JP3343057B2 - 光記憶装置における再生光量制御装置及び光記録媒体 - Google Patents
光記憶装置における再生光量制御装置及び光記録媒体Info
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Description
の光記録媒体に光ビームを照射し、記録マークからの再
生信号が所定の値に近づくように光ビームの光量を制御
する光記憶装置における再生光量制御装置及び光記録媒
体に関するものである。
面内磁化を有する再生層とを備えた磁気的超解像方式の
光磁気ディスクに対して、再生層側から光ビームを照射
して、照射領域内で所定の温度以上に温度が上昇した部
分(以下、アパーチャという)のみの再生層が、対応す
る記録層の磁性が転写されて面内磁化から垂直磁化に移
行することにより、光ビームのスポット径よりも小さい
記録マークの再生を可能にしている。
る駆動電流を一定に保っていても、再生時の環境温度の
変化に応じて光ビームの再生パワーが変動してしまうこ
とがある。そして、再生パワーが強くなり過ぎるとアパ
ーチャが大きくなり過ぎて、隣接するトラックからの再
生信号の出力が増大し、再生されるデータに含まれる雑
音信号の割合が多くなって、読み取りエラーの発生する
確率が高くなる。また、再生パワーが弱くなり過ぎる
と、記録マークよりもアパーチャが小さくなるととも
に、読み取ろうとしているトラックからの再生信号の出
力も小さくなって、やはり読み取りエラーの発生確率が
高くなる。
は、光磁気ディスク上の異なる2種類の長さの再生パワ
ー制御用マークを再生し、それらの再生信号の比が所定
値に近づくように再生パワーを制御することによって、
再生パワーを常に最適値に保持し、読み取りエラーの発
生する確率を減少させている。図12に、この装置の大
まかな構成を示す。半導体レーザ2からの出射光が光磁
気ディスク12に照射されると、光磁気ディスク12上
の再生パワー制御用マークからの反射光がフォトダイオ
ード3によって再生信号に変換される。再生信号はA/
D(Analog/Digital)変換器5とクロッ
ク生成回路4に入力される。クロック生成回路4は、P
LL(Phase Locked Loop)によって
再生信号に同期したクロック信号を生成する。そして、
A/D変換器5において、このクロック信号に基づいて
再生信号がデジタルデータに変換される。振幅比検出回
路13は、クロック信号毎に入力されるデジタルデータ
のうち、上下ピーク点のデジタルデータのみを取り出し
て、所定サンプル数で平均化することによって、振幅値
の平均値を検出する。このように長マークと短マークの
平均振幅値を検出して、これらの比を求めて平均振幅比
として出力する。差動増幅器10はこの平均振幅比と目
標値を比較し、その差が小さくなる方向にフィードバッ
クがかかるように、再生パワー制御回路11が半導体レ
ーザ2への駆動電流を制御する。このようにして、常に
最適な再生パワーが与えられるようにレーザ光の駆動電
流が制御される。
の平均値を求めるために用いるサンプル数が多すぎる
と、光記録媒体における再生パワー制御用マークの記録
領域の占める割合が大きくなりすぎて、光記録媒体の利
用効率が悪化してしまう。又、サンプル数が少なすぎる
と、検出される振幅比のばらつきが大きくなり、再生パ
ワーの制御誤差が大きくなってしまう。
の平均化に用いるピーク値のサンプル数を最適な範囲に
設定することによって、求められる平均振幅比のばらつ
きを小さくして再生パワーの制御誤差を小さく抑えると
ともに、再生パワー制御用マークの記録領域を小さくし
て、光記録媒体の利用効率を向上させることを目的とす
る。
装置における再生光量制御装置は、照射された光ビーム
の光スポット径よりも小さなアパーチャを再生層に発生
させることにより記録層からの記録情報を再生する光記
録媒体を用い、該光記録媒体に記録された短マークの繰
り返しパターンと長マークの繰り返しパターンとを含む
再生パワー制御用マークからの再生信号の振幅の比を検
出して再生パワーを制御する制御手段を有する光記憶装
置における再生光量制御装置において、前記制御手段
は、(1,7)RLL変調またはNRZI変調を用いた
再生パワー制御用マークを、(1,7)RLL変調を用
いた再生パワー制御用マークの場合には5バイト以上4
0バイト未満の範囲で、NRZI変調を用いた再生パワ
ー制御用マークの場合には5バイト以上25バイト未満
の範囲で、再生して得られる再生信号に基づいて再生パ
ワーを制御するものであり、前記再生信号をA/D変換
して得られた複数の振幅値を平均化する平均化手段を備
えることを特徴とする。
光量制御装置は、請求項1に記載の光記憶装置における
再生光量制御装置において、前記再生パワー制御用マー
クは、(1、7)RLL変調方式における長さの異なる
2種類の繰り返しマークであり、前記制御手段は、前記
再生パワー制御用マークに応じた再生信号の振幅値の数
が各々15サンプル以上120サンプル以下であること
を特徴とする。
光量制御装置は、請求項1または請求項2に記載の光記
憶装置における再生光量制御装置において、上記平均化
手段は、短マークまたは長マークの記録領域の再生を終
了するまで入力デジタル信号を保持し続け、再生が終了
した時点で保持した該デジタル信号の上下ピークサンプ
ル点を抽出して平均化を行なうことを特徴とする。
た光ビームの光スポット径よりも小さなアパーチャを再
生層に発生させることにより記録層からの記録情報を再
生する光記録媒体において、(1,7)RLL変調また
はNRZI変調を用いた5バイト以上40バイト以下の
再生パワー制御用マークが記録されており、前記再生パ
ワー制御用マークは、短マークの繰り返しパターンと長
マークの繰り返しパターンとからなり、各繰り返しパタ
ーンは、(1,7)RLL変調を用いた再生パワー制御
用マークの場合には5バイト以上40バイト未満であ
り、NRZI変調を用いた再生パワー制御用マークの場
合には5バイト以上25バイト未満の範囲であることを
特徴とする。
に記載の光記録媒体において、前記再生パワー制御用マ
ークは、セクタ毎に設けられていることを特徴とする。
用いて説明する。図1に、超解像光磁気ディスク再生装
置に本発明を適用した場合の実施の形態を示す。ただ
し、図12に示した従来装置と同様の機能を有する部分
については、同一番号を付して説明を省略する。
模式的に示す。図3に、短マークと長マークとからなる
再生パワー制御用マークを示す。図2において、セクタ
100は、短マークとして2Tc(Tcはチャネルビッ
ト長)の繰り返しパターン(図3(a)に示す)をKバ
イト記録した短マーク記録領域101、長マークとして
8Tcの繰り返しパターン(図3(b)に示す)を同じ
くKバイト記録した長マーク記録領域102、(1,
7)RLL変調されたデジタルデータを記録するデータ
記録領域103からなっている。
と比較して、上記のような構造のセクタを複数含む光磁
気ディスク1、短マークの繰り返しパターンの平均振幅
値を検出する短マークレベル検出回路6、長マークの繰
り返しパターンの平均振幅値を検出する長マークレベル
検出回路7、データ記録領域103に記録されたデジタ
ルデータを再生するデータ再生回路8、短マークレベル
検出回路6の出力と長マークレベル検出回路7の出力を
割り算して平均振幅比を出力する割算器9の構成が相違
している。
ィスク1上のセクタ100にアクセスするとまず最初に
短マーク記録領域101に照射される。短マーク記録領
域101からの反射光はフォトダイオード3によって再
生信号に変換される。再生信号はクロック生成回路4に
入力されて、再生信号のチャネルビット周波数に同期し
たクロック信号が生成、出力される。A/D変換器5
は、クロック生成回路4から出力されるクロック信号の
タイミングに基づいて再生信号をデジタル信号に変換し
て、短マークレベル検出回路6に出力する。短マークレ
ベル検出回路6は、短マーク記録領域101の再生を終
えるまですべての入力デジタル信号を保持し続け、再生
が終わった時点で保持したデジタル信号の上下ピークサ
ンプリング点のみを抽出して平均化処理し、短マーク振
幅値として出力する。次に半導体レーザ2からの出射光
は長マーク記録領域102に照射され、短マークの場合
と同様の処理が行われて、長マークレベル検出回路7か
ら長マーク振幅値が出力される。割算器9は入力された
短マーク振幅値と長マーク振幅値の比を計算して平均振
幅比として出力する。出力された平均振幅比は差動増幅
器10にて目標値と比較され、その差が小さくなる方向
にフィードバックがかかるように、再生パワー制御回路
11が半導体レーザ2への駆動電流を制御する。このよ
うにして、最適な再生パワーが与えられるようにレーザ
光の駆動電流が制御された後、出射光はデータ記録領域
103に照射され、読み出された再生信号がA/D変換
器5を経てデータ再生回路8に入力されて、エラーレー
トの低い二値化データが出力される。そして、出射光が
次のセクタに到達すると、同様の処理が繰り返されて、
新たに最適な再生パワーが設定し直される。このよう
に、再生パワー制御用マークの記録領域をセクタ毎に分
散して設けて、セクタ毎に再生パワー制御のための再生
信号量を検出することにより、短い時間間隔で再生パワ
ー制御が応答し、最適再生パワーの短時間の変動に追従
することが可能となる。
る短マーク振幅値の検出処理を図4(a)、図5を用い
て詳細に説明する。図4(a)は短マークの繰り返しパ
ターンの再生信号におけるA/D変換サンプリング点を
示す模式図である。クロック信号によって、上側ピーク
点(ds4i)、中間点(ds4i+1)、下側ピーク点(d
s4i+2)、中間点(ds4i+3)、の順でサンプリングさ
れる。
成を示している。クロック毎に入力される短マークのデ
ジタル再生信号は4N段シフトレジスタ61に順に記憶
されていく。短マークの上側ピーク点は4サンプリング
点毎に入力されるので、図のように4サンプリング点毎
のデジタル値(ds0、ds4、・・・、ds4(N-1))を
加算器62で加算し、割算器64にてNで割った値が上
側ピーク点の平均値Tsmeanとなる。同様に、4サンプ
リング点毎の下側サンプリング点のデジタル値(d
s2、ds6、・・・、ds4(N-1)+2)を加算器63で加
算して、割算器65にてNで割った値が下側ピーク点の
平均値Bsmeanとなる。減算器66にて求めたこれらの
差(Tsmean−Bsmean)が短マークの平均振幅値とし
て出力される。
長マーク振幅値の検出処理を図4(b)、図6を用いて
詳細に説明する。図4(b)は長マークの繰り返しパタ
ーンの再生信号におけるA/D変換サンプリング点を示
す模式図である。クロック信号によって、上側エンベロ
ープ点4点(dl16i、dl16i+1、dl16i+2、dl
16i+3)、中間点4点(dl16i+4、dl16i+5、dl
16i+6、dl16i+7)、下側エンベロープ点4点(dl
16i+8、dl16i+9、dl16i+10、dl16i+11)、中間点
4点(dl16i+12、dl16i+13、dl16i+14、dl
16i+15)の順でサンプリングされる。
成を示している。クロック毎に入力される長マークのデ
ジタル信号は16M段シフトレジスタ71に順に記憶さ
れていく。長マークの上側エンベロープ点は16サンプ
リング点毎に4サンプリング点が入力されるので、16
サンプリング点毎に4サンプリング点のデジタル値(d
l0、dl1、dl2、dl3、・・・、dl16(M-1)、d
l16(M-1)+1、dl16(M -1)+2、dl16(M-1)+3)を加算
器72で加算し、割算器74にて4Mで割った値が上側
ピーク点の平均値Tlmeanとなる。同様に、16サンプ
リング点毎に4サンプリング点の下側エンベロープ点の
デジタル値(dl8、dl9、dl10、dl11、・・・、
dl16(M-1)+8、dl16(M-1)+9、dl16(M-1)+10、dl
16(M-1)+11)を加算器73で加算して、割算器75にて
4Mで割った値が下側エンベロープ点の平均値Blmean
となる。減算器76にて求めたこれらの差(Tlmean−
Blmean)が長マークの平均振幅値として出力される。
mean−Bsmean)/(Tlmean−Blmean)の精度は、
制御に用いる再生パワー制御用マークの平均化バイト数
Kによって変化する。図7に、磁気的超解像光磁気ディ
スク再生装置にて、平均化バイト数Kと検出された振幅
比の精度(100回分の検出結果の分布の標準偏差で表
す。標準偏差が小さい程ばらつきが小さい)の関係を実
測した結果を示す。図7より、平均化バイト数Kが40
バイト以上になると、標準偏差はほとんど変化していな
いことが分かる。よって、平均化バイト数は40バイト
以下にすれば十分である。
理回路の訂正能力から考えて、通常、ビットエラーレー
トは1E−4(=1×10-4)以下であればよいとされ
ている。図8に、図7と同じ再生装置にて、半導体レー
ザの再生パワーと再生された二値化データのビットエラ
ーレート(BER)及び長短マークの振幅比との関係を
実測した結果を示す。図8の測定結果で見ると、振幅比
が0.14から0.28の範囲、すなわち0.21±
0.07となる再生パワーにて、ビットエラーレートが
1E−4以下となっている。振幅比による再生パワー制
御を行う場合、最初に最適な再生パワーとなる振幅比
(0.21)を検出して目標値とし、以降は随時検出し
た振幅比が目標値に近づくように制御を行うので、目標
値の検出誤差と制御用振幅比の検出誤差が合わさっても
ビットエラーレートが1E−4以下を満足するように許
容検出誤差を決める必要がある。よって振幅比の許容検
出誤差が±0.035(±0.07/2)となる条件を
考えればよい。統計学によると、平均振幅比の分布(ほ
ぼ正規分布とみなせる)の標準偏差がσの時、3σが
0.035以下であれば、99.7%以上の確率で平均
振幅比の誤差が±0.035に収まるとみなせるので、
σが0.0117(0.035/3)以下になることが
必要である。よって図7より、平均化バイト数Kは5バ
イト以上でなければならないことが分かる。
として(1,7)RLL、短マークとして2Tcの繰り
返しパターン、長マークとして8Tcの繰り返しパター
ンを用いた場合の結果を示したが、その他の場合とし
て、変調方式をNRZI、短マークを1Tcと2Tcの
交互繰り返しパターン、長マークを8Tcの繰り返しパ
ターンとした時の実測結果を図9、図10に示す。図9
は、変調方式としてNRZIを用いた磁気的超解像光磁
気ディスク再生装置にて、平均化バイト数K’と検出さ
れた振幅比の精度(100回分の検出結果の分布の標準
偏差で表す)の関係を実測した結果である。また図10
は、同じ再生装置にて、半導体レーザの再生パワーと、
再生された二値化データのビットエラーレート(BE
R)及び長短マークの振幅比との関係を実測した結果で
ある。
ト以上になると、標準偏差はほとんど変化していないこ
とが分かる。これは、(1,7)RLLでの40バイト
よりも小さいので、結局、平均化バイト数は40バイト
以下にすれば十分である。
に考えると、図10で振幅比が0.23から0.38の
範囲、すなわち0.305±0.075となる再生パワ
ーにてビットエラーレートが1E−4以下となっている
ことが分かるので、振幅比の許容検出誤差が±0.03
75(±0.075/2)となる条件を考えればよい。
すなわち、平均振幅比の分布の標準偏差σが0.012
5(0.0375/3)以下になることが必要である。
よって図9より、平均化バイト数K’は5バイト以上で
なければならないことが分かる。
は少なくとも5バイト以上必要であり、多くとも40バ
イト以下あれば十分である。すなわち、短マーク記録領
域と長マーク記録領域は、それぞれ5バイト以上40バ
イト以下にすればよい。このように、5バイト以上40
バイト以下で予め記録された再生パワー制御用マークを
再生し、A/D変換して平均化した信号に基づいて再生
パワーを制御するので、再生パワー制御用マークの記録
領域を小さくして光記録媒体の利用効率を向上させると
ともに、充分に高精度な再生パワーの制御を短時間で行
うことができる。
7)RLL変調の短マークでは4チャネルビット毎に上
下ピーク点がそれぞれ1つずつ含まれるので、1バイト
(12チャネルビット)あたりそれぞれ3サンプルの振
幅値が得られ、長マークでは16チャネルビット毎に上
下エンベロープ点がそれぞれ4つずつ含まれるので、1
バイトあたりそれぞれ3サンプルの振幅値が得られる。
また、図11(b)に示すように、NRZI変調の短マ
ークでは3チャネルビット毎に上下ピーク点がそれぞれ
1つずつ含まれるので、1バイト(8チャネルビット)
あたりそれぞれ約2.7(=8/3)サンプルの振幅値
が得られ、長マークでは16チャネルビット毎に上下エ
ンベロープ点がそれぞれ6つずつ含まれるので、1バイ
トあたりそれぞれ3サンプルの振幅値が得られる。
ー制御用マークの場合、1バイトの記録マークから3サ
ンプルのデジタル振幅値が得られるので、15サンプル
以上120サンプル以下のデジタル振幅値を平均化して
振幅比を求める構成としてもよい。また、NRZI変調
の再生パワー制御用マークの場合、1バイトの記録マー
クから8/3サンプルのデジタル振幅値が得られるの
で、(40/3)サンプル以上120サンプル以下のデ
ジタル振幅値を平均化して振幅比を求める構成としても
よい。
タを用いて所定数のデジタル振幅値をすべて入力した後
に平均化計算を行う構成を示したが、これに限らず、入
力されるデジタル振幅値をレジスタに保持することなく
順次加算していって、最後にサンプル数で割算して平均
化する構成としてもよい。また、上記実施の形態では、
光記憶装置として光磁気ディスクの再生装置で説明した
が、これに限らず、光カード、光テープの再生装置に適
用してもよい。
御装置によれば、再生パワー制御用マークの記録領域を
小さくして光記録媒体の利用効率を向上させることがで
きると共に、充分に高精度な再生パワーの制御を行うこ
とが可能となる。
領域を大きくできるため光記録媒体の利用効率を向上さ
せることと高精度な再生パワーの制御との両立を行うこ
とができ、さらに、再生パワー用制御マークの記録領域
をセクタ毎に分散して設けることにより、セクタ毎に再
生パワー制御ができるので、短い時間間隔で再生パワー
制御が応答し、最適再生パワーの短時間の変動に追従す
ることが可能となる。
装置を示す図である。
造を模式的に示す図である。
の繰り返しパターンと短マークの繰返しパターンを説明
する図である。
信号のA/Dサンプリング点を説明する模式図である。
の詳細構成を示す図である。
の詳細構成を示す図である。
いた再生パワー制御用マークの、平均化バイト数と求め
られた振幅比の標準偏差との関係を示す測定結果の図で
ある。
いた再生パワー制御用マークの、半導体レーザの再生パ
ワーと再生された二値化データのビットエラーレート及
び長短マークの振幅比との関係を示す測定結果の図であ
る。
パワー制御用マークの、振幅比の平均化バイト数と求め
られた振幅比の標準偏差との関係を示す測定結果の図で
ある。
生パワー制御用マークの、半導体レーザの再生パワーと
再生された二値化データのビットエラーレート及び長短
マークの振幅比との関係を示す測定結果の図である。
る、長マークの繰り返しパターンと短マークの繰り返し
パターンのサンプリング点を説明する図である。
の構成を示す図である。
Claims (5)
- 【請求項1】照射された光ビームの光スポット径よりも
小さなアパーチャを再生層に発生させることにより記録
層からの記録情報を再生する光記録媒体を用い、該光記
録媒体に記録された短マークの繰り返しパターンと長マ
ークの繰り返しパターンとを含む再生パワー制御用マー
クからの再生信号の振幅の比を検出して再生パワーを制
御する制御手段を有する光記憶装置における再生光量制
御装置において、 前記制御手段は、(1,7)RLL変調またはNRZI
変調を用いた再生パワー制御用マークを、(1,7)R
LL変調を用いた再生パワー制御用マークの場合には5
バイト以上40バイト未満の範囲で、NRZI変調を用
いた再生パワー制御用マークの場合には5バイト以上2
5バイト未満の範囲で、再生して得られる再生信号に基
づいて再生パワーを制御するものであり、前記再生信号
をA/D変換して得られた複数の振幅値を平均化する平
均化手段を備えることを特徴とする光記憶装置における
再生光量制御装置。 - 【請求項2】前記再生パワー制御用マークは、(1、
7)RLL変調方式における長さの異なる2種類の繰り
返しマークであり、 前記制御手段は、前記再生パワー制御用マークに応じた
再生信号の振幅値の数が各々15サンプル以上120サ
ンプル以下であることを特徴とする請求項1に記載の光
記憶装置における再生光量制御装置。 - 【請求項3】上記平均化手段は、短マークまたは長マー
クの記録領域の再生を終了するまで入力デジタル信号を
保持し続け、再生が終了した時点で保持した該デジタル
信号の上下ピークサンプル点を抽出して平均化を行なう
ことを特徴とする請求項1または2に記載の光記憶装置
における再生光量制御装置。 - 【請求項4】照射された光ビームの光スポット径よりも
小さなアパーチャを再生層に発生させることにより記録
層からの記録情報を再生する光記録媒体において、 (1,7)RLL変調またはNRZI変調を用いた5バ
イト以上40バイト以 下の再生パワー制御用マークが記
録されており、 前記再生パワー制御用マークは、短マークの繰り返しパ
ターンと長マークの繰り返しパターンとからなり、各繰
り返しパターンは、(1,7)RLL変調を用いた再生
パワー制御用マークの場合には5バイト以上40バイト
未満であり、NRZI変調を用いた再生パワー制御用マ
ークの場合には5バイト以上25バイト未満の範囲であ
ることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項5】前記再生パワー制御用マークは、セクタ毎
に設けられていることを特徴とする請求項4に記載の光
記録媒体。
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