JPH02218132A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02218132A JPH02218132A JP1039660A JP3966089A JPH02218132A JP H02218132 A JPH02218132 A JP H02218132A JP 1039660 A JP1039660 A JP 1039660A JP 3966089 A JP3966089 A JP 3966089A JP H02218132 A JPH02218132 A JP H02218132A
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- hydrogen ions
- semiconductor substrate
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、暗電流を
低減せしめる半導体装置の製造方法に関する。
低減せしめる半導体装置の製造方法に関する。
［従来の技術］
種々のデバイスの製造工程において、拡散層等を形成し
た後、半導体基板上には酸化膜が形成されるが、この際
、半導体基板の表面およびその近傍には界面トラップお
よび欠陥によるトラップが形成される。そして、これら
トラップが暗電流や接合間のリーク電流の原因となり、
ノイズの増大や耐圧劣化をもたらして、デバイスの特性
を悪化させる。この界面トラップを低減させる手段とし
ては、水素雰囲気中で比較的低温（３００〜４５０℃）
でアニールを行うことが有効であることが知られ、各種
デバイスの製造工程においてこの方法が採用されている
。
た後、半導体基板上には酸化膜が形成されるが、この際
、半導体基板の表面およびその近傍には界面トラップお
よび欠陥によるトラップが形成される。そして、これら
トラップが暗電流や接合間のリーク電流の原因となり、
ノイズの増大や耐圧劣化をもたらして、デバイスの特性
を悪化させる。この界面トラップを低減させる手段とし
ては、水素雰囲気中で比較的低温（３００〜４５０℃）
でアニールを行うことが有効であることが知られ、各種
デバイスの製造工程においてこの方法が採用されている
。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の方法は、一定範囲で界面トラップを減少
させることができるが、なお、満足すべきものではなか
った。特に、固体撮像素子においては、暗電流が撮像画
面上で白ノイズとしてあられれ、ダイナミックレンジを
低下させるので、より強力にトラップレベルを埋める手
段が望まれていた。
させることができるが、なお、満足すべきものではなか
った。特に、固体撮像素子においては、暗電流が撮像画
面上で白ノイズとしてあられれ、ダイナミックレンジを
低下させるので、より強力にトラップレベルを埋める手
段が望まれていた。
そこで、本発明者等は、種々の実験を重ね、試行錯誤を
繰り返した結果、半導体基板とシリコン酸化膜との界面
部分に水素イオンをイオン注入することによって界面ト
ラップを格段に減少させうろことを見出した。
繰り返した結果、半導体基板とシリコン酸化膜との界面
部分に水素イオンをイオン注入することによって界面ト
ラップを格段に減少させうろことを見出した。
［問題点を解決するための手段］
本発明による半導体装置の製造方法は、半導体基板内に
所要の拡散領域を形成する工程と、半導体基板上に酸化
膜を形成する工程と、前記半導体基板と前記酸化膜との
界面部分に水素イオンをイオン注入する工程と、アニー
リングを行う工程とを具備している。
所要の拡散領域を形成する工程と、半導体基板上に酸化
膜を形成する工程と、前記半導体基板と前記酸化膜との
界面部分に水素イオンをイオン注入する工程と、アニー
リングを行う工程とを具備している。
［実施例］
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための半導体装
置の断面図であって、この例は、固体撮像素子に対する
ものである。第１図において、シリコンからなるＮ型半
導体基板１上にＰ型拡散層２が形成され、このＰ型拡散
層２内には、光電変換が行われ光電変換による信号電荷
が蓄積されるＮ導電型の光電変換素子領域３、光電変換
素子領域３から信号電荷の転送を受け、これを出力側へ
転送するための領域であるＮ導電型のチャネル領域４お
よびこれらの領域を分離するための領域であるチャネル
ストッパ６が形成されている。そして、半導体基板上に
は、シリコン酸化膜５に囲まれてポリシリコンからなる
電荷転送電極７が形成されており、その上には全面に絶
縁ｌｉ８が設けられている。絶縁膜８の上には、光電変
換素子領域３上に開口を有する遮光アルミニウム膜９が
形成されている。この型式の固体撮像素子は周知である
が、ここでは常法により図示の構造に形成されたものと
する。
置の断面図であって、この例は、固体撮像素子に対する
ものである。第１図において、シリコンからなるＮ型半
導体基板１上にＰ型拡散層２が形成され、このＰ型拡散
層２内には、光電変換が行われ光電変換による信号電荷
が蓄積されるＮ導電型の光電変換素子領域３、光電変換
素子領域３から信号電荷の転送を受け、これを出力側へ
転送するための領域であるＮ導電型のチャネル領域４お
よびこれらの領域を分離するための領域であるチャネル
ストッパ６が形成されている。そして、半導体基板上に
は、シリコン酸化膜５に囲まれてポリシリコンからなる
電荷転送電極７が形成されており、その上には全面に絶
縁ｌｉ８が設けられている。絶縁膜８の上には、光電変
換素子領域３上に開口を有する遮光アルミニウム膜９が
形成されている。この型式の固体撮像素子は周知である
が、ここでは常法により図示の構造に形成されたものと
する。
このような構造に形成された固体撮像素子に対し、全面
に水素イオン１０をイオン注入する。この場合、遮光ア
ルミニウム膜９がマスクとなるので、水素イオンは光電
変換素子領域３部分にのみ導入される。なお、イオン注
入のエネルギーレベルは、水素イオンが光電変換素子領
域３とシリコン酸化膜５との界面部分に導入されるよう
に選択する。イオン注入後、アニーリングを行う、実際
に、第１図の素子に水素イオンを加速エネルギー１００
ＫｅＶ、ドーズ量１×１０１２／ｄでイオン注入を行い
、４００℃で５分間アニーリングを行って、光非照射の
状態でチャネル領域の出力端で出力を測定したところ、
出力電圧０．５ｍＶ（平均値）を得た。同じ固体撮像素
子に対し、従来方法を適用して水素雰囲気中で４００℃
、１０分間のアニーリングを行い、同様の測定を行った
ところ、出力電圧は、２ｍＶ （平均値）であった。
に水素イオン１０をイオン注入する。この場合、遮光ア
ルミニウム膜９がマスクとなるので、水素イオンは光電
変換素子領域３部分にのみ導入される。なお、イオン注
入のエネルギーレベルは、水素イオンが光電変換素子領
域３とシリコン酸化膜５との界面部分に導入されるよう
に選択する。イオン注入後、アニーリングを行う、実際
に、第１図の素子に水素イオンを加速エネルギー１００
ＫｅＶ、ドーズ量１×１０１２／ｄでイオン注入を行い
、４００℃で５分間アニーリングを行って、光非照射の
状態でチャネル領域の出力端で出力を測定したところ、
出力電圧０．５ｍＶ（平均値）を得た。同じ固体撮像素
子に対し、従来方法を適用して水素雰囲気中で４００℃
、１０分間のアニーリングを行い、同様の測定を行った
ところ、出力電圧は、２ｍＶ （平均値）であった。
この固体撮像素子は、電荷が転送されるチャネル領域４
は埋込みチャネル型であって、この部分は界面トラップ
の影響をほとんど受けないので、この部分には水素イオ
ンを注入する必要はない。
は埋込みチャネル型であって、この部分は界面トラップ
の影響をほとんど受けないので、この部分には水素イオ
ンを注入する必要はない。
したがって、この本実施例では、遮光アルミニウム膜を
設けた後イオン注入を行うことによって、他に影響を及
ぼすことなく必要な部分にのみ効果的にイオン注入を行
うことができる。
設けた後イオン注入を行うことによって、他に影響を及
ぼすことなく必要な部分にのみ効果的にイオン注入を行
うことができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、半導体基板とシリコン
酸化膜との界面およびその付近に水素イオンをイオン注
入することにより、界面トラップを大幅に減少させるこ
とができる効果がある。従って、本発明によれば、暗電
流、リーク電流を格段に減少せしめたデバイスを製造す
ることができる。
酸化膜との界面およびその付近に水素イオンをイオン注
入することにより、界面トラップを大幅に減少させるこ
とができる効果がある。従って、本発明によれば、暗電
流、リーク電流を格段に減少せしめたデバイスを製造す
ることができる。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための半導体装
置の断面図である。 １・・・Ｎ型半導体基板、 ２・・・Ｐ型拡散層、 ３
・・・光電変換素子領域、 ４・・・チャネル領域、
５・・・シリコン酸化膜、 ６・・・チャネルストッパ
、７・・・電荷転送電極、 ８・・・絶縁膜、 ９・・
・遮光アルミニウム膜、 １０・・・水素イオン。
置の断面図である。 １・・・Ｎ型半導体基板、 ２・・・Ｐ型拡散層、 ３
・・・光電変換素子領域、 ４・・・チャネル領域、
５・・・シリコン酸化膜、 ６・・・チャネルストッパ
、７・・・電荷転送電極、 ８・・・絶縁膜、 ９・・
・遮光アルミニウム膜、 １０・・・水素イオン。
Claims (1)
- 半導体基板内に所要の拡散領域を形成する工程と、半導
体基板上に酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板と
前記酸化膜との界面部分に水素イオンをイオン注入する
工程と、アニーリングを行う工程とを具備することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1039660A JPH02218132A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1039660A JPH02218132A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218132A true JPH02218132A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12559241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1039660A Pending JPH02218132A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02218132A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2805665A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-08-31 | Hyundai Electronics Ind | Procede de fabrication d'un capteur d'image cmos a courant d'obscurite reduit |
| JP2014165371A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516679A (ja) * | 1973-06-29 | 1976-01-20 | Ibm | |
| JPS5529133A (en) * | 1978-08-22 | 1980-03-01 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Manufacturing of semiconductor device |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP1039660A patent/JPH02218132A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516679A (ja) * | 1973-06-29 | 1976-01-20 | Ibm | |
| JPS5529133A (en) * | 1978-08-22 | 1980-03-01 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Manufacturing of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2805665A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-08-31 | Hyundai Electronics Ind | Procede de fabrication d'un capteur d'image cmos a courant d'obscurite reduit |
| JP2014165371A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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