JP2529755B2 - 薄膜ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルの製造方法Info
- Publication number
- JP2529755B2 JP2529755B2 JP2146940A JP14694090A JP2529755B2 JP 2529755 B2 JP2529755 B2 JP 2529755B2 JP 2146940 A JP2146940 A JP 2146940A JP 14694090 A JP14694090 A JP 14694090A JP 2529755 B2 JP2529755 B2 JP 2529755B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- panel
- film
- insulating layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、発光層の上下に絶縁層を設けた、いわゆる
三層構造を有する薄膜ELパネルの製造方法に関するもの
で、特に階調表示機能付きELパネルの製造に最適な薄膜
ELパネルの製造方法に関する。
三層構造を有する薄膜ELパネルの製造方法に関するもの
で、特に階調表示機能付きELパネルの製造に最適な薄膜
ELパネルの製造方法に関する。
従来の薄膜ELパネルの製造方法として、たとえば第５
図および第７図に示す方法が知られている。 この方法によれば、まず、ガラス基板11の上に、ITO
（インジウム錫酸化物）からなる透明導電膜を形成し、
フォトエッチングして、第２図（ｇ）に示すように平行
な帯状の透明電極12を形成する（第７図（ａ））。次
に、このガラス基板11を、第５図（ａ）に示すように、
表面を下向きにして基板ホルダ40に取り付け、膜を形成
しない周辺領域を枠状のマスク41で覆う。そして、第７
図（ｂ）に示すように下部絶縁層13と、発光層14と、上
部絶縁層15とを順次形成する。上記発光層14を形成する
際に、発光特性を良くするために、基板11を加熱する。
そして、最後に、帯状の背面電極16と端子電極17を形成
する。
図および第７図に示す方法が知られている。 この方法によれば、まず、ガラス基板11の上に、ITO
（インジウム錫酸化物）からなる透明導電膜を形成し、
フォトエッチングして、第２図（ｇ）に示すように平行
な帯状の透明電極12を形成する（第７図（ａ））。次
に、このガラス基板11を、第５図（ａ）に示すように、
表面を下向きにして基板ホルダ40に取り付け、膜を形成
しない周辺領域を枠状のマスク41で覆う。そして、第７
図（ｂ）に示すように下部絶縁層13と、発光層14と、上
部絶縁層15とを順次形成する。上記発光層14を形成する
際に、発光特性を良くするために、基板11を加熱する。
そして、最後に、帯状の背面電極16と端子電極17を形成
する。
ところで、上記マスク41および基板ホルダ40は、基板
11よりも熱容量が大きいものであり、しかも図示しない
支持部材、回転体を介してチャンバ壁面に取り付けられ
ている。そのため、基板11の加熱時に、熱伝導によって
チャンバ壁面に熱が逃げて、第５図（ｂ）に示すよう
に、基板11の周辺領域が中心付近よりも低温であるよう
な温度分布が生じる。基板温度が低い領域は膜の成長レ
ートが大きいので、この従来の方法では、発光層14の膜
厚は、第５図（ｃ）に示すように、膜形成領域E0の周辺
にて厚く、中心付近にて薄いような分布となる。特にZn
S:Mnからなる発光層の場合には、基板温度が低い領域に
おいて膜の成長レートが大きい。 第６図は発光層の膜層と基板温度との関係を示す図で
ある。この図からわかるように、基板温度が１℃変化す
ると発光層の膜厚はそれに伴い１％変化する。つまり、
基板温度が低くなると、膜の付着係数が増加し、膜圧が
厚くなるのである。 ところで、発光層14の膜厚が第５図（ｃ）に示すよう
な分布となった場合には、第５図（ｄ）に示すように、
薄膜ELパネルの発光輝度は、表示領域D0のごく周囲が明
るく、次に周辺部は暗く、中央部がまた明るくなるよう
な分布になり、輝度差B0を生じる。この輝度差B0は薄膜
ELパネルの表示品位を著しく損なうものである。 この輝度分布の改善を図るため、本出願人は次のよう
な方法を提案した（特願平１−158030号，特願平２−31
34号）。第８図にはこの方法の工程図、第４図にはこの
方法によって得られた基板の温度分布、膜厚分布等を示
す。 この方法は、上記従来の方法と同様の方法で、ガラス
基板21の上に、透明電極22を第２図（ｇ）に示すように
配し（第８図（ａ））、この後、このガラス基板21を第
４図（ａ）に示すように基板ホルダ40に取り付ける。し
かしながら、この場合には、上記従来の方法と異なり、
マスクを使用しないで、下部絶縁層23と発光層24と上部
絶縁層25とを、基板21の略全面に形成する（第８図
（ｂ））。その後、第８図（ｃ）に示すように、重層形
成された三層膜23,24,25のうち、パネルの表示領域D1と
なる領域をゴム製のマスク31で保護して、周辺領域△の
不要な部分を液体ホーニング法等によって完全に除去す
る。最後に、帯状の背面電極26と端子電極27とを形成す
る。このとき、端子電極27は、三層膜23,24,25から露出
した透明電極22の端部22aと導通する状態にされる。 この本出願人の提案した方法によって得られた薄膜EL
パネルの輝度分布を第４図（ｄ）に示す。この図に示さ
れるように、この方法によっても輝度差B1が発生してい
る。この輝度差B1は上記従来の方法によって生じる輝度
差B0に比べるとかなり改善されているが、階調表示機能
付きELパネルにおいては、たとえB1のように改善された
輝度差であっても、階調表示の品位が著しく損なわれる
という問題がある。 そこで、本発明の目的は、表示領域内にて輝度差を極
力無くして、階調表示機能付きELパネルにおいても表示
品位を損なうことのない薄膜ELパネルの製造方法を提供
することである。
11よりも熱容量が大きいものであり、しかも図示しない
支持部材、回転体を介してチャンバ壁面に取り付けられ
ている。そのため、基板11の加熱時に、熱伝導によって
チャンバ壁面に熱が逃げて、第５図（ｂ）に示すよう
に、基板11の周辺領域が中心付近よりも低温であるよう
な温度分布が生じる。基板温度が低い領域は膜の成長レ
ートが大きいので、この従来の方法では、発光層14の膜
厚は、第５図（ｃ）に示すように、膜形成領域E0の周辺
にて厚く、中心付近にて薄いような分布となる。特にZn
S:Mnからなる発光層の場合には、基板温度が低い領域に
おいて膜の成長レートが大きい。 第６図は発光層の膜層と基板温度との関係を示す図で
ある。この図からわかるように、基板温度が１℃変化す
ると発光層の膜厚はそれに伴い１％変化する。つまり、
基板温度が低くなると、膜の付着係数が増加し、膜圧が
厚くなるのである。 ところで、発光層14の膜厚が第５図（ｃ）に示すよう
な分布となった場合には、第５図（ｄ）に示すように、
薄膜ELパネルの発光輝度は、表示領域D0のごく周囲が明
るく、次に周辺部は暗く、中央部がまた明るくなるよう
な分布になり、輝度差B0を生じる。この輝度差B0は薄膜
ELパネルの表示品位を著しく損なうものである。 この輝度分布の改善を図るため、本出願人は次のよう
な方法を提案した（特願平１−158030号，特願平２−31
34号）。第８図にはこの方法の工程図、第４図にはこの
方法によって得られた基板の温度分布、膜厚分布等を示
す。 この方法は、上記従来の方法と同様の方法で、ガラス
基板21の上に、透明電極22を第２図（ｇ）に示すように
配し（第８図（ａ））、この後、このガラス基板21を第
４図（ａ）に示すように基板ホルダ40に取り付ける。し
かしながら、この場合には、上記従来の方法と異なり、
マスクを使用しないで、下部絶縁層23と発光層24と上部
絶縁層25とを、基板21の略全面に形成する（第８図
（ｂ））。その後、第８図（ｃ）に示すように、重層形
成された三層膜23,24,25のうち、パネルの表示領域D1と
なる領域をゴム製のマスク31で保護して、周辺領域△の
不要な部分を液体ホーニング法等によって完全に除去す
る。最後に、帯状の背面電極26と端子電極27とを形成す
る。このとき、端子電極27は、三層膜23,24,25から露出
した透明電極22の端部22aと導通する状態にされる。 この本出願人の提案した方法によって得られた薄膜EL
パネルの輝度分布を第４図（ｄ）に示す。この図に示さ
れるように、この方法によっても輝度差B1が発生してい
る。この輝度差B1は上記従来の方法によって生じる輝度
差B0に比べるとかなり改善されているが、階調表示機能
付きELパネルにおいては、たとえB1のように改善された
輝度差であっても、階調表示の品位が著しく損なわれる
という問題がある。 そこで、本発明の目的は、表示領域内にて輝度差を極
力無くして、階調表示機能付きELパネルにおいても表示
品位を損なうことのない薄膜ELパネルの製造方法を提供
することである。
上記輝度差B1が発生するのは以下の理由による。つま
り、基板加熱ヒータから放射される赤外線の吸収力はガ
ラスだけよりも透明導電膜がある方が大きく、したがっ
て透明電極のある領域の方が温度が高くなるため、基板
周辺部において基板温度に勾配ができ、表示領域内D1の
周辺領域においても発光層の膜厚差が生じてしまうので
ある。その結果、薄膜ELパネルの表示領域D1の周辺部に
輝度差B1が生ずるわけである。 本発明はこの輝度差B1の発生原因を除去することを考
慮に入れてなされたもので、ガラス基板上に透明電極と
下部絶縁層と発光層と上部絶縁層と背面電極と順次積層
して形成する薄膜ELパネルの製造方法において、上記基
板上の表示領域以外の周辺領域に透明導電膜を配した
後、上記基板上の略全面に下部絶縁層、発光層、上部絶
縁層の三層を形成し、次に、表示領域をマスクし、上記
表示領域以外の周辺領域の上記透明導電膜、下部絶縁
層、発光層、上部絶縁層を機械的研削手法で除去して、
透明電極の端部を露出させて、この端部に導通する端子
電極を設けることを特徴としている。
り、基板加熱ヒータから放射される赤外線の吸収力はガ
ラスだけよりも透明導電膜がある方が大きく、したがっ
て透明電極のある領域の方が温度が高くなるため、基板
周辺部において基板温度に勾配ができ、表示領域内D1の
周辺領域においても発光層の膜厚差が生じてしまうので
ある。その結果、薄膜ELパネルの表示領域D1の周辺部に
輝度差B1が生ずるわけである。 本発明はこの輝度差B1の発生原因を除去することを考
慮に入れてなされたもので、ガラス基板上に透明電極と
下部絶縁層と発光層と上部絶縁層と背面電極と順次積層
して形成する薄膜ELパネルの製造方法において、上記基
板上の表示領域以外の周辺領域に透明導電膜を配した
後、上記基板上の略全面に下部絶縁層、発光層、上部絶
縁層の三層を形成し、次に、表示領域をマスクし、上記
表示領域以外の周辺領域の上記透明導電膜、下部絶縁
層、発光層、上部絶縁層を機械的研削手法で除去して、
透明電極の端部を露出させて、この端部に導通する端子
電極を設けることを特徴としている。
透明電極の周辺部、すなわち表示領域以外の基板の周
辺部にも透明導電膜を配置しているため、基板加熱時に
基板の周辺領域と中心付近との温度差が非常に小さくな
る。したがって、表示領域における発光層の膜厚差が極
めて小さく抑えられ、良好な膜厚分布が得られる。この
結果、発光輝度差が極めて小さい良好な輝度分布が得ら
れ、階調表示機能付きELパネルにおいても表示品位が向
上する。
辺部にも透明導電膜を配置しているため、基板加熱時に
基板の周辺領域と中心付近との温度差が非常に小さくな
る。したがって、表示領域における発光層の膜厚差が極
めて小さく抑えられ、良好な膜厚分布が得られる。この
結果、発光輝度差が極めて小さい良好な輝度分布が得ら
れ、階調表示機能付きELパネルにおいても表示品位が向
上する。
以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。 第１図は本発明の一実施例である薄膜ELパネルの製造
方法の工程図である。以下の説明で使用する符号（ａ）
〜（ｅ）は第１図中の（ａ）〜（ｅ）に対応させてい
る。 （ａ）まず、第１図（ａ）に示すように、ガラス基板１
の表面に、ITOからなり、膜厚1000〜2000Åの透明導電
膜を形成し、フォトエッチングによって平行な帯状の透
明電極２を形成すると同時に、上記透明電極２の周囲に
上記透明導電膜からなる均熱パターン２′を額縁状に形
成する。この時に得られる透明電極２と均熱パターン
２′の配置パターンを第２図（ａ）に示す。 （ｂ）次に、上記基板１にSiO2,Si3N4等から成る下部絶
縁層３を基板１の略全面にスパッタ法で2000〜2500Å形
成する。続いて、基板１を赤外線ヒータにより250℃程
度に加熱しつつ、ZnS:Mnから成り、膜厚7000〜8000Åの
発光層４を、電子ビーム蒸着法により基板１の略全面に
形成する。 このときガラス基板１上には、透明導電膜でできた透
明電極２のみならず、表示領域Ｄに含まれない基板１の
周辺部まで同一の透明導電膜でできた均熱パターン２′
を配しているので、基板１の略全面において赤外線の吸
収程度が均一となるため、第３図（ａ）に示すように、
基板の略全面にわたって略均一な基板温度分布が得られ
た。また、この結果、第３図（ｃ）に示すように、表示
領域Ｄ内にて発光層４の膜厚差を±２％以内に収めるこ
とができた。 続いて、上記発光層４の上にSi3N4、Al2O3、SiO2等か
ら成る上部絶縁層５を基板の略全面にスパッタ法で1500
〜2000Å形成する。この後、上記三層膜3,4,5が形成さ
れた基板１のアニール処理を真空中、600℃で１時間程
度行う。 （ｃ）次に、第１図（ｃ）に示すように、上記重層形成
された三層膜3,4,5のうちパネルの表示領域Ｄとなる領
域をゴム製のマスク31で保護して、周辺領域△に不要な
部分を液体ホーニング法のように研磨剤を高圧で吹き付
ける方法により除去する。液体ホーニング法の条件は、
以下の通りである。 （ｉ）研磨剤粒径 10〜20μｍ（JIS粒度規格＃1200〜
＃800） （ii）研磨剤濃度 10〜30％ （iii）圧縮空気圧 １〜4kg/cm2 （iv）基板−噴射ノズル間距離 ２〜10cm （ｖ）噴射ノズル移動速度 30〜150cm/min 周辺領域△の不要な部分を完全に除去した後、マスク
31を上部絶縁層５から離間させる。すると、透明電極２
の端部2aは、第１図（ｄ）に示すように、上記三層膜3,
4,5から露出した状態となる。マスク31を除去した後、
洗浄処理を行う。 （ｅ）最後に、第１図（ｅ）に示すように、Al、Ni等の
金属膜を上部絶縁層５上に形成し、フォトエッチングし
て、帯状の背面電極６および端子電極７を形成する。こ
のとき、端子電極７は、上記三層膜3,4,5から露出した
上記透明電極２の端部2aと導通する状態になる。 上記工程を経て得られら薄膜ELパネルの表示領域Ｄに
おける発光輝度分布は第３図（ｄ）に示すように、輝度
差のない良好なものであった。このように、本実施例に
よれば、上記工程（ｂ）において、ガラス基板１を加熱
する際に、表示領域以外のガラス基板の周辺部にまで透
明導電膜からなる均熱パターン２′が配置されているた
め、基板温度が略全面にわたって均一となり、発光層４
の膜厚差を±２％以内に収めることができるので、発光
輝度差を極力抑えて、薄膜ELパネルの表示品位を向上さ
せることができ、階調機能付きELパネルにおいても、階
調表示の品位を向上させることができる。 なお、上記実施例では、透明電極２および均熱パター
ン２′は第２図（ａ）に示すように配置したが、これ以
外にも、たとえば第２図（ｂ）〜（ｆ）に示すような配
置にしてもよい。第２図の（ｃ）と（ｅ）では、左右の
辺の均熱パターン２′は互い違いに配置して、もし均熱
パターン２′の除去が不完全であっても、この図に示さ
ない走査側電極と短絡しないようにしている。 また、上記実施例では発光層４を電子ビーム蒸着法に
よって生成したが、スパッタ法、CVD法等の他の成膜法
を用いてもよい。 また、絶縁層はスパッタ法で形成したが、電子ビーム
蒸着法、CVD法等を用いてもよい。 また、膜除去の手法として液体ホーニング法を用いた
が、乾式ブラスト法であってもよいし、他の機械的、物
理的な方法を用いてもよい。 また、マスク31はゴム製のものを用いたが、自己粘着
性を有する弾性樹脂製のものを用いてもよい。
方法の工程図である。以下の説明で使用する符号（ａ）
〜（ｅ）は第１図中の（ａ）〜（ｅ）に対応させてい
る。 （ａ）まず、第１図（ａ）に示すように、ガラス基板１
の表面に、ITOからなり、膜厚1000〜2000Åの透明導電
膜を形成し、フォトエッチングによって平行な帯状の透
明電極２を形成すると同時に、上記透明電極２の周囲に
上記透明導電膜からなる均熱パターン２′を額縁状に形
成する。この時に得られる透明電極２と均熱パターン
２′の配置パターンを第２図（ａ）に示す。 （ｂ）次に、上記基板１にSiO2,Si3N4等から成る下部絶
縁層３を基板１の略全面にスパッタ法で2000〜2500Å形
成する。続いて、基板１を赤外線ヒータにより250℃程
度に加熱しつつ、ZnS:Mnから成り、膜厚7000〜8000Åの
発光層４を、電子ビーム蒸着法により基板１の略全面に
形成する。 このときガラス基板１上には、透明導電膜でできた透
明電極２のみならず、表示領域Ｄに含まれない基板１の
周辺部まで同一の透明導電膜でできた均熱パターン２′
を配しているので、基板１の略全面において赤外線の吸
収程度が均一となるため、第３図（ａ）に示すように、
基板の略全面にわたって略均一な基板温度分布が得られ
た。また、この結果、第３図（ｃ）に示すように、表示
領域Ｄ内にて発光層４の膜厚差を±２％以内に収めるこ
とができた。 続いて、上記発光層４の上にSi3N4、Al2O3、SiO2等か
ら成る上部絶縁層５を基板の略全面にスパッタ法で1500
〜2000Å形成する。この後、上記三層膜3,4,5が形成さ
れた基板１のアニール処理を真空中、600℃で１時間程
度行う。 （ｃ）次に、第１図（ｃ）に示すように、上記重層形成
された三層膜3,4,5のうちパネルの表示領域Ｄとなる領
域をゴム製のマスク31で保護して、周辺領域△に不要な
部分を液体ホーニング法のように研磨剤を高圧で吹き付
ける方法により除去する。液体ホーニング法の条件は、
以下の通りである。 （ｉ）研磨剤粒径 10〜20μｍ（JIS粒度規格＃1200〜
＃800） （ii）研磨剤濃度 10〜30％ （iii）圧縮空気圧 １〜4kg/cm2 （iv）基板−噴射ノズル間距離 ２〜10cm （ｖ）噴射ノズル移動速度 30〜150cm/min 周辺領域△の不要な部分を完全に除去した後、マスク
31を上部絶縁層５から離間させる。すると、透明電極２
の端部2aは、第１図（ｄ）に示すように、上記三層膜3,
4,5から露出した状態となる。マスク31を除去した後、
洗浄処理を行う。 （ｅ）最後に、第１図（ｅ）に示すように、Al、Ni等の
金属膜を上部絶縁層５上に形成し、フォトエッチングし
て、帯状の背面電極６および端子電極７を形成する。こ
のとき、端子電極７は、上記三層膜3,4,5から露出した
上記透明電極２の端部2aと導通する状態になる。 上記工程を経て得られら薄膜ELパネルの表示領域Ｄに
おける発光輝度分布は第３図（ｄ）に示すように、輝度
差のない良好なものであった。このように、本実施例に
よれば、上記工程（ｂ）において、ガラス基板１を加熱
する際に、表示領域以外のガラス基板の周辺部にまで透
明導電膜からなる均熱パターン２′が配置されているた
め、基板温度が略全面にわたって均一となり、発光層４
の膜厚差を±２％以内に収めることができるので、発光
輝度差を極力抑えて、薄膜ELパネルの表示品位を向上さ
せることができ、階調機能付きELパネルにおいても、階
調表示の品位を向上させることができる。 なお、上記実施例では、透明電極２および均熱パター
ン２′は第２図（ａ）に示すように配置したが、これ以
外にも、たとえば第２図（ｂ）〜（ｆ）に示すような配
置にしてもよい。第２図の（ｃ）と（ｅ）では、左右の
辺の均熱パターン２′は互い違いに配置して、もし均熱
パターン２′の除去が不完全であっても、この図に示さ
ない走査側電極と短絡しないようにしている。 また、上記実施例では発光層４を電子ビーム蒸着法に
よって生成したが、スパッタ法、CVD法等の他の成膜法
を用いてもよい。 また、絶縁層はスパッタ法で形成したが、電子ビーム
蒸着法、CVD法等を用いてもよい。 また、膜除去の手法として液体ホーニング法を用いた
が、乾式ブラスト法であってもよいし、他の機械的、物
理的な方法を用いてもよい。 また、マスク31はゴム製のものを用いたが、自己粘着
性を有する弾性樹脂製のものを用いてもよい。
以上より明らかなように、本発明によれば、表示領域
以外の基板の周辺領域にも透明導電膜を形成しているの
で、基板を加熱したときに、基板の周辺領域と中心付近
との温度差したがって発光層の膜厚差を非常に小さくで
きる。しかも、表示領域以外の基板の周辺領域における
不要な部分を除去してしまうので、最終的に得られる薄
膜ELパネルの表示領域における発光輝度分布は極めて良
好なものであり、表示品位を向上させることができ、階
調表示機能付きELパネルにおいても良好な階調表示品位
を得ることができる。
以外の基板の周辺領域にも透明導電膜を形成しているの
で、基板を加熱したときに、基板の周辺領域と中心付近
との温度差したがって発光層の膜厚差を非常に小さくで
きる。しかも、表示領域以外の基板の周辺領域における
不要な部分を除去してしまうので、最終的に得られる薄
膜ELパネルの表示領域における発光輝度分布は極めて良
好なものであり、表示品位を向上させることができ、階
調表示機能付きELパネルにおいても良好な階調表示品位
を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例である薄膜ELパネルの製造方
法の工程図、第２図（ａ）乃至（ｆ）は本発明に係る透
明電極および透明導電膜の配置パターン図、第２図
（ｇ）は従来の透明電極の配置パターン図、第３図
（ａ）は本発明における三層膜形成時の基板取付状態を
示す図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の基板の温度分布
を示す図、第３図（ｃ）は発光層の膜厚分布を示す図、
第３図（ｄ）は本発明の方法により製造された薄膜ELパ
ネルの発光輝度の分布を示す図、第４図（ａ）乃至
（ｄ）および第５図（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ、従来
の製造方法に係る三層膜形成時の基板取付状態、基板の
温度分布、発光層の膜厚分布、薄膜ELパネルの発光輝度
の分布を示す図、第６図は発光層の膜厚と基板温度との
関係を説明する図、第７図は従来の製造方法を示す工程
図、第８図は別の従来の製造方法を示す工程図である。 1,11,21……ガラス基板、2,12,22……透明電極、２′…
…透明導電膜からなる均熱パターン、3,13,23……下部
絶縁層、4,14,24……発光層、5,15,25……上部絶縁層、
6,16,26……背面電極、7,17,27……端子電極、32……研
磨剤、33……研磨剤噴射ガン。
法の工程図、第２図（ａ）乃至（ｆ）は本発明に係る透
明電極および透明導電膜の配置パターン図、第２図
（ｇ）は従来の透明電極の配置パターン図、第３図
（ａ）は本発明における三層膜形成時の基板取付状態を
示す図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の基板の温度分布
を示す図、第３図（ｃ）は発光層の膜厚分布を示す図、
第３図（ｄ）は本発明の方法により製造された薄膜ELパ
ネルの発光輝度の分布を示す図、第４図（ａ）乃至
（ｄ）および第５図（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ、従来
の製造方法に係る三層膜形成時の基板取付状態、基板の
温度分布、発光層の膜厚分布、薄膜ELパネルの発光輝度
の分布を示す図、第６図は発光層の膜厚と基板温度との
関係を説明する図、第７図は従来の製造方法を示す工程
図、第８図は別の従来の製造方法を示す工程図である。 1,11,21……ガラス基板、2,12,22……透明電極、２′…
…透明導電膜からなる均熱パターン、3,13,23……下部
絶縁層、4,14,24……発光層、5,15,25……上部絶縁層、
6,16,26……背面電極、7,17,27……端子電極、32……研
磨剤、33……研磨剤噴射ガン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 猪原 章夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ株式会社内 (72)発明者 岸下 博 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−208297（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−22390（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板上に透明電極と下部絶縁層と発
光層と上部絶縁層の背面電極を順次積層して形成する薄
膜ELパネルの製造方法において、 上記基板上の表示領域以外の周辺領域に透明導電膜を配
した後、上記基板上の略全面に下部絶縁層、発光層、上
部絶縁層の三層を形成し、次に、表示領域をマスクし、
上記表示領域以外の周辺領域の上記透明導電膜、下部絶
縁層、発光層、上部絶縁層を機械的研削手法で除去し
て、透明電極の端部を露出させ、この端部に導通する端
子電極を設けることを特徴とする薄膜ELパネルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146940A JP2529755B2 (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146940A JP2529755B2 (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0439892A JPH0439892A (ja) | 1992-02-10 |
| JP2529755B2 true JP2529755B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=15419015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2146940A Expired - Fee Related JP2529755B2 (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2529755B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4892795B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2012-03-07 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| KR20040065375A (ko) * | 2003-01-14 | 2004-07-22 | 김시환 | 고분자와 액정 혼합물을 이용한 패널의 전극 단자부제조방법 |
| US7754091B2 (en) * | 2004-08-31 | 2010-07-13 | World Properties, Inc. | Custom lamp from finished EL panel |
| JP5271171B2 (ja) | 2009-06-26 | 2013-08-21 | 三菱電機株式会社 | 画像表示素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-04 JP JP2146940A patent/JP2529755B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0439892A (ja) | 1992-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0679512B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| US8354143B2 (en) | Capacitive touch screen and method of making same | |
| US4970376A (en) | Glass transparent heater | |
| JPH10100303A (ja) | 透明導電膜付き基板およびそれを用いた表示素子 | |
| JPH0414761B2 (ja) | ||
| JP2002222694A (ja) | レーザー加工装置及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス表示パネル | |
| JP2529755B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JP2888380B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 | |
| JP3469663B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| WO2001045182A1 (en) | Improved transparent electrode material for quality enhancement of oled devices | |
| JP2598342B2 (ja) | 多色表示装置の製造方法 | |
| KR100603260B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터 및 그제조방법 | |
| JPH05263237A (ja) | 透明電極膜の製造方法 | |
| JPH06160876A (ja) | 透明電極板及びその製造方法 | |
| CN100366785C (zh) | 多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法 | |
| JPH03203194A (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JP2003108018A (ja) | ディスプレイ用フィルタおよびこれを用いたプラズマディスプレイ装置 | |
| JPH088498A (ja) | 配線構造、その製造方法および該配線構造を用いた画像形成装置 | |
| JP2002339061A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH09143680A (ja) | 透明導電膜 | |
| JP2744950B2 (ja) | 多色表示装置の製造方法 | |
| JP2001323370A (ja) | 透明導電膜形成方法及び該方法に用いるスパッタリング装置 | |
| JPH02213087A (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| KR20040079608A (ko) | Ｐｄｐ 전면 필터 및 그의 제조방법 | |
| JPH05346575A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |