JPH0322390A

JPH0322390A - 薄膜ｅｌパネルの製造方法

Info

Publication number: JPH0322390A
Application number: JP1158030A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Hirai; 正明平井; Yoshihiro Endo; 佳弘遠藤; Hiroshi Kishishita; 岸下　博; Hisashi Kamiide; 上出　久
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1989-06-20
Filing date: 1989-06-20
Publication date: 1991-01-30
Anticipated expiration: 2009-10-05
Also published as: JPH0679512B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉この発明は、発光層の上下に絶縁層を設けたいわゆる三
層構造を有する薄膜ＥＬパネルの製造方法に関する。

く従来の技術〉従来、この種の薄膜ＥＬパネルの製造方法としては第４
図（ａ）乃至（ｃ）に示すようなものがある。

すなわち、ガラス基板１ｌの表面にＩＴＯ（インジウム
錫酸化物）からなる透明導電膜を形戊し、フォトエッチ
ングして、平行な帯状の透明電極ｌ２を形戊する（第４
図（ａ））。次に、第３図（ａ）に示すように、基板ｌ
１を、表面を下向きにして基板ホルダ２０に取り付け、
膜を形成しない周辺領域を枠状のマスク２ｌで覆う。そ
して、形戊する膜の密着強度が大きくなるように上記基
板１１を加熱した状態で、第４図（ｂ）に示すように、
電子ビーム蒸着法またはスパッタ法によって、ＳｉｓＮ
＊膜を有する下部絶縁層ｌ３と、ＺｎＳ：Ｍｎからなる
発光層ｌ４と、ＳｉｓＮ＊膜を有する上部絶縁層ｌ５と
を形成する。最後に、電子ビーム蒸着法によって金属膜
を形成し、フォトエッチングして、帯状の背面電極ｌ６
と端子電極１７を形成する（第４図（Ｃ））。

く発明が解決しようとする課題〉ところで、上記マスク２ｌおよび基板ホルダ２Ｏは、基
板ｌ１よりら熱容量が大きいものであり、しかも支持部
材によってチャンバ壁面に取り付けられている。そのた
め、上記基板１１加熱時に、熱伝導によってチャンバ壁
面に熱が逃げて、第３図（ｂ）に示すように、基板１１
の周辺領域が中心付近よりも低温であるような温度分布
が生じる。

基板温度が低い領域は膜の成長レートが大きいので、上
記従来の製造方法のようにこの状態で下部絶縁層１３．
発光層１４．上部絶縁層ｌ５を形戊する場合、これら三
層の膜厚は、第３図（ｃ）に示すように、膜形成領域Ｅ
。の周辺にて厚く、中心付近にて薄いような分布となる
。上記膜厚と発光輝度とは略比例する関係があるので、
膜厚が上記分布となった場合、第３図（ｄ）に示すよう
に、発光輝度は、膜形成領域Ｅ０すなわちパネルの表示
領域Ｄ。にて、鍋底状の分布を示し、輝度差Ｂ。を生じ
る。この輝度差Ｂ。は、薄膜ＥＬパネルの表示品位を著
しく損なうものである。

そこで、この発明の目的は、表示領域内にて輝度差を抑
えて表示品位を向上させた薄膜ＥＬパネルの製造方法を
提供することにある。

く課題を解決するための手段〉上記目的を達成するために、この発明は、ガラス基盤上
に透明電極と下部絶縁層と発光層と上部絶縁層と背面電
極を順次積層して形成する薄膜ＥＬ）＜ネルの製造方法
において、上記基盤上の略全面に下部絶縁層、発光層、上部絶縁層
の三層を形成した後、パネルの表示領域をマスクし、上
記表示領域以外の周辺領域の上記下部絶縁層、発光層、
上部絶縁層を機械的研削手法で除去して透明電極の端部
を露出させて、この端部に導通する端子電極を設けるこ
とを特徴どしている。

く作用〉基板上の略全面に発光層を形成する場合、蒸着またはス
パッタを行う際にマスクを使用しないので、マスクを使
用する場合に比して、基板加熱時に基板の周辺領域と中
心付近との温度差が小さくなる。したがって形成される
膜は、膜形収領域の周辺部にて厚く中心付近にて薄い傾
向に変わりはないが、膜厚バラツキが小さくなる。

さらに、膜厚の変動が大きい膜形成領域の周辺部を除去
し、その内側の比較的均質な膜領域を、表示領域として
使用するため、結果として、発光輝度の分布の広がりを
極めて小さくすることができる。

く実施例〉以下、この発明の薄膜ＥＬパネルの製造方法を図示の実
施例により詳細に説明する。

■　まず、第１図（ａ）に示すように、ガラス基板ｌの
表面に、ＩＴＯから成り膜厚１０００〜２０００人の透
明導電膜を形成し、フォトエッチングによって平行な帯
状の透明電極２を形戊する。

■　次に、第２図（ａ）に示すように、この基板１を表
面を下向きにして基板ホルダー２０に取り付ナ、マスク
２ｌを取り付けずに、そのまま上記基板ｌを所定温度に
加熱する。この状態で、スパッタ法または電子ビーム蒸
着法等の手法によりＳｉｓＮ４等から戊る下部絶縁層３
を基板の略全面に約２０００人程度形成する。続いて、
同様の手法によって、ＺｎＳ：Ｍｎから成り膜厚ｓｏｏ
ｏ人程度の発光層４と、ＳｉｓＮ＊等から成り膜厚２０
００人程度の上部絶縁層５を基板の略全面に重層形戊す
る（第１図（ｂ））。

■　次に、第ｌ図（ｃ）に示すように、上記重層形成さ
れた三層膜３，４．５のうちパネルの表示領域ＤＩとな
る領域を、ゴム製のマスク３１で保護して、周辺領域△
の不要な部分を乾式ブラスト法や液体ホーニング法のよ
うな研磨剤を高圧で吹き付ける方法あるいは研磨法など
の機械的手法によって膜を完全に除去する。すると、透
明電極２の端部２ｇは、第１図（ｄ）に示すように、上
記三層膜３，４．５から露出した状態となる。

なお、上記三層膜を除去するために液体ホーニング法を
用いる場合、アランダム（商品名）等で＃４００〜＃１
０００程度の硬くてしかも比較的粒径の細かい研磨剤を
用いることによって、１辺当り２０ｓｅｃ程度で簡単に
完全除去することができる。

■　最後に、第ｌ図（ｅ）に示すように、電子ビーム蒸
着法によって金属膜を形成し、フオトエッヂングして、
帯状の背面Ｔｒ．極６および瑞子電極７を形成する。こ
のとき、端子電極７は、三層膜３４．５から露出した上
記透明電極２の端部２ａと導通する状態になる。

このような製法によって、比較的簡単な手法で、基板ｌ
の略全而に形戊１，た三層ｆｆｌ３．４．５の不要部分
を除去して、三層膜３．４．５から露出した透明電極２
の端部２ａに導通ずる端子電極７を形戊することができ
る。まだ、このように薄膜ＥＬバネルを製造する際、上
記工程■において、マスク２ｌを取り付けないでそのま
ま基板ｌを加熱しているため、マスク２１を使用する場
合に比して、第２図（ｂ）に示すように基板１の面内の
温度差が小さくなっている。そのため、この状態で、三
層膜を基板ｌ−ヒに略全面に形成する場合、第２図（ｃ
）に示すように膜形成領域Ｅ．の周辺にて膜厚が厚く中
心付近にて薄い傾向に変わりはないが、膜厚バラツキが
小さくなる。さらに、上記工程■にて、所定の表示領域
ｌ）Ｉ以外の周辺領域△の三層膜を除去しているので、
第２図（ｄ）に示すように、輝度差はいっそう小さくな
る（輝度差Ｂ，）。したがって、薄膜ＥＬパネルの表示
品位を向上させることができる。

なお、この実施例は、膜除去の手法として肢体ホーニン
グ法について主に説明したが、これに限られるものでは
なく、乾式ブラスト法あるいは基板を直接研磨する方法
等、他の機械的、物理的な手段いわゆる研削によって膜
を除去しても良い。

また、絶縁層、発光層は池の元素や材料を用いたもので
あっても良い。

〈効果〉以上より明らかなように、この発明は、ガラス基板上に
透明電極と下部絶縁層と発光層と上部絶縁層と背面電極
を順次積層して形成する薄膜Ｅ　Ｌバネルの製造方法に
おいて、上記基板上の略全面に下部絶縁層、発光層、上部絶縁層
の三層を形成した後、パネルの表示領域をマスクし、上
記表示領域以外の周辺領域の」；記下部絶縁層、発光層
、上部絶縁層を機械的研削手法で除去して、透明電極の
端部を露出させて、この端部に導通する端子電極を設け
るようにしているので、表示領域内にて輝度差を抑えて
薄膜ＥＬパネルの表示品位を向上させることができる。

さらに、下部絶縁層、発光層、上部絶縁層の形成時、表
示領域の外側に膜が付かない様に覆うマスクが不要とな
る為、基仮ホルダーの形状が簡単になり軽量化、共通化
が図れ、生産効率の向上にも役立つ。

また、１枚のガラス基板から複数枚のＥＬパネルを作製
するいわゆる多数枚取りを行なう場合に、複数個の開口
部を持った様な複雑な形態のマスクを用いて膜形成しな
くても、この発明を適用して、すなわち基板全面に膜形
成し、端子部として使用する部分の膜を除去し、露出し
た透明電極の端部と端子電極との導連をとることによっ
て容易に行うことができろ。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至（ｅ）はこの発明の薄膜ＥＬバネルの
製造方法の工程を示す図、第２図（ａ）はこの発明にお
ける三層膜形成時の基板取り付け状態を示す図、第２図
（ｂ）は上記基板の温度分布を示す図、第２図（ｃ）は
上記三層膜の膜厚分布を示す図、第２図（ｄ）はこの発
明により製造した薄膜ＥＬバネルの発光輝度の分布を示
す図、第３図（ａ）は従来の製造方法における三層膜形
成時の基板取り付け状態を示す図、第３図（ｂ）は上記
基板の温度分布を示す図、第３図（ｃ）は上記三層膜の
膜厚分布を示す図、第３図（ｄ）は上記従来の製造方法
により製造した薄１１１ＥＬバネルの発光輝度の分布を
示す図、第４図（ａ）乃至（ｃ）は従来の薄膜Ｆｊ、パ
ネルの製造方法の工程を示す図である。１．１１・・・ガラス基板、７．１７・・・端子電極、
２，１２・・・透明電極、　　２０・・・基板ホルダー
３．１３・・・下部絶縁層、２１・マスク、４．１４・
・・発光層、　　　３１・・・ゴムマスク、５，ｌ５・
・・上部絶縁層、３２・・・研磨材、６，１６・・・背
面電極、　３３・・研磨材噴射ガン。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ガラス基板上に透明電極と下部絶縁層と発光層と
上部絶縁層と背面電極を順次積層して形成する薄膜ＥＬ
パネルの製造方法において、　上記基板上の略全面に下部絶縁層、発光層、上部絶縁
層の三層を形成した後、パネルの表示領域をマスクし、
上記表示領域以外の周辺領域の上記下部絶縁層、発光層
、上部絶縁層を機械的研削手法で除去して、透明電極の
端部を露出させて、この端部に導通する端子電極を設け
ることを特徴とする薄膜ＥＬパネルの製造方法。