JP2003036579A - 光磁気記録方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光磁気記録再生に於いて記録を行おうとする
磁壁がすでに記録されている磁区別の漏洩磁界の影響に
より正規の磁壁位置とはずれた位置に形成され、これが
既記録のマーク長に依存するという、いわゆるエッジシ
フトのパターン依存性が存在する。 【解決手段】 光磁気記録媒体に光ビームを照射すると
共に記録信号に応じて磁界を変調させて情報の記録を行
う光磁気記録方法において、記録を行う記録ビット列に
対しては重み付けしたＤＳＶを算出し、既知のエッジシ
フトのパターン依存性に応じて記録マークの後端或いは
前端の記録信号エッジ位置を補正するように記録マーク
列情報を記録する。これにより、エッジシフトのマーク
長依存性の影響を軽減し、情報再生時のエラーレートを
改善できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気効果を利用
して情報を記録する光磁気記録方法及び装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、書き換え可能な高密度記録方式と
して半導体レーザの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に
磁区を書き込んで情報を記録し、光磁気効果を用いてこ
の情報を読み出す光磁気記録媒体がある。近年、この光
磁気記録媒体の記録密度を更に高めて大容量の記録媒体
とする要求が高まっている。

【０００３】光磁気記録媒体等の光ディスクの線記録密
度は再生光学系のレーザ波長及び対物レンズの開口数に
大きく依存する。即ち、再生光学系のレーザ波長λと対
物レンズの開口数ＮＡが決まるとビームウエスト径が決
まるため、記録マーク再生時の空間周波数は２ＮＡ／λ
程度が検出可能な限界となってしまう。従って、従来の
光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系
のレーザ波長を短くし、対物レンズのＮＡを大きくする
必要がある。しかし、レーザ波長や対物レンズの開口数
の改善にも限度があるため、光磁気記録媒体の構成や読
み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術が開発さ
れている。

【０００４】例えば、特開平６−２９０４９６号公報に
おいて磁壁移動型光磁気媒体を用いて磁壁の移動による
情報再生を行う方法が提案されている。即ち、磁気的に
結合された再生層と記録層とを有してなる多層膜の記録
層に信号記録を行うと共に、加熱用光ビームの照射によ
る温度勾配を利用し、記録層の記録データを変化させる
ことなく再生層の記録マークの磁壁を移動させ、再生用
光ビームスポットのほぼ全域が同一の磁化になるように
再生層を磁化させて再生用光ビームの反射光の偏向面の
変化を検出することにより光の回折限界以下の記録マー
クを再生する信号再生方法が提案されている。

【０００５】この方法によれば、再生信号が矩形状にな
り、再生信号振幅を低下させることなく光学系の回折限
界以下の記録マークが再生可能となるため、記録密度並
びに転送速度を大幅に向上することができる。

【０００６】図６は従来の磁壁移動型光磁気媒体を用い
た光磁気記録再生装置を示す模式的構成図である。図６
において、１は磁壁移動型光磁気媒体である光磁気ディ
スクである。光磁気ディスク１はガラスやプラスチック
等の基板２上に複数の層から成り、光学系の回折限界以
下の記録マークを再生することが可能な光磁気記録層３
が被着され、更にその上に保護膜４が形成されている。

【０００７】光磁気ディスク１は、マグネットチャッキ
ング等でスピンドルモータに支持され、回転軸に対して
回転自在の構造となっている。５は光磁気ディスク１に
レーザ光を照射し、更に反射光から情報を得るための光
ヘッドであり、例えば、開口数が０．６０の集光レン
ズ、集光レンズを駆動するアクチュエータ、波長が例え
ば６５０ｎｍの半導体レーザ、ビームスプリッタ、偏光
ビームスプリッタ等から構成されている。

【０００８】半導体レーザから出射したレーザ光は光学
部品群を介して光磁気ディスク１に照射される。この
時、集光レンズはアクチュエータの制御によってフォー
カシング方向及びトラッキング方向に移動してレーザ光
が光磁気記録層３上に逐次焦点を結ぶように制御され、
且つ、光磁気ディスク上に刻まれた案内溝に沿ってトラ
ッキングする構成になっている。光磁気ディスク１で反
射されたレーザ光は光学部品群を介して光磁気記録層３
の磁化の磁性に応じた偏向方向の違いによって、それぞ
れのセンサに集光され、それらを差動増幅することによ
り光磁気信号が生成される。

【０００９】コントローラ６は光磁気ディスク１の回転
数及び記録半径・記録セクタ情報、更には環境温度等を
入力情報として、記録パワー、記録信号等を出力し、半
導体レーザ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）ドライバ
ー７、磁気ヘッドドライバー８等を制御するものであ
る。

【００１０】また、９は記録動作時に光磁気ディスク１
のレーザ照射部位に変調磁界を印加するための磁気ヘッ
ドであり、光磁気ディスク１を挟み光ヘッド５と対向し
て配置されている。情報の記録時には、光ヘッド５から
光磁気ディスク１に記録レーザ光を照射し、これと同時
に磁気ヘッド９は磁界変調ドライバー８の駆動により記
録信号に対応して極性の異なる磁界を印加する。また、
磁気ヘッド９は光ヘッド５と連動して光磁気ディスク１
の半径方向に移動し、情報記録時には逐次光磁気記録層
３のレーザ照射部位に磁界を印加することで情報を記録
する構成になっている。

【００１１】図７は図６の光磁気記録再生装置の記録動
作を説明するタイミングチャートである。図７（ａ）は
記録信号、（ｂ）は記録パワー、（ｃ）は変調磁界、
（ｄ）は記録マーク列、（ｅ）は再生信号である。図７
（ａ）に示すような記録信号を記録する場合、記録動作
開始と共に光ヘッド５から光磁気ディスク１に図７
（ｂ）に示すように所定の記録パワーの光ビームが照射
され、同時に図７（ｃ）に示すように記録信号に基づく
変調磁界が印加される。

【００１２】ここでは、印加磁界を記録情報に応じて変
調し、且つ、記録ＬＤ光を定常周期でパルス状に変調さ
せる所謂パルス磁界変調を採用している。これらの動作
により光磁気記録層３に冷却過程において図７（ｄ）に
示すような記録マーク列が形成される。なお、図７
（ｄ）の斜線部と白抜き部とは、互いに逆の磁化の向き
を持つ磁区を表している。

【００１３】図８は図６に示す装置の再生動作を説明す
る図である。ここでは、光磁気ディスク１が記録マーク
の保存を司る記録保持層、磁壁が移動し再生信号に直接
寄与する磁壁移動層、記録保持層、磁壁移動層の結合状
態をスイッチするスイッチング層の３層構造の場合に関
して説明する。図８（ａ）は再生層の磁区パターン、
（ｂ）は磁壁移動層、スイッチング層及び記録保持層の
磁化状態を示している。また、図８（ｃ）は磁性層の温
度分布、図８（ｄ）は再生信号を示す。

【００１４】情報の再生時には、図８（ａ）に示すよう
に再生用光ビームの照射により光磁気媒体の再生層の磁
壁が移動するＴｓ温度条件まで加熱されている。また、
図８（ｂ）に示すスイッチング層はＴｓより低い温度領
域では交換結合により記録保持層、磁壁移動層と結合し
た状態となっている。光磁気媒体が光ビームの照射によ
りＴｓ温度以上に加熱されると、スイッチング層はキュ
リー点Ｔｓに達し、磁壁移動層と記録保持層との結合が
切れた状態となる。このため、このＴｓ温度領域に記録
マークの磁壁が到達すると同時に磁壁移動層の磁壁は磁
壁移動層の温度勾配に対してエネルギー的に磁壁が安定
して存在する位置、即ち、光ビームの照射による温度上
昇の線密度方向の最高温度点にランドを横切るように磁
壁が瞬時に移動する。

【００１５】これにより、再生光ビームに覆われる領域
の大部分の磁化状態が同じになるため、通常の光ビーム
再生原理においては再生不可能な微小な記録マークであ
っても、図８（ｄ）に示すような矩形に近い状態の再生
信号を得ることができる。従って、図８（ａ）に示すよ
うな記録マーク列を光ビームで再生することにより、光
ビームに覆われる磁化状態は大部分が同じになるため、
図８（ｄ）に示すように矩形に近い状態の再生信号が得
られ、再生信号振幅をほとんど低下させることなく光学
系回折限界以下の記録マークの再生が可能となり、記録
密度並びに転送速度を大幅に向上できる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図６に示す
記録再生装置においては、記録時にレーザ光の照射によ
り光磁気記録層のレーザ光照射部位の温度はキュリー点
（Ｔｃ）まで達し磁化が消失するものの、キュリー点Ｔ
ｃ以下の温度領域である周辺部位では磁化が存在する。
図９（ｃ）は磁化及びそれに起因する浮遊磁界を示す図
である。図９（ｃ）に示すように記録マーク端である磁
壁は光ビーム進行方向後端で形成されるが、浮遊磁界は
磁壁形成のために外部から磁気ヘッドにより印加される
変調限界に重畳される。

【００１７】この浮遊磁界の大きさは、以前に形成され
た磁壁列と次に形成しようとする磁壁との間隔、即ち、
磁化状態により変化する。従って、前述のように磁壁形
成部位に作用する浮遊磁界強度は記録しようとする磁壁
の直前までに記録したマーク列の磁化状態によって異な
る。更に、同じ磁化の向きを有する記録ビットであって
も次なる磁壁形成位置からの距離によって浮遊磁界強度
は異なる。

【００１８】また、磁壁の形成位置は温度と磁界強度と
の関係において決定される。ここでレーザ光強度、磁気
ヘッドからの印加磁界強度は定常状態に保たれており、
記録マーク長、或いは記録マーク長列が異なる場合に
は、重畳される浮遊磁界強度が異なってくるために磁区
形成位置に印加される磁界強度は磁気ヘッドからの磁界
強度に浮遊磁界強度が重畳されたものとなり、前述した
ように実質的に磁区形成部に印加される磁界強度は形成
する記録磁化列により異なる。その結果、磁壁形成位置
が記録磁化列により異なる現象が現われる。

【００１９】これを図９を参照して更に詳細に説明す
る。図９（ａ）は記録符号上最長・最短の記録マークを
順次形成する場合、図９（ｂ）は記録符号上最短・最長
の記録マークを順次形成する場合を表している。図９に
おいて、１０１は光ビーム、矢印１０２は光磁気記録媒
体の記録層の磁化状態を、矢印１０３は磁気ヘッドから
の印加磁界の強度・方向を示しており、矢印１０４は磁
壁形成直前の磁化状態による浮遊磁界強度・方向を示し
ている。矢印１０５は更に前に位置する記録マークから
の浮遊磁界強度・方向を示している。

【００２０】ここでは、光磁気記録媒体の特性上、矢印
１０４の浮遊磁界の向きは磁壁形成時に磁気ヘッドから
の印加磁界を増加させる方向に印加され、矢印１０５の
浮遊磁界の向きは磁壁形成時に磁気ヘッドからの印加磁
界を減少させる方向に印加される。従って、図９（ａ）
と（ｂ）の場合では磁壁形成部位の矢印１０３〜１０５
で示す印加磁界の和が異なり、特に、１０４と１０５で
示す印加磁界の差が大きい図９（ｂ）の場合に、より強
い磁界強度が記録層に印加される。その結果、磁壁形成
位置はある基準位置から見ると、図９（ａ）の場合に
は、ΔＡずれた位置に形成され、図９（ｂ）の場合はΔ
Ｂずれた位置に形成されて、ΔＡ、ΔＢの関係はΔＡ＜
ΔＢなる結果となる。

【００２１】図１０はこの要因により発生したパターン
依存性の結果を示す図である。図１０において、横軸は
タイムインターバルアナライザにより計測されたＮ番目
のマーク長、縦軸はＮ＋１番目のマーク長を示してお
り、１×１０⁵ の計測データをドットでプロットしてい
る。図１０に示すグリッドの交点が理想位置である。こ
こでは、１−７変調符号を採用している。例えば、
（Ｎ，Ｎ＋１）が（８Ｔ、２Ｔ）の場合には、図１０に
○印で囲んで示すようにタイムインターバル分布がグリ
ッド交点からずれてエッジシフトが発生していることが
わかる。この要因により、同じマーク長を連続記録した
場合のジッター値に比べてランダム信号を記録した場合
のジッター値が大きく悪化する問題点がある。

【００２２】更に、磁壁移動型光磁気媒体等のように光
学系分解能の制約を排除して飛躍的に線記録密度の向上
が可能となる光磁気記録再生方法を採用することで記録
マーク長を小さくできる。しかし、記録マーク長の微小
化に伴い、以下のような問題がある。 （１）磁壁形成位置からの一定範囲における磁化状態の
変化がより複雑化し、浮遊磁界の変化も複雑化するため
に記録マーク長列によるエッジシフトが複雑化する。 （２）上記要因によるエッジシフト量が、記録線密度が
上がりマーク長が短くなることで検出ウィンドに対する
比率が大きくなり浮遊磁界によるエッジシフト問題が顕
在化する。 （３）光学系分解能の制約による符号間干渉によるエッ
ジシフトの制約が無くなり、浮遊磁界によるエッジシフ
ト問題が顕在化する。

【００２３】これらの要因も上記問題点の要因となって
いる。このように記録マーク長が異なるマーク列を記録
した場合、それぞれのマーク長が正規のマーク長からず
れるという、所謂エッジシフトが発生し、データ再生時
におけるビット同期をとる位相同期ループ（ｐｈａｓｅ
−ｌｏｃｋｅｄ ｌｏｏｐ ：ＰＬＬ）回路の誤差の増
加や、エラーレートの悪化を招き、所要のデータ再生を
行うことができない場合があった。

【００２４】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たもので、その目的は、記録マークのエッジシフトを補
正し、微小マークの記録に対してもＰＬＬの誤差の増加
やエラーレートの悪化のない光磁気記録方法及び装置を
提供することにある。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、光磁気
記録媒体に光ビームを照射すると共に、記録信号に対応
した変調磁界を印加することにより、情報の記録を行う
光磁気記録方法において、記録ビット列の所定ビット数
内のＤＳＶを逐次算出し、算出されたＤＳＶに基づいて
記録マークの後端或いは前端を補正した記録マーク列を
記録することを特徴とする光磁気記録方法によって達成
される。

【００２６】また、本発明の目的は、光磁気記録媒体に
光ビームを照射すると共に、記録信号に対応した変調磁
界を印加することにより、情報の記録を行う光磁気記録
装置において、記録ビット列の所定ビット数内のＤＳＶ
を逐次算出する手段と、算出されたＤＳＶに基づいて記
録マークの補正量を決定する手段と、決定された補正量
に応じて変調磁界列或いはＬＤ記録パルス列を変化させ
ることにより記録マークの後端或いは前端の位置を補正
して記録マーク列を記録する手段とを備えたことを特徴
とする光磁気記録装置によって達成される。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について説明する。図１は本発明の光磁気記録装
置の第１の実施形態を示す構成図である。なお、図１で
は図６の従来装置と同一部分は同一符号を付している。
図１において、１はガラス或いはプラスチックを素材と
した基板２に記録層、磁壁移動層等の多層構造を持ち、
光学系の回折限界以下の記録マークを再生することが可
能な光磁気記録層３が被着され、更に、その上に保護膜
４を形成した光磁気ディスクである。

【００２８】この光磁気ディスク１はマグネットチャッ
キング等でスピンドルモータに支持され、回転軸に対し
て回転自在の構造となっている。５は光磁気ディスク１
にレーザ光を照射し、更に反射光から情報を得る光ヘッ
ドであり、例えば、開口数が０．６０の集光レンズ、集
光レンズを駆動するアクチュエータ、波長が例えば６５
０ｎｍの半導体レーザ、ビームスプリッタ、偏光ビーム
スプリッタ等から構成されている。

【００２９】半導体レーザから出射したレーザ光は光学
部品群を介して光磁気ディスク１に照射される。この
時、集光レンズはアクチュエータの制御によってフォー
カシング方向、及び、トラッキング方向に移動してレー
ザ光が光磁気記録層３上に逐次焦点を結ぶように制御さ
れ、且つ、光磁気ディスク上に刻まれた案内溝に沿って
トラッキングする構成になっている。

【００３０】光磁気ディスク１で反射されたレーザ光は
光学部品群を介して光磁気記録層３の磁化の磁性に応じ
た偏向方向の違いによってそれぞれのセンサに集光さ
れ、それらを差動増幅することで光磁気信号が出力され
る。コントローラ６は光磁気ディスク１の回転数及び記
録半径・記録セクタ情報、更には環境温度等を入力情報
として、記録パワー、記録情報に応じた記録マークパタ
ーン（記録信号）等を出力し、ＬＤドライバー７、磁気
ヘッドドライバー８等を制御するものである。なお、記
録マークパターンは基準チャンネルクロックの周期の整
数倍で表されるものとする。

【００３１】また、９は記録動作時に光磁気ディスク１
のレーザ光照射部位に変調磁界を印加するための磁気ヘ
ッドであり、光磁気ディスク１を挟み光ヘッド５と対向
して配置されている。情報の記録時には、光ヘッド５か
ら光磁気ディスク１に記録レーザ光を照射し、これと同
時にこの磁気ヘッド９は磁界変調ドライバー８の駆動に
より記録信号に対応して極性の異なる磁界を印加する。
また、磁気ヘッド９は光ヘッド５と連動して光磁気ディ
スク１の半径方向に移動し、記録時には逐次光磁気記録
層３のレーザ照射部位に磁界を印加することで情報を記
録する構成になっている。

【００３２】また、本実施形態では、記録信号補正回路
１１が設けられ、前述のような浮遊磁界による記録マー
クのエッジシフトを補正するように構成されている。記
録信号補正回路１１は記録ビット列のＤＳＶ（Ｄｉｇｉ
ｔａｌ Ｓｕｍ Ｖａｌｕｅ）検出を行うと共に、その
検出結果に基づいて記録信号のエッジ補正量を決定し、
決定したエッジの補正量に基づいて記録マークを記録す
る際のディレイ量を選択する回路である。

【００３３】図２は記録信号補正回路１１の一例を示す
回路図である。記録信号補正回路１１は以下説明する記
録ビット列ＤＳＶ検出回路１０、補正量決定回路１２、
ディレイライン１３及びマルチプレクサ１４から構成さ
れている。記録ビット列ＤＳＶ検出回路１０は、基本的
にはＤｉｇｉｔａｌ Ｓｕｍ Ｖａｌｕｅを検出するも
のであり、例えば、１−７変調符号のＮＲＺＩ信号にお
いて連続する記録信号列の所定ビット数内の“０”レベ
ルの数、“１”レベルの数を検出するためのレジスタを
備えている。更に、記録ビット列ＤＳＶ検出回路１０は
各レジスタ出力に重み付けを行い、重み付けされた各レ
ジスタ出力に対してＤＳＶを算出する機能を有する。例
えば、ｎビットに対するＤＳＶは次のように表わされ
る。

【００３４】ＤＳＶ＝Ａ₀ ×（Ａ₁ ×Ｔ_k ＋Ａ₂ ×Ｔ
_k-1 ＋…Ａ_n ×Ｔ_k-(n-1) ） …（１） Ａ₀ ：“１”（ｋ番目記録ビット“１”）又は“−１”
（ｋ番目記録ビット“０”）、Ａ₁ 、Ａ₂ 、…、Ａ_n ：
定数（Ａ₁ ＞Ａ₁ …＞Ａ_n ） Ｔ_k ：“１”（ｋ番目記録ビット“１”）又は“−１”
（ｋ番目記録ビット“０”） ｎ：検出ビット数 補正量決定回路１２は、記録ビット列ＤＳＶ検出回路１
０の出力から、記録補正量Ｙを決定する。記録補正量Ｙ
は、 Ｙ_k ＝α×Ａ₀ ×（Ａ₁ ×Ｔ_k ＋Ａ₂ ×Ｔ_k-1 ＋…Ａ_n
×Ｔ_k-(n-1) ） …（２） で表わされる。

【００３５】ここで、αは補正量を時間量に変換する定
数であり、記録線速度等が変化した場合にこの値を変化
させれば対応が簡単になる。記録補正は記録ビットＴ_k
の後端エッジ或いはＴ_k+1 の前端エッジに対して行う。
ここで、Ｔ_k が記録符号のマーク列変化点（“１”→
“０”、“０”→“１”）でない場合も特別な処理を行
う必要はなく、マーク列変化点でない場合は処理が施さ
れて処理前後で変化は現れない。これにより、記録され
るマークの磁壁形成部位に印加される浮遊磁界の大きさ
を形成しようとする磁壁以前に形成された記録ビット列
の相違に基づいて検出し、磁壁位置のシフト量を補正で
きる。

【００３６】更に、変調符号が限定されれば、上記
（１）、（２）式は更に簡素化することができる。例え
ば、１−７変調符号ＮＲＺＩの場合、存在するマーク長
列は２Ｔ〜８Ｔであり、２Ｔよりも短いマーク列は存在
しない。このことは、記録ビットＴ_k の後端エッジ或い
は、Ｔ_k+1 の前端エッジに対して記録磁壁位置の補正が
与えられる場合にＴ_k+1 、Ｔ_k 、Ｔ_k-1 にはＴ_k+1 ≠Ｔ
_k ＝Ｔ_k-1 なる関係が成り立ち先頭の１及び２項（Ａ
₁ 、Ａ₂ の項）は記録マーク長に依らず常に同じ状態を
とることになる。従って、先頭１及び２項は省略でき
る。

【００３７】なお、上記定数Ａ₁ ，Ａ₂ ，…Ａ_n は、実
験により予め定められた値であり、記録媒体の集荷時に
コントロールトラックに事前に記録しておいて読み出す
ようにしてもよいし、或いはドライブ装置のＲＯＭに書
き込んでおいて読み出すようにしてもよい。

【００３８】補正量決定回路１２の出力は、マルチプレ
クサ１４に入力される。マルチプレクサ１４では、入力
した補正量に応じて直列接続されたディレイライン１３
の選択点を逐次選択し、記録補正された最終的な記録信
号列を磁気ヘッドドライバー８へ出力する。

【００３９】図３は図１に示す装置の記録動作を示すタ
イミングチャートである。図３（ａ）は記録信号、
（ｂ）は各エッジ点におけるエッジ補正値、（ｃ）は記
録信号補正回路１１より出力される補正後記録信号、
（ｄ）は記録パワー、（ｅ）は変調磁界、（ｆ）は記録
マーク列、（ｇ）は再生信号である。

【００４０】ここで、各エッジ点におけるエッジ補正値
（ｂ）は記録ビット列ＤＳＶ検出回路１０の検出ビット
数を６ビットとしている。これは前述したように１−７
変調符号ＮＲＺＩの場合、最短マーク長が２Ｔとなるた
め、８ビットの検出を前提としているが６ビット検出に
簡素化した結果である。８ビットを選んだ理由としては
記録補正無しの場合（図１０）のマークパターン依存性
がマーク長７〜８Ｔでほぼ飽和状態になるため、本実施
形態においては８ビットで十分であると判断したためで
ある。また、各重み付けの定数をそれぞれＡ₃ ＝１０、
Ａ₄ ＝８、Ａ₅＝６、Ａ₆ ＝４、Ａ₇ ＝２、Ａ₈ ＝１、
α＝０．１とし、この値によりエッジ補正された信号が
図３（ｃ）に示す補正後記録信号となる。

【００４１】図３（ｃ）に示すような補正後記録信号を
記録する場合には、記録動作開始と共に光ヘッド５から
光磁気ディスク１に図３（ｄ）に示すように所定の記録
パワーをパルス状にした光ビームを照射し、更に、補正
後記録信号に基づく図３（ｅ）に示す変調磁界が印加さ
れる。ここでは、印加磁界を記録情報に応じて変調し、
且つ、記録ＬＤ光を定常周期でパルス状に変調させる所
謂パルス磁界変調を採用している。これらの動作により
記録媒体の冷却過程において、図３（ｆ）に示すような
記録マーク列が形成される。なお、図３（ｆ）において
斜線部と白抜き部とは互いに逆の磁化の向きを持つ磁区
を表している。

【００４２】図４、図５は１−７変調符号ＮＲＺＩを使
用した場合の計測結果を示すものである。記録ビット列
ＤＳＶ検出回路１０の検出ビット数は６ビットとしてい
る。これは前述したように１−７変調符号ＮＲＺＩの場
合最短マーク長が２Ｔとなるため、８ビットの検出を前
提としているが、６ビット検出に簡素化した結果であ
る。８ビットを選んだ理由としては記録補正無しの場合
（図１０）のマークパターン依存性がマーク長７〜８Ｔ
でほぼ飽和状態になっているために本実施形態において
は８ビットで十分であると判断したためである。各重み
付けの定数はそれぞれ、Ａ₃ ＝１０、Ａ₄ ＝８、Ａ₅ ＝
６、Ａ₆ ＝４、Ａ₇ ＝２、Ａ₈ ＝１、α＝０．１として
いる。

【００４３】図４において横軸はタイムインターバルア
ナライザにより計測されたＮ番目のマーク長、縦軸はＮ
＋１番目のマーク長を示しており、１×１０⁵ の計測デ
ータをドットでプロットしている。図４に示すグリッド
の交点が理想位置である。ここでは、前述したように１
−７変調符号ＮＲＺＩを採用しており、例えば、（Ｎ，
Ｎ＋１）：（８Ｔ、２Ｔ）を見ると、記録補正無しの
（図１０）の場合に比べてタイムインターバル分布がグ
リッド交点を中心に分布しており、エッジシフトが改善
していることがわかる。

【００４４】また、図５はこの時のタイムインターバル
のヒストグラム（実線で示す）を示すものである。な
お、図５には比較のために記録補正を行わない場合のヒ
ストグラム（破線で示す）を併せて示している。図５に
示すこの結果からも、各マーク長における度数分布のピ
ーク位置がより理想値（各グリッド位置）に近づいてい
ることがわかる。本実施形態では、記録補正を行うこと
により各マーク長で規格化したジッター分布の足し合わ
せのジッター値σｓｕｍを、記録補正を行わない場合の
σｓｕｍ＝３．５ｎｓに対してσｓｕｍ＝３．１２ｎｓ
に改善されたことを確認できた。

【００４５】なお、以上の実施形態においては、変調磁
界の切り替え位置の補正により記録補正を行ったが、こ
れに限ることなく、変調磁界の磁界の磁界強度を変化さ
せることによる記録補正、磁壁形成部位での温度分布を
変化させる補正、例えば、記録パルス光の強度・パルス
幅・パルス位相による記録補正であっても同様の効果が
ある。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、記
録ビット列の所定ビット数内のＤＳＶを算出し、それに
基づいて記録マークの後端又は前端を補正して記録マー
クを記録することにより、記録した磁界状態に依存して
発生する浮遊磁界を要因として発生するエッジシフトを
軽減することができ、ＰＬＬ誤差の軽減或いはビットエ
ラーレートを改善することが可能となり、より高密度な
情報記録装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録装置の一実施形態を示す構
成図である。

【図２】図１の記録信号補正回路を詳細に示す回路図で
ある。

【図３】図１の光磁気記録装置の記録動作を示すタイミ
ングチャートである。

【図４】図１の実施形態のタイムインターバルアナライ
ザにより計測されたＮ番目のマーク長及びＮ＋１番目の
マーク長を示す図である。

【図５】図４に係るタイムインターバルのヒストグラム
を示す図である。

【図６】従来例の光磁気記録再生装置を示す構成図であ
る。

【図７】図６の装置の記録動作を示すタイミングチャー
トである。

【図８】図６の装置の再生動作を説明するための図あ
る。

【図９】記録符号上最長・最短の記録マークを順次形成
する場合と符号上最短・最長の記録マークを順次形成す
る場合の磁化の浮遊磁界によるエッジシフトを説明する
図である。

【図１０】従来技術のパターン依存性の結果を示す図で
ある。

【符号の説明】

１ 光磁気ディスク ２ 基板 ３ 光磁気記録層 ４ 保護膜 ５ 光ヘッド ６ コントローラ ７ ＬＤドライバー ８ 磁気ヘッドドライバー ９ 磁気ヘッド １０ 記録ビット列ＤＳＶ検出回路 １１ 記録信号補正回路 １２ 補正量決定回路 １３ ディレイライン １４ マルチプレクサ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光磁気記録媒体に光ビームを照射すると
   共に、記録信号に対応した変調磁界を印加することによ
   り、情報の記録を行う光磁気記録方法において、記録ビ
   ット列の所定ビット数内のＤＳＶを逐次算出し、算出さ
   れたＤＳＶに基づいて記録マークの後端或いは前端を補
   正した記録マーク列を記録することを特徴とする光磁気
   記録方法。
2. 【請求項２】 前記ＤＳＶの算出において所定ビット数
   のＤＳＶを各ビットに重み付けを行って逐次算出し、こ
   の重み付けされたＤＳＶに基づいて補正した記録マーク
   列を記録することを特徴とする請求項１に記載の光磁気
   記録方法。
3. 【請求項３】 前記記録マークの後端或いは前端の補正
   量は、 Ｙ_k ＝α×Ａ₀ ×（Ａ₁ ×Ｔ_k ＋Ａ₂ ×Ｔ_k-1 ＋…Ａ_n
   ×Ｔ_k-(n-1) ） Ａ₀ ：“１”（ｋ番目記録ビット“１”）又は“−１”
   （ｋ番目記録ビット“０”）、Ａ₁ 、Ａ₂ 、…、Ａ_n ：
   定数（Ａ₁ ＞Ａ₁ …＞Ａ_n ） Ｔ_k ：“１”（ｋ番目記録ビット“１”）又は“−１”
   （ｋ番目記録ビット“０”） ｎ：検出ビット数 α：定数 であることを特徴とする請求項２に記載の光磁気記録方
   法。
4. 【請求項４】 前記ＤＳＶ算出のビット数は８（ｎ＝
   ８）であることを特徴とする請求項３に記載の光磁気記
   録方法。
5. 【請求項５】 前記光磁気記録媒体は、磁壁移動型光磁
   気媒体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか
   １項に記載の光磁気記録方法。
6. 【請求項６】 光磁気記録媒体に光ビームを照射すると
   共に、記録信号に対応した変調磁界を印加することによ
   り、情報の記録を行う光磁気記録装置において、記録ビ
   ット列の所定ビット数内のＤＳＶを逐次算出する手段
   と、算出されたＤＳＶに基づいて記録マークの補正量を
   決定する手段と、決定された補正量に応じて変調磁界列
   或いはＬＤ記録パルス列を変化させることにより記録マ
   ークの後端或いは前端の位置を補正して記録マーク列を
   記録する手段とを備えたことを特徴とする光磁気記録装
   置。
7. 【請求項７】 前記補正量決定手段は、記録ビット列の
   所定ビット数内のＤＳＶに基づいて補正量Ｙを、 Ｙ＝α×Ａ₀ ×（Ａ₁ ×Ｔ_k ＋Ａ₂ ×Ｔ_k-1 ＋…Ａ_n ×
   Ｔ_k-(n-1) ） Ａ₀ ：“１”（ｋ番目記録ビット“１”）又は“−１”
   （Ｋ番目記録ビット“０”）、Ａ₁ 、Ａ₂ 、…、Ａ_n ：
   定数（Ａ₁ ＞Ａ₁ …＞Ａ_n ） Ｔ_k ：“１”（ｋ番目記録ビット“１”）又は“−１”
   （ｋ番目記録ビット“０”） ｎ：検出ビット数 α：定数 で算出することを特徴とする請求項６に記載の光磁気記
   録装置。
8. 【請求項８】 前記光磁気記録媒体は、磁壁移動型光磁
   気媒体であることを特徴とする請求項６〜７のいずれか
   １項に記載の光磁気記録装置。