JP2001023254A - 光磁気記録テスト方法及び光磁気記録再生装置 - Google Patents

光磁気記録テスト方法及び光磁気記録再生装置

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JP2001023254A JP11189310A JP18931099A JP2001023254A JP 2001023254 A JP2001023254 A JP 2001023254A JP 11189310 A JP11189310 A JP 11189310A JP 18931099 A JP18931099 A JP 18931099A JP 2001023254 A JP2001023254 A JP 2001023254A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の記録テスト方法では磁壁移動型光磁気
媒体の最適記録パワーを正確に設定できない。 【解決手段】 光磁気ディスク１の所定テスト領域のＮ
トラックに記録パワーを変化させて第１の記録パターン
を記録し、Ｎトラックの両側のＮ±１トラックにそれぞ
れ記録パワーを変化させて第２の記録パターンを記録す
る。そして、Ｎトラックを再生して再生信号のパルス幅
に応じた信号値を検出し、信号値変化に基づいてクロス
ライトの発生する記録パワーを検出し、それに応じて最
適記録パワーを設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁壁移動再生用の
光磁気記録媒体の最適記録パワーを設定する光磁気記録
テスト方法及び光磁気記録再生装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体は、透明基板上に
絶縁膜を介して光磁気記録層及び反射膜等から成る多層
膜が形成されている。基板は射出成型等によりグルーブ
部間にランド部（凸部）が形成されている。一般に、光
磁気記録に於いてはランド部は情報を記録するデータ記
録領域、グルーブ部は光ビームのトラッキングを行うた
めの案内溝として用いられている。ところで、近年の情
報処理量の増大に伴い高密度記録が可能な光記録媒体が
要求されており、その要求に応えるべく狭トラックピッ
チ化が急速に進められている。現在においてはトラック
ピッチが０．７〜０．９μｍでの研究が進められ、更に
レーザの短波長化に伴い更なる狭トラックピッチ化の研
究が進められている。
【０００３】また、高密度記録の要求に伴い、グルーブ
を幅の広いグルーブとして形成し、ランド部のみならず
グルーブ内にも情報を書き込むといういわゆるランドグ
ルーブ型の光磁気記録媒体が開発されている。ランドグ
ルーブ型光磁気記録媒体の場合、ランド間或いはグルー
ブ間ピッチはランド（グルーブ）型に対して広く取れる
ために光ビームのサーボ系の制約が緩くなり、トラック
ピッチが０．４〜０．７μｍと更に狭トラック化が可能
である。
【０００４】このようにランド型狭トラックピッチにお
いては、グルーブ部は０．２μｍ〜０．３μｍと狭く、
また、ランドグルーブ記録に於いては、グルーブ部にも
情報が記録され、ランド部とグルーブ部との境界はラン
ド部とグルーブ部を形成する基材の斜面部しか存在しな
いため、斜面部を長く取るためにディープグルーブ化等
の研究も合せて進められている。
【０００５】とはいえ、隣接トラックのデータの破壊を
防ぐために、記録光のパワーを高精度に調整して記録ド
メインを各トラックを構成するランド部及びグルーブ部
内にそれぞれ最適な大きさで形成する必要がある。記録
パワーがオーバーパワーであると、ランド記録の場合は
ランド部に記録したドメインはグルーブを越えて隣接す
るランド部にまではみ出し、隣接するトラックに記録さ
れた情報を破壊するクロスライトが発生する。また、ラ
ンドグルーブ記録に於いてはランド部（またはグルーブ
部）に記録したドメインは境界の傾斜部を越えて隣接す
るグルーブ部（またはランド部）にまではみ出し、隣接
するトラックに記録された情報を破壊するクロスライト
が発生する。
【０００６】一方、光磁気記録はヒートモード記録であ
るため、同一記録条件で記録を行っても記録装置温度や
媒体温度の影響により記録磁区の大きさが変化してしま
う。このため、記録装置温度や媒体温度の影響を記録条
件にフィードバックしながら記録を行う必要がある。ま
た、光ヘッドの収差やデフォーカスに伴う光スポット形
状の違い、レーザ光源の特性の違い等による記録装置の
個体差、あるいは記録媒体の製造ばらつき等も記録条件
に大きく影響する。
【０００７】このようなクロスライトを防止する手法と
して、例えば、特開平１０−１３４３５４号公報に最適
記録光量を決定する手法が提案されている。同公報によ
ればまず、Ｎトラックに予め定めた記録光量でテストパ
ターンＡを記録し、Ｎ＋１トラック及びＮ−１トラック
にテストパターンＡの一部を挟むように種々の記録光量
でそれぞれテストパターンＢを記録する。そして、Ｎト
ラックに記録されたデータのうち、テストパターンＢに
挟まれたテストパターンＡの部分からの再生信号と、テ
ストパターンＢに挟まれていないテストパターンＡの部
分からの再生信号との差をテストパターンＢの記録光量
毎に求め、テストパターンＢに挟まれたテストパターン
Ａの部分からの再生信号とテストパターンＢに挟まれて
いないテストパターンＡの部分からの再生信号との差が
所定の範囲内である場合のテストパターンＢを記録する
記録光量のうち最大記録光量を最適記録光量として決定
すると記載されている。ここで、再生信号の差は、Ｎト
ラックに相当するランド部またはグルーブ部において、
テストパターンＢに挟まれたテストパターンＡの再生信
号振幅と、テストパターンＢに挟まれていないテストパ
ターンＡの再生信号振幅との差、或いは各信号レベルの
標準偏差値、再生エラー率の差で比較する方法が採られ
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気記録
媒体等の光ディスクの線記録密度は、再生光学系のレー
ザ波長及び対物レンズの開口数に大きく依存する。即
ち、再生光学系のレーザ波長λと対物レンズの開口数Ｎ
Ａが決まるとビームウエストの径が決まるため、記録磁
区再生時の空間周波数は２ＮＡ／λ程度が検出可能な限
界となってしまう。従って、従来の光ディスクで高密度
化を実現するためには、再生光学系のレーザ波長を短く
し、対物レンズのＮＡを大きくする必要がある。しかし
ながら、レーザ波長や対物レンズの開口数の改善にも限
界があるため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫
し、記録密度を改善する技術が開発されている。
【０００９】例えば、本願出願人は、特開平６−２９０
４９６号公報において、磁気的に結合される再生層と記
録保持層とを有してなる多層膜の記録保持層に信号記録
を行い、且つ、加熱用光ビームの照射による温度勾配を
利用して記録保持層の記録データを変化させることなく
再生層の記録磁区の磁壁を移動させ、再生用光ビームの
反射光の偏向面の変化を検出することにより、光学系の
回折限界以下の記録磁区を再生する信号再生方法を提案
している。この方法によれば、再生信号振幅を低下させ
ることなく光学系の回折限界以下の周期の記録磁区が再
生可能となり、記録密度ならびに転送速度を大幅に向上
することが可能である。以下、この光磁気記録媒体を磁
壁移動型光磁気媒体という。
【００１０】このような磁壁移動型光磁気媒体を用いた
場合も、従来の光磁気記録媒体と同様にトラックピッチ
を狭トラック化することにより、高密度化の研究が進め
られている。この場合も、従来の光磁気記録媒体と同様
に狭トラック化、更にはランドグルーブ記録による狭ト
ラック化によるクロスライトの問題が存在し、クロスラ
イトを未然に防ぐための記録パワーの設定、あるいは記
録パワーの指標が必要となる。
【００１１】しかしながら、この磁壁移動型光磁気媒体
を使用した場合、特開平１０−１３４３５４号公報等に
よる従来の手法でクロスライトを検出しようとすると、
クロスライトが発生する時点に於いて、再生信号振幅の
変化はほとんど現れず、最適記録パワーを設定すること
ができなかった。図１１は従来手法を用いて磁壁移動型
光磁気媒体のクロスライトを検出した場合の結果を示す
図である。横軸は隣接トラックの（Ｎ±１トラック）の
記録パワー、縦軸はＮトラックの再生信号振幅、再生信
号ジッター、再生信号パルス幅を示している。図１１か
ら明らかなようにクロスライトが発生した時に再生信号
振幅に変化は現われていない。これは、磁壁移動型光磁
気媒体の再生原理が、磁壁移動層の記録磁区の磁壁を瞬
時に移動させることにより磁区の再生を行っており、再
生信号波形が矩形状の再生信号になるため、従来の光磁
気記録媒体の再生信号とは異なり、クロスライトによる
磁区幅の微妙な変化が再生信号レベル、再生信号振幅に
ほとんど現われないからである。
【００１２】また、再生エラー率を用いてクロスライト
の発生を検出すると、通常、光磁気記録再生装置に於い
て、再生信号のエラー率は再生信号自体のジッターに対
してある程度余裕を持たせた設計となっており、多少の
ジッターの悪化は直接再生エラー率に反映されない。し
かし、このジッターに対する装置の検出系の余裕度は装
置の再生信号処理系自体が持つジッターに個体差がある
ために、装置間のばらつきを持っている。
【００１３】更に、環境温度等の再生時の環境条件によ
り装置の再生信号処理系のジッターが変化し、装置間で
の再生レーザパワー、フォーカス・トラッキング状態等
の個体差が再生信号のＳ／Ｎに影響するために、光磁気
再生信号のジッターに対する装置検出系の余裕度は装置
間でばらつきを持ってしまう。従って、ある装置ではク
ロスライトによるエラー率の変化が認められない場合で
も、この装置で記録したトラックの隣接トラックを別の
装置で再生すると、エラー率が悪化することがあり、ク
ロスライトを正確に検出できなかった。このように従来
のクロスライトを防止する最適記録パワーの設定方法
を、磁壁移動型光磁気記録媒体に適用した場合、以上の
ような理由によりクロスライトの発生する記録パワーを
正確に検出できないという問題点があった。
【００１４】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、磁壁
移動型光磁気媒体に適用しうる最適記録パワーを設定す
るための光磁気記録テスト方法及び光磁気記録再生装置
を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、再生用
光ビームを照射し、記録磁区の磁壁を移動させて記録情
報を再生する磁壁移動型光磁気媒体に情報を記録するに
当たり、最適記録パワーを設定するための記録テスト方
法であって、前記光磁気媒体の所定テスト領域のＮトラ
ックに所定の記録パワー値或いは記録パワーを変化させ
て第１の記録パターンを記録するステップと、前記Ｎト
ラックの両側に隣接するＮ−１トラック及びＮ＋１トラ
ックにそれぞれ記録パワーを変化させて第２の記録パタ
ーンを記録するステップと、前記Ｎトラックを再生して
再生信号のパルス幅又はパルス幅に応じた信号値を検出
するステップと、検出されたパルス幅変化又は信号値変
化に基づいてクロスライトの発生する記録パワーを検出
するステップと、検出されたクロスライトの発生する記
録パワーに基づいて、最適記録パワーを設定するステッ
プとを含むことを特徴とする光磁気記録テスト方法によ
って達成される。
【００１６】また、本発明の目的は、少なくとも記録保
持層、スイッチング層、磁壁移動層を積層して成る磁壁
移動型光磁気媒体に記録用光ビームを照射しながら記録
磁界を印加することにより情報を記録し、前記光磁気媒
体に再生用光ビームを照射し、前記磁壁移動層の記録磁
区の磁壁を移動させて記録情報を再生する光磁気記録再
生装置において、前記光磁気媒体の所定テスト領域のＮ
トラックに所定の記録パワー値或いは記録パワーを変化
させて第１の記録パターンを記録する手段と、前記Ｎト
ラックの両側に隣接するＮ−１トラック及びＮ＋１トラ
ックにそれぞれ記録パワーを変化させて第２の記録パタ
ーンを記録する手段と、前記Ｎトラックを再生して再生
信号のパルス幅又はパルス幅に応じた信号値を検出する
手段と、検出されたパルス幅変化又はパルス幅に応じた
信号値変化に基づいてクロスライトの発生する記録パワ
ーを検出する手段と、検出されたクロスライトの発生す
る記録パワーに基づいて最適記録パワーを設定する手段
とを備えたことを特徴とする光磁気記録再生装置によっ
て達成される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の光磁
気記録再生装置の第１の実施形態の構成を示すブロック
図である。図１において、１は磁壁移動型光磁気媒体で
あるところの光磁気ディスクである。光磁気ディスク１
は透明基板２上に複数の層から成る光磁気記録層３、保
護膜４が形成されている。また、光磁気ディスク１はマ
グネットチャッキング等でスピンドルモータ（図示せ
ず）に回転自在に支持されている。光磁気ディスク１の
下面には、情報記録再生用の複数の光学素子から成る光
ヘッドが配置され、光磁気ディスク１の上面には、光磁
気ディスク１を挟んで磁気ヘッド１７が光ヘッドと対向
して配置されている。
【００１８】光ヘッドは、半導体レーザ７、コリメータ
レンズ８、ビームスプリッタ９、対物レンズ６、アクチ
ュエータ５、λ／２波長板１０、偏光ビームスプリッタ
１１、集光レンズ１２、フォトセンサ１３から成り、光
磁気ディスク１の半径方向に移動できるように構成され
ている。半導体レーザ７は半導体レーザドライバー（以
下、ＬＤドライバーという）１５で駆動され、半導体レ
ーザ７から発した光ビームはコリメータレンズ８で平行
化された後、ビームスプリッタ９に入射する。この入射
光束はビームスプリッタ９を透過し、対物レンズ６で絞
られ、光磁気ディスク１上に微小光スポットとして照射
される。
【００１９】光磁気ディスク１上に照射された光スポッ
トは一部が光磁気ディスク面で反射され、この反射光は
再び対物レンズ６を通り、更にビームスプリッタ９、λ
／２板１０を経由して偏光ビームスプリッタ１１に入射
する。入射光束は偏光ビームスプリッタ１１で偏光方向
に応じて２つの光束に分離され、それぞれ集光レンズ１
２、１２を介してフォトセンサ１３、１３で検出され
る。フォトセンサ１３、１３の出力信号は、差動増幅回
路１４で差動検出され、光磁気再生信号として出力され
る。
【００２０】また、光磁気ディスク１からの反射光に基
づいて図示しない制御光学系、サーボ誤差信号検出回路
によりフォーカス誤差信号、トラッキング誤差信号が生
成される。サーボ制御回路（図示せず）ではフォーカス
誤差信号、トラッキング誤差信号をもとにアクチュエー
タ（フォーカス、トラッキングアクチュエータ）５を駆
動し、対物レンズ６をフォーカス方向及びトラッキング
方向に変位させることにより光ヘッドから照射された光
スポットが回転している光磁気ディスク１の記録層３に
焦点を結ぶように、目的トラックに追従して走査するよ
うにフォーカス制御とトラッキング制御を行う。
【００２１】磁気ヘッド１７は記録動作時に光磁気ディ
スク１の光スポット照射部位に記録信号に応じて変調さ
れた磁界を印加する記録ヘッドである。磁気ヘッド１７
は光ヘッドの対物レンズ６と光磁気ディスク１を挟んで
対向配置されている。情報記録時には光ヘッドから記録
パワーのＤＣ光による光スポットが光磁気ディスク１に
照射され、同時に磁気ヘッド１７から光スポット照射部
位に記録信号に対応して極性が変化する記録磁界が印加
され、いわゆる磁界変調方式による情報の記録を行う。
磁気ヘッド１７は光ヘッドと連動して光磁気ディスク１
の半径方向に移動でき、光磁気ディスク１の所望のトラ
ックにアクセスできるように構成されている。なお、記
録方式としては磁界変調方式に限ることなく、例えば、
記録光をパルス照射するパルスアシスト磁界変調方式等
であってもよい。
【００２２】ＨＰＦ（ハイパスフィルタ）１９は光磁気
再生信号の複屈折、インバランス等から発生するＤＣ成
分を除去する高域通過フィルタ、エンベロープ検波回路
２０は光磁気再生信号のエンベロープを検出する回路で
ある。エンベロープ検波回路２０はピーク検波回路とボ
トム検波回路から成っている。センター検出回路２１は
エンベロープの中心電圧を検出する回路であり、ピーク
検波電圧とボトム検波電圧を等分圧することにより再生
信号振幅の中心電圧を検出する。Ａ／Ｄ変換回路２２は
コントローラ１６からのサンプリング制御信号に基づい
てセンター検出回路２１の出力信号をサンプリングし、
デジタル化してコントローラ１６に出力する。これらの
ＨＰＦ１９、エンベロープ検波回路２０、センター検出
回路２１、Ａ／Ｄ変換回路２２は、光磁気ディスク１の
最適記録パワーを決定するための記録テストに用いられ
る。
【００２３】コントローラ１６は装置内の各部を制御す
る制御回路であり、通常の記録再生動作時は入力された
光磁気ディスク１の回転数、記録半径位置、記録セクタ
情報等の入力情報に基づいて光ヘッドや磁気ヘッド１７
のシーク制御を行い、且つ、再生パワーや記録パワー制
御信号をＬＤドライバー１５に出力し、記録信号を磁気
ヘッドドライバー１８に出力して光磁気ディスク１への
情報の記録再生動作の制御を行う。また、コントローラ
１６はテスト記録動作時にはテスト記録領域における記
録パターンや記録パワーの制御、Ａ／Ｄ変換回路２２の
サンプリング制御、テスト記録のシーケンス制御、テス
ト記録結果の演算解析等を行う。テスト記録方法につい
ては詳しく後述する。
【００２４】次に、光磁気ディスク１として磁壁移動型
光磁気媒体を用いているが、この光磁気媒体における磁
壁移動再生動作を図２に基づいて説明する。なお、光磁
気ディスク１の記録層としては、記録磁区を保存する記
録保持層、磁壁が移動して再生信号に直接寄与する磁壁
移動層、記録保持層と磁壁移動層の間に設けられ、２つ
の層結合状態をスイッチングするスイッチング層の３層
構造の場合を例として説明する。図２（ａ）は光磁気媒
体上の磁区を示す模式図、図２（ｂ）は記録膜の状態
図、図２（ｃ）は光磁気媒体の温度状態図、図２（ｄ）
は再生信号波形を示している。
【００２５】まず、情報再生時には、図２（ａ）に示す
ように光ヘッドからの光ビームの照射により媒体の磁壁
移動層の磁壁が移動する温度条件Ｔｓ以上に加熱され
る。この時、図２（ｂ）に示すようにスイッチング層は
温度Ｔｓより低い温度領域では記録保持層、及び磁壁移
動層とに交換結合した状態となっている。光磁気媒体が
光ビームの照射により温度Ｔｓ以上に加熱されると、ス
イッチング層はキュリー点温度に達し、磁壁移動層と記
録保持層との交換結合が切断される。このため、Ｔｓ温
度境界に記録マークの磁壁が到達すると同時に磁壁移動
層の磁壁は磁壁移動層の温度勾配に対してエネルギー的
に磁壁が安定して存在する位置、即ち、光ビーム照射に
よる温度上昇の綿密度方向の最高温度点にランド部を横
切るように瞬時に移動する。
【００２６】また、Ｔｓ温度境界は光ビーム進行方向の
前方のみならず、光ビーム進行方向後方にも存在する。
従って、この光ビーム後方のＴｓ温度境界に於いて磁壁
移動層への磁区の転写と同時に磁壁移動が発生し、この
磁壁移動現象により光ビーム前方での磁壁移動信号と同
様に再生信号が発生し、光ビーム前方における磁壁移動
現象により発生する再生信号に重畳された形で再生信号
が発生する。但し、現在においては、この現象は媒体の
改良により改善され、光ビーム進行方向後方からの磁壁
移動現象を抑制する媒体の開発がなされている。従っ
て、ここでは光ビーム進行方向前方からの磁壁移動のみ
が発生するものとして説明する。このような再生原理に
より、図２（ｂ）に示す記録保持層に記録された磁区パ
ターンは記録磁区パターンを忠実に再現した図２（ｄ）
に示すような再生信号波形となる。また、この再生信号
波形は磁壁移動層の急峻な磁壁移動現象による偏向方向
の変化によって検出される光磁気信号であるために、従
来の正弦波状の波形とは異なり、矩形状の再生信号とな
る。
【００２７】次に、この磁壁移動型光磁気媒体のクロス
ライト時に於ける特有な現象に関して説明する。まず、
磁壁移動型光磁気媒体のＮトラックに所定の記録パワー
で磁区パターンを記録し、光ビームパワーを変化させな
がら種々のパワーで、それに隣接するＮ−１トラック、
Ｎ＋１トラックの両方を消去すると、Ｎトラックに記録
した磁区パターンの再生信号の振幅、エッジジッター、
及び、再生信号パルス幅は、Ｎ−１トラック、Ｎ＋１ト
ラックの消去パワーに対して図１１に示すような変化を
示す。
【００２８】ここで注目すべきは、隣接するＮ−１トラ
ック、Ｎ＋１トラックの消去パワーに対して再生信号振
幅、更にはジッター特性に比べ、再生信号のパルス幅が
最も速く変化している点である。即ち、隣接するＮ−１
トラック、Ｎ＋１トラックにＤＣ成分の大きな記録磁区
パターン、例えば、消去状態というような磁区パターン
を形成することにより、この隣接トラックに記録する磁
区のクロスライトにより、Ｎトラックに記録された磁区
の再生信号のパルス幅変化が現われる。本実施形態で
は、このクロスライト時に発生する磁壁移動型光磁気媒
体特有のパルス幅変化を検出し、クロスライトの発生す
る記録パワーを検出することにより最適記録パワーを設
定するものである。
【００２９】次に、磁壁移動光磁気媒体における基本的
な記録動作を図３を参照して説明する。図３（ａ）は記
録信号、図３（ｂ）は記録パワー、図３（ｃ）は変調磁
界、図３（ｄ）は記録マーク列である。図３（ａ）に示
すような記録信号を記録する場合、コントローラ１６は
記録動作開始とともにＬＤドライバー１５を制御し、光
パワーを図３（ｂ）に示すように所定の記録パワーとす
る。また、記録信号を磁気ヘッドドライバー１８に送
り、磁気ヘッド１７から図３（ｃ）の変調磁界を印加す
る。これらの動作により記録媒体の冷却過程において図
３（ｄ）の記録マーク列が媒体上に記録される。なお、
図３（ｄ）の斜線部は互いに逆の磁化の向きを持つ磁区
を表している。
【００３０】次に、図１の装置の最適記録パワーを設定
するための光磁気記録テスト方法を図４のフローチャー
トを参照して説明する。図４において、まず、コントロ
ーラ１６は、変数ｋをｋ＝０に設定し、記録パワーの初
期値Ｐ0 を所定値に設定し、記録パワーの変化分ΔＰを
所定値に設定する（Ｓ１０１）。記録パワーの初期値Ｐ
0 としては、例えば、装置に規格化されている基準レー
ザパワーＰ0 を用いるものとする。また、ΔＰ＝＋ΔＰ
とし、記録パワーをΔＰづつ増加するように設定する。
次いで、コントローラ１６はＬＤドライバー１５、磁気
ヘッドドライバー１８を制御し、光磁気ディスク１の予
め決められたテスト領域に前述のような記録方法により
記録を行う（Ｓ１０２）。記録テスト領域としては、デ
ィスク１周にわたる領域は必ずしも必要ないものの３ト
ラック以上の領域が必要である。また、記録パターンと
しては、クロスライトによる再生信号の定量のパルス幅
変化によりデューティー変動がより大きく現われるパタ
ーン、即ち、再生信号のＤＣ成分により大きな変化が現
われるパターンが望ましい。従って、本実施形態では、
Ｎトラックに記録する記録パターンとして、例えば、記
録符号の最短マークの繰り返しパターンを用いるものと
する。
【００３１】このようにしてＳ１０２においてＮトラッ
クのテスト領域ＳK にこの記録パターンを記録パワーＰ
K ＝Ｐ0 ＋ΔＰ×ｋで記録を行う。この時は、ｋ＝０で
あるため、記録パワーはＰ0 である。記録する長さとし
ては、例えば、１セクタとする。光磁気ディスク１の各
トラックは複数のセクタに分割されているので、記録領
域ＳK の先頭セクタＳ0 に記録パワーＰK で記録を行
う。セクタＳ0 の記録を終了すると、ｋ＝ｎ（ｎは自然
数）かどうかを判断し（Ｓ４０３）、この時はｎ＝０で
あるため、再度Ｓ１０２に戻ってＮトラックに記録を行
う。但し、ｋ＝ｋ＋１とし、Ｎトラックの次のセクタＳ
1 に同じ記録パターンで記録パワーＰK ＝Ｐ0 ＋ΔＰ×
ｋで記録を行う。つまり、記録パワーをΔＰだけ増加さ
せて次のセクタＳ1 に記録を行う。以下、Ｓ１０２〜Ｓ
１０３の処理を繰り返し行い、Ｎトラックのセクタ
Ｓ2 、Ｓ3 、…、に順に記録パワーをΔＰづつ増加させ
て記録を行い、Ｓ１０３でｋ＝ｎになったところでＮト
ラックへの記録を終了する。以上でＮトラックのセクタ
Ｓ0 〜Ｓn に最短磁区の繰り返しパターンが記録パワー
をΔＰづつ増加させて記録された状態となる。なお、Ｎ
トラックに記録する記録パワーは予め設定した所定記録
パワーであってもよい。
【００３２】Ｎトラックの記録を完了すると、Ｎトラッ
クの両側に隣接するＮ−１トラック及びＮ＋１トラック
に同様の記録を行う。記録パターンとしては、Ｎトラッ
クに記録した記録パターンの再生信号のパルス幅変化が
最も良く現われるパターンが望ましく、そのためには磁
区の存在しない消去パターンとするのが望ましい。本実
施形態では、Ｎ±１トラックに記録するパターンは磁区
のない消去パターンを用いるものとする。但し、磁気ヘ
ッドドライバー１８の都合等でＤＣ磁界を発生できない
時はＤＣ成分のより大きなパターン、例えば、記録符号
の最短マークと最長マークの繰り返しパターンを用いる
のがよい。このパターンを用いても再生信号のパルス幅
変化を検出することによりクロスライトの検出は可能で
ある。また、Ｎ±１トラックを消去する時の磁気ヘッド
１７の磁界強度は記録磁界強度と同じとし、更に、印加
磁界の向きはＮ＋１、Ｎ−１トラックで同じとする。Ｎ
＋１トラックとＮ−１トラックで共に印加磁界の極性を
逆にすると、それに応じてクロスライト時のパルス幅変
化が逆極性で現われる。
【００３３】Ｎ±１トラックを消去する場合、Ｓ１０４
でいずれか一方のトラック（例えばＮ−１トラック）の
記録領域ＳK の先頭セクタＳ0 を消去パワーＰK ＝Ｐ0
＋ΔＰ×ｋで消去を行う。消去パワーは、Ｎトラックの
場合の記録パワーと同様である。次いで、Ｓ１０５でｋ
＝ｎかどうかを判断し、この時はｋ＝０であるためＳ１
０４に戻ってｋ＝ｋ＋１に設定して次のセクタＳ1 の消
去を行う。即ち、消去パワーをΔＰだけ増加させて次の
セクタＳ1 の消去を行う。以下、Ｓ１０４〜Ｓ１０５を
繰り返し行い、Ｎ−１トラックのセクタＳ1 、Ｓ2 、…
を順に消去パワーをΔＰづつ増加させながら消去を行
い、ｋ＝ｎとなったところでＮ−１トラックの消去を終
了する。
【００３４】以上でＮ−１トラックのテスト領域ＳK の
セクタＳ0 〜Ｓn が消去パワーを順次ΔＰづつ増加して
消去された状態となる。Ｎ−１トラックの消去を終了す
ると、Ｎ＋１トラックに対して同様の消去を行う。即
ち、Ｎ＋１トラックのテスト領域ＳK のセクタＳ0 を消
去パワーの初期値Ｐ0 で消去する。次いで、次のセクタ
Ｓ1 を消去パワーをΔＰだけ増加して消去し、以下セク
タＳ2 〜Ｓn を順次消去パワーをΔＰづつ増加して消去
を行う。ここで、記録テスト領域のＮトラックとＮ±１
トラックのセクタＳ0 〜Ｓn は互いに隣接していて、各
トラックの隣接するセクタＳ0 〜Ｓn は同じパワーで記
録や消去された状態となる。なお、各トラックのテスト
領域は１トラック未満であり、これを考慮してｎの値を
設定する必要がある。
【００３５】消去を完了すると、コントローラ１６はＮ
トラックを再生してクロスライトの検出を行う。具体的
には、光ヘッドの光スポットを再生パワーとし、この再
生パワーの光スポットをＮトラックに走査してＮトラッ
クのテスト領域ＳK の先頭セクタＳ0 の再生を行い（Ｓ
１０６）、再生された光磁気再生信号の中心値ＶK の検
出を行う（Ｓ１０７）。中心値の検出は次のように行
う。まず、光磁気ディスク１の反射光から前述のように
差動増幅回路１４で光磁気再生信号が再生され、この光
磁気再生信号はＨＰＦ１９でＤＣ成分が除去された後、
エンベロープ検波回路２０でピーク値とボトム値が検出
される。センター検出回路２１ではピーク値とボトム値
の中心値を検出し、検出された値はＡ／Ｄ変換回路２２
によりコントローラ１６からのサンプリング制御信号に
応じてサンプリングされ、デジタル化されてコントロー
ラ１６に取り込まれる。中心値はセクタの複数の位置で
検出され、それぞれコントローラ１６に取り込まれる。
【００３６】中心値を検出すると、コントローラ１６は
複数回サンプリングされた中心値を平均化し、平均の中
心値ＶK をメモリに格納する。次いで、ＶK ＞所定値の
比較を行い、クロスライトが発生しているかどうかを判
断する（Ｓ１０８）。図５は再生信号からクロスライト
を検出する原理を示す図である。クロスライトが発生せ
ず、再生信号のパルス幅が正規の値である場合、再生信
号は図５（ａ）に示すようにデューティー５０％とな
り、中心値ＶK はリファレンスレベル（通常、ＧＮＤレ
ベル）に等しくなる。
【００３７】一方、Ｎトラックに隣接するＮ±１トラッ
クの消去パワーを増加させてクロスライトが発生する
と、前述のような磁壁移動型光磁気媒体の特有の現象に
より再生信号のパルス幅変化が発生し、デューティーの
変化が発生する。図５（ｂ）はクロスライトが発生した
場合の再生信号波形を示している。図５（ｂ）に示すよ
うにリファレンスレベルに対してピーク値、ボトム値が
非対称なレベルに変化し、リファレンスレベルと中心値
は異なる値を示している。従って、Ｎ±１トラックの記
録パワーに対するＮトラックの再生信号の中心電圧の絶
対レベルＶK を検出することにより、再生信号のデュー
ティー、即ち、再生信号のパルス幅変化を検出でき、こ
の検出値が所定値を越えるか否かによりクロスライトを
検出することが可能である。なお、図５（ｃ）はＮ±１
トラックに図５（ｂ）とは逆向きの消去磁界を印加した
場合の再生信号波形を示している。この場合は、中心値
ＶKはリファレンスレベルに対して図５（ｂ）の場合と
は逆極性となっていて、パルス幅の位相も反転した状態
となっている。この場合も、クロスライトの検出は可能
である。
【００３８】このようにしてＳ１０８でクロスライトの
発生を検出し、もし、セクタＳ0 でクロスライトが発生
していなければ、Ｓ１０９でｋ＝ｎの判断を行い、この
時はｋ＝０であるので、再度Ｓ１０６からの処理を行
う。即ち、Ｓ１０６〜Ｓ１０９の処理を繰り返し行い、
セクタ毎に中心電圧ＶK を検出し、それと所定値を比較
することによりクロスライトの発生の検出を行う。Ｎト
ラックのテスト領域ＳKのセクタＳ0 〜Ｓn には前述の
ように記録パワーをΔＰづつ変化させて記録パターンが
記録されているので、コントローラ１６はセクタ毎にＶ
K と所定値の比較を行い、ＶK ＞所定値であった時にそ
の記録パワーにおいてクロスライトが発生していると判
断する。例えば、セクタＳ3 （ｋ＝３）の再生信号でク
ロスライトが発生しているとすると、セクタＳ3 には記
録パワーＰK ＝Ｐ0 ＋ΔＰ×３で記録パターンが記録さ
れているので、それをクロスライトが発生する記録パワ
ーとして検出する。
【００３９】なお、Ｓ１０８ではＶK ＞所定値を判断し
てクロスライトの発生を検出しているが、この限りでは
ない。例えば、クロスライトが発生しない場合でも、も
ともと何らかの要因により再生信号のデューティーがず
れていることがある。このような場合は、記録パワー変
化に対する再生信号の中心値変化を検出し、例えば、記
録パワーＰ0 ＝Ｐ0 ＋ΔＰ×０での中心値Ｖ0 と、記録
パワーＰK ＝Ｐ0 ＋ΔＰ×ｋでの中心値ＶK によりΔＶ
K ＝｜ＶK −Ｖ0 ｜を求め、このΔＶK が所定値を越え
た場合にクロスライトが発生したと判断すれば、Ｎトラ
ックの初期状態でのデューティーずれは特に問題とはな
らず、クロスライトの発生する記録パワーを正確に検出
することができる。
【００４０】また、これ以外にも、｜ＶK −平均値［Ｖ
0 〜ＶK-1 ］｜＞所定値の判断を行うことによりクロス
ライトの発生を検出してもよい。即ち、現在のセクタの
中心値ＶK とそれ以前のセクタの平均値の差を求め、そ
れと所定値を比較することによりクロスライトの発生を
検出する。この方法によれば、パルス幅の変化量が小さ
い場合でも確実にクロスライトの発生を検出できる。
【００４１】ここで、もし、Ｓ１０８でクロスライトの
発生を検出しなければ、クロスライトが発生するには記
録パワーが不足している時である。この場合は、Ｓ１０
９に進んでｋ＝ｎかどうかを判断し、この時は、ｋ＝ｎ
となっているので、Ｓ１１０で記録パワーの初期値Ｐ0
＝Ｐ0 ＋ΔＰ×ｎとし、再度Ｓ１０２から同様の処理を
行う。即ち、記録パワーを更にΔＰだけ順次増加させて
Ｎトラックに記録、Ｎ±１トラックの消去を行い、その
後、Ｎトラックを再生して再生信号の中心値を検出し、
得られた中心値と所定値を比較することによりクロスラ
イトの発生を検出する。
【００４２】また、Ｓ１０８でクロスライトの発生を検
出した時に記録パワーの初期値Ｐ0で既にクロスライト
が発生している場合は、実際にクロスライトの発生する
記録パワーはもっと低い記録パワーである。従って、こ
の場合は、Ｓ１０１で記録パワーの初期値をセクタのｎ
個分（ΔＰ×ｎ）だけ低い値、即ち、Ｐ0 ＝Ｐ0 −ΔＰ
×ｎとして再度Ｓ１０２〜Ｓ１０８の処理を行う。ま
た、記録パワーを初期値Ｐ0 からセクタ毎にΔＰづつ減
らしながら記録や消去を行ってもよい。但し、この場合
は、記録パワーの初期値Ｐ0 に対する再生信号の中心値
は既にクロスライトの影響を受けているため、Ｓ１０８
でクロスライトの発生を検出する時は現在のセクタの中
心値ＶK と１つ前のセクタの中心値ＶK-1 から、ΔＶK
＝｜ＶK −ＶK-1 ｜を求め、ΔＶK ＞所定値を判断して
クロスライトの発生を検出するのがよい。
【００４３】Ｓ１０８でクロスライトの発生を検出する
と、ｋの値から最適記録パワーの設定を行う（Ｓ１１
１）。即ち、クロスライトの発生しない上限の記録パワ
ー、つまりクロスライトの発生した記録パワーよりもΔ
Ｐだけ小さい記録パワーＰK-1＝Ｐ0 ＋ΔＰ×（ｋ−
１）（但し記録パワーを減少させた場合（ΔＰ＜０）
は、ＰK+1 ＝Ｐ0 ＋ΔＰ×（ｋ＋１））を最適記録パワ
ーとしてメモリに格納する。また、このクロスライトの
発生しない上限の記録パワーに所定の係数をかけた値を
最適記録パワーとしてもよい。以上で記録テストを終了
し、光磁気ディスク１に情報を記録する時はメモリに格
納された最適記録パワーを用いて情報の記録を行う。な
お、図４の記録テストは、例えば、光磁気ディスク１が
装置に挿入された時、ディスクが挿入されている際に一
定時間毎、ディスク１のゾーン毎、装置内温度変化が一
定値を越えた時等に行う。
【００４４】図６はＮ±１トラックの消去パワー変化に
対するＮトラックの再生信号振幅、エッジジッター、パ
ルス幅変化を測定した結果を示している。図６から明ら
かなように再生信号振幅やエッジジッターに対してパル
ス幅が最も早く変化し、しかもクロスライトが発生する
までパルス幅は変化せずほぼ一定となっている。このよ
うに記録方式が磁界変調方式である場合、記録光ビーム
がＤＣ光、パルス光に拘わらず再生信号のパルス幅は記
録パワーに関係なく一定値をとるために、Ｎトラックの
記録パワーを隣接トラックの記録パワーと同様に変化さ
せることができる。これにより、クロスライトを除いた
条件の記録パワーの値（再生信号のデューティーを５０
％とするような条件）が決定されていない場合でも、ク
ロスライトに関して記録テストを実行でき、更に、クロ
スライトの発生する記録パワーの上限を考慮して最適記
録パワーを設定することができる。
【００４５】また、図７はＮ±１トラックに最短マーク
と最長マークの繰り返しパターン（２Ｔと８Ｔの繰り返
しパターン）を記録した場合のＮ±１トラックの記録パ
ワー変化に対するＮトラックの再生信号振幅、エッジジ
ッター、パルス幅変化の測定結果を示している。この場
合も、クロスライトの発生に対してパルス幅変化が最も
早く現われ、最短マークと最長マークの繰り返しパター
ンを用いた場合もパルス幅変化を検出することによりク
ロスライトの検出が可能である。
【００４６】図８は本発明の第２の実施形態の構成を示
すブロック図である。なお、図８では図１と同一部分は
同一符号を付して説明を省略する。第１の実施形態では
再生信号のピーク値とボトム値の中心値を検出し、これ
と所定値を比較することにより再生信号のパルス幅変化
を検出し、クロスライトの発生を検出しているが、本実
施形態では再生信号の信号処理に用いられるチャージポ
ンプの出力電圧を検出し、これと所定値を比較すること
によりクロスライトの発生を検出する。図８において、
差動増幅回路１４から出力された光磁気再生信号はエン
ベロープ検波回路２０、２値化回路２３に出力される。
エンベロープ検波回路２０は複屈折等による光磁気再生
信号のインバランスによるＤＣ変動の影響を除去し、常
に光磁気再生信号を振幅中心値で２値化することを目的
としている。エンベロープ検波回路２０では再生信号の
ピーク値とボトム値が検出され、センター検出回路２１
でその中心値が検出される。
【００４７】２値化回路２３では得られた中心値をしき
い値として光磁気再生信号を２値化し、ＰＬＬ回路２４
では２値化再生信号から同期クロックを生成する。この
場合ＰＬＬ回路２４は２値化再生信号の立ち上がり、立
ち下がりエッジのいずれかの片エッジへの位相同期をと
り、同期クロックをデューティー５０％で発生する。位
相比較器２５はこの同期クロックと２値化再生信号の位
相を比較し、位相差を示す信号を出力する。なお、ここ
ではＰＬＬをロックさせたエッジの逆エッジと同期クロ
ックとの位相を比較するものとする。チャージポンプ２
６は位相比較器２５の出力を電圧に変換し、ＬＰＦ（ロ
ーパスフィルタ）２７に出力する。ＬＰＦ２７の出力は
Ａ／Ｄ変換回路２２でコントローラ１６からのサンプリ
ング制御信号に応じてサンプリングされ、デジタル化さ
れてコントローラ１６に取り込まれる。なお、その他の
構成は図１と同じである。
【００４８】次に、図８の装置の記録テスト方法を図９
のフローチャートを参照して説明する。なお、図９の記
録テスト方法はＳ１０７以外は図４と全く同様である。
同一処理については簡単に説明する。図９において、ま
ず、Ｓ１０１でｋ＝０、記録パワーの初期値Ｐ0 の設
定、ΔＰ＝＋ΔＰの設定を行い、Ｓ１０２，Ｓ１０３で
テスト領域ＳK のＮトラックのセクタＳ0 〜Ｓn に順次
セクタ毎に記録パワーをΔＰづつ増加させて記録パター
ンの記録を行う。記録パターンとしては、同様に最短マ
ークの繰り返しパターンを用いるものとする。次いで、
Ｓ１０４，Ｓ１０５でＮトラックに隣接するＮ±１トラ
ックのセクタＳ0 〜Ｓn に記録パワーをセクタ毎にΔＰ
づつ増加させて記録を行う。記録パターンとしては、消
去パターンを用いてもよいし、最短マークと最長マーク
の交互の繰り返しパターンを用いてもよい。また、Ｎト
ラックの記録パワーは一定であってもよい。
【００４９】記録を終了すると、Ｓ１０６〜Ｓ１０９の
処理を繰り返し行い、Ｎトラックのテスト領域ＳK を再
生し、チャージポンプ２６の出力電圧ＶK を検出し、そ
れと所定値を比較することでセクタ毎にクロスライトの
発生を検出する。この場合、チャージポンプ２６の出力
電圧はコントローラ１６からのサンプリング制御信号に
応じてＡ／Ｄ変換回路２２により取り込まれる。また、
Ｎトラックのテスト領域ＳK のセクタＳ0 〜Ｓn 毎に複
数回取り込まれ、コントローラ１６ではセクタ毎に平均
化し、セクタＳ0 〜Ｓn 毎にチャージポンプ２６の平均
出力電圧ＶK を算出する。また、コントローラ１６はセ
クタ毎にチャージポンプ２６の出力電圧ＶK と所定値を
比較し、比較結果に基づいてクロスライトが発生してい
る記録パワーを検出する。
【００５０】図１０は図８の装置の各部の信号をクロス
ライトが発生している場合と発生していない場合で比較
して示している。図１０（ａ）は２値化回路２３の２値
化再生信号、図１０（ｂ）はＰＬＬ回路２４の同期クロ
ック、図１０（ｃ）は位相比較器２５の位相差信号、図
１０（ｄ）はチャージポンプ２６の出力信号である。ま
ず、クロスライトが発生していない状態では前述のよう
な再生信号のパルス幅変化は発生せず、図１０（ａ）の
ように２値化再生信号のデューティーは５０％である。
またこの信号の立ち上がりエッジでＰＬＬをかけて同期
クロックのデューティーを５０％とすると、図１０
（ｂ）に示すような同期クロックとなる。この２値化再
生信号と同期クロックの位相を位相比較器２５で比較す
ると、位相ずれは発生せず、図１０（ｃ）に示すように
位相比較器２５から位相差信号は出力されない。従っ
て、この場合は、図１０（ｄ）に示すようにチャージポ
ンプ２６の出力は変化せず、０レベルとなる。
【００５１】一方、クロスライトが発生すると、再生信
号のパルス幅変化が現われ、図１０（ａ）に示すように
２値化再生信号のパルス幅が変化し、５０％からデュー
ティーのずれた２値化再生信号が得られる。また、この
信号の立ち上がりエッジでＰＬＬをかけて同期クロック
のデューティーを５０％とすると、図１０（ｂ）のよう
な同期クロックが出力される。この同期クロックと２値
化再生信号の位相を比較すると、図１０（ｃ）のように
位相差に応じたパルス信号が出力され、これをチャージ
ポンプ２６でパルス幅−電圧変換すると、図１０（ｄ）
のように位相差に応じた電圧信号が得られる。
【００５２】このチャージポンプ２６の出力電圧値ＶK
は２値化再生信号のパルス幅と一意に対応していて、こ
の電圧値ＶK を検出することにより再生信号のパルス幅
変化を検出することができる。なお、ＰＬＬをかけるエ
ッジは立ち上がりに限ることなく、立ち下がりでもよ
い。また、片エッジでＰＬＬをかける理由は、片エッ
ジ、即ち、周期にＰＬＬをかけておけばパルス幅変化が
発生した場合でも周期変動は発生せず、ＰＬＬの制御誤
差の増加を回避できるためである。更に、通常の同期ク
ロック生成のためのＰＬＬ回路においては位相ずれの極
性が必要となるが、ここでは極性は問題とならず、位相
ずれ量のみが重要である。
【００５３】Ｓ１０８においてはこのような原理でクロ
スライト発生の検出を行い、チャージポンプ２６の出力
電圧値ＶK が所定値よりも大きいとクロスライトが発生
していると判断する。なお、この場合、チャージポンプ
２６の電圧値ＶK の絶対値又は絶対値ＶK の各記録パワ
ーに対する変化量ΔＶK を算出し、これらの値が所定値
を越えた時にクロスライトが発生したと判断する。コン
トローラ１６はＮトラックのセクタＳ0 〜Ｓn 毎にクロ
スライトが発生しているかどうかを判断する。もし、ク
ロスライトが発生していなければ、同様に記録パワーの
初期値をＰ0 ＝Ｐ0 ＋ΔＰ×ｎとして再度１０２からの
処理を行う。
【００５４】また、Ｓ１０８においてクロスライトの発
生を検出した場合、記録パワーの初期値Ｐ0 で既にクロ
スライトが発生している時は、同様に記録パワーの初期
値を一定量低下させてＰ0 ＝Ｐ0 −ΔＰ×ｎとして再度
Ｓ１０２からの処理を行う。また、再度Ｓ１０２から記
録パワーΔＰづつ減らしながら記録を行ってもよい。但
し、この場合は、Ｓ１０８でクロスライトの発生を検出
する時は、記録パワーの初期値Ｐ0 に対するチャージポ
ンプ２６の電圧値は既にクロスライトの影響を受けてい
るので、ΔＶK ＝｜ＶK −ＶK-1 ｜と所定値を比較する
ことによりクロスライトが発生しているかどうかを判断
する。
【００５５】また、Ｓ１０８で記録パワーの初期値以上
でクロスライトが発生していれば、クロスライトの発生
している記録パワーのｋの値に基づいて最適記録パワー
の設定を行う。即ち、クロスライトの発生しない上限の
記録パワーＰK-1 ＝Ｐ0 ＋ΔＰ×（ｋ−１）（但し、記
録パワーを減少させた場合（ΔＰ＜０）は、ＰK+1 ＝Ｐ
0 −ΔＰ×（ｋ＋１））をメモリに格納し、情報を記録
する時はメモリから最適記録パワーを読み出し、それに
応じてＬＤドライバー１５を制御することにより記録パ
ワーの設定を行う。また、クロスライトの発生しない上
限の記録パワーに所定の係数をかけた値を最適記録パワ
ーとしてもよい。
【００５６】なお、以上の実施形態では、再生信号のピ
ーク値とボトム値の中心値やチャージポンプの出力を検
出することで再生信号のパルス幅に応じた信号値を検出
したが、再生信号のパルス幅を直接検出してもよい。例
えば、図８の装置の２値化回路２３の２値化再生信号の
パルス幅（ポジティブ側とネガティブ側）を所要の測定
手段を用いて測定し、両方のパルス幅の差に変化が生じ
たらクロスライトが発生していると判断すればよい。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、再
生信号のパルス幅変化に基づいてクロスライトの発生す
る記録パワーを検出し、それに応じて最適記録パワーを
設定しているので、磁壁移動型光磁気媒体において高密
度化に伴い狭トラックピッチ化しても最も厳密にクロス
ライトの検出が可能となり、正確に最適記録パワーを設
定することができる。従って、隣接トラックの誤消去を
未然に防ぐことができ、装置間のばらつきによる影響も
最小限にすることができ、信頼性の高い記録テスト方法
及び装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録再生装置の第１の実施形態
を示すブロック図である。
【図２】磁壁移動再生の原理を説明するための図であ
る。
【図３】図１の実施形態の情報記録動作を示すタイムチ
ャートである。
【図４】図１の実施形態の記録テスト方法を示すフロー
チャートである。
【図５】図１の実施形態のクロスライトの検出原理を説
明するための図である。
【図６】Ｎ±１トラックに消去パターンを記録した場合
の消去パワー変化に対するＮトラックの再生信号振幅、
エッジジッター、パルス幅変化の測定結果を示す図であ
る。
【図７】Ｎ±１トラックに最短マークと最長マークの繰
り返しパターンを記録した場合の記録パワー変化に対す
るＮトラックの再生信号振幅、エッジジッター、パルス
幅変化の測定結果を示す図である。
【図８】本発明の第２の実施形態を示すブロック図であ
る。
【図９】図８の実施形態の記録テスト方法を示すフロー
チャートである。
【図１０】図８の実施形態の各部の信号をクロスライト
が発生していない場合と発生している場合で比較して示
す図である。
【図１１】従来方法を用いて磁壁移動型光磁気媒体のク
ロスライトを検出しようとした場合との測定結果比較を
示す図である。
【符号の説明】
１ 光磁気ディスク ５ アクチュエータ ６ 対物レンズ ７ 半導体レーザ １３ フォトセンサ １４ 差動増幅回路 １５ ＬＤドライバー １６ コントローラ １７ 磁気ヘッド １８ 磁気ヘッドドライバー １９ ＨＰＦ ２０ エンベロープ検波回路 ２１ センター検出回路 ２２ Ａ／Ｄ変換回路 ２３ ２値化回路 ２４ ＰＬＬ回路 ２５ 位相比較器 ２６ チャージポンプ ２７ ＬＰＦ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 再生用光ビームを照射し、記録磁区の磁
    壁を移動させて記録情報を再生する磁壁移動型光磁気媒
    体に情報を記録するに当たり、最適記録パワーを設定す
    るための記録テスト方法であって、前記光磁気媒体の所
    定テスト領域のＮトラックに所定の記録パワー値或いは
    記録パワーを変化させて第１の記録パターンを記録する
    ステップと、前記Ｎトラックの両側に隣接するＮ−１ト
    ラック及びＮ＋１トラックにそれぞれ記録パワーを変化
    させて第２の記録パターンを記録するステップと、前記
    Ｎトラックを再生して再生信号のパルス幅又はパルス幅
    に応じた信号値を検出するステップと、検出されたパル
    ス幅変化又は信号値変化に基づいてクロスライトの発生
    する記録パワーを検出するステップと、検出されたクロ
    スライトの発生する記録パワーに基づいて最適記録パワ
    ーを設定するステップとを含むことを特徴とする光磁気
    記録テスト方法。
  2. 【請求項２】 前記第１の記録パターンは、記録符号の
    最短マークの繰り返しパターンであることを特徴とする
    請求項１に記載の光磁気記録テスト方法。
  3. 【請求項３】 前記第２の記録パターンは、記録符号の
    最短マークと最長マークの交互の繰り返しパターンであ
    ることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録テスト
    方法。
  4. 【請求項４】 前記第２の記録パターンは、記録マーク
    の存在しない消去パターンであることを特徴とする請求
    項１に記載の光磁気記録テスト方法。
  5. 【請求項５】 情報の記録は、前記光磁気媒体に光ビー
    ムをＤＣ照射又はパルス照射しながら記録情報に応じて
    変調された磁界を印加することにより行うことを特徴と
    する請求項１に記載の光磁気記録テスト方法。
  6. 【請求項６】 前記ＮトラックとＮ±１トラックの記録
    パワーは同じ変化量で記録されることを特徴とする請求
    項１に記載の光磁気記録テスト方法。
  7. 【請求項７】 前記再生信号のパルス幅に応じた信号値
    は、再生信号のＤＣ成分であることを特徴とする請求項
    １に記載の光磁気記録テスト方法。
  8. 【請求項８】 前記再生信号のパルス幅に応じた信号値
    は、ハイパスフィルタを通過後の再生信号のピーク値と
    ボトム値の中心値であることを特徴とする請求項７に記
    載の光磁気記録テスト方法。
  9. 【請求項９】 前記再生信号のパルス幅に応じた信号値
    は、位相比較器により再生信号に同期させた同期クロッ
    クと２値化再生信号の位相差を検出し、検出された位相
    差をチャージポンプにより電圧信号に変換した信号であ
    ることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録テスト
    方法。
  10. 【請求項１０】 少なくとも記録保持層、スイッチング
    層、磁壁移動層を積層して成る磁壁移動型光磁気媒体に
    記録用光ビームを照射しながら記録磁界を印加すること
    により情報を記録し、前記光磁気媒体に再生用光ビーム
    を照射し、前記磁壁移動層の記録磁区の磁壁を移動させ
    て記録情報を再生する光磁気記録再生装置において、前
    記光磁気媒体の所定テスト領域のＮトラックに所定の記
    録パワー値或いは記録パワーを変化させて第１の記録パ
    ターンを記録する手段と、前記Ｎトラックの両側に隣接
    するＮ−１トラック及びＮ＋１トラックにそれぞれ記録
    パワーを変化させて第２の記録パターンを記録する手段
    と、前記Ｎトラックを再生して再生信号のパルス幅又は
    パルス幅に応じた信号値を検出する手段と、検出された
    パルス幅変化又はパルス幅に応じた信号値変化に基づい
    てクロスライトの発生する記録パワーを検出する手段
    と、検出されたクロスライトの発生する記録パワーに基
    づいて最適記録パワーを設定する手段とを備えたことを
    特徴とする光磁気記録再生装置。
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