界強度は一定とし、
記録光量を変化させながら最適な記録光量を探す方法に
ついて説明する。
備える光磁気ディスクに対する本発明の実施例を説明す
る。尚、説明の便宜上、磁界変調記録における記録光量
の最適化の場合について説明する。一方、記録磁界強度
の最適化の方は、ほぼ同様に説明できるため最後に簡単
に説明する。従って、以後は記録磁界強度は一定とし、
記録光量を変化させながら最適な記録光量を探す方法に
ついて説明する。
【００１５】図１は、本発明の実施例における動作の流
れ図を示す。まず、光磁気ディスクが光記憶装置に装填
される（装填ステップ）。次に光磁気ディスクに光を照
射して、ＴＯＣ（Ｔａｂｌｅ ｏｆ Ｃｏｎｔｅｎｔ
ｓ）を再生し、情報が記録されていることを確認する
（ＴＯＣ再生ステップ）。情報が記録されていることを
確認した後、読み出された再生信号を測定することによ
って最適な再生条件に制御する（再生条件制御ステッ
プ）。再生条件には、再生光量や再生磁界があるが、以
後は再生光量に限定して説明する。この最適な再生光量
は、光磁気ディスクの熱容量や、環境温度の変化に追従
した値である。なお、このときの再生光量は弱いため光
磁気ディスクを熱破壊することはない。次に、前記の最
適な再生光量に基づいて記録条件の制御を行う（記録条
件制御ステップ）。記録条件には、記録光量や記録磁界
があるが、以後は記録光量に限定して説明する。上記の
最適な再生条件に基づいて記録条件の制御を行えば、記
録光量の設定範囲が光ディスクの熱容量や、環境温度の
変化に追従する。したがって、最大光量により光磁気デ
ィスクの温度が過度に上昇することが無く、熱破壊を防
止することができる。
れ図を示す。まず、光磁気ディスクが光記憶装置に装填
される（装填ステップ）。次に光磁気ディスクに光を照
射して、ＴＯＣ（Ｔａｂｌｅ ｏｆ Ｃｏｎｔｅｎｔ
ｓ）を再生し、情報が記録されていることを確認する
（ＴＯＣ再生ステップ）。情報が記録されていることを
確認した後、読み出された再生信号を測定することによ
って最適な再生条件に制御する（再生条件制御ステッ
プ）。再生条件には、再生光量や再生磁界があるが、以
後は再生光量に限定して説明する。この最適な再生光量
は、光磁気ディスクの熱容量や、環境温度の変化に追従
した値である。なお、このときの再生光量は弱いため光
磁気ディスクを熱破壊することはない。次に、前記の最
適な再生光量に基づいて記録条件の制御を行う（記録条
件制御ステップ）。記録条件には、記録光量や記録磁界
があるが、以後は記録光量に限定して説明する。上記の
最適な再生条件に基づいて記録条件の制御を行えば、記
録光量の設定範囲が光ディスクの熱容量や、環境温度の
変化に追従する。したがって、最大光量により光磁気デ
ィスクの温度が過度に上昇することが無く、熱破壊を防
止することができる。
【００１６】以下に、図２〜図１１を用いて上述の方法
を詳細に説明する。まず、図１における再生条件制御ス
テップについて詳細に説明する。図２と図３は再生光量
の制御における長マークと短マークの振幅比と再生光量
の関係を説明する図である。図２において、光磁気ディ
スクのパターン記録領域５７に長マーク６７と短マーク
６８から成る再生制御パターンが記録されている。後述
するが、これは、情報の記録と共に、既に記録されたも
のである。さて、このパターンに再生光量の光ビームを
照射すると、図示するアパーチャ（検出口）６９が生じ
る。この検出口６９は再生光量が小さいときは実線で示
すように小さくなり、再生光量が大きいときは破線で示
すように大きくなる。検出口６９よりも長い長マーク６
７を再生すると、振幅の大きい再生信号７０が得られ
る。検出口よりも短い短マーク６８を再生すると、振幅
の小さい再生信号７１が得られる。この長マークの再生
信号７０と短マークの再生信号７１の振幅比（長短マー
ク振幅比）は、図３に示すように再生光量が大きくなる
ほど小さくなる。また再生データのエラーレートは再生
光量Ｐｏにおいて最も小さくなる。したがって、長短マ
ークの振幅比が最適振幅比Ｒに近づくように再生光量を
制御すれば、エラーレートを最も低くすることができ
る。これにより、熱容量の異なる光ディスクが装填され
ても、あるいは環境温度が変化しても、再生制御の動作
が追従して、絶えず良好な再生特性が得られる。また、
このときの最適な再生光量Ｐｏは光ディスクの熱容量の
変化や環境温度の変化に追従して増減する。なお、上述
の再生制御パターンに代えて記録情報に含まれる長マー
クと短マークを使用しても差し支えない。
を詳細に説明する。まず、図１における再生条件制御ス
テップについて詳細に説明する。図２と図３は再生光量
の制御における長マークと短マークの振幅比と再生光量
の関係を説明する図である。図２において、光磁気ディ
スクのパターン記録領域５７に長マーク６７と短マーク
６８から成る再生制御パターンが記録されている。後述
するが、これは、情報の記録と共に、既に記録されたも
のである。さて、このパターンに再生光量の光ビームを
照射すると、図示するアパーチャ（検出口）６９が生じ
る。この検出口６９は再生光量が小さいときは実線で示
すように小さくなり、再生光量が大きいときは破線で示
すように大きくなる。検出口６９よりも長い長マーク６
７を再生すると、振幅の大きい再生信号７０が得られ
る。検出口よりも短い短マーク６８を再生すると、振幅
の小さい再生信号７１が得られる。この長マークの再生
信号７０と短マークの再生信号７１の振幅比（長短マー
ク振幅比）は、図３に示すように再生光量が大きくなる
ほど小さくなる。また再生データのエラーレートは再生
光量Ｐｏにおいて最も小さくなる。したがって、長短マ
ークの振幅比が最適振幅比Ｒに近づくように再生光量を
制御すれば、エラーレートを最も低くすることができ
る。これにより、熱容量の異なる光ディスクが装填され
ても、あるいは環境温度が変化しても、再生制御の動作
が追従して、絶えず良好な再生特性が得られる。また、
このときの最適な再生光量Ｐｏは光ディスクの熱容量の
変化や環境温度の変化に追従して増減する。なお、上述
の再生制御パターンに代えて記録情報に含まれる長マー
クと短マークを使用しても差し支えない。
【００１７】図４を用いて、再生光量の制御を行うため
の装置を説明する。ＣＰＵ４６からは制御命令ｃ５が再
生光量設定回路４９に送られ、再生光量が初期値に設定
される。またスイッチ命令ｃ２がスイッチ回路４８に送
られ、再生光量設定回路４９からの再生光量制御信号ｐ
１がスイッチ回路４８を介して駆動回路４７に送られ
る。この回路から出力された駆動電流ｆにより半導体レ
ーザー４１から弱い光量のレーザビームｂ１が光磁気デ
ィスク４０に照射される。反射光ｂ２はフォトダイオー
ド４２へ導かれる。光磁気ディスク４０から読み出され
た読み出し信号ｒ１は増幅器４３によって増幅され、再
生信号ｒ２がＡ／Ｄ変換器４４とクロック抽出回路４５
に入力される。クロック抽出回路４５において、再生信
号ｒ２から後述する外部クロックｃを生成し、Ａ／Ｄ変
換器４４に送られ、再生信号ｒ２をディジタル値ｄに変
換する。この信号はＣＰＵ４６に送られ、長マークと短
マークの読み出し信号ｒ２の振幅をそれぞれ検出する。
検出したそれぞれの振幅値から振幅比を計算し、図３に
おける最適振幅比Ｒに近づくように再生光量を制御す
る。これにより再生データのエラーレートを最も低く抑
えるための再生光量の制御が行われる。
の装置を説明する。ＣＰＵ４６からは制御命令ｃ５が再
生光量設定回路４９に送られ、再生光量が初期値に設定
される。またスイッチ命令ｃ２がスイッチ回路４８に送
られ、再生光量設定回路４９からの再生光量制御信号ｐ
１がスイッチ回路４８を介して駆動回路４７に送られ
る。この回路から出力された駆動電流ｆにより半導体レ
ーザー４１から弱い光量のレーザビームｂ１が光磁気デ
ィスク４０に照射される。反射光ｂ２はフォトダイオー
ド４２へ導かれる。光磁気ディスク４０から読み出され
た読み出し信号ｒ１は増幅器４３によって増幅され、再
生信号ｒ２がＡ／Ｄ変換器４４とクロック抽出回路４５
に入力される。クロック抽出回路４５において、再生信
号ｒ２から後述する外部クロックｃを生成し、Ａ／Ｄ変
換器４４に送られ、再生信号ｒ２をディジタル値ｄに変
換する。この信号はＣＰＵ４６に送られ、長マークと短
マークの読み出し信号ｒ２の振幅をそれぞれ検出する。
検出したそれぞれの振幅値から振幅比を計算し、図３に
おける最適振幅比Ｒに近づくように再生光量を制御す
る。これにより再生データのエラーレートを最も低く抑
えるための再生光量の制御が行われる。
【００１８】なお、再生制御パターンが予め記録されて
いる場合について示したが、このパターンの記録動作に
ついてふれておく。ＣＰＵ４６から制御命令ｃ３が記録
光量設定回路５０に送られ、記録光量制御信号ｐ２が出
力される。なお、このときの記録光量は、低めの値とし
て、光磁気ディスクの工場出荷時に記録しておく。この
信号ｐ２は、ＣＰＵ４６からのスイッチ命令ｃ２に基づ
いてスイッチ回路４８を介して駆動回路４７に送られ、
駆動電流ｆにより半導体レーザー４１から強いレーザビ
ームｂ１が光磁気ディスク４０に照射される。同時にＣ
ＰＵ４６からは制御命令ｃ４がパターン発生回路５３に
送られ、記録情報と共にテスト記録パターンを記録す
る。
いる場合について示したが、このパターンの記録動作に
ついてふれておく。ＣＰＵ４６から制御命令ｃ３が記録
光量設定回路５０に送られ、記録光量制御信号ｐ２が出
力される。なお、このときの記録光量は、低めの値とし
て、光磁気ディスクの工場出荷時に記録しておく。この
信号ｐ２は、ＣＰＵ４６からのスイッチ命令ｃ２に基づ
いてスイッチ回路４８を介して駆動回路４７に送られ、
駆動電流ｆにより半導体レーザー４１から強いレーザビ
ームｂ１が光磁気ディスク４０に照射される。同時にＣ
ＰＵ４６からは制御命令ｃ４がパターン発生回路５３に
送られ、記録情報と共にテスト記録パターンを記録す
る。
【００１９】図５は図４における再生光量制御の動作を
説明する流れ図である。再生制御パターンから長マーク
の振幅値を検出する（ｓ１）。次に短マークの振幅値を
検出する（ｓ２）。次に長マークの振幅値と短マークの
振幅値との比を計算する（ｓ３）。計算された振幅比
と、目標振幅値との差がゼロに近づくように再生光量を
変更する（ｓ４）。再びｓ１へ戻って再生光量の制御を
繰り返す。これにより、エラーレートが最小となるよう
に、再生光量の制御を行うことが可能となる。
説明する流れ図である。再生制御パターンから長マーク
の振幅値を検出する（ｓ１）。次に短マークの振幅値を
検出する（ｓ２）。次に長マークの振幅値と短マークの
振幅値との比を計算する（ｓ３）。計算された振幅比
と、目標振幅値との差がゼロに近づくように再生光量を
変更する（ｓ４）。再びｓ１へ戻って再生光量の制御を
繰り返す。これにより、エラーレートが最小となるよう
に、再生光量の制御を行うことが可能となる。
【００２０】次に図１における記録条件制御ステップに
ついて詳細に説明する。磁界変調記録において記録光量
が適切でないと、記録マークの幅が広くなったり狭くな
ったりする。記録マークの幅を最も簡便に最適化する方
法は、隣接トラックの消去の滲みだしによって記録マー
クの端が削られ、どれだけ幅が減少したかを再生信号量
で検出する方法である。まず、図６（ａ１）において、
低い記録光量の光ビーム２をトラックＴｒ（ｎ）に照射
しながら、記録磁界を反転させ、記録マーク１を記録す
る。このとき記録マーク１はトラック幅よりも狭いた
め、これを読み出した時の読み出し信号３の振幅Ｖ１は
小さい。次に、図６（ａ２）において同じ記録光量の光
ビーム５と５により隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ
（ｎ＋１）を消去する。たとえば、高密度トラックの方
式として良く知られているランド／グルーブ記録におい
ては、トラックＴｒ（ｎ）は例えばグルーブであり、Ｔ
ｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）はランドである。消去領
域の幅は記録マーク１の幅とほぼ同一となり、破線で示
す領域が消去される。このときの消去幅は狭いため、記
録マーク１の端部は削られることはない。これを読み出
すと、読み出し信号６の振幅Ｖ２はＶ１と同一である。
ついて詳細に説明する。磁界変調記録において記録光量
が適切でないと、記録マークの幅が広くなったり狭くな
ったりする。記録マークの幅を最も簡便に最適化する方
法は、隣接トラックの消去の滲みだしによって記録マー
クの端が削られ、どれだけ幅が減少したかを再生信号量
で検出する方法である。まず、図６（ａ１）において、
低い記録光量の光ビーム２をトラックＴｒ（ｎ）に照射
しながら、記録磁界を反転させ、記録マーク１を記録す
る。このとき記録マーク１はトラック幅よりも狭いた
め、これを読み出した時の読み出し信号３の振幅Ｖ１は
小さい。次に、図６（ａ２）において同じ記録光量の光
ビーム５と５により隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ
（ｎ＋１）を消去する。たとえば、高密度トラックの方
式として良く知られているランド／グルーブ記録におい
ては、トラックＴｒ（ｎ）は例えばグルーブであり、Ｔ
ｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）はランドである。消去領
域の幅は記録マーク１の幅とほぼ同一となり、破線で示
す領域が消去される。このときの消去幅は狭いため、記
録マーク１の端部は削られることはない。これを読み出
すと、読み出し信号６の振幅Ｖ２はＶ１と同一である。
【００２１】さて、徐々に記録光量を上げながら上記の
動作を繰り返すと、記録マーク１の幅と、破線で示す消
去領域の幅は徐々に広がり、お互いの端部が次第に近づ
く。図６（ｂ１）において、光ビーム８によりトラック
Ｔｒ（ｎ）に記録マーク７が記録され、図６（ｂ２）に
おいて光ビーム１１と１１により隣接トラックＴｒ（ｎ
−１）とＴｒ（ｎ＋１）が消去され、この消去領域の端
部が記録マーク７の端部に接する。このとき、記録マー
ク７の幅は最大となり、隣接トラックの消去の滲みだし
の影響も無い。従って、図６（ｂ１）における読み出し
信号９の振幅Ｖ３はそのまま維持され、図６（ｂ２）の
読み出し信号１２の振幅Ｖ４と等しくなり、この値は最
大になる。
動作を繰り返すと、記録マーク１の幅と、破線で示す消
去領域の幅は徐々に広がり、お互いの端部が次第に近づ
く。図６（ｂ１）において、光ビーム８によりトラック
Ｔｒ（ｎ）に記録マーク７が記録され、図６（ｂ２）に
おいて光ビーム１１と１１により隣接トラックＴｒ（ｎ
−１）とＴｒ（ｎ＋１）が消去され、この消去領域の端
部が記録マーク７の端部に接する。このとき、記録マー
ク７の幅は最大となり、隣接トラックの消去の滲みだし
の影響も無い。従って、図６（ｂ１）における読み出し
信号９の振幅Ｖ３はそのまま維持され、図６（ｂ２）の
読み出し信号１２の振幅Ｖ４と等しくなり、この値は最
大になる。
【００２２】しかし、これ以上記録光量を上げると次第
に記録マーク７の端部は隣接トラックからの消去の滲み
だしによって消去され、幅は次第に狭くなる。図６（ｃ
１）において、高い記録光量の光ビーム１４をトラック
Ｔｒ（ｎ）に照射しながら記録すると、トラック幅より
も広い記録マーク１３が記録される。この読み出し信号
１５の振幅Ｖ５は一旦大きくなる。次に、図６（ｃ２）
において同じ記録光量の光ビーム１７と１７により隣接
トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）を消去する。
消去領域の幅は記録マーク１３の幅とほぼ同一となり、
破線で示す領域を消去する。このときの消去幅は広いた
め、記録マーク１３の端は削られ、その中央部分だけが
残った記録マーク１３’となる。このとき、記録マーク
１３’の幅は狭くなるため、読み出された信号１８の振
幅Ｖ６は、振幅Ｖ５に比べて大きく低下する。
に記録マーク７の端部は隣接トラックからの消去の滲み
だしによって消去され、幅は次第に狭くなる。図６（ｃ
１）において、高い記録光量の光ビーム１４をトラック
Ｔｒ（ｎ）に照射しながら記録すると、トラック幅より
も広い記録マーク１３が記録される。この読み出し信号
１５の振幅Ｖ５は一旦大きくなる。次に、図６（ｃ２）
において同じ記録光量の光ビーム１７と１７により隣接
トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）を消去する。
消去領域の幅は記録マーク１３の幅とほぼ同一となり、
破線で示す領域を消去する。このときの消去幅は広いた
め、記録マーク１３の端は削られ、その中央部分だけが
残った記録マーク１３’となる。このとき、記録マーク
１３’の幅は狭くなるため、読み出された信号１８の振
幅Ｖ６は、振幅Ｖ５に比べて大きく低下する。
【００２３】図７は図６（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）
における隣接トラック消去後の読み出し信号の振幅の変
化を記録光量の増加に対してプロットしたものである。
記録光量が低いときは信号振幅Ｖは小さく、記録光量を
上げるに従って次第に信号振幅Ｖは増加する。ところ
が、記録マークの端部と消去領域の端部が接する記録光
量を境にして、記録光量の増加に伴って次第に記録マー
クの端部が削られ、信号振幅Ｖは減少する。したがっ
て、信号振幅Ｖが最大となる記録光量では、記録マーク
の端部が消去されず、しかも記録マークの幅を最大にす
ることができる。したがって、記録光量を徐々に上げな
がら上記の動作を繰り返し、信号振幅Ｖが最大となる記
録光量を最適記録光量とする。したがって、読み出し信
号の振幅の変化によって、記録マークの幅の変化を検出
し、記録光量を最適に制御する事ができる。なお、磁界
変調記録においては記録光量の変化により記録マークの
幅のみ変化するため、光変調記録に比べて感度良く最適
化する事ができる。
における隣接トラック消去後の読み出し信号の振幅の変
化を記録光量の増加に対してプロットしたものである。
記録光量が低いときは信号振幅Ｖは小さく、記録光量を
上げるに従って次第に信号振幅Ｖは増加する。ところ
が、記録マークの端部と消去領域の端部が接する記録光
量を境にして、記録光量の増加に伴って次第に記録マー
クの端部が削られ、信号振幅Ｖは減少する。したがっ
て、信号振幅Ｖが最大となる記録光量では、記録マーク
の端部が消去されず、しかも記録マークの幅を最大にす
ることができる。したがって、記録光量を徐々に上げな
がら上記の動作を繰り返し、信号振幅Ｖが最大となる記
録光量を最適記録光量とする。したがって、読み出し信
号の振幅の変化によって、記録マークの幅の変化を検出
し、記録光量を最適に制御する事ができる。なお、磁界
変調記録においては記録光量の変化により記録マークの
幅のみ変化するため、光変調記録に比べて感度良く最適
化する事ができる。
【００２４】なお、記録磁界強度を最適化するときは、
まず記録光量を一定にしておき、記録磁界強度を徐々に
増加しながら、上記の動作を行うことにより、読み出し
信号の振幅の変化によって、記録マークの幅を最適に制
御する事ができる。
まず記録光量を一定にしておき、記録磁界強度を徐々に
増加しながら、上記の動作を行うことにより、読み出し
信号の振幅の変化によって、記録マークの幅を最適に制
御する事ができる。
【００２５】さて、図６の方法における信号振幅の変化
をさらに増大させ、感度良く最大値を検出する方法につ
いて、図８を用いて以下に説明する。図８（ａ）におい
て、予め両隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋
１）に高い記録光量の光ビーム２１、２１により幅の広
い記録マーク２０、２０を記録する。このとき、後述す
る外部クロック方式の記録クロックに基づいて記録が行
われる。この記録マーク２０の記録パターンは後述する
トラックＴｒ（ｎ）に記録するテスト記録パターンを反
転したものである。以後このトラックＴｒ（ｎ−１）と
Ｔｒ（ｎ＋１）に記録するパターンを反転テスト記録パ
ターン、トラックＴｒ（ｎ）に記録するパターンをテス
ト記録パターンと呼ぶ。
をさらに増大させ、感度良く最大値を検出する方法につ
いて、図８を用いて以下に説明する。図８（ａ）におい
て、予め両隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋
１）に高い記録光量の光ビーム２１、２１により幅の広
い記録マーク２０、２０を記録する。このとき、後述す
る外部クロック方式の記録クロックに基づいて記録が行
われる。この記録マーク２０の記録パターンは後述する
トラックＴｒ（ｎ）に記録するテスト記録パターンを反
転したものである。以後このトラックＴｒ（ｎ−１）と
Ｔｒ（ｎ＋１）に記録するパターンを反転テスト記録パ
ターン、トラックＴｒ（ｎ）に記録するパターンをテス
ト記録パターンと呼ぶ。
【００２６】次に図８（ｂ１）において、低い記録光量
の光ビーム２３をトラックＴｒ（ｎ）に照射しながら、
記録磁界を反転させ、テスト記録パターンの記録マーク
２２を記録する。このとき、後述する外部クロック方式
の記録クロックに基づいてこのパターンが記録されるた
め、隣接トラックの反転テスト記録パターンに同期して
記録が行われる。記録マーク２２の幅は狭いため、読み
出し信号２４の振幅Ｖ１’は小さい。さらに隣接トラッ
クには反転テスト記録パターンの記録マーク２０と２０
が記録されているため、再生時のクロストークにより、
記録マーク２２の信号成分が低減され、信号振幅Ｖ１’
はいっそう小さくなる。次に図８（ｂ２）において同じ
記録光量の光ビーム２６と２６により隣接トラックＴｒ
（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に反転テスト記録パターン
を記録する。このパターンの記録領域の幅は記録マーク
２２の幅とほぼ同一となり、破線で示す幅の記録マーク
２５、２５が記録される。また、外部クロック方式の記
録クロックに基づいて記録されるため、予め記録されて
いた記録マーク２０と２０の位置にちょうど重なって記
録マーク２５、２５が記録される。このときの隣接トラ
ックの記録マーク２５の幅は狭いため、記録マーク２２
の端部は削られることはない。また、隣接トラックでは
予め記録された記録マーク２０の幅を越えて記録マーク
２５が広がることはない。したがって、読みだし信号２
７の振幅Ｖ２’はＶ１’と同一である。上記のように記
録マーク２２の幅が狭いほど、信号振幅Ｖ２’は小さ
く、さらに隣接トラックの記録マーク２０と２０の幅が
広いほど、信号振幅Ｖ２’はよりいっそう小さくなる。
つまり、低い記録光量における信号振幅の減少は、隣接
トラックの反転パターンのクロストークによって、より
いっそう増幅される。
の光ビーム２３をトラックＴｒ（ｎ）に照射しながら、
記録磁界を反転させ、テスト記録パターンの記録マーク
２２を記録する。このとき、後述する外部クロック方式
の記録クロックに基づいてこのパターンが記録されるた
め、隣接トラックの反転テスト記録パターンに同期して
記録が行われる。記録マーク２２の幅は狭いため、読み
出し信号２４の振幅Ｖ１’は小さい。さらに隣接トラッ
クには反転テスト記録パターンの記録マーク２０と２０
が記録されているため、再生時のクロストークにより、
記録マーク２２の信号成分が低減され、信号振幅Ｖ１’
はいっそう小さくなる。次に図８（ｂ２）において同じ
記録光量の光ビーム２６と２６により隣接トラックＴｒ
（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に反転テスト記録パターン
を記録する。このパターンの記録領域の幅は記録マーク
２２の幅とほぼ同一となり、破線で示す幅の記録マーク
２５、２５が記録される。また、外部クロック方式の記
録クロックに基づいて記録されるため、予め記録されて
いた記録マーク２０と２０の位置にちょうど重なって記
録マーク２５、２５が記録される。このときの隣接トラ
ックの記録マーク２５の幅は狭いため、記録マーク２２
の端部は削られることはない。また、隣接トラックでは
予め記録された記録マーク２０の幅を越えて記録マーク
２５が広がることはない。したがって、読みだし信号２
７の振幅Ｖ２’はＶ１’と同一である。上記のように記
録マーク２２の幅が狭いほど、信号振幅Ｖ２’は小さ
く、さらに隣接トラックの記録マーク２０と２０の幅が
広いほど、信号振幅Ｖ２’はよりいっそう小さくなる。
つまり、低い記録光量における信号振幅の減少は、隣接
トラックの反転パターンのクロストークによって、より
いっそう増幅される。
【００２７】さて、徐々に記録光量を上げながら上記の
動作を繰り返すと、記録マーク２２の幅と、破線で示す
記録マーク２５の幅は徐々に広がり、お互いの端が次第
に近づく。図８（ｃ１）において、光ビーム２９により
トラックＴｒ（ｎ）に記録マーク２８が記録され、図８
（ｃ２）において光ビーム３２と３２により隣接トラッ
クＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に反転テスト記録パ
ターンが記録される。このとき、記録マーク３１、３１
の端部が記録マーク２８の端部に接する。したがって、
図８（ｃ１）における読み出し信号３０の信号振幅Ｖ
３’と、図８（ｃ２）における読み出し信号３３の信号
振幅Ｖ４’は等しくなる。また、記録マーク２８の幅は
最も広く、隣接トラックの記録マーク３１、３１の幅は
最も狭くなる。したがって、記録マーク２８からの信号
成分が最も大きく、隣接トラックからのクロストーク成
分が最も小さくなり、読み出し信号３３の信号振幅Ｖ
４’は最大になる。
動作を繰り返すと、記録マーク２２の幅と、破線で示す
記録マーク２５の幅は徐々に広がり、お互いの端が次第
に近づく。図８（ｃ１）において、光ビーム２９により
トラックＴｒ（ｎ）に記録マーク２８が記録され、図８
（ｃ２）において光ビーム３２と３２により隣接トラッ
クＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に反転テスト記録パ
ターンが記録される。このとき、記録マーク３１、３１
の端部が記録マーク２８の端部に接する。したがって、
図８（ｃ１）における読み出し信号３０の信号振幅Ｖ
３’と、図８（ｃ２）における読み出し信号３３の信号
振幅Ｖ４’は等しくなる。また、記録マーク２８の幅は
最も広く、隣接トラックの記録マーク３１、３１の幅は
最も狭くなる。したがって、記録マーク２８からの信号
成分が最も大きく、隣接トラックからのクロストーク成
分が最も小さくなり、読み出し信号３３の信号振幅Ｖ
４’は最大になる。
【００２８】しかし、これ以上記録光量を上げると次第
に記録マーク２８の端部は消去され、その幅は次第に狭
くなる。さらに、隣接トラックの記録マークの幅が広く
なり、クロストークが増大する。図８（ｄ１）におい
て、高い記録光量の光ビーム３５をトラックＴｒ（ｎ）
に照射しながらテスト記録パターン記録すると、トラッ
ク幅よりも広い記録マーク３４が記録される。この読み
出し信号３６の振幅Ｖ５’は一旦大きくなる。次に、図
８（ｄ２）において同じ記録光量の光ビーム３８と３８
により隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に
反転テスト記録パターンを記録する。記録マーク３７の
幅は記録マーク３４の幅と同一となる。このときの反転
テスト記録パターンの記録領域の幅は広いため、記録マ
ーク３４の端部は消去され、その中央部分だけが残った
記録マーク３４’となる。記録マーク３４’の幅は狭い
ため、読み出された信号３９の振幅Ｖ６’は低下する。
さらに、隣接トラックの記録マーク３７、３７からのク
ロストークにより、記録マーク３４’の信号成分が低減
され、信号振幅Ｖ６’はいっそう小さくなる。つまり、
高い記録光量のクロスイレーズによる信号振幅の減少
が、隣接トラックの反転テスト記録パターンのクロスト
ークによって、いっそう増幅される。
に記録マーク２８の端部は消去され、その幅は次第に狭
くなる。さらに、隣接トラックの記録マークの幅が広く
なり、クロストークが増大する。図８（ｄ１）におい
て、高い記録光量の光ビーム３５をトラックＴｒ（ｎ）
に照射しながらテスト記録パターン記録すると、トラッ
ク幅よりも広い記録マーク３４が記録される。この読み
出し信号３６の振幅Ｖ５’は一旦大きくなる。次に、図
８（ｄ２）において同じ記録光量の光ビーム３８と３８
により隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に
反転テスト記録パターンを記録する。記録マーク３７の
幅は記録マーク３４の幅と同一となる。このときの反転
テスト記録パターンの記録領域の幅は広いため、記録マ
ーク３４の端部は消去され、その中央部分だけが残った
記録マーク３４’となる。記録マーク３４’の幅は狭い
ため、読み出された信号３９の振幅Ｖ６’は低下する。
さらに、隣接トラックの記録マーク３７、３７からのク
ロストークにより、記録マーク３４’の信号成分が低減
され、信号振幅Ｖ６’はいっそう小さくなる。つまり、
高い記録光量のクロスイレーズによる信号振幅の減少
が、隣接トラックの反転テスト記録パターンのクロスト
ークによって、いっそう増幅される。
【００２９】図８（ｂ２）、（ｃ２）、（ｄ２）に示し
た読み出し信号の振幅を図７のＶ’に示す。記録光量が
低いときの信号振幅Ｖ’は、信号振幅Ｖよりもはるかに
小さい。これは、図８におけるテスト記録パターンの記
録マークの成分が隣接トラックの反転テスト記録パター
ンからのクロストークによって低減されたためである。
そして記録光量を上げるに従って記録マークの幅が広く
なり、さらにクロストークも減少する。これにより信号
振幅は次第に増加し、図７の信号振幅Ｖに近づく。テス
ト記録パターンの記録幅の端部と、隣接トラックの反転
テストパターン記録幅の端部が接するとき、信号振幅は
最大となる。さらに記録光量を上げると、次第にテスト
記録パターンの記録マークの端部が削られ、さらに隣接
トラックの記録マークの幅が広くなり、信号振幅Ｖ’は
大きく減少する。信号振幅Ｖ’が最大となる記録光量で
は、記録マークの幅は最も広く、さらに隣接トラックか
らのクロストークが最も小さい。上記のように、隣接ト
ラックに反転テスト記録パターンを記録することによ
り、図６の方法による信号振幅Ｖに比べて、信号振幅
Ｖ’の変化量が大きくなり、信号振幅の最大値を高感度
で検出できる。
た読み出し信号の振幅を図７のＶ’に示す。記録光量が
低いときの信号振幅Ｖ’は、信号振幅Ｖよりもはるかに
小さい。これは、図８におけるテスト記録パターンの記
録マークの成分が隣接トラックの反転テスト記録パター
ンからのクロストークによって低減されたためである。
そして記録光量を上げるに従って記録マークの幅が広く
なり、さらにクロストークも減少する。これにより信号
振幅は次第に増加し、図７の信号振幅Ｖに近づく。テス
ト記録パターンの記録幅の端部と、隣接トラックの反転
テストパターン記録幅の端部が接するとき、信号振幅は
最大となる。さらに記録光量を上げると、次第にテスト
記録パターンの記録マークの端部が削られ、さらに隣接
トラックの記録マークの幅が広くなり、信号振幅Ｖ’は
大きく減少する。信号振幅Ｖ’が最大となる記録光量で
は、記録マークの幅は最も広く、さらに隣接トラックか
らのクロストークが最も小さい。上記のように、隣接ト
ラックに反転テスト記録パターンを記録することによ
り、図６の方法による信号振幅Ｖに比べて、信号振幅
Ｖ’の変化量が大きくなり、信号振幅の最大値を高感度
で検出できる。
【００３０】なお、図７における最大値を求める方法の
代わりに、信号振幅が所定値を横切るときの２つの記録
光量の中心値を求める方法を使用しても構わない。これ
によって、同様に記録光量の最適値を求めることができ
る。
代わりに、信号振幅が所定値を横切るときの２つの記録
光量の中心値を求める方法を使用しても構わない。これ
によって、同様に記録光量の最適値を求めることができ
る。
【００３１】再び図４を用いて、記録光量の制御を行う
ための装置を説明する。まず、テスト記録パターンの記
録時は、ＣＰＵ４６から制御命令ｃ３が記録光量設定回
路５０に送られ、記録光量制御信号ｐ２が出力される。
このとき、上述した最適な再生光量を基準にして、所定
の係数倍の記録光量が設定される。この信号ｐ２は、Ｃ
ＰＵ４６からのスイッチ命令ｃ２に基づいてスイッチ回
路４８を介して駆動回路４７に送られ、駆動電流ｆによ
り半導体レーザー４１から強いレーザビームｂ１が光磁
気ディスク４０に照射される。同時にＣＰＵ４６からは
制御命令ｃ４がパターン発生回路５３に送られ、図８に
示したテスト記録パターンと反転テスト記録パターンの
記録信号ｇが発生される。この記録信号ｇは駆動回路５
２に送られ、駆動電流ｈによって磁気ヘッド５１から記
録磁界が発生され、光磁気ディスク４０にテスト記録パ
ターンと反転テスト記録パターンを記録する。
ための装置を説明する。まず、テスト記録パターンの記
録時は、ＣＰＵ４６から制御命令ｃ３が記録光量設定回
路５０に送られ、記録光量制御信号ｐ２が出力される。
このとき、上述した最適な再生光量を基準にして、所定
の係数倍の記録光量が設定される。この信号ｐ２は、Ｃ
ＰＵ４６からのスイッチ命令ｃ２に基づいてスイッチ回
路４８を介して駆動回路４７に送られ、駆動電流ｆによ
り半導体レーザー４１から強いレーザビームｂ１が光磁
気ディスク４０に照射される。同時にＣＰＵ４６からは
制御命令ｃ４がパターン発生回路５３に送られ、図８に
示したテスト記録パターンと反転テスト記録パターンの
記録信号ｇが発生される。この記録信号ｇは駆動回路５
２に送られ、駆動電流ｈによって磁気ヘッド５１から記
録磁界が発生され、光磁気ディスク４０にテスト記録パ
ターンと反転テスト記録パターンを記録する。
【００３２】なお、上記の最適な再生光量は、光磁気デ
ィスクの熱容量や、環境温度の変化に追従した値であ
る。したがってこの値に基づいて記録光量の設定を行え
ば、記録光量の設定範囲も光ディスクの熱容量や、環境
温度の変化に追従する。したがって、最大光量によって
光磁気ディスクの温度が過度に上昇することが無く、熱
破壊を防止することができる。
ィスクの熱容量や、環境温度の変化に追従した値であ
る。したがってこの値に基づいて記録光量の設定を行え
ば、記録光量の設定範囲も光ディスクの熱容量や、環境
温度の変化に追従する。したがって、最大光量によって
光磁気ディスクの温度が過度に上昇することが無く、熱
破壊を防止することができる。
【００３３】次に、テスト記録パターンからの再生信号
ｒ２の振幅検出について説明する。ＣＰＵ４６からは制
御命令ｃ５が再生光量設定回路４９に送られ、上述の最
適な再生光量に設定される。またスイッチ命令ｃ２がス
イッチ回路４８に送られ、再生光量設定回路４９からの
再生光量制御信号ｐ１がスイッチ回路４８を介して駆動
回路４７に送られる。この回路から出力された駆動電流
ｆにより半導体レーザー４１から最適な再生光量のレー
ザビームｂ１が光磁気ディスク４０に照射される。読み
出し信号ｒ２から生成された外部クロックｃをパターン
発生回路５３に送ることにより、これに同期してテスト
記録パターンと反転テスト記録パターンを記録する。ま
た、Ａ／Ｄ変換器４４から出力された読み出し信号ｄは
ＣＰＵ４６に送られ、信号振幅を検出する。
ｒ２の振幅検出について説明する。ＣＰＵ４６からは制
御命令ｃ５が再生光量設定回路４９に送られ、上述の最
適な再生光量に設定される。またスイッチ命令ｃ２がス
イッチ回路４８に送られ、再生光量設定回路４９からの
再生光量制御信号ｐ１がスイッチ回路４８を介して駆動
回路４７に送られる。この回路から出力された駆動電流
ｆにより半導体レーザー４１から最適な再生光量のレー
ザビームｂ１が光磁気ディスク４０に照射される。読み
出し信号ｒ２から生成された外部クロックｃをパターン
発生回路５３に送ることにより、これに同期してテスト
記録パターンと反転テスト記録パターンを記録する。ま
た、Ａ／Ｄ変換器４４から出力された読み出し信号ｄは
ＣＰＵ４６に送られ、信号振幅を検出する。
【００３４】また、フォトダイオード４２、半導体レー
ザ４１と磁気ヘッド５１は破線で囲まれたピックアップ
５５に備えられている。ＣＰＵ４６からは制御命令ｃ１
がピックアップ駆動装置５４に送られ、図３に示したト
ラックＴｒ（ｎ）、隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ
（ｎ＋１）に光ビームｂ１を移動して照射する。
ザ４１と磁気ヘッド５１は破線で囲まれたピックアップ
５５に備えられている。ＣＰＵ４６からは制御命令ｃ１
がピックアップ駆動装置５４に送られ、図３に示したト
ラックＴｒ（ｎ）、隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ
（ｎ＋１）に光ビームｂ１を移動して照射する。
【００３５】ＣＰＵ４６は、制御命令ｃ３によって記録
光量を順次増加させ、制御命令ｃ１によってトラックと
隣接トラックに光ビームを移動しながら、制御命令ｃ４
によってテスト記録パターンと反転テスト記録パターン
を記録する。そして記録光量毎の読み出し信号振幅ｄを
順次記憶し、この値が最大となる記録光量を最適な記録
光量に決定する。なお、上述のようにテスト記録パター
ンの検出時に、最適な再生光量に設定する場合を示した
が、隣接トラックのクロストークやクロスイレーズをよ
り感度良く検出するには、再生層に発生するアパーチャ
を記録マークの幅方向へさらに広げる方がよい。このた
め、テストパターンの検出時のみ最適な再生光量から所
定の値だけ再生光量を増加させる方がよい。このときの
増加の割合は５％〜２０％が望ましい。
光量を順次増加させ、制御命令ｃ１によってトラックと
隣接トラックに光ビームを移動しながら、制御命令ｃ４
によってテスト記録パターンと反転テスト記録パターン
を記録する。そして記録光量毎の読み出し信号振幅ｄを
順次記憶し、この値が最大となる記録光量を最適な記録
光量に決定する。なお、上述のようにテスト記録パター
ンの検出時に、最適な再生光量に設定する場合を示した
が、隣接トラックのクロストークやクロスイレーズをよ
り感度良く検出するには、再生層に発生するアパーチャ
を記録マークの幅方向へさらに広げる方がよい。このた
め、テストパターンの検出時のみ最適な再生光量から所
定の値だけ再生光量を増加させる方がよい。このときの
増加の割合は５％〜２０％が望ましい。
【００３６】図９（ａ）は図４におけるクロック抽出回
路４５を説明する図（増幅器４３の構成は省略）であ
る。光磁気ディスク４０からの反射光ｂ２を２分割フォ
トディテクタ４２ａに入力する。２つの出力信号ｒ２ａ
とｒ２ｂを破線で囲まれたクロック抽出回路４５の差動
増幅器４５ａに入力する。これにより、良く知られてい
るプッシュプル方式のトラックエラー信号ｊを得る。こ
のトラックエラー信号ｊには後述する基準マークからの
読み出し信号が含まれており、この基準マークを検出す
るためにヒステリシスコンパレータ４５ｂにおいて接地
レベルと比較する。得られた基準マーク検出信号ｋをＰ
ＬＬ回路４５ｃに入力することにより、基準マークに同
期した外部クロックｃを出力する。
路４５を説明する図（増幅器４３の構成は省略）であ
る。光磁気ディスク４０からの反射光ｂ２を２分割フォ
トディテクタ４２ａに入力する。２つの出力信号ｒ２ａ
とｒ２ｂを破線で囲まれたクロック抽出回路４５の差動
増幅器４５ａに入力する。これにより、良く知られてい
るプッシュプル方式のトラックエラー信号ｊを得る。こ
のトラックエラー信号ｊには後述する基準マークからの
読み出し信号が含まれており、この基準マークを検出す
るためにヒステリシスコンパレータ４５ｂにおいて接地
レベルと比較する。得られた基準マーク検出信号ｋをＰ
ＬＬ回路４５ｃに入力することにより、基準マークに同
期した外部クロックｃを出力する。
【００３７】図９（ｂ）および（ｃ）は、図９（ａ）に
おけるクロック抽出回路４５の動作を説明する波形図で
ある。図９（ｂ）において、テスト記録パターンと反転
したテスト記録パターンはランド５９とグルーブ６０の
それぞれのトラックに記録される。ここでは説明の便宜
上、トラックＴｒ（ｎ）をグルーブ６０、トラックＴｒ
（ｎ−１）をランド５９とし、トラックＴｒ（ｎ＋１）
は省略する。トラックに沿った方向には基準マーク５８
とパターン記録領域５７が交互に繰り返し配置され、パ
ターン記録領域５７にはテスト記録パターンや反転した
テスト記録パターンの記録マーク５６が記録される。ラ
ンド５９とグルーブ６０に挟まれた側壁６２を周期的に
蛇行させることにより、光磁気ディスクの物理的な基準
位置を示すための消去不可能な基準マーク５８が刻設さ
れている。ランド５９とグルーブ６０に挟まれた側壁６
２のみ蛇行させ、反対の側壁６３と６４は蛇行させない
ことにより、トラックの直角方向に隣接する基準マーク
（図示せず）とのクロストークを低減する。この基準マ
ーク５８によって区切られた領域を単位としてパターン
記録領域５７が設けられている。
おけるクロック抽出回路４５の動作を説明する波形図で
ある。図９（ｂ）において、テスト記録パターンと反転
したテスト記録パターンはランド５９とグルーブ６０の
それぞれのトラックに記録される。ここでは説明の便宜
上、トラックＴｒ（ｎ）をグルーブ６０、トラックＴｒ
（ｎ−１）をランド５９とし、トラックＴｒ（ｎ＋１）
は省略する。トラックに沿った方向には基準マーク５８
とパターン記録領域５７が交互に繰り返し配置され、パ
ターン記録領域５７にはテスト記録パターンや反転した
テスト記録パターンの記録マーク５６が記録される。ラ
ンド５９とグルーブ６０に挟まれた側壁６２を周期的に
蛇行させることにより、光磁気ディスクの物理的な基準
位置を示すための消去不可能な基準マーク５８が刻設さ
れている。ランド５９とグルーブ６０に挟まれた側壁６
２のみ蛇行させ、反対の側壁６３と６４は蛇行させない
ことにより、トラックの直角方向に隣接する基準マーク
（図示せず）とのクロストークを低減する。この基準マ
ーク５８によって区切られた領域を単位としてパターン
記録領域５７が設けられている。
【００３８】図９（ｃ）〜（ｅ）に示すように、例えば
グルーブ６０を光スポット６１でトラッキングすると、
トラックエラー信号ｊには基準マーク５８、５８からの
読み出し信号が含まれる。これを２値化すると基準マー
ク検出信号ｋを得る。この信号をＰＬＬ回路４５ｃに入
力することにより、基準マーク５８に同期した外部クロ
ックｃを得る。
グルーブ６０を光スポット６１でトラッキングすると、
トラックエラー信号ｊには基準マーク５８、５８からの
読み出し信号が含まれる。これを２値化すると基準マー
ク検出信号ｋを得る。この信号をＰＬＬ回路４５ｃに入
力することにより、基準マーク５８に同期した外部クロ
ックｃを得る。
【００３９】図１０は図１に示した記録光量の制御動作
を詳細に説明する流れ図である。まず、予め隣接トラッ
クＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に高い記録光量によ
り、反転テスト記録パターンを記録する（ｓ５）。この
とき上述の最適な再生光量Ｐｏに基づいて、記録光量を
（ａ＋ｂ）×Ｐｏに設定する。なお、ａ＞１、ｂ＞０で
ある。次に記録光量を低い初期値にａ×Ｐｏにセットす
る（ｓ６）。トラックＴｒ（ｎ）にテスト記録パターン
を記録する（ｓ７）。隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴ
ｒ（ｎ＋１）に同じ記録光量により反転テスト記録パタ
ーンを記録する（ｓ８）。再生光量を最適値Ｐｏから所
定量だけ増加させたｃ×Ｐｏにセットする（ｓ９）。な
お、ａ＞ｃ＞１である。これにより、隣接トラックから
のクロスイレーズやクロストークを感度良く検出する。
トラックＴｒ（ｎ）のテスト記録パターンを読み出し、
信号振幅を検出する（ｓ１０）。このとき、信号振幅と
記録光量を関連づけて記憶する（ｓ１１）。記録光量を
所定の増分だけ高くする（ｓ１２）。記録光量がテスト
範囲の上限値（ａ＋ｂ）×Ｐｏを超えたか判断する（ｓ
１３）。越えない場合はｓ７に戻って、再びテスト記録
パターンを記録する。越えた場合は、記憶した信号振幅
の中から最大値を探す（ｓ１４）。その時の記録光量を
最適記録光量に決定する（ｓ１５）。これにより、記録
光量は最適な再生光量Ｐｏを基準にして設定されるた
め、最大記録光量が過度に大きくなることはない。
を詳細に説明する流れ図である。まず、予め隣接トラッ
クＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に高い記録光量によ
り、反転テスト記録パターンを記録する（ｓ５）。この
とき上述の最適な再生光量Ｐｏに基づいて、記録光量を
（ａ＋ｂ）×Ｐｏに設定する。なお、ａ＞１、ｂ＞０で
ある。次に記録光量を低い初期値にａ×Ｐｏにセットす
る（ｓ６）。トラックＴｒ（ｎ）にテスト記録パターン
を記録する（ｓ７）。隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴ
ｒ（ｎ＋１）に同じ記録光量により反転テスト記録パタ
ーンを記録する（ｓ８）。再生光量を最適値Ｐｏから所
定量だけ増加させたｃ×Ｐｏにセットする（ｓ９）。な
お、ａ＞ｃ＞１である。これにより、隣接トラックから
のクロスイレーズやクロストークを感度良く検出する。
トラックＴｒ（ｎ）のテスト記録パターンを読み出し、
信号振幅を検出する（ｓ１０）。このとき、信号振幅と
記録光量を関連づけて記憶する（ｓ１１）。記録光量を
所定の増分だけ高くする（ｓ１２）。記録光量がテスト
範囲の上限値（ａ＋ｂ）×Ｐｏを超えたか判断する（ｓ
１３）。越えない場合はｓ７に戻って、再びテスト記録
パターンを記録する。越えた場合は、記憶した信号振幅
の中から最大値を探す（ｓ１４）。その時の記録光量を
最適記録光量に決定する（ｓ１５）。これにより、記録
光量は最適な再生光量Ｐｏを基準にして設定されるた
め、最大記録光量が過度に大きくなることはない。
【００４０】図１１は上記の記録条件制御方法において
使用される光磁気ディスクのトラック位置を説明する図
である。光磁気ディスク４０のリードイン領域の一部６
５に記録条件制御用のトラック領域が設けられる。この
とき、隣接して複数のトラックが割り当てられるが、ラ
ンド／グルーブ記録の場合はランドやグルーブに限らず
連続する複数の隣接トラックが割り当てられる。この領
域には少なくとも、外部クロックを発生するための基準
マークと、パターン記録領域が複数の連続するトラック
に設けられる。そして、リードイン領域のうち、ＴＯＣ
情報が記録された領域の再生を行い、記録されているこ
とが確認できた場合は、この情報の中に含まれる再生制
御パターンを読み出して、再生光量の制御を行う。次
に、記録条件制御用の領域に移動し、順次光量を変化さ
せながら、テスト記録パターンと反転テスト記録パター
ンを記録することにより、高感度で記録光量の最適値を
求める。
使用される光磁気ディスクのトラック位置を説明する図
である。光磁気ディスク４０のリードイン領域の一部６
５に記録条件制御用のトラック領域が設けられる。この
とき、隣接して複数のトラックが割り当てられるが、ラ
ンド／グルーブ記録の場合はランドやグルーブに限らず
連続する複数の隣接トラックが割り当てられる。この領
域には少なくとも、外部クロックを発生するための基準
マークと、パターン記録領域が複数の連続するトラック
に設けられる。そして、リードイン領域のうち、ＴＯＣ
情報が記録された領域の再生を行い、記録されているこ
とが確認できた場合は、この情報の中に含まれる再生制
御パターンを読み出して、再生光量の制御を行う。次
に、記録条件制御用の領域に移動し、順次光量を変化さ
せながら、テスト記録パターンと反転テスト記録パター
ンを記録することにより、高感度で記録光量の最適値を
求める。
【００４１】なお、以上の実施例では記録光量の最適値
を得るための方法について説明したが、記録磁界強度の
最適化についても同様に行うことができる。また、磁界
変調記録を例に挙げて説明したが、光変調記録において
も同様に記録マークの幅の変化を信号振幅によって検出
できるため、高感度で記録光量の最適値を求めることが
できる。
を得るための方法について説明したが、記録磁界強度の
最適化についても同様に行うことができる。また、磁界
変調記録を例に挙げて説明したが、光変調記録において
も同様に記録マークの幅の変化を信号振幅によって検出
できるため、高感度で記録光量の最適値を求めることが
できる。
【００４２】
【発明の効果】請求項１記載の光記憶装置における記録
条件制御方法によれば、まず最適な再生条件は光磁気デ
ィスクの熱容量や、環境温度の変化に追従する。次に、
この最適な再生条件に基づいて記録条件の制御を行え
ば、記録光量の設定範囲が光ディスクの熱容量や、環境
温度の変化に追従する。したがって、光磁気ディスクの
温度が過度に上昇することが無く、熱破壊を防止するこ
とができる。
条件制御方法によれば、まず最適な再生条件は光磁気デ
ィスクの熱容量や、環境温度の変化に追従する。次に、
この最適な再生条件に基づいて記録条件の制御を行え
ば、記録光量の設定範囲が光ディスクの熱容量や、環境
温度の変化に追従する。したがって、光磁気ディスクの
温度が過度に上昇することが無く、熱破壊を防止するこ
とができる。
【００４３】請求項２記載の光記憶装置における記録条
件制御方法によれば、記録された信号を再生することに
より、記録膜の近傍の熱容量や周囲温度に正確に追従し
た最適な再生光量を得ることができる。このため、この
再生光量に基づいて記録条件の制御を行えば、記録光量
の設定範囲が記録膜近傍の熱容量や、周囲温度の変化に
正確に追従する。
件制御方法によれば、記録された信号を再生することに
より、記録膜の近傍の熱容量や周囲温度に正確に追従し
た最適な再生光量を得ることができる。このため、この
再生光量に基づいて記録条件の制御を行えば、記録光量
の設定範囲が記録膜近傍の熱容量や、周囲温度の変化に
正確に追従する。
【００４４】請求項３記載の光記憶装置における記録条
件制御方法によれば、既に求められた最適光量を用いて
テスト記録パターンを読み出すため、改めて再生光量を
制御する必要が無く、高速で記録光量の制御を終了する
ことができる。
件制御方法によれば、既に求められた最適光量を用いて
テスト記録パターンを読み出すため、改めて再生光量を
制御する必要が無く、高速で記録光量の制御を終了する
ことができる。
【００４５】請求項４記載の光記憶装置における記録条
件制御方法によれば、再生層に発生するアパーチャが記
録マークの幅方向へさらに広がる。すると、テスト記録
パターンの検出時に、隣接トラックのクロストークやク
ロスイレーズをより感度良く検出することができる。
件制御方法によれば、再生層に発生するアパーチャが記
録マークの幅方向へさらに広がる。すると、テスト記録
パターンの検出時に、隣接トラックのクロストークやク
ロスイレーズをより感度良く検出することができる。
【００４６】請求項５記載の光記憶装置における記録条
件制御方法によれば、記録条件制御時の読み出し信号の
最大値を高感度で検出し、記録条件の最適値を求める。
このとき、記録マークの幅は最も広いため信号量が大き
くなり、隣接トラックからのクロストークが最小とな
り、トラックの高密度化を実現できる。
件制御方法によれば、記録条件制御時の読み出し信号の
最大値を高感度で検出し、記録条件の最適値を求める。
このとき、記録マークの幅は最も広いため信号量が大き
くなり、隣接トラックからのクロストークが最小とな
り、トラックの高密度化を実現できる。
【００４７】請求項６記載の光記憶装置における記録条
件制御方法によれば、低い記録光量あるいは記録磁界強
度においても、クロストークによって読み出した信号量
の変化を大きくでき、読み出し信号の最大値を高感度で
検出し、記録条件の最適値を求める。
件制御方法によれば、低い記録光量あるいは記録磁界強
度においても、クロストークによって読み出した信号量
の変化を大きくでき、読み出し信号の最大値を高感度で
検出し、記録条件の最適値を求める。
【００４８】請求項７記載の光記憶装置における記録条
件制御方法によれば、トラックに記録するテスト記録パ
ターンと、隣接トラックに記録する反転テスト記録パタ
ーンを外部クロックによって正確に同期して記録し、ク
ロストークの発生を増大させて、信号振幅の変化を大き
くし、高感度で最適な記録条件を求める。
件制御方法によれば、トラックに記録するテスト記録パ
ターンと、隣接トラックに記録する反転テスト記録パタ
ーンを外部クロックによって正確に同期して記録し、ク
ロストークの発生を増大させて、信号振幅の変化を大き
くし、高感度で最適な記録条件を求める。
【図１】本発明の実施例における記録条件制御方法の動
作を説明する流れ図。
作を説明する流れ図。
【図２】図１における再生条件制御ステップの再生制御
パターンを示す図。
パターンを示す図。
【図３】図２における再生制御パターンの振幅比の変化
を示す図。
を示す図。
【図４】図１における記録条件制御方法を実現する装置
を示す図。
を示す図。
【図５】図１における再生条件制御ステップを詳細に説
明する流れ図。
明する流れ図。
【図６】図１における記録条件制御ステップのテスト記
録パターンを説明する図。
録パターンを説明する図。
【図７】図６における検出感度の再生光量依存性を測定
した図。
した図。
【図８】図６の方法よりも高感度な記録条件制御方法を
説明する図。
説明する図。
【図９】図６におけるクロック抽出回路を詳細に説明す
る図。
る図。
【図１０】図１における記録条件制御ステップを詳細に
説明する流れ図。
説明する流れ図。
【図１１】図４における光磁気ディスクを示す図。
【図１２】従来の記録条件制御方法を説明する図。
２０ 隣接トラックの反転テスト記録パターンの記録マ
ーク ２１ 高い記録光量の光ビーム ２２ テスト記録パターンの記録マーク ２３ 低い記録光量の光ビーム ４０ 光磁気ディスク ４１ 半導体レーザー ４２ フォトダイオード ４４ Ａ／Ｄ変換器 ４５ クロック抽出回路 ４６ ＣＰＵ ４９ 再生光量設定回路 ５０ 記録光量設定回路 ５１ 磁気ヘッド ５３ パターン発生回路
ーク ２１ 高い記録光量の光ビーム ２２ テスト記録パターンの記録マーク ２３ 低い記録光量の光ビーム ４０ 光磁気ディスク ４１ 半導体レーザー ４２ フォトダイオード ４４ Ａ／Ｄ変換器 ４５ クロック抽出回路 ４６ ＣＰＵ ４９ 再生光量設定回路 ５０ 記録光量設定回路 ５１ 磁気ヘッド ５３ パターン発生回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 7/00 Ｇ１１Ｂ 7/00 Ｍ Ｙ
Claims (7)
- 【請求項１】 情報が記録された光記録媒体に光を照射
し、読み出された再生信号を測定することにより最適な
再生条件に制御する再生条件制御ステップと、前記最適
な再生条件に基づいて記録条件の制御を行う記録条件制
御ステップを備えることを特徴とする光記憶装置におけ
る記録条件制御方法。 - 【請求項２】 前記再生条件制御ステップは、再生され
た信号の第１品質値を測定する第１ステップと、前記第
１品質値が所定値に近づくように最適な再生条件に制御
する第２ステップを備え、前記記録条件制御ステップ
は、前記最適な再生条件に基づいて光ビームの光量ある
いは外部印加磁界の強度を変化させることにより所定の
複数の記録条件に設定する第３ステップと、光記録媒体
にテスト記録パターンを記録する第４ステップと、前記
テスト記録パターンを読み出して、再生された信号の第
２品質値を測定する第５ステップと、前記記録条件と前
記第２品質値を関連づけて記憶する第６ステップと、記
憶した前記第２品質値の中から所定値に最も近いものを
探すことにより記録条件を決定する第７ステップとを備
えることを特徴とする請求項１記載の光記憶装置におけ
る記録条件制御方法。 - 【請求項３】 前記第５ステップは、前記第２ステップ
において得られた再生条件に基づいて前記テスト記録パ
ターンを読み出すことを特徴とする請求項２記載の光記
憶装置における記録条件制御方法。 - 【請求項４】 前記第５ステップは、前記第２ステップ
において得られた再生条件を所定量だけ増加させて前記
テスト記録パターンを読み出すことを特徴とする請求項
３記載の光記憶装置における記録条件制御方法。 - 【請求項５】 前記第４ステップは、光記録媒体の第１
トラックにテスト記録パターンを記録するステップと、
隣接する第２トラックに前記テスト記録パターンの反転
パターンを記録するステップとを備えることを特徴とす
る請求項２記載の光記憶装置における記録条件制御方
法。 - 【請求項６】 前記第４ステップは、前記第２トラック
に予め高めの前記記録光量あるいは記録磁界強度によっ
て前記反転パターンを記録するステップと、次に低めの
初期値から徐々に記録光量あるいは記録磁界強度を上げ
ながら、前記第１トラックにテスト記録パターンを記録
するステップと、再び第２トラックに反転パターンを記
録するステップとを備えることを特徴とする請求項２ま
たは５記載の光記憶装置における記録条件制御方法。 - 【請求項７】 予め所定の間隔で基準マークが記録され
た前記光記録媒体から、基準マーク信号を読み出し、こ
の信号に同期する外部クロックに基づいて前記第４ステ
ップにおける前記テスト記録パターンと反転パターンと
を記録することを特徴とする請求項５または６記載の光
記憶装置における記録条件制御方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31303097A JP3660114B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 光記憶装置における記録条件制御方法 |
| US09/190,329 US6310846B1 (en) | 1997-11-14 | 1998-11-12 | Method for controlling the recording conditions for a second mark using previously determined reproducing conditions for a first mark for optical memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31303097A JP3660114B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 光記憶装置における記録条件制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149678A true JPH11149678A (ja) | 1999-06-02 |
| JP3660114B2 JP3660114B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=18036378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31303097A Expired - Lifetime JP3660114B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 光記憶装置における記録条件制御方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6310846B1 (ja) |
| JP (1) | JP3660114B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN1114905C (zh) * | 1998-11-06 | 2003-07-16 | 松下电器产业株式会社 | 求光盘的记录脉冲条件的方法及装置 |
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