JPH02213087A - 薄膜ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、発光層の上下に絶縁層を設けたいわゆる三
層構造を有する薄膜ＥＬパネルの製造方法に関する。

〈従来の技術〉 従来、この種の薄膜ＥＬパネルの製造方法としては第４
図（ａ）乃至（ｃ）に示すようなものがある。

すなわち、ガラス基板Ｉｉの表面に【ＴＯ（インジウム
錫酸化物）からなる透明導電膜を形成し、フォトエツチ
ングして、平行な帯状の透明電極１２を形成する（第４
図（ａ））。次に、第３図（ａ）に示すように、基板１
１を、表面を下向きにして基板ホルダ２０に取り付け、
膜を形成しない周辺領域を枠状のマスク２３で覆う。そ
して、形成する膜の密着強度が大きくなるように上記基
板！１を加熱した状態で、第４図（ｂ）に示すように、
電子ビーム蒸着法またはスパッタ法によって、５ｉｓＮ
＋膜を在する下部絶縁［１３と、ＺｎＳ：Ｍｎからなる
発光層１４と、５ｔａＮ＋膜を有する上部絶縁層１５と
を形成する。最後に、電子ビーム蒸着法によって金属膜
を形成し、フォトエツチングして、帯状の背面電極１６
と端子電極１７を形成する（第４図（Ｃ））。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、上記マスク２３および基板ホルダ２０は、基
板１１よりも熱容量が大きいものであり、しかも支持部
材によってチャンバ壁面に取り付けられている。そのた
め、上記基板ＩＩ加熱時に、熱伝導によってチャンバ壁
面に熱が逃げて、第３図（ｂ）に示すように、基板１１
の周辺領域が中心付近よりも低温であるような温度分布
が生じる。

基板温度が低い領域は膜の成長レートが大きいので、上
記従来の製造方法のようにこの状態で発光層１４を形成
する場合、発光層１４の膜厚は、第３図（ｃ）に示すよ
うに、膜形成領域Ｅ０の周辺にて厚く、中心付近にて薄
いような分布となる。発光層の膜厚と発光輝度とは略比
例する関係があるので、膜厚が上記分布となった場合、
第３図（ｄ）に示すように、発光輝度は、膜形成領域Ｅ
。すなわちパネルの表示領域Ｄ０にて、鍋底状の分布を
示し、輝度差Ｂ。を生じる。この輝度差Ｂ０は、薄膜Ｅ
Ｌパネルの表示品位を著しく損なうものである。

そこで、この発明の目的は、表示領域内にて輝度差を抑
えて表示品位を向上させた薄膜ＥＬパネルの製造方法を
提供することにある。

く課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、この発明は、ガラス基板上
の所定領域に、順次積層させた透明電極と下部絶縁層と
発光層と上部絶縁層と背面電極とを有する薄膜ＥＬパネ
ルの製造方法において、上記基板上の略全面に発光層を
形成した後、上記所定領域に上部絶縁層を形成し、その
後上記上部絶縁層をマスクとして上記所定領域以外の周
辺領域の上記発光層を除去することを特徴としている。

く作用〉 基板上の略全面に発光層を形成する場合、蒸着またはス
パッタを行う際にマスクを使用しないので、マスクを使
用する場合に比して、基板加熱時に基板の周辺領域と中
心付近との温度差が小さくなる。したがって形成される
膜は、膜形成領域の周辺部にて厚く中心付近にて薄い傾
向に変わりはないが、膜厚バラツキか小さくなる。

また、上記膜形成領域内にて所定の表示領域に上部絶縁
層を形成し、これをマスクとして上記表示領域以外の周
辺領域の発光層を除去しているので、ざらに膜厚バラツ
キが小さくなる。したがって、さらにいっそう輝度差が
小さくなる。

〈実施例〉 以下、この発明の薄膜ＥＬパネルの製造方法を図示の実
施例により詳細に説明する。

■まず第１図（ａ）に示すように、ガラス基板ｌの表面
に、ＩＴＯからなり膜厚１０００〜２０００人の透明導
電膜を形成し、フォトエツチングして、平行な帯状の透
明電極２を形成する。

■次に、第３図（ａ）に示したマスク２３を使用して電
子ビーム蒸着法またはスパッタ法により、所定の表示領
域り、に下部絶縁層３を形成する。

■次に、第２図（ａ）に示すように、この基板ｌを、表
面を下向きにして基板ホルダ１２に取り付ける。そして
、上記工程■と異なり、マスク２３を取り付けないで、
上記基板ｌを所定温度に加熱する。この状態で、ＺｎＳ
：Ｍｎからなり膜厚８０００人程度０発光層４を基板ｌ
上に略全面に形成する。

■次に、再び上記工程■と同様に、マスク２３を使用し
て、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法により、上記表
示領域Ｄ１に５ｉｓＮ４膜を有する上部絶縁層５を形成
する（第１図（ｂ））。

■続いて、この上部絶縁層５をマスクとし、濃度３５％
の塩酸をエッチャントに用いて常温（２５℃）にて、第
１図（ｃ）に示すように、表示領域り。

以外の周辺領域の発光層４を選択的にエツチングする。

エツチングに要する時間は約２０秒である。このとき、
上記上部絶縁層５は酸に対して安定であるため、これに
覆われた部分は全くエツチングされることがない。また
、上記透明電極２の端部は、上記エツチングの完了時に
エッチャントの塩酸にさらされることになるが、常温で
のエツチングであるためその影響は少なく、膜厚１００
０〜２０００人に対して数人侵されるだけなので問題に
ならない。

■最後に、電子ビーム蒸着法によって金属膜を形成し、
フォトエツチングして、帯状の背面電極６と端子電極７
を形成して、作製を完了する（第１図（ｄ））。

このように薄膜ＥＬパネルを製造する際、上記工程■に
て、マスク２３を取り付けないで基板１を加熱している
ため、マスク２３を使用する場合に比して、第２図（ｂ
）に示すように基板１の面内の温度差が小さくなってい
る。そのため、この状態で、発光層４を基板ｌ上に略全
面に形成する場合、第２図（ｃ）に示すように膜形成領
域Ｅ、の周辺にて膜厚が厚く中心付近にて薄い傾向に変
わりはないが、膜厚バラツキが小さくなる。

さらに、上記工程■にて、所定の表示領域り。

以外の周辺領域△の発光層４を除去しているので、第２
図（ｄ）に示すように、輝度差はいっそう小さくなる（
輝度差Ｂ、）６したがって、薄膜ＥＬパネルの表示品位
を向上させることかできる。

なお、この実施例はエッチャントとして塩酸を用いたが
、これに限られるものではなく、発光層を容易にエツチ
ングできる他の酸でも良い。また、発光層は他の元素を
材料としたものであっても良い。

〈発明の効果〉 以上より明らかなように、この発明は、ガラス基板上の
所定領域に、順次積層させた透明電極と下部絶縁層と発
光層と上部絶縁層と背面電極とを有する薄膜Ｅしパネル
の製造方法において、上記基板上の略全面に発光層を形
成した後、上記所定領域に上部絶縁層を形成し、その後
上記上部絶縁層をマスクとして上記所定領域以外の周辺
領域の上記発光層を除去するようにしているので、表示
領域内にて輝度差を抑えて薄膜ＥＬパネルの表示品位を
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至（ｄ）はこの発明の薄膜ＥＬパネルの
製造方法の工程を示す工程図、第２図（ａ）はこの発明
における発光層形成時の基板取り付は状態を示す図、第
２図（ｂ）は上記基板の温度分布を示す図、第２図（ｃ
）は上記発光層の膜厚分布を示す図、第２図（ｄ）はこ
の発明により製造した薄膜ＥＬパネルの発光輝度の分布
を示す図、第３図（ａ）は従来の製造方法における発光
層形成時の基板取り付は状態を示す図、第３図（ｂ）は
上記基板の温度分布を示す図、第３図（ｃ）は上記発光
層の膜厚分布を示す図、第３図（ｄ）は上記従来の製造
方法による薄膜ＥＩ７パネルの発光輝度の分布を示す図
、第４図（ａ）乃至（ｃ）は従来の薄Ｉｌ！ＩＥＬパネ
ルの製造方法の工程を示す工程図である。 第１図 特　許　出　願　人　　ンヤーブ株式会社代　理　人　
弁理士　　前出　葆　ほか１名第２１１１ 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　ガラス基板上の所定領域に、順次積層させた透
   明電極と下部絶縁層と発光層と上部絶縁層と背面電極と
   を有する薄膜ＥＬパネルの製造方法において、 　上記基板上の略全面に発光層を形成した後、上記所定
   領域に上部絶縁層を形成し、その後上記上部絶縁層をマ
   スクとして上記所定領域以外の周辺領域の上記発光層を
   除去することを特徴とする薄膜ＥＬパネルの製造方法。