JPH02208630A - 調光積層体 - Google Patents
調光積層体Info
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
a、利用分野
本発明は調光積層体に関する。液晶材料は電界や熱を加
えることにより光線の透過を制御できるので、電卓の表
示素子やテレビ画面などに応用されている。近年、建物
の窓が大面積化しているため、窓の透視性を任意にコン
トロールすることができれば安全性、居住性、その他を
目的とした広範な応用が期待される。しかしながら従来
の前記の如き応用を目脂して開発された液晶材料含有素
子は、上記の如き目的を達成する上では、全く不向きの
ものである。
えることにより光線の透過を制御できるので、電卓の表
示素子やテレビ画面などに応用されている。近年、建物
の窓が大面積化しているため、窓の透視性を任意にコン
トロールすることができれば安全性、居住性、その他を
目的とした広範な応用が期待される。しかしながら従来
の前記の如き応用を目脂して開発された液晶材料含有素
子は、上記の如き目的を達成する上では、全く不向きの
ものである。
b0発明の目的
本発明者らは、上記の如き目的に適した液晶材料を用い
た構成体を得るべく鋭意研究し、本発明に到達したもの
である。
た構成体を得るべく鋭意研究し、本発明に到達したもの
である。
C0発明の構成
上述の目的は以下の本発明により達成される。
すなわち本発明は、熱可塑性樹脂層、その上に配置され
た第1の透明導電性積層体、その上に配置された液晶材
料層、その上に配置された第2の透明導電性積層体、及
びその上に更に配置された前記熱可塑性樹脂層からなり
、該第1及び第2の透明導電性積層体は透明導電性層が
該液晶材料層に向けて配置され、該熱可塑性樹脂層の厚
みが100μm以上である調光積層体である。
た第1の透明導電性積層体、その上に配置された液晶材
料層、その上に配置された第2の透明導電性積層体、及
びその上に更に配置された前記熱可塑性樹脂層からなり
、該第1及び第2の透明導電性積層体は透明導電性層が
該液晶材料層に向けて配置され、該熱可塑性樹脂層の厚
みが100μm以上である調光積層体である。
該熱可塑性樹脂層が紫外線吸収剤及び/又は赤外線吸収
剤を含有することができる。
剤を含有することができる。
該熱可塑性樹脂層がポリビニルブチラール樹脂及び/又
はエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂からなる熱可塑性
樹脂層を使用することができる。
はエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂からなる熱可塑性
樹脂層を使用することができる。
該透明導電性層がインジウム酸化物から主としてなる結
晶性の透明導電性層を使用できる。
晶性の透明導電性層を使用できる。
以下、その詳細を説明する。
本発明における熱可塑性樹脂は、例えばポリビニルブチ
ラール樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、スチ
レンブタジェンラバー、ニトリルブタジェンラバー、ネ
オプレン、ポリイソプレン。
ラール樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、スチ
レンブタジェンラバー、ニトリルブタジェンラバー、ネ
オプレン、ポリイソプレン。
ブチルゴム、塩化ゴム、ポリイソブチレン、ポリアクリ
ル酸エステル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルエーテル、
ポリ塩化ビニル、ポリエチレンプロピレンコボリマー、
ポリエステルコポリマー、エチレンーエヂルアクリレー
ト共重合体樹脂等がある。
ル酸エステル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルエーテル、
ポリ塩化ビニル、ポリエチレンプロピレンコボリマー、
ポリエステルコポリマー、エチレンーエヂルアクリレー
ト共重合体樹脂等がある。
本発明における調光積層体は、その両側を透明な板、例
えばガラスのような無機質のもの、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の有機質のも
ので合わされて合せガラスとして好ましく用いられ、か
かる場合は透明性が要求されるため熱可塑性樹脂として
はポリビニルブチラール樹脂、エチレン−酢酸ビニル共
重合体樹脂が好ましく用いられる。
えばガラスのような無機質のもの、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の有機質のも
ので合わされて合せガラスとして好ましく用いられ、か
かる場合は透明性が要求されるため熱可塑性樹脂として
はポリビニルブチラール樹脂、エチレン−酢酸ビニル共
重合体樹脂が好ましく用いられる。
熱可塑性樹脂層の厚みは、その主たる用途が合せガラス
であるため、100μm以上、又合ぜガラスとしての性
能維持のためには、厚みが250μm以上〜780μm
が好ましく用いられる。又、合せガラスの製造工程は加
熱圧着による手段が好ましく用いられ、加熱密着させる
方法としてロールプレス方法、プレス方法、真空加圧方
法等があり、これらの工程において該調光積層体を支持
する板と熱可塑性樹脂層1に空気が入るのを防止する意
味で、透明導電性積層体と接する面の反対側に凹凸を設
けることができる。
であるため、100μm以上、又合ぜガラスとしての性
能維持のためには、厚みが250μm以上〜780μm
が好ましく用いられる。又、合せガラスの製造工程は加
熱圧着による手段が好ましく用いられ、加熱密着させる
方法としてロールプレス方法、プレス方法、真空加圧方
法等があり、これらの工程において該調光積層体を支持
する板と熱可塑性樹脂層1に空気が入るのを防止する意
味で、透明導電性積層体と接する面の反対側に凹凸を設
けることができる。
又、本発明に用いる2つの熱可塑性樹脂の厚みは同一の
膜厚あるいは異った膜厚を有していてもよく、又、2つ
の熱可塑性樹脂層の材質は同一おるいは異種であっても
よい。
膜厚あるいは異った膜厚を有していてもよく、又、2つ
の熱可塑性樹脂層の材質は同一おるいは異種であっても
よい。
本発明における熱可塑性樹脂層は、紫外線吸収剤及び/
又は赤外線吸収剤を含有することができる。
又は赤外線吸収剤を含有することができる。
紫外線吸収剤としては、2.4−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,2°−ジヒドロキシ−4,4°−ジメトキ
シベンゾフェノン等のベンゾフェノン系、2−(2°−
ヒドロキシ−3,5゛−ターシャルアミルフェニル)ベ
ンゾトリアゾール、2−(2°−ヒドロキシ−5−メチ
ルフェニル)ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾー
ル系、p−オクチルフェニルサリシレート等のサリチル
酸系、2−エチルヘキシル1−2−シアノ−3,3′−
ジフェニルアクリレート等のアクリロニトリル系が挙げ
られる。特にヒドロキシベンゾトリアゾール系が望まし
い。
ェノン、2,2°−ジヒドロキシ−4,4°−ジメトキ
シベンゾフェノン等のベンゾフェノン系、2−(2°−
ヒドロキシ−3,5゛−ターシャルアミルフェニル)ベ
ンゾトリアゾール、2−(2°−ヒドロキシ−5−メチ
ルフェニル)ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾー
ル系、p−オクチルフェニルサリシレート等のサリチル
酸系、2−エチルヘキシル1−2−シアノ−3,3′−
ジフェニルアクリレート等のアクリロニトリル系が挙げ
られる。特にヒドロキシベンゾトリアゾール系が望まし
い。
熱可塑性樹脂への該紫外線吸収剤の含有量は該フィルム
に対して1g/7Ff以上100g/Td以下である。
に対して1g/7Ff以上100g/Td以下である。
H+/m未満では、紫外線遮断効果が少なくなり、又1
00g/Tdを越えると、層成構成体を使用中に析出し
て外観を損うことがある。通常10g/77f以上50
g/Td以下が好ましい。
00g/Tdを越えると、層成構成体を使用中に析出し
て外観を損うことがある。通常10g/77f以上50
g/Td以下が好ましい。
かかる紫外線吸収剤を熱可塑性樹脂に含有させる方法と
しては、該熱可塑性樹脂に混合して溶融成型する方法、
紫外線吸収剤を熱可塑性樹脂の表面に塗布する方法があ
る。いずれかの方法により前述の含有量に調整すればよ
い。
しては、該熱可塑性樹脂に混合して溶融成型する方法、
紫外線吸収剤を熱可塑性樹脂の表面に塗布する方法があ
る。いずれかの方法により前述の含有量に調整すればよ
い。
近赤外線吸収剤としては、特公昭4B−3452号公報
に見られるような一般式 C:炭素原子 S:イオウ原子 R:アルキル基 M:金属原子 で示されるビス[シス−1,2−ビス(アルキル)エチ
レン−1,2−ジチオレート]金属錯体化合物、あるい
はJ、 Am、 Chelll、 Soc、、 88.
43 (1966)に■6B、 GraVらによって示
されるビス(トルエン−3゜4−ジチオール)金属錯体
化合物等が好ましく用いられる。例えば三井東圧ファイ
ン■の近赤外線吸収剤[IRABSORBERPA−1
001,PA−1002,PA1003゜PA−100
5,PA−1006]等は簡便に本発明に用いることが
できる。
に見られるような一般式 C:炭素原子 S:イオウ原子 R:アルキル基 M:金属原子 で示されるビス[シス−1,2−ビス(アルキル)エチ
レン−1,2−ジチオレート]金属錯体化合物、あるい
はJ、 Am、 Chelll、 Soc、、 88.
43 (1966)に■6B、 GraVらによって示
されるビス(トルエン−3゜4−ジチオール)金属錯体
化合物等が好ましく用いられる。例えば三井東圧ファイ
ン■の近赤外線吸収剤[IRABSORBERPA−1
001,PA−1002,PA1003゜PA−100
5,PA−1006]等は簡便に本発明に用いることが
できる。
又特に[ビス(1−メチル−3,4−ジチオフェルレー
ト)ニッケルコテトラブチルアンモニウム。
ト)ニッケルコテトラブチルアンモニウム。
[ビス(1−メチル−3,4−ジチオフェルレート)プ
ラチナコテトラブチルアンモニウム、[ビス(1−メチ
ル−3,4−ジチオフェルレート)コバルトコテトラブ
チルアンモニウム、[ビス(1−メチル−3,4−ジチ
オフェルレート)カッパーコテトラブチルアンモニウム
等のNi、 Pt、 Co、 Cu等を金属核とした3
、4−ジチオフェルレート系鏡体が本発明には好適に用
いられる。熱可塑性樹脂への該吸収剤の量は0.01a
/m以上10g/TIt以下になるように厚さに応じて
調整すればよい。0.01 g/7F1以下の含有ωで
は、近赤外線の遮断効果が充分でなく、一方10Mm以
上では、可視光の透過率が減少し、暗くなると同時に成
型性も悪い。
ラチナコテトラブチルアンモニウム、[ビス(1−メチ
ル−3,4−ジチオフェルレート)コバルトコテトラブ
チルアンモニウム、[ビス(1−メチル−3,4−ジチ
オフェルレート)カッパーコテトラブチルアンモニウム
等のNi、 Pt、 Co、 Cu等を金属核とした3
、4−ジチオフェルレート系鏡体が本発明には好適に用
いられる。熱可塑性樹脂への該吸収剤の量は0.01a
/m以上10g/TIt以下になるように厚さに応じて
調整すればよい。0.01 g/7F1以下の含有ωで
は、近赤外線の遮断効果が充分でなく、一方10Mm以
上では、可視光の透過率が減少し、暗くなると同時に成
型性も悪い。
近赤外線吸収剤を含有させる方法としては前述の紫外線
吸収剤と同様の方法をとることができる。
吸収剤と同様の方法をとることができる。
混合溶融する方法はいうまでもないが、熱可塑性樹脂面
に塗布する方法では、かかる近赤外線吸収剤を適当な有
機樹脂例えばアクリレート樹脂。
に塗布する方法では、かかる近赤外線吸収剤を適当な有
機樹脂例えばアクリレート樹脂。
アクリル樹脂、ウレタン樹脂、スヂレン樹脂、ポリエス
テル樹脂、酢酸ビニル樹脂、アセタール樹脂あるいはそ
れらの共重合組成物を適当な溶剤に溶解せしめた溶液に
混合あるいは溶解せしめ、塗工することによって適当な
濃度に近赤外線吸収剤を含有した層を有する方法がある
。塗布mも成型法による場合と同様に該吸収剤がo、
oi〜10MTdとなるようにすることが好ましい。
テル樹脂、酢酸ビニル樹脂、アセタール樹脂あるいはそ
れらの共重合組成物を適当な溶剤に溶解せしめた溶液に
混合あるいは溶解せしめ、塗工することによって適当な
濃度に近赤外線吸収剤を含有した層を有する方法がある
。塗布mも成型法による場合と同様に該吸収剤がo、
oi〜10MTdとなるようにすることが好ましい。
本発明の透明導電性積層体は、可撓性透明フィルムの少
なくとも片面に透明導電性層が設けられた透明導電性積
層体である。
なくとも片面に透明導電性層が設けられた透明導電性積
層体である。
透明導電性積層体の可撓性透明フィルムは、主として有
機高分子フィルムからなるものであるが、かかる有機高
分子化合物としては、耐熱性を有する透明な有機高分子
化合物であれば特に限定しない。通常耐熱性としては、
好ましくは100℃以上、特に好ましくは130℃以上
のものであって、例えば、ポリイミド、ポリエーテルス
ルホン、ポリスルホン、ポリパラバン酸、ポリヒダント
イン、ポリアリーレンエステルを始めとし、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレン
ジカルボキシレート、ポリジアリルフタレート。
機高分子フィルムからなるものであるが、かかる有機高
分子化合物としては、耐熱性を有する透明な有機高分子
化合物であれば特に限定しない。通常耐熱性としては、
好ましくは100℃以上、特に好ましくは130℃以上
のものであって、例えば、ポリイミド、ポリエーテルス
ルホン、ポリスルホン、ポリパラバン酸、ポリヒダント
イン、ポリアリーレンエステルを始めとし、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレン
ジカルボキシレート、ポリジアリルフタレート。
ポリカーボネート等のポリエステル系樹脂、延伸硬質塩
ビ、延伸ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフ
ィン系樹脂及び芳香族ポリアミド。
ビ、延伸ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフ
ィン系樹脂及び芳香族ポリアミド。
セルローストリアセテート等が挙げられる。もちろんの
ことこれらはホモポリマー、コポリマーとして、又、単
独又はブレンドとしても使用しうる。
ことこれらはホモポリマー、コポリマーとして、又、単
独又はブレンドとしても使用しうる。
かかる有機高分子化合物の成型物の形状は特に限定され
るものではないが、通常シート状、フィルム状のものが
好ましく、中でもフィルム状のものは巻取り可能であり
、又連続生産が可能である為、特に好ましい。更にフィ
ルム状のものが使用される場合においては、フィルムの
厚さは6〜500μmが好ましく、更には12〜125
μmが好ましい。
るものではないが、通常シート状、フィルム状のものが
好ましく、中でもフィルム状のものは巻取り可能であり
、又連続生産が可能である為、特に好ましい。更にフィ
ルム状のものが使用される場合においては、フィルムの
厚さは6〜500μmが好ましく、更には12〜125
μmが好ましい。
これらのフィルム又はシートは透明性を損わない程度に
おいて顔料を添加したり、又、表面加工例えばリントマ
ット加工等を施してもよい。
おいて顔料を添加したり、又、表面加工例えばリントマ
ット加工等を施してもよい。
又、これらのフィルム又はシートは単独でもラミネート
して用いてもよい。
して用いてもよい。
更に、その上に形成される透明導電性層との密着性を向
上させるため透明導電性層形成前にフィルム上に中間層
を形成してもよい。中間層としては例えば有機ケイ素化
合物、チタンアルキルエステル、ジルコニウムアルキル
エステル等の有機金属化合物の加水分解により生成され
た層が好ましく用いられる。該中間層は、多層構成とし
てもよい。
上させるため透明導電性層形成前にフィルム上に中間層
を形成してもよい。中間層としては例えば有機ケイ素化
合物、チタンアルキルエステル、ジルコニウムアルキル
エステル等の有機金属化合物の加水分解により生成され
た層が好ましく用いられる。該中間層は、多層構成とし
てもよい。
該中間層は、フィルム上に塗布後、乾燥し、加熱、イオ
ンボンバード或いは紫外線、β線、γ線などの放射線に
より硬化させる。
ンボンバード或いは紫外線、β線、γ線などの放射線に
より硬化させる。
また該中間層の塗布には、透明フィルムや塗工液の形状
、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラビ
アロールコータ−、カーテンコーター、ナイフコーター
などの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、浸
漬法などが用いられる。
、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラビ
アロールコータ−、カーテンコーター、ナイフコーター
などの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、浸
漬法などが用いられる。
該中間層の厚さとしては、100〜1000人が好まし
く、特に200〜900人が好ましい、100人未満の
場合には、連続層を形成しないため密着性向上効果がな
い。又、1000人を越えると、クラックや剥離を生じ
たりして好ましくない。
く、特に200〜900人が好ましい、100人未満の
場合には、連続層を形成しないため密着性向上効果がな
い。又、1000人を越えると、クラックや剥離を生じ
たりして好ましくない。
又、本発明における透明導電性積層体は例えばインジウ
ム酸化物よりなる透明導電層上に耐スクラッチ性を向上
させるといういわゆる表面保護の目的のために保護層を
積層させてもよい。
ム酸化物よりなる透明導電層上に耐スクラッチ性を向上
させるといういわゆる表面保護の目的のために保護層を
積層させてもよい。
かかる保護層としては、Ti0z、 5nOz、 5i
Oz。
Oz。
Zr0z−ZnO等の透明酸化物、Si3 N4 、
TiN等窒化物あるいはアクリロニトリル樹脂、スチレ
ン樹脂、アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂等の透明
な誘起化合物重合体あるいは、有機ケイ素化合物、チタ
ンアルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステル等
の有機金属化合物を用いることができる。
TiN等窒化物あるいはアクリロニトリル樹脂、スチレ
ン樹脂、アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂等の透明
な誘起化合物重合体あるいは、有機ケイ素化合物、チタ
ンアルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステル等
の有機金属化合物を用いることができる。
かかる保護膜の厚さは透明導電層の特性を低下させない
範囲で任意に設けることが可能である。
範囲で任意に設けることが可能である。
また本発明における透明導電性・積層体は、有機高分子
フィルムの両面に必要に応じて中間層を介して透明導電
層を積層した構成にしてもよく、あるいは有機高分子フ
ィルムの片面に必要に応じて中間層を介して透明導電層
を積層した構成において、透明導電層を積層した面と反
対面において透明性を損わない範囲で接着性2表面硬度
、光学特性等を改善する目的で、例えば前述した中間層
と同種の層や酸化物層、窒化物層、硫化物層、炭化物層
や有機物層を設けてもよい。
フィルムの両面に必要に応じて中間層を介して透明導電
層を積層した構成にしてもよく、あるいは有機高分子フ
ィルムの片面に必要に応じて中間層を介して透明導電層
を積層した構成において、透明導電層を積層した面と反
対面において透明性を損わない範囲で接着性2表面硬度
、光学特性等を改善する目的で、例えば前述した中間層
と同種の層や酸化物層、窒化物層、硫化物層、炭化物層
や有機物層を設けてもよい。
本発明の透明導電性層は金属及び/又は金属酸化物薄膜
よりなる。金属薄膜単独あるいは金属酸化物薄膜単独で
あることもできるし、それらの組合せであることもでき
る。
よりなる。金属薄膜単独あるいは金属酸化物薄膜単独で
あることもできるし、それらの組合せであることもでき
る。
本発明の透明導電性層の特性は、波長ssonmにおけ
る透過率が50%以上、好ましくは60%以上、表面抵
抗値が1〜1000Ω/口、好ましくは5〜500Ω/
口である。
る透過率が50%以上、好ましくは60%以上、表面抵
抗値が1〜1000Ω/口、好ましくは5〜500Ω/
口である。
より具体的には以下の如きものを挙げることができる。
■ 金、銅、銀、アルミニウム、パラジウム等の単独あ
るいは合金金属薄膜: ■ 酸化インジウム、酸化スズ等の金属酸化物薄膜: ■ ■の金属薄膜と、■の金属酸化物薄膜との組合せに
より、ある波長領域における透明性を改善したちの: 特に上記■の構成体の代表的なものは、例えば真空蒸着
1反応性蒸着、化学コーティング法又はスパッタリング
法を用いて形成されたBiz Ox/Au/Biz 0
3. ZnS/A(J/ZnS、 Ti0z/Ag/T
i0z、 5iOz/(AU及び/又はAQ) / 5
iOz、 Zr0z/AC1−Cu/Zr0z、 In
z 03/ Ag・Cu/ Inz 03. Ti0z
/ A(II−Cu/TiQ2が挙げられる。又金属酸
化物薄膜は金属薄膜の片面のみであってもよい。
るいは合金金属薄膜: ■ 酸化インジウム、酸化スズ等の金属酸化物薄膜: ■ ■の金属薄膜と、■の金属酸化物薄膜との組合せに
より、ある波長領域における透明性を改善したちの: 特に上記■の構成体の代表的なものは、例えば真空蒸着
1反応性蒸着、化学コーティング法又はスパッタリング
法を用いて形成されたBiz Ox/Au/Biz 0
3. ZnS/A(J/ZnS、 Ti0z/Ag/T
i0z、 5iOz/(AU及び/又はAQ) / 5
iOz、 Zr0z/AC1−Cu/Zr0z、 In
z 03/ Ag・Cu/ Inz 03. Ti0z
/ A(II−Cu/TiQ2が挙げられる。又金属酸
化物薄膜は金属薄膜の片面のみであってもよい。
これら金属薄膜及び金属酸化物薄膜の膜厚は、通常数十
〜数千への範囲であり、液晶材料の駆動電極としてのみ
使用するか、断熱性能を兼ねるために赤外反射能も備え
るかにより膜厚が異る。
〜数千への範囲であり、液晶材料の駆動電極としてのみ
使用するか、断熱性能を兼ねるために赤外反射能も備え
るかにより膜厚が異る。
−殻内に金属薄膜を使用する前記■及び■の場合、その
膜厚は駆動電極のみの機能の場合50〜100人、赤外
反射能も必要な場合は100〜200人程度が普通であ
る。
膜厚は駆動電極のみの機能の場合50〜100人、赤外
反射能も必要な場合は100〜200人程度が普通であ
る。
■の金属酸化物のみの場合は、駆動電極のみの機能の場
合150〜300人、赤外反射能も備える場合0.2〜
0.5μm程度が普通である。
合150〜300人、赤外反射能も備える場合0.2〜
0.5μm程度が普通である。
■の場合の金属酸化物は、光の干渉に関与する機能のみ
であるので導電性は必要なく膜厚は100〜300人程
度でおる。
であるので導電性は必要なく膜厚は100〜300人程
度でおる。
金属薄膜は、薄い膜厚で導電性、赤外反射能の機能を発
現することができ、基板フィルム側の電極材料としては
適している。しかしながら、膜厚が厚くなると透明性が
下がるので■の例で示したように、金属酸化物の積層に
より透過率アップを計ることが好ましい。
現することができ、基板フィルム側の電極材料としては
適している。しかしながら、膜厚が厚くなると透明性が
下がるので■の例で示したように、金属酸化物の積層に
より透過率アップを計ることが好ましい。
更に又、前記金属酸化物で前記金属層を挟んだ構成の一
層又は複数層とすることもできる。
層又は複数層とすることもできる。
本発明に用いられる透明導電層は主としてインジウム酸
化物を含む層がとりわけ好適である。インジウム酸化物
層は本来透明な電気絶縁体であるが、■微量の不純物を
含有する場合、■わずかに酸素不足になっている場合等
に半導体になる。好ましい半導体金属酸化物としては、
例えば、不純物として錫又はフッ素を含む酸化インジウ
ムを挙げることができる。特に好ましくは、酸化錫を2
〜20wt%含むインジウム酸化物の層である。
化物を含む層がとりわけ好適である。インジウム酸化物
層は本来透明な電気絶縁体であるが、■微量の不純物を
含有する場合、■わずかに酸素不足になっている場合等
に半導体になる。好ましい半導体金属酸化物としては、
例えば、不純物として錫又はフッ素を含む酸化インジウ
ムを挙げることができる。特に好ましくは、酸化錫を2
〜20wt%含むインジウム酸化物の層である。
本発明に用いられる主としてインジウム酸化物よりなる
透明導電層の膜厚は十分な導電性を得るためには、30
Å以上であることが好ましく、50Å以上であれば更に
好ましい。また、十分に透明度の高い被膜を得るために
は、500Å以下であることが好ましく、400Å以下
がより好ましい。
透明導電層の膜厚は十分な導電性を得るためには、30
Å以上であることが好ましく、50Å以上であれば更に
好ましい。また、十分に透明度の高い被膜を得るために
は、500Å以下であることが好ましく、400Å以下
がより好ましい。
このインジウム酸化物を含む層は真空蒸着法。
スパッタリング法、イオンブレーティング法等によって
形成することができる。
形成することができる。
真空蒸着法には、インジウムを主成分とする合金又は酸
化インジウムを主成分とする成型物を用いることができ
る。前者においては真空槽内に酸素ガス等の反応性ガス
を導入して反応性蒸着を行なう。後者においては、真空
槽内に微量の酸素ガス等の反応性ガスを導入するか或い
はガス導入をせずに蒸着を行なう。
化インジウムを主成分とする成型物を用いることができ
る。前者においては真空槽内に酸素ガス等の反応性ガス
を導入して反応性蒸着を行なう。後者においては、真空
槽内に微量の酸素ガス等の反応性ガスを導入するか或い
はガス導入をせずに蒸着を行なう。
蒸着材料の加熱手段としては抵抗加熱方式、高周波加熱
方式、電子ビーム加熱方式等公知の方式が適用できる。
方式、電子ビーム加熱方式等公知の方式が適用できる。
高速で組成ずれなく膜形成を行う方法としては電子ビー
ム加熱方式が好ましい。
ム加熱方式が好ましい。
スパッタリング法には、インジウムを主成分とする合金
又は、酸化インジウムを主成分とする焼結体をターゲッ
トとして用いることができる。前者においては、アルゴ
ン等の不活性ガス及び酸素ガス等の反応性ガスを真空槽
内に導入して、反応性スパッタリングを行なう。後者に
おいては、アルゴン等の不活性ガス単独か或いはアルゴ
ン等の不活性ガスに微量の酸素ガス等の反応性ガスを混
合したものを用いてスパッタリングを行なう。スパッタ
リングの方式は直流又は高周波二極スパッタ、直流又は
高周波マグネトロンスパッタ、イオンビームスパッタ等
公知の方式が適用できる。中でもマグネトロン方式は基
板へのプラズマ衝撃が少なく、高速製膜が可能で好まし
い。
又は、酸化インジウムを主成分とする焼結体をターゲッ
トとして用いることができる。前者においては、アルゴ
ン等の不活性ガス及び酸素ガス等の反応性ガスを真空槽
内に導入して、反応性スパッタリングを行なう。後者に
おいては、アルゴン等の不活性ガス単独か或いはアルゴ
ン等の不活性ガスに微量の酸素ガス等の反応性ガスを混
合したものを用いてスパッタリングを行なう。スパッタ
リングの方式は直流又は高周波二極スパッタ、直流又は
高周波マグネトロンスパッタ、イオンビームスパッタ等
公知の方式が適用できる。中でもマグネトロン方式は基
板へのプラズマ衝撃が少なく、高速製膜が可能で好まし
い。
又、イオンブレーティング法には、インジウムを主成分
とする合金又は、酸化インジウムを主成分とする成型物
を用いることができる。前者においては酸素ガス等の反
応性ガス単独、或いは反応性ガスとアルゴン等の不活性
ガスの混合ガスを真空槽内に導入して反応性イオンブレ
ーティングを行なう。後者においては、アルゴン等の不
活性ガス単独か或いは不活性ガスに微量の酸素ガス等の
反応性ガスを混合したものを用いる。
とする合金又は、酸化インジウムを主成分とする成型物
を用いることができる。前者においては酸素ガス等の反
応性ガス単独、或いは反応性ガスとアルゴン等の不活性
ガスの混合ガスを真空槽内に導入して反応性イオンブレ
ーティングを行なう。後者においては、アルゴン等の不
活性ガス単独か或いは不活性ガスに微量の酸素ガス等の
反応性ガスを混合したものを用いる。
ここでイオンブレーティング法とは蒸発粒子及び/又は
導入ガスの一部をイオン化しつつ膜形成を行なうもので
あり、イオン化の手段としては、直流、交流、高周波、
マイクロ波等を印加する方法がある。又蒸発源近くにイ
オン化電極を設け、導入ガスを必要としない方法もある
。
導入ガスの一部をイオン化しつつ膜形成を行なうもので
あり、イオン化の手段としては、直流、交流、高周波、
マイクロ波等を印加する方法がある。又蒸発源近くにイ
オン化電極を設け、導入ガスを必要としない方法もある
。
本発明における液晶材料層において使用される液晶化合
物はネマチック型、コレステリック型。
物はネマチック型、コレステリック型。
スメクチック型のいずれもが用いられる。
ネマチック型としては、ポリ(p−フェニレンテレフタ
ルアミド)、ポリ(p−ベンズアミド)。
ルアミド)、ポリ(p−ベンズアミド)。
ポリ(p−フェニレンベンゾヒスオキサゾール)。
ポリ(p−フェニレンベンゾビスチアゾール)等の高分
子液晶、或いは4°−メトキシベンジリデン−4“−ブ
チルアニリン、4−シアノ−4°−ヘキソキシビフェニ
ル、シアノビフェニル化合物、シアノフェニルシクロヘ
キサン化合物、シアノシクロへキシルシクロへキリン化
合物などの化合物が挙げられる。
子液晶、或いは4°−メトキシベンジリデン−4“−ブ
チルアニリン、4−シアノ−4°−ヘキソキシビフェニ
ル、シアノビフェニル化合物、シアノフェニルシクロヘ
キサン化合物、シアノシクロへキシルシクロへキリン化
合物などの化合物が挙げられる。
これらの化合物は、駆動特性、安定性などを調整するた
めに数種混合されて使用される場合が多い。又、それら
混合された商品も多数市販されており、これらも適用で
きる。
めに数種混合されて使用される場合が多い。又、それら
混合された商品も多数市販されており、これらも適用で
きる。
コレステリック型としては、コレステリック型法がある
。又蒸発源近くにイオン化電極を設け、導入ガスを必要
としない方法もある。
。又蒸発源近くにイオン化電極を設け、導入ガスを必要
としない方法もある。
本発明における液晶材料層の液晶材料はネマチック型、
コレステリック型、スメクチック型のいずれもが用いら
れる。
コレステリック型、スメクチック型のいずれもが用いら
れる。
ネマチック型としては、ポリ(p−フェニレンテレフタ
ルアミド)、ポリ(p−ベンズアミド)。
ルアミド)、ポリ(p−ベンズアミド)。
ポリ(p−フェニレンベンゾヒスオキサゾール)。
ポリ(p−フェニレンベンゾビスチアゾール)等の高分
子液晶、或いは4゛−メトキシベンジリデン−4“−ブ
チルアニリン、4−シアノ−4°−ヘキソキシビフェニ
ル、シアノビフェニル化合物、シアノフェニルシクロヘ
キサン化合物、シアノシクロへキシルシクロヘキサン化
合物などの化合物が挙げられる。
子液晶、或いは4゛−メトキシベンジリデン−4“−ブ
チルアニリン、4−シアノ−4°−ヘキソキシビフェニ
ル、シアノビフェニル化合物、シアノフェニルシクロヘ
キサン化合物、シアノシクロへキシルシクロヘキサン化
合物などの化合物が挙げられる。
これらの化合物は、駆動特性、安定性などを調整するた
めに数種混合されて使用される場合が多い。又、それら
混合された商品も多数市販されており、これらも適用で
きる。
めに数種混合されて使用される場合が多い。又、それら
混合された商品も多数市販されており、これらも適用で
きる。
コレステリック型としては、コレステリルリル−ト、コ
レステリルオレエート、セルロース。
レステリルオレエート、セルロース。
セルロース誘導体、DNA、RNA、ポリペプチド等が
ある。
ある。
スメクチック型としては、ポリエステル等がある。
本発明における液晶化合物は、正の誘電異方性を備えた
ネマチック型の液晶が好ましい。
ネマチック型の液晶が好ましい。
本発明の液晶材料層は、これら液晶化合物はそのままで
用いることもできるし、高分子化合物などの固体物質中
に包含させることもできる。包含する方法としては、単
純に高分子化合物と液晶化合物を溶剤などと共に混合し
、電極を備えたプラスチックフィルム基板などに塗布し
た後、溶剤をとばして該基板フィルム上に液晶化合物を
包含した高分子化合物の膜を形成する方法、あらかじめ
液晶化合物をマイクロカプセル化しておきその後に高分
子化合物及び溶剤と混合して塗布、乾燥する方法及び多
孔質高分子フィルムに液晶を含浸させる方法などがあり
、任意の方法が選択される。
用いることもできるし、高分子化合物などの固体物質中
に包含させることもできる。包含する方法としては、単
純に高分子化合物と液晶化合物を溶剤などと共に混合し
、電極を備えたプラスチックフィルム基板などに塗布し
た後、溶剤をとばして該基板フィルム上に液晶化合物を
包含した高分子化合物の膜を形成する方法、あらかじめ
液晶化合物をマイクロカプセル化しておきその後に高分
子化合物及び溶剤と混合して塗布、乾燥する方法及び多
孔質高分子フィルムに液晶を含浸させる方法などがあり
、任意の方法が選択される。
この場合、液晶材料層の膜厚は数μm〜数百μmの範囲
で任意に選ばれるが、コスト、透明性の点などから数十
μmの膜厚が好ましい。
で任意に選ばれるが、コスト、透明性の点などから数十
μmの膜厚が好ましい。
上記の中でも液晶化合物は高分子材料等の固体物質中に
数μmの大きさに球状に包含されることが好ましい。公
知の通り液晶材料層はこのような状態で電極に電圧を印
加しない場合、液晶化合物が全体としてランダムに配向
するために入射してくる光を散乱する。そして電極に所
定、例えば50〜100vの直流ないし交流電圧を印加
すると液晶°の持つ誘電異方性により液晶は電場に平行
に配向し、入射する光を散乱することなく透過する。こ
の現象により積層構成の調光フィルムは電圧のオン。
数μmの大きさに球状に包含されることが好ましい。公
知の通り液晶材料層はこのような状態で電極に電圧を印
加しない場合、液晶化合物が全体としてランダムに配向
するために入射してくる光を散乱する。そして電極に所
定、例えば50〜100vの直流ないし交流電圧を印加
すると液晶°の持つ誘電異方性により液晶は電場に平行
に配向し、入射する光を散乱することなく透過する。こ
の現象により積層構成の調光フィルムは電圧のオン。
オフにより光の透過値を調整することができ、調光窓e
WA光カーテンなどとして使用できる。
WA光カーテンなどとして使用できる。
本発明の調光積層体は、上述した融点が180℃以下の
熱可塑性樹脂層、透明導電性積層体及び液晶材料層が熱
可塑性樹脂/第1の透明導電性積層体/液晶材料層/第
2の透明導電性積層体/熱可塑性樹脂層の順に配置され
ているものであり、第1及び第2の透明導電性積層体は
、その透明導電性層が液晶材料層側へ配置されている。
熱可塑性樹脂層、透明導電性積層体及び液晶材料層が熱
可塑性樹脂/第1の透明導電性積層体/液晶材料層/第
2の透明導電性積層体/熱可塑性樹脂層の順に配置され
ているものであり、第1及び第2の透明導電性積層体は
、その透明導電性層が液晶材料層側へ配置されている。
これにより液晶材料層に電界をかけ、液晶材料層の配向
を電場に平行に配向させるための電源として低い電圧(
例えば200V以下)で電界を(qることか可能となり
、操作性がよく液晶材料層の応答性を高めることができ
る。
を電場に平行に配向させるための電源として低い電圧(
例えば200V以下)で電界を(qることか可能となり
、操作性がよく液晶材料層の応答性を高めることができ
る。
実施例
無色透明な二輪延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ム(厚みが125μm)に、スパッタリング装置内の基
板保持台に固定し真空槽内を2X10−5TOrrまで
排気した。Ar10z混合ガス(0225%)を真空槽
内に導入し圧力を4 x 10−3 Torrに保持し
、rnsnターゲット(sn 5 wt%)を用いて、
反応性スパッタリングを行ない、有機ケイ素化合物層上
にITollからなる透明導電層を310人形成した。
ム(厚みが125μm)に、スパッタリング装置内の基
板保持台に固定し真空槽内を2X10−5TOrrまで
排気した。Ar10z混合ガス(0225%)を真空槽
内に導入し圧力を4 x 10−3 Torrに保持し
、rnsnターゲット(sn 5 wt%)を用いて、
反応性スパッタリングを行ない、有機ケイ素化合物層上
にITollからなる透明導電層を310人形成した。
得られた透明導電性積層体の550止の透過率は83%
、抵抗値は270Ω/口であり、酸素透過率は■To膜
形成前と変化がなかった。
、抵抗値は270Ω/口であり、酸素透過率は■To膜
形成前と変化がなかった。
次に該透明導電性積層体のITO膜上にアクリル樹脂(
三菱レーヨン LR574)と液晶(BDH社E−37
)との混合物(固形分換痺でi:1.5)のメチルエチ
ルケトン溶液を塗工した後、100℃2分間乾燥し、厚
さ10μmの液晶材料層を形成した。
三菱レーヨン LR574)と液晶(BDH社E−37
)との混合物(固形分換痺でi:1.5)のメチルエチ
ルケトン溶液を塗工した後、100℃2分間乾燥し、厚
さ10μmの液晶材料層を形成した。
しかる後に、上記と同様に作成された透明導電性積層体
のITO膜面を貼り合せることにより調光フィルムを作
成した。
のITO膜面を貼り合せることにより調光フィルムを作
成した。
該調光フィルムには電圧印加のために、2枚の透明導電
性フィルムのそれぞれの短辺の片方に電極が設けられ、
それぞれの電極によりリード線を取りつけた。
性フィルムのそれぞれの短辺の片方に電極が設けられ、
それぞれの電極によりリード線を取りつけた。
続いて熱可塑性樹脂として、ポリビニルブチラール樹脂
(片面は平滑な面を有し、他面は空気扱き用の凹凸加工
をプレス方法により加熱成型し、厚み380μmを2枚
作成した。
(片面は平滑な面を有し、他面は空気扱き用の凹凸加工
をプレス方法により加熱成型し、厚み380μmを2枚
作成した。
しかる後、調光フィルムの両面に、ポリビニルブチラー
ル樹脂の平滑な面がくるようにして、ロールプレス方法
によりラミネートをした。得られた調光積層体は、ポリ
ビニルブチラール樹脂/透明導電性フィルム/液晶材料
層/透明導電性フィルム/ポリビニルブチラール樹脂の
構成となっている。
ル樹脂の平滑な面がくるようにして、ロールプレス方法
によりラミネートをした。得られた調光積層体は、ポリ
ビニルブチラール樹脂/透明導電性フィルム/液晶材料
層/透明導電性フィルム/ポリビニルブチラール樹脂の
構成となっている。
続いて、合わせガラス化するため調光積層体を2枚のガ
ラス板(厚み3mm)で挟み、真空に引ける袋の中に入
れ、内部を真空にしてガラス板〜調光積層体のポリビニ
ルブチラール樹脂間の空気を扱いた。こうすることによ
り袋を通して該調光積層体には、大気圧がかかっている
。その状態で90℃の加熱炉に10分間入れ、ポリビニ
ルブチラール樹脂を軟化させ合わせガラスとして予備圧
着した後冷却してから真空を破り、袋から出した。そし
て(qられた調光合わせガラスを本圧着するために、オ
ートクレーブの中に入れ、圧力5にg/cm2 、温度
100℃下20分間処理した。1qられた合わせガラス
は空気の混入もなく、きれいであった。
ラス板(厚み3mm)で挟み、真空に引ける袋の中に入
れ、内部を真空にしてガラス板〜調光積層体のポリビニ
ルブチラール樹脂間の空気を扱いた。こうすることによ
り袋を通して該調光積層体には、大気圧がかかっている
。その状態で90℃の加熱炉に10分間入れ、ポリビニ
ルブチラール樹脂を軟化させ合わせガラスとして予備圧
着した後冷却してから真空を破り、袋から出した。そし
て(qられた調光合わせガラスを本圧着するために、オ
ートクレーブの中に入れ、圧力5にg/cm2 、温度
100℃下20分間処理した。1qられた合わせガラス
は空気の混入もなく、きれいであった。
しかる後、調光積層体に取りつけであるリード線間に1
00Vの交流電圧を印加したところ、電圧印加前の透過
率4%が瞬時にして63%になり、透視性もよい調光可
能な合わせガラスを作製できた。
00Vの交流電圧を印加したところ、電圧印加前の透過
率4%が瞬時にして63%になり、透視性もよい調光可
能な合わせガラスを作製できた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、熱可塑性樹脂層、その上に配置された第1の透明導
電性積層体、その上に配置された液晶材料層、その上に
配置された第2の透明導電性積層体、及びその上に更に
配置された前記熱可塑性樹脂層からなり、該第1及び第
2の透明導電性積層体は透明導電性層が該液晶材料層に
向けて配置され、該熱可塑性樹脂層の厚みが100μm
以上である調光積層体。 2、該熱可塑性樹脂層が紫外線吸収剤及び/又は赤外線
吸収剤を含有するものである請求項1の調光積層体。 3、該熱可塑性樹脂層がポリビニルブチラール樹脂及び
/又はエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂からなる請求
項1の調光積層体。 4、該透明導電性層がインジウム酸化物から主としてな
る結晶性の透明導電性層である請求項1又は2の調光積
層体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1027598A JPH02208630A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 調光積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1027598A JPH02208630A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 調光積層体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02208630A true JPH02208630A (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=12225370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1027598A Pending JPH02208630A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 調光積層体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02208630A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004131335A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Asahi Glass Co Ltd | 調光窓 |
US7815997B2 (en) | 2006-12-29 | 2010-10-19 | 3M Innovative Properties Company | Window film assembly and method of installing |
US8372508B2 (en) | 2006-12-29 | 2013-02-12 | 3M Innovative Properties Company | Window film frame assemblies and methods |
JP2017508997A (ja) * | 2014-03-07 | 2017-03-30 | エルジー・ケム・リミテッド | 光変調装置{light modulation device} |
JP2019045612A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 凸版印刷株式会社 | 調光フィルム、及びそれを用いた調光装置 |
JP2021124678A (ja) * | 2020-02-07 | 2021-08-30 | 大日本印刷株式会社 | 調光装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP1027598A patent/JPH02208630A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004131335A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Asahi Glass Co Ltd | 調光窓 |
US7815997B2 (en) | 2006-12-29 | 2010-10-19 | 3M Innovative Properties Company | Window film assembly and method of installing |
US8372508B2 (en) | 2006-12-29 | 2013-02-12 | 3M Innovative Properties Company | Window film frame assemblies and methods |
JP2017508997A (ja) * | 2014-03-07 | 2017-03-30 | エルジー・ケム・リミテッド | 光変調装置{light modulation device} |
US9904129B2 (en) | 2014-03-07 | 2018-02-27 | Lg Chem, Ltd. | Light modulation device |
JP2019045612A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 凸版印刷株式会社 | 調光フィルム、及びそれを用いた調光装置 |
JP2021124678A (ja) * | 2020-02-07 | 2021-08-30 | 大日本印刷株式会社 | 調光装置の製造方法 |
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