JPH11126338A - 光記憶装置における記録再生条件制御方法および記録再生条件制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 記録マーク幅を最適制御し、再生時のトラッ
ク間クロストークや、記録時のクロスイレーズ（隣接ト
ラック記録の滲みだしによる記録マーク端部の消去）を
最小に抑え、トラックの高密度化を実現。 【解決手段】 光ビームの光量や外部印加磁界強度を変
化し、複数の記録条件に設定する第１ステップと、光記
録媒体にテスト記録パターンを記録する第２ステップ
と、再生条件を所定値に固定する第３ステップと、再生
条件においてテスト記録パターンを読出し第１信号量を
検出する第４ステップと、記録条件と第１信号量を関連
づけて記憶する第５ステップと、記憶した第１信号量中
から所定値に近いものを探す第６ステップと、第６ステ
ップの第１信号量対応記録条件により再生制御パターン
を記録する第７ステップと、再生制御パターンを再生し
第２信号量を検出する第８ステップと、第２信号量が所
定値に近づくように再生条件を制御する第９ステップと
を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体と、こ
の媒体への光ビームの照射あるいは磁界の印加により情
報を記録する光記憶装置において、光ビームの光量ある
いは外部印加磁界の磁界強度などの記録再生条件を最適
化するための記録再生条件制御方法および記録再生条件
制御装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ディスクの高密度化の研究がま
すます盛んであるが、光ディスクに照射する光ビームの
記録光量や、光磁気ディスクに印加する外部印加磁界の
記録磁界強度などの記録条件が変化すると、記録マーク
の大きさが変動して一様な記録ができないため、高密度
記録が困難であるという問題点があった。

【０００３】この解決方法として、特開平９−１６９６
５号公報に開示された記録光量の制御方法があった。こ
の装置は光ビームのオン／オフによってデータを記録す
るいわゆる光変調記録装置において、このオン時の記録
光量を最適化する装置であった。まず記録光量を徐々に
上昇させ、その度毎に記録マークを記録する。このとき
記録光量の上昇に伴って記録マーク長が長くなり、記録
マークとそうでない部分との比率いわゆるデューティー
が変化する。このデューティーの変化は、再生信号のＤ
Ｃ成分を検出することによって容易であるため、徐々に
変化した記録光量によって記録された記録マークの中か
ら、このデューティーが１対１となるものを探し出し、
これを最適な記録光量に決定していた。これにより、常
に記録マークの長さが最適となるように記録光量の制御
を行っていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この装置で
は記録マークの長手方向（トラックに沿った方向）の変
化はデューティーに現れるが、これとは直角な記録マー
クの幅方向（トラックとは直角な方向）の変化は現れな
いため、この記録マークの幅を最適化できないという問
題点があった。図１３（ａ）において低い記録光量の光
ビーム１０５によって幅の狭い記録マーク１０１が記録
されるが、同図（ｂ）においては高い記録光量の光ビー
ム１０６によって記録を行うと、記録マーク１０２の幅
が広がる。記録マークの幅の変化は、それぞれ読み出し
信号１０３と１０４のデューティーには現れない。この
ため、従来の方法では記録マークの幅を適切な値に制御
できなかった。従って、記録マークの幅はまちまちとな
り、記録トラックの高密度化に伴って発生する信号再生
時のトラック間クロストークや、信号記録時のクロスイ
レーズ（隣接トラックの記録の滲みだしによる記録マー
ク端部の消去）を最小に抑えることができず、トラック
の高密度化の支障となっていた。

【０００５】また、光磁気ディスクの記録においては上
記光変調記録の代わりに、外部印加磁界の反転によって
データを記録するいわゆる磁界変調記録を行うこともあ
る。この場合は、記録光量のオン／オフは行われず一定
である。同様に図１３（ａ）において、光ビームの記録
光量が低いか、あるいは記録磁界強度が低い場合は幅の
狭い記録マーク１０１が記録される。次に、光ビームの
記録光量が高いか、あるいは記録磁界強度が高い場合
は、同図（ｂ）に示すように幅の広い記録マーク１０２
が記録される。このとき、記録マーク１０１や１０２の
長さは、記録磁界の反転位置で決定されるため記録光量
や記録磁界強度に左右されず、正確に記録される。この
点は光変調記録と異なる点である。したがって、このと
きは記録マークの幅の変化はデューティーの変化に全く
現れない。したがって記録マークの幅の変化は全く検出
できないため、記録マークの幅を制御することは不可能
であった。

【０００６】本発明の目的は、上述のように記録マーク
の長さではなく、記録マークの幅を最適に制御し、信号
再生時のトラック間のクロストークや、信号記録時のク
ロスイレーズ（隣接トラックの記録の滲みだしによる記
録マーク端部の消去）を最小に抑え、トラックの高密度
化を実現できる記録再生条件制御方法およびその装置を
提供することである。さらに、記録マークの幅のみが変
化する磁界変調記録において、最適な記録条件を求め、
トラックの高密度化を実現できる記録再生条件制御方法
およびその装置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の請求項１記載の光記憶装置における記録再
生条件制御方法は、光ビームの光量あるいは外部印加磁
界の強度を変化させることにより所定の複数の記録条件
に設定する第１ステップと、光記録媒体にテスト記録パ
ターンを記録する第２ステップと、再生条件を所定の値
に固定する第３ステップと、前記再生条件において前記
テスト記録パターンを読み出して第１信号量を検出する
第４ステップと、前記記録条件と前記第１信号量を関連
づけて記憶する第５ステップと、記憶した前記第１信号
量の中から所定値に最も近いものを探す第６ステップ
と、第６ステップにおいて得られた第１信号量に対応す
る記録条件により再生制御パターンを記録する第７ステ
ップと、前記再生制御パターンを再生して第２信号量を
検出する第８ステップと、前記第２信号量が所定値に近
づくように再生条件を制御する第９ステップとを備える
ことを特徴とする。

【０００８】請求項２記載の光記憶装置における記録再
生条件制御方法は、前記第２ステップは光記録媒体の第
１トラックに第１テスト記録パターンを記録するステッ
プと、隣接する第２トラックに第２テスト記録パターン
を記録するステップとを備えることを特徴とする。

【０００９】請求項３記載の光記憶装置における記録再
生条件制御方法は、前記第２テスト記録パターンは第１
テスト記録パターンの反転パターンであり、第１テスト
記録パターンに同期して第２テスト記録パターンを隣接
トラックに記録することを特徴とする。

【００１０】請求項４記載の光記憶装置における記録再
生条件制御装置は、光記録媒体に光ビームを照射する照
射手段と、前記光記録媒体にテスト記録パターンを記録
する第１記録手段と、再生条件を所定の値に固定する再
生条件固定手段と、前記テスト記録パターンを読み出し
て、第１信号量を検出する第１信号量検出手段と、第１
信号量が所定の値に近づくように記録光量あるいは記録
磁界強度を所定の記録条件に制御する記録条件制御手段
と、前記所定の記録条件により前記光記録媒体に再生制
御パターンを記録する第２記録手段と、前記再生制御パ
ターンを読み出して、第２信号量を検出する第２信号量
検出手段と、第２信号量が所定の値に近づくように再生
光量あるいは再生磁界強度を所定の記録条件に制御する
再生条件制御手段とを備えることを特徴とする。

【００１１】請求項５記載の光記憶装置における記録再
生条件制御装置は、前記第１記録手段は、第１トラック
に第１テスト記録パターンを記録した後、第２トラック
に第２テスト記録パターンを記録する手段を備え、前記
第１テスト記録パターンを読み出して、読み出し信号の
信号量が所定の値となるように記録光量あるいは記録磁
界強度を制御することを特徴とする。

【００１２】請求項６記載の光記憶装置における記録再
生条件制御装置は、前記第１記録手段は第１テスト記録
パターンの反転パターンである第２テスト記録パターン
を発生し、第１テスト記録パターンに同期して第２テス
ト記録パターンを第２トラックに記録することを特徴と
する。

【００１３】請求項７記載の光記憶装置における記録再
生条件制御装置は、前記第１記録手段は予め高めの前記
記録光量あるいは記録磁界強度によって、第２トラック
に前記第２テスト記録パターンを記録し、次に低めの初
期値から徐々に記録光量あるいは記録磁界強度を上げな
がら、前記第１トラックに第１テスト記録パターンを記
録した後に、第２トラックに第２テスト記録パターンを
記録することを特徴とする。

【００１４】請求項８記載の光記憶装置における記録再
生条件制御装置は、予め所定の間隔で基準マークが記録
された前記光記録媒体から、基準マーク信号を読み出
し、この信号に同期する外部クロックを発生するクロッ
ク発生手段を備え、この外部クロックに基づいて前記第
１テスト記録パターンと第２テスト記録パターンとを記
録することを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施例について図１〜図
１２を用いて説明する。なお、図１〜図９を用いて記録
光量の制御を説明し、図１０〜図１２を用いて再生光量
の制御を説明する。

【００１６】さて近年、基板上に再生層と記録層とを有
する光記録媒体に光ビームを照射し、再生層に光スポッ
ト径よりも小さい検出口を発生させるいわゆる超解像効
果により記録密度を向上させる技術が開発されている。
この一例として、光ビームの照射による再生層の温度上
昇部分が記録層との磁気的結合によって記録情報の読み
出しのための検出口となる、いわゆる磁気的超解像が知
られている。このときの検出口の温度分布は記録媒体の
熱容量や環境温度に影響されるため、再生光量の制御に
より検出口の大きさを常に最適に制御する必要があり、
特開平８−６３８１７号公報にはこの装置が開示されて
いる。この装置は、前記光記録媒体に記録されたマーク
のうち検出口よりも小さい短マークからの再生信号量と
検出口よりも大きい長マークからの再生信号量とを検出
する信号量検出手段と、長短マークからの２つの再生信
号量の比が所定の値に近づくように再生光量を制御する
制御手段を有している。そして、記録情報領域と記録情
報領域との間に、長マークと短マークを記録した再生制
御パターンを周期的に記録し、これを再生することによ
り常に安定な再生光量の制御を行っている。

【００１７】以後は、この磁気的超解像の光記録媒体に
対する記録光量の制御を例に挙げて説明する。尚、説明
の便宜上、磁界変調記録における記録光量の最適化の場
合について説明する。一方、記録磁界強度の最適化の方
は、ほぼ同様に説明できるため最後に簡単に説明する。
従って、以後は記録磁界強度は一定とし、記録光量を変
化させながら最適な記録光量を探す方法について説明す
る。

【００１８】記録マークの幅を最も簡便に最適化する方
法は、隣接トラックの消去の滲みだしによって記録マー
クの端が削られ、どれだけ幅が減少したかを再生信号量
で検出する方法である。まず、図１（ａ１）において、
低い記録光量の光ビーム２をトラックＴｒ（ｎ）に照射
しながら、記録磁界を反転させ、記録マーク１を記録す
る。このとき記録マーク１はトラック幅よりも狭いた
め、これを読み出した時の読み出し信号３の振幅Ｖ１は
小さい。次に、同図（ａ２）において同じ記録光量の光
ビーム５と５により隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ
（ｎ＋１）を消去する。たとえば、高密度トラックの方
式として良く知られているランド／グルーブ記録におい
ては、トラックＴｒ（ｎ）は例えばグルーブであり、Ｔ
ｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）はランドである。消去領
域の幅は記録マーク１の幅とほぼ同一となり、波線で示
す領域が消去される。このときの消去幅も狭いため、記
録マーク１の端部は削られることはない。これを読み出
すと、読み出し信号６の振幅Ｖ２はＶ１と同一である。

【００１９】さて、徐々に記録光量を上げながら上記の
動作を繰り返すと、記録マーク１の幅と、波線で示す消
去領域の幅は徐々に広がり、お互いの端部が次第に近づ
く。同図（ｂ１）において、光ビーム８によりトラック
Ｔｒ（ｎ）に記録マーク７が記録され、同図（ｂ２）に
おいて光ビーム１１と１１により隣接トラックＴｒ（ｎ
−１）とＴｒ（ｎ＋１）が消去され、この消去領域の端
部が記録マーク７の端部に接する。このとき、記録マー
ク７の幅は最大となり、隣接トラックの消去の滲みだし
の影響も無い。従って、同図（ｂ１）における読み出し
信号９の振幅Ｖ３はそのまま維持され、同図（ｂ２）の
読み出し信号１２の振幅Ｖ４と等しくなり、この値は最
大になる。

【００２０】しかし、これ以上記録光量を上げると次第
に記録マーク７の端部は隣接トラックからの消去の滲み
だしによって消去され、幅は次第に狭くなる。同図（ｃ
１）において、高い記録光量の光ビーム１４をトラック
Ｔｒ（ｎ）に照射しながら記録すると、トラック幅より
も広い記録マーク１３が記録される。この読み出し信号
１５の振幅Ｖ５は一旦大きくなる。次に、同図（ｃ２）
において同じ記録光量の光ビーム１７と１７により隣接
トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）を消去する。
消去領域の幅は記録マーク１３の幅とほぼ同一となり、
波線で示す領域を消去する。このときの消去幅は広いた
め、記録マーク１３の端は削られ、その中央部分だけが
残った記録マーク１３’となる。このとき、記録マーク
１３’の幅は狭くなるため、読み出された信号１８の振
幅Ｖ６は、振幅Ｖ５に比べて大きく低下する。

【００２１】図２は図１（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）
における隣接トラック消去後の読み出し信号の振幅の変
化を記録光量の増加に対してプロットしたものである。
記録光量が低いときは信号振幅Ｖは小さく、記録光量を
上げるに従って次第に信号振幅Ｖは増加する。ところ
が、記録マークの端部と消去領域の端部が接する記録光
量を境にして、記録光量の増加に伴って次第に記録マー
クの端部が削られ、信号振幅Ｖは減少する。したがっ
て、信号振幅Ｖが最大となる記録光量では、記録マーク
の端部が消去されず、しかも記録マークの幅を最大にす
ることができる。したがって、記録光量を徐々に上げな
がら上記の動作を繰り返し、信号振幅Ｖが最大となる記
録光量を最適記録光量とする。したがって、読み出し信
号の振幅の変化によって、記録マークの幅の変化を検出
し、記録光量を最適に制御する事ができる。なお、磁界
変調記録においては記録光量の変化により記録マークの
幅のみ変化するため、感度良く最適化する事ができる。

【００２２】なお、記録磁界強度を最適化するときは、
まず記録光量を一定にしておき、記録磁界強度を徐々に
増加しながら、上記の動作を行うことにより、読み出し
信号の振幅の変化によって、記録マークの幅を最適に制
御する事ができる。

【００２３】さて、図２におけるこの方法の信号振幅Ｖ
の変化が小さいため、最大値を検出する感度が低い。そ
こで、図３を用いてこの信号振幅を大きく変化させ、高
感度で最大値を検出する方法について以下に説明する。

【００２４】図３（ａ）において、予め両隣接トラック
Ｔｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に高い記録光量の光ビ
ーム２１、２１により幅の広い記録マーク２０、２０を
記録する。このとき、後述する外部クロック方式の記録
クロックに基づいて記録が行われる。この記録マーク２
０の記録パターンは後述するトラックＴｒ（ｎ）に記録
するテスト記録パターンを反転したものである。以後こ
のトラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に記録する
パターンを反転テスト記録パターン、トラックＴｒ
（ｎ）に記録するパターンをテスト記録パターンと呼
ぶ。

【００２５】次に図３（ｂ１）において、低い記録光量
の光ビーム２３をトラックＴｒ（ｎ）に照射しながら、
記録磁界を反転させ、テスト記録パターンの記録マーク
２２を記録する。このとき、後述する外部クロック方式
の記録クロックに基づいてこのパターンが記録されるた
め、隣接トラックの反転テスト記録パターンに同期して
記録が行われる。記録マーク２２の幅は狭いため、読み
出し信号２４の振幅Ｖ１’は小さい。さらに隣接トラッ
クには反転テスト記録パターンの記録マーク２０と２０
が記録されているため、再生時のクロストークにより、
記録マーク２２の信号成分が低減され、信号振幅Ｖ１’
はいっそう小さくなる。次に同図（ｂ２）において同じ
記録光量の光ビーム２６と２６により隣接トラックＴｒ
（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に反転テスト記録パターン
を記録する。このパターンの記録領域の幅は記録マーク
２２の幅とほぼ同一となり、波線で示す幅の記録マーク
２５、２５が記録される。また、外部クロック方式の記
録クロックに基づいて記録されるため、予め記録されて
いた記録マーク２０と２０の位置にちょうど重なって記
録マーク２５、２５が記録される。このときの隣接トラ
ックの記録幅は狭いため、記録マーク２２の端部は削ら
れることはない。また、隣接トラックにおいても予め記
録された記録マーク２０の幅を越えて記録マーク２５が
広がることはない。したがって、読みだし信号２７の振
幅Ｖ２’はＶ１’と同一である。上記のように記録マー
ク２２の幅が狭いほど、信号振幅Ｖ２’は小さく、さら
に隣接トラックの記録マーク２０と２０の幅が広いほ
ど、信号振幅Ｖ２’はよりいっそう小さくなる。つま
り、低い記録光量における信号振幅の減少は、隣接トラ
ックの反転パターンのクロストークによってよりいっそ
う増幅される。

【００２６】さて、徐々に記録光量を上げながら上記の
動作を繰り返すと、記録マーク２２の幅と、波線で示す
記録マーク２５の幅は徐々に広がり、お互いの端が次第
に近づく。同図（ｃ１）において、光ビーム２９により
トラックＴｒ（ｎ）に記録マーク２８が記録され、同図
（ｃ２）において光ビーム３２と３２により隣接トラッ
クＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に反転テスト記録パ
ターンが記録され、記録マーク３１、３１の端部が記録
マーク２８の端部に接する。したがって、同図（ｃ１）
における読み出し信号３０の信号振幅Ｖ３’と、同図
（ｃ２）における読み出し信号３３の信号振幅Ｖ４’は
等しくなる。このとき、記録マーク２８の幅は最も広
く、隣接トラックの記録マーク３１、３１の幅は最も狭
くなる。したがって、記録マーク２８からの信号成分が
最も大きく、隣接トラックからのクロストーク成分が最
も小さくなり、読み出し信号３３の信号振幅Ｖ４’は最
大になる。

【００２７】しかし、これ以上記録光量を上げると次第
に記録マーク２８の端部は消去され、その幅は次第に狭
くなる。さらに、隣接トラックの記録マークの幅が広く
なり、クロストークが増大する。同図（ｄ１）におい
て、高い記録光量の光ビーム３５をトラックＴｒ（ｎ）
に照射しながらテスト記録パターン記録すると、トラッ
ク幅よりも広い記録マーク３４が記録される。この読み
出し信号３６の振幅Ｖ５’は一旦大きくなる。次に、同
図（ｄ２）において同じ記録光量の光ビーム３８と３８
により隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に
反転テスト記録パターンを記録する。記録マーク３７の
幅は記録マーク３４の幅と同一となる。このときの反転
テスト記録パターンの記録領域の幅は広いため、記録マ
ーク３４の端部は磁界変調記録によって消去され、その
中央部分だけが残った記録マーク３４’となる。記録マ
ーク３４’の幅は狭いため、読み出された信号３９の振
幅Ｖ６’は低下する。さらに、隣接トラックの記録マー
ク３７、３７からのクロストークにより、記録マーク３
４’の信号成分が低減され、信号振幅Ｖ６’はいっそう
小さくなる。つまり、高い記録光量のクロスイレーズに
よる信号振幅の減少は、隣接トラックの反転テスト記録
パターンのクロストークによってよりいっそう増幅され
る。

【００２８】図３（ｂ２）、（ｃ２）、（ｄ２）に示し
た読み出し信号の振幅を図２のＶ’に示す。記録光量が
低いときの信号振幅Ｖ’は図１における信号振幅Ｖより
もはるかに小さい。これは、テスト記録パターンの記録
マークの成分が隣接トラックの反転テスト記録パターン
からのクロストークによって低減されたためである。そ
して記録光量を上げるに従って記録マークの幅が広くな
り、さらにクロストークも減少する。これにより信号振
幅は次第に増加し、信号振幅Ｖに近づく。テスト記録パ
ターンの記録幅の端部と、隣接トラックの反転テストパ
ターン記録幅の端部が接するとき、信号振幅は最大とな
る。さらに記録光量を上げると、次第にテスト記録パタ
ーンの記録マークの端部が削られ、さらに隣接トラック
の記録マークの幅が広くなり、信号振幅Ｖ’は大きく減
少する。信号振幅Ｖ’が最大となる記録光量では、記録
マークの幅は最も広く、さらに隣接トラックからのクロ
ストークが最も小さい。上記のように、隣接トラックに
反転テスト記録パターンを記録することにより、図１の
方法に比べて信号振幅の変化量が大きくなり、信号振幅
の最大値を高感度で検出する。これにより、信号振幅
Ｖ’が最大となる記録光量を最適記録光量とする。

【００２９】図４は、上記記録光量の最適化時に再生光
量Ｐｒを１．４ｍＷ〜２．１ｍＷの範囲で変化させて、
それぞれの再生光量における信号振幅を測定した結果で
ある。縦軸は信号振幅を最大信号振幅で割って規格化し
た。この図から、再生光量が変化しても、信号振幅の変
化しないことがわかった。つまり、記録光量の制御は再
生光量の変化に依存しない。したがって図５に示すよう
にまず再生光量に依存しない記録光量の最適制御を行い
（ｓ１）、続いて再生光量の最適制御を行えば（ｓ
２）、記録光量と再生光量を共に最適に制御することが
可能である。この後、情報の記録再生を行えば（ｓ
３）、再生エラーを低減でき、高密度の記録再生が可能
となる。

【００３０】図６を用いて、まず図３に示した記録光量
の最適制御を行うための装置を説明する。まず、テスト
記録パターンの記録時は、ＣＰＵ４６から制御命令ｃ３
が記録光量設定回路５０に送られ、記録光量制御信号ｐ
２が出力される。この信号ｐ２は、ＣＰＵ４６からのス
イッチ命令ｃ２に基づいてスイッチ回路４８を介して駆
動回路４７に送られ、駆動電流ｆにより半導体レーザー
４１から強いレーザビームｂ１が光磁気ディスク４０に
照射される。同時にＣＰＵ４６からは制御命令ｃ４がパ
ターン発生回路５３に送られ、図３に示したテスト記録
パターンと反転テスト記録パターンからなる信号ｇが発
生される。この記録信号ｇは駆動回路５２に送られ、駆
動電流ｈによって磁気ヘッド５１から記録磁界が発生さ
れ、光磁気ディスク４０にテスト記録パターンと反転テ
スト記録パターンを記録する。

【００３１】次に、読み出し信号の振幅検出について説
明する。ＣＰＵ４６からは制御命令ｃ５が再生光量設定
回路に送られ、所定の再生光量に設定される。またスイ
ッチ命令ｃ２がスイッチ回路４８に送られ、再生光量設
定回路４９からの再生光量制御信号ｐ１がスイッチ回路
４８を介して駆動回路４７に送られる。この回路から出
力された駆動電流ｆにより半導体レーザー４１から再生
光量のレーザビームｂ１が光磁気ディスク４０に照射さ
れる。反射光ｂ２はフォトダイオード４２へ導かれる。
光磁気ディスク４０から読み出された読み出し信号ｒ１
は増幅器４３によって増幅され、読み出し信号ｒ２がＡ
／Ｄ変換器４４とクロック抽出回路４５に入力される。
クロック抽出回路４５において、再生信号ｒ２から後述
する外部クロックｃを生成し、パターン発生回路５３に
送ることにより、テスト記録パターンと反転テスト記録
パターンを記録する。また、外部クロックｃはＡ／Ｄ変
換器４４に送られ、読み出し信号ｒ２をディジタル値ｄ
に変換する。この信号はＣＰＵ４６に送られ、読み出し
信号ｒ２の振幅を検出し、また後述するＰＲＭＬ復調回
路６６にも送られる。

【００３２】フォトダイオード４２、半導体レーザ４１
と磁気ヘッド５１は波線で囲まれたピックアップ５５に
備えられている。ＣＰＵ４６からは制御命令ｃ１がピッ
クアップ駆動装置５４に送られ、図３に示したトラック
Ｔｒ（ｎ）、隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋
１）に光ビームｂ１を移動して照射する。

【００３３】ＣＰＵ４６は、制御命令ｃ３によって記録
光量を順次増加させ、制御命令ｃ１によってトラックと
隣接トラックに光ビームを移動しながら、制御命令ｃ４
によってテスト記録パターンと反転テスト記録パターン
を記録する。また、制御命令ｃ２によって光ビームｂ１
を再生光量に固定し、ディジタル値ｄを入力して読み出
し信号ｒ２の信号振幅を検出する。そして記録光量毎の
信号振幅ｄを順次記憶し、この値が最大となる記録光量
を最適な記録光量に決定する。なお、図４に示したよう
に最大値が複数ある場合は、ある一定以上の振幅値が得
られる光量範囲の中心を最適記録光量に決定する。

【００３４】図７（ａ）は図６におけるクロック抽出回
路４５を説明する図である。光磁気ディスク４０からの
反射光ｂ２を２分割フォトディテクタ４２ａに入力す
る。２つの出力信号ｒ２ａとｒ２ｂをクロック抽出回路
４５における差動増幅器４５ａに入力することにより、
良く知られているプッシュプル方式のトラックエラー信
号ｊを得る。このトラックエラー信号ｊには後述する基
準マーク５８からの読み出し信号が含まれており、この
基準マークを検出するためにヒステリシスコンパレータ
４５ｂにおいて接地レベルと比較する。これによって得
られた基準マーク検出信号ｋをＰＬＬ回路４５ｃに入力
することにより、基準マークに５８に同期した外部クロ
ックｃを出力する。

【００３５】図７（ｂ）および（ｃ）は、同図（ａ）に
おけるクロック抽出回路４５の動作を説明する波形図で
ある。図７（ｂ）においてテスト記録パターンと反転し
たテスト記録パターンはランド５９とグルーブ６０のそ
れぞれのトラックに記録される。ここでは説明の便宜
上、トラックＴｒ（ｎ）をグルーブ６０、トラックＴｒ
（ｎ−１）をランド５９とし、トラックＴｒ（ｎ＋１）
は省略する。トラックに沿った方向には基準マーク５８
とパターン記録領域５７が交互に繰り返し配置され、パ
ターン記録領域５７にはテスト記録パターンや反転した
テスト記録パターンの記録マーク５６が記録される。ラ
ンド５９とグルーブ６０に挟まれた側壁６２を周期的に
蛇行させることにより、光磁気ディスクの物理的な基準
位置を示すための消去不可能な基準マーク５８が刻設さ
れている。ランド５９とグルーブ６０に挟まれた側壁６
２のみ蛇行させ、反対の側壁６３と６４は蛇行させない
ことにより、トラックの直角方向に隣接する基準マーク
（図示せず）とのクロストークを低減する。この基準マ
ーク５８によって区切られた領域を単位としてパターン
記録領域５７が設けられている。

【００３６】例えばグルーブ６０を光スポット６１でト
ラッキングすると、同図（ｃ）においてトラックエラー
信号ｊには基準マーク５８、５８からの読み出し信号が
含まれる。これを２値化すると基準マーク検出信号ｋを
得る。この信号をＰＬＬ回路４５ｃに入力することによ
り、基準マーク５８に同期した外部クロックｃを得る。

【００３７】図８は図５に示した記録光量の最適制御ｓ
１の動作を詳細に説明する流れ図である。まず、予め隣
接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に高い記録
光量により、反転テスト記録パターンを記録する（ｓ
４）。記録光量を低い初期値にセットする（ｓ５）。ト
ラックＴｒ（ｎ）にテスト記録パターンを記録する（ｓ
６）。隣接トラックＴｒ（ｎ−１）とＴｒ（ｎ＋１）に
同じ記録光量により反転テスト記録パターンを記録する
（ｓ７）。所定の再生光量にセットする（ｓ８）。トラ
ックＴｒ（ｎ）のテスト記録パターンを読み出し、信号
振幅を検出する（ｓ９）。このときの記録光量と信号振
幅を関連づけて記憶する（ｓ１０）。記録光量を所定の
増分だけ高くする（ｓ１１）。記録光量がテスト範囲を
超えたか判断する（ｓ１２）。越えない場合はｓ６に戻
って、再びテスト記録パターンを記録する。越えた場合
は、記憶した信号振幅の中から最大値を探す（ｓ１
３）。その時の記録光量を最適記録光量に決定する（ｓ
１４）。

【００３８】図９は上記の記録条件制御方法によって使
用される光磁気ディスクのトラック位置を説明する図で
ある。光磁気ディスク４０のリードイン領域の一部６５
に記録再生条件制御用のトラック領域が設けられる。こ
のとき、隣接して複数のトラックが割り当てられるが、
ランド／グルーブ記録の場合はランドやグルーブに限ら
ず連続する複数の隣接トラックが割り当てられる。この
領域には少なくとも、外部クロックを発生するための基
準マークと、パターン記録領域が複数の連続するトラッ
クに設けられる。そして、この領域において順次光量を
変化させながら、テスト記録パターンと反転テスト記録
パターンを記録することにより、高感度で記録光量の最
適値を求めることができる。

【００３９】なお、以上の実施例では記録光量の最適値
を得るための方法及び装置について説明したが、記録磁
界強度の最適化についても同様に行うことができる。ま
た、磁界変調記録を例に挙げて説明したが、光変調記録
においても同様に記録マークの幅の変化を信号振幅によ
って検出できるため、高感度で記録光量の最適値を求め
ることができる。

【００４０】次に図５における再生光量の最適制御Ｓ２
について説明する。図１０と図１１は長マークと短マー
クの振幅比と再生光量の関係を説明する図である。図１
０において、まずパターン記録領域に上記の最適記録光
量によって長マーク６７と短マーク６８から成る再生制
御パターンが記録される。次にこのパターンに再生光量
の光ビームを照射すると、図示するアパーチャ（検出
口）６９が生じる。この検出口６９は再生光量が小さい
ときは実線で示すように小さくなり、再生光量が大きい
ときは波線で示すように大きくなる。検出口６９よりも
長い長マーク６７と、検出口よりも短い短マーク６８を
再生すると、長マーク６７からは振幅の大きい再生信号
７０が得られ、短マーク６８からは振幅の小さい再生信
号７１が得られる。この長マークの再生信号７０と短マ
ークの再生信号７１の振幅比（長短マーク振幅比）は、
図１１に示すように再生光量が大きくなるほど小さくな
る。また再生データのエラーレートは再生光量Ｐｏにお
いて最も小さくなる。図６におけるＣＰＵ４６におい
て、制御命令ｃ５を出力し、再生光量を徐々に上げる。
Ａ／Ｄ変換器４４の出力信号ｄからこの時の振幅比を測
定し、またＰＲＭＬ復調回路６６からの復調データｌか
らエラーレートを測定する。測定されたエラーレートの
中から、最も小さいエラーレートを探し出す。このとき
の再生光量Ｐｏに対応した振幅比Ｒを最適振幅比と決定
する。以後は、Ａ／Ｄ変換器４４の出力信号ｄから振幅
比のみを測定し、これが最適振幅比Ｒに近づくように再
生光量を制御する。これにより再生データのエラーレー
トを最も低く抑えるための再生光量の制御が行われる。

【００４１】図１２は図５における再生光量の最適制御
を詳細に説明する流れ図である。（ｓ１５）〜（ｓ２
４）は目標振幅比を決定するステップ、（ｓ２５）〜
（ｓ２８）は再生光量を制御するステップである。

【００４２】まず、記録光量の制御において得られた最
適記録光量に設定する（ｓ１５）。光磁気ディスクのパ
ターン記録領域に再生制御パターンを記録する（ｓ１
６）。このとき、エラーを測定するためのランダムデー
タを、再生制御パターンに付加して記録する。再生光量
を初期値に設定する（ｓ１７）。再生制御パターンとラ
ンダムデータを再生する（ｓ１８）。再生制御パターン
の振幅比を測定し（ｓ１９）、続いてランダムデータの
エラーレートを測定する（ｓ２０）。このときの再生信
号の振幅比とエラー数を記憶しておく（ｓ２１）。再生
光量を微増し（ｓ２２）、再生光量のテスト範囲の最終
値を越えたか判断する（ｓ２３）。越えていなければ
（ｓ１８）に戻り、越えていれば記憶したエラー数の中
から最低値となるものか、あるいは所定値以下となるも
のを探し、このときの振幅比を目標振幅比に決定する
（ｓ２４）。以後は（ｓ２５）に移って、決定した目標
振幅比に基づいて再生光量の制御を行う。

【００４３】さて、再生制御パターンから長マークの振
幅値を検出する（ｓ２５）。次に短マークの振幅値を検
出する（ｓ２６）。次に長マークの振幅値と短マークの
振幅値の比を計算する（ｓ２７）。計算された振幅比
と、目標振幅値との差がゼロに近づくように再生光量を
変更する（ｓ２８）。再び（ｓ２５）へ戻って再生光量
の制御を繰り返す。これにより、エラーレートの測定に
代えて、再生信号の振幅比による簡潔な再生光量の制御
を行うことが可能となる。

【００４４】なお、目標振幅比を求めるために再生光量
を微増させながらテストデータのエラー数の測定を行っ
たが、これに限らず再生信号のジッタを測定し、この値
が最低となるか、あるいは所定値以下になる時の振幅比
を目標振幅比としても良い。エラー数はジッタ値にほぼ
比例するため、同様に再生光量の制御が行われる。

【００４５】以上のように、記録光量の制御が再生光量
に依存しないため、まず記録光量を制御した後に、最適
な記録光量に基づいて再生制御パターンを記録する事が
でき、このパターンを再生しながら再生光量を最適に制
御することが可能となる。

【００４６】

【発明の効果】本発明の請求項１記載の光記憶装置にお
ける記録再生条件制御方法は、光ビームの光量あるいは
外部印加磁界の強度を変化させることにより所定の複数
の記録条件に設定する第１ステップと、光記録媒体にテ
スト記録パターンを記録する第２ステップと、再生条件
を所定の値に固定する第３ステップと、前記再生条件に
おいて前記テスト記録パターンを読み出して第１信号量
を検出する第４ステップと、前記記録条件と前記第１信
号量を関連づけて記憶する第５ステップと、記憶した前
記第１信号量の中から所定値に最も近いものを探す第６
ステップと、第６ステップにおいて得られた第１信号量
に対応する記録条件により再生制御パターンを記録する
第７ステップと、前記再生制御パターンを再生して第２
信号量を検出する第８ステップと、前記第２信号量が所
定値に近づくように再生条件を制御する第９ステップと
を備えることを特徴とする。

【００４７】これによれば、記録光量の制御が再生光量
に依存しないため、まず記録光量を制御した後に、最適
な記録光量に基づいて再生制御パターンを記録する事が
でき、このパターンを再生しながら再生光量を最適に制
御することが可能となる。

【００４８】請求項２記載の光記憶装置における記録再
生条件制御方法は、前記第２ステップは光記録媒体の第
１トラックに第１テスト記録パターンを記録するステッ
プと、隣接する第２トラックに第２テスト記録パターン
を記録するステップとを備えることを特徴とする。

【００４９】これにより、記録マークからの信号量が最
も大きく、隣接トラックからのクロスイレーズを最小に
抑える記録条件を求める。このとき、記録マークの幅が
最適となり、トラック密度の高密度化を実現する。

【００５０】請求項３記載の光記憶装置における記録再
生条件制御方法は、前記第２テスト記録パターンは第１
テスト記録パターンの反転パターンであり、第１テスト
記録パターンに同期して第２テスト記録パターンを隣接
トラックに記録することを特徴とする。

【００５１】これにより、読み出し信号の最大値を高感
度で検出し、記録条件の最適値を求める。このとき、記
録マークの幅は最も広いため信号量が大きくなり、隣接
トラックからのクロストークが最小となり、トラックの
高密度化を実現する。

【００５２】請求項４記載の光記憶装置における記録再
生条件制御装置は、光記録媒体に光ビームを照射する照
射手段と、前記光記録媒体にテスト記録パターンを記録
する第１記録手段と、再生条件を所定の値に固定する再
生条件固定手段と、前記テスト記録パターンを読み出し
て、第１信号量を検出する第１信号量検出手段と、第１
信号量が所定の値に近づくように記録光量あるいは記録
磁界強度を所定の記録条件に制御する記録条件制御手段
と、前記所定の記録条件により前記光記録媒体に再生制
御パターンを記録する第２記録手段と、前記再生制御パ
ターンを読み出して、第２信号量を検出する第２信号量
検出手段と、第２信号量が所定の値に近づくように再生
光量あるいは再生磁界強度を所定の記録条件に制御する
再生条件制御手段とを備えることを特徴とする。

【００５３】これによれば、記録光量の制御が再生光量
に依存しないため、まず記録光量を制御した後に、最適
な記録光量に基づいて再生制御パターンを記録する事が
でき、このパターンを再生しながら再生光量を最適に制
御することが可能となる。

【００５４】請求項５記載の光記憶装置における記録再
生条件制御装置は、前記第１記録手段は、第１トラック
に第１テスト記録パターンを記録した後、第２トラック
に第２テスト記録パターンを記録する手段を備え、前記
第１テスト記録パターンを読み出して、読み出し信号の
信号量が所定の値となるように記録光量あるいは記録磁
界強度を制御することを特徴とする。

【００５５】これにより、記録マークからの信号量が最
も大きく、隣接トラックからのクロスイレーズを最小に
抑える記録条件を求める。このとき、記録マークの幅が
最適となり、トラック密度の高密度化を実現する。

【００５６】請求項６記載の光記憶装置における記録再
生条件制御装置は、前記第１記録手段は第１テスト記録
パターンの反転パターンである第２テスト記録パターン
を発生し、第１テスト記録パターンに同期して第２テス
ト記録パターンを第２トラックに記録することを特徴と
する。

【００５７】これにより、読み出し信号の最大値を高感
度で検出し、記録条件の最適値を求める。このとき、記
録マークの幅は最も広いため信号量が大きくなり、隣接
トラックからのクロストークが最小となり、トラックの
高密度化を実現する。

【００５８】請求項７記載の光記憶装置における記録再
生条件制御装置は、前記第１記録手段は予め高めの前記
記録光量あるいは記録磁界強度によって、第２トラッ
ク，に前記第２テスト記録パターンを記録し、次に低め
の初期値から徐々に記録光量あるいは記録磁界強度を上
げながら、前記第１トラックに第１テスト記録パターン
を記録した後に、第２トラックに第２テスト記録パター
ンを記録することを特徴とする。

【００５９】これにより、低い記録光量あるいは記録磁
界強度においても、クロストークによって読み出した信
号量の変化を大きくでき、読み出し信号の最大値を高感
度で検出し、記録条件の最適値を求める。

【００６０】請求項８記載の光記憶装置における記録再
生条件制御装置は、予め所定の間隔で基準マークが記録
された前記光記録媒体から、基準マーク信号を読み出
し、この信号に同期する外部クロックを発生するクロッ
ク発生手段を備え、この外部クロックに基づいて前記第
１テスト記録パターンと第２テスト記録パターンとを記
録することを特徴とする。

【００６１】これにより、トラックに記録するテスト記
録パターンと、隣接トラックに記録する反転テスト記録
パターンを外部クロックによって正確に同期して記録
し、クロストークの発生を増大させて、信号振幅の変化
を大きくし、高感度で最適な記録条件を求める。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例における記録条件制御方法を説
明する図。

【図２】本発明の実施例における信号振幅の検出感度を
説明する図。

【図３】本発明の実施例における高感度の記録条件制御
方法を説明する図。

【図４】本発明の実施例における検出感度の再生光量依
存性を測定した図。

【図５】本発明の実施例における流れ図を示す図。

【図６】図３における記録条件制御方法を実現する記録
再生条件制御装置を示す図。

【図７】図６におけるクロック抽出回路を詳細に説明す
る図。

【図８】図５における記録光量の最適制御ステップを詳
細に説明する流れ図。

【図９】図６における光記録媒体を示す図。

【図１０】本発明の実施例における再生制御パターンを
示す図。

【図１１】図１０における再生制御パターンの振幅比の
変化を示す図。

【図１２】図５における再生光量の最適制御ステップを
詳細に説明する流れ図。

【図１３】従来の記録条件制御方法を説明する図。

【符号の説明】

２０ 隣接トラックの反転テスト記録パターンの記録マ
ーク ２１ 高い記録光量の光ビーム ２２ テスト記録パターンの記録マーク ２３ 低い記録光量の光ビーム ４０ 光磁気ディスク ４１ 半導体レーザー ４２ フォトダイオード ４４ Ａ／Ｄ変換器 ４５ クロック抽出回路 ４６ ＣＰＵ ４９ 再生光量設定回路 ５０ 記録光量設定回路 ５１ 磁気ヘッド ５３ パターン発生回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５８１ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５８１Ｄ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光ビームの光量あるいは外部印加磁界の
   強度を変化させることにより所定の複数の記録条件に設
   定する第１ステップと、光記録媒体にテスト記録パター
   ンを記録する第２ステップと、再生条件を所定の値に固
   定する第３ステップと、前記再生条件において前記テス
   ト記録パターンを読み出して第１信号量を検出する第４
   ステップと、前記記録条件と前記第１信号量を関連づけ
   て記憶する第５ステップと、記憶した前記第１信号量の
   中から所定値に最も近いものを探す第６ステップと、第
   ６ステップにおいて得られた第１信号量に対応する記録
   条件により再生制御パターンを記録する第７ステップ
   と、前記再生制御パターンを再生して第２信号量を検出
   する第８ステップと、前記第２信号量が所定値に近づく
   ように再生条件を制御する第９ステップとを備えること
   を特徴とする光記憶装置における記録再生条件制御方
   法。
2. 【請求項２】 前記第２ステップは光記録媒体の第１ト
   ラックに第１テスト記録パターンを記録するステップ
   と、隣接する第２トラックに第２テスト記録パターンを
   記録するステップとを備えることを特徴とする請求項１
   記載の光記憶装置における記録再生条件制御方法。
3. 【請求項３】 前記第２テスト記録パターンは第１テス
   ト記録パターンの反転パターンであり、第１テスト記録
   パターンに同期して第２テスト記録パターンを隣接トラ
   ックに記録することを特徴とする請求項２記載の光記憶
   装置における記録再生条件制御方法。
4. 【請求項４】 光記録媒体に光ビームを照射する照射手
   段と、前記光記録媒体にテスト記録パターンを記録する
   第１記録手段と、再生条件を所定の値に固定する再生条
   件固定手段と、前記テスト記録パターンを読み出して、
   第１信号量を検出する第１信号量検出手段と、第１信号
   量が所定の値に近づくように記録光量あるいは記録磁界
   強度を所定の記録条件に制御する記録条件制御手段と、
   前記所定の記録条件により前記光記録媒体に再生制御パ
   ターンを記録する第２記録手段と、前記再生制御パター
   ンを読み出して、第２信号量を検出する第２信号量検出
   手段と、第２信号量が所定の値に近づくように再生光量
   あるいは再生磁界強度を所定の記録条件に制御する再生
   条件制御手段とを備えることを特徴とする光記憶装置に
   おける記録再生条件制御装置。
5. 【請求項５】 前記第１記録手段は、第１トラックに第
   １テスト記録パターンを記録した後、第２トラックに第
   ２テスト記録パターンを記録する手段を備え、前記第１
   テスト記録パターンを読み出して、読み出し信号の信号
   量が所定の値となるように記録光量あるいは記録磁界強
   度を制御することを特徴とする請求項４記載の光記憶装
   置における記録再生条件制御装置。
6. 【請求項６】 前記第１記録手段は第１テスト記録パタ
   ーンの反転パターンである第２テスト記録パターンを発
   生し、第１テスト記録パターンに同期して第２テスト記
   録パターンを第２トラックに記録することを特徴とする
   請求項５記載の光記憶装置における記録再生条件制御装
   置。
7. 【請求項７】 前記第１記録手段は予め高めの前記記録
   光量あるいは記録磁界強度によって、第２トラックに前
   記第２テスト記録パターンを記録し、次に低めの初期値
   から徐々に記録光量あるいは記録磁界強度を上げなが
   ら、前記第１トラックに第１テスト記録パターンを記録
   した後に、第２トラックに第２テスト記録パターンを記
   録することを特徴とする請求項６記載の光記憶装置にお
   ける記録再生条件制御装置。
8. 【請求項８】 予め所定の間隔で基準マークが記録され
   た前記光記録媒体から、基準マーク信号を読み出し、こ
   の信号に同期する外部クロックを発生するクロック発生
   手段を備え、この外部クロックに基づいて前記第１テス
   ト記録パターンと第２テスト記録パターンとを記録する
   ことを特徴とする請求項６または７記載の光記憶装置に
   おける記録再生条件制御装置。