JP3349194B2 - 透明導電性積層体 - Google Patents
透明導電性積層体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機高分子成形物上に
透明導電層を形成してなる透明導電性積層体に関する。
透明導電層を形成してなる透明導電性積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化社会の到来と共に、光とエレ
クトロニクスの両方の特徴を利用した部品、機器の進歩
は著しい。またマイクロコンピュータの飛躍的普及にと
もない、コンピュータ周辺機器の革新はめざましい。
クトロニクスの両方の特徴を利用した部品、機器の進歩
は著しい。またマイクロコンピュータの飛躍的普及にと
もない、コンピュータ周辺機器の革新はめざましい。
【０００３】これらのコンピュータ入力装置として低消
費電力アナログ方式の透明タブレットの開発が進んでい
る。この構成部品の一形態として、有機高分子成形物上
に透明導電層を形成してなる透明導電性積層体が用いら
れる。
費電力アナログ方式の透明タブレットの開発が進んでい
る。この構成部品の一形態として、有機高分子成形物上
に透明導電層を形成してなる透明導電性積層体が用いら
れる。
【０００４】そうした透明導電層としては、金属薄膜タ
イプ（Au、Pb等）、金属酸化物薄膜タイプ（ＩＴＯ、Ｃ
ＴＯ、SnＯ2 、TiＯ2 等）、多層薄膜タイプ（TiＯX ／
Ag／TiＯX 等）等を用いることができる。
イプ（Au、Pb等）、金属酸化物薄膜タイプ（ＩＴＯ、Ｃ
ＴＯ、SnＯ2 、TiＯ2 等）、多層薄膜タイプ（TiＯX ／
Ag／TiＯX 等）等を用いることができる。
【０００５】そしてこれらの中でも透明性、導電性、機
械特性等の基本特性は、金属酸化物薄膜タイプが優れて
いる。さらに金属酸化物薄膜タイプの中でも、インジウ
ム金属酸化物（In2 Ｏ3 ）とスズ金属酸化物とからなる
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜は、透明性、導電性が特
に優れており、さらに電極のパターン化が容易（エッチ
ング特性が優れている）などの特徴を有する点が優れて
いる。
械特性等の基本特性は、金属酸化物薄膜タイプが優れて
いる。さらに金属酸化物薄膜タイプの中でも、インジウ
ム金属酸化物（In2 Ｏ3 ）とスズ金属酸化物とからなる
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜は、透明性、導電性が特
に優れており、さらに電極のパターン化が容易（エッチ
ング特性が優れている）などの特徴を有する点が優れて
いる。
【０００６】ところで最近は薄膜形成技術の進歩によ
り、耐熱性のあまりない有機高分子成形物上に透明導電
層を形成できるようになった。中でもスパッタリング法
は、長時間にわったて成膜が可能、長時間膜形成を行っ
ても組成ずれがない、幅広化が容易などの特徴を有し、
最も利用されている技術の一つである。そして上述のＩ
ＴＯ膜も、スパッタリング法で形成することができる。
り、耐熱性のあまりない有機高分子成形物上に透明導電
層を形成できるようになった。中でもスパッタリング法
は、長時間にわったて成膜が可能、長時間膜形成を行っ
ても組成ずれがない、幅広化が容易などの特徴を有し、
最も利用されている技術の一つである。そして上述のＩ
ＴＯ膜も、スパッタリング法で形成することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】こうした透明導電性積
層体においては、タッチパネル等の使用形態より、高い
光線透過率、低消費電力実現のために５００（Ω／□）
〜７００（Ω／□）のシート抵抗値、高度の耐久性およ
び信頼性が、例えば低消費電力アナログ方式透明デジタ
イザーの入力素子等において要求されている。
層体においては、タッチパネル等の使用形態より、高い
光線透過率、低消費電力実現のために５００（Ω／□）
〜７００（Ω／□）のシート抵抗値、高度の耐久性およ
び信頼性が、例えば低消費電力アナログ方式透明デジタ
イザーの入力素子等において要求されている。
【０００８】しかし、スパッタリング法によりＩＴＯ膜
を形成してなる導電性積層体は、低消費電力アナログ方
式透明タブレットの入力素子に用いた場合、低消費電力
を達成するために必要なシート抵抗値である５００（Ω
／□）〜７００（Ω／□）を得るためには、透明導電層
の比抵抗が低いためＩＴＯ膜厚を１２ｎｍ±２ｎｍと非
常に薄くする必要がある。
を形成してなる導電性積層体は、低消費電力アナログ方
式透明タブレットの入力素子に用いた場合、低消費電力
を達成するために必要なシート抵抗値である５００（Ω
／□）〜７００（Ω／□）を得るためには、透明導電層
の比抵抗が低いためＩＴＯ膜厚を１２ｎｍ±２ｎｍと非
常に薄くする必要がある。
【０００９】このため透明導電層が不安定であり、耐環
境劣化試験を行うとシート抵抗値が大幅に上昇するとい
う実用上大きな課題がある。そこで本発明は、かかる現
状に鑑みなされたもので、有機高分子形成物上に透明導
電層を設けた耐久性および信頼性の優れた導電性積層体
を提供することを目的とする。
境劣化試験を行うとシート抵抗値が大幅に上昇するとい
う実用上大きな課題がある。そこで本発明は、かかる現
状に鑑みなされたもので、有機高分子形成物上に透明導
電層を設けた耐久性および信頼性の優れた導電性積層体
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる透明導電
性の金属酸化物薄膜からなる透明導電層を、有機高分子
成形物上に形成してなる透明導電積層体は、透明導電層
が、透明導電性の金属酸化物薄膜中に、ＴｉＯ 2 を、原
子組成比で０．５〜２％添加した物であり、かつ透明導
電性の金属酸化物薄膜が、主としてインジウム金属酸化
物（Ｉｎ 2 Ｏ 3 ）とスズ金属酸化物（ＳｎＯ X 、ただし１
≦ｘ≦２）とからなることを特徴とする透明導電性積層
体である。
性の金属酸化物薄膜からなる透明導電層を、有機高分子
成形物上に形成してなる透明導電積層体は、透明導電層
が、透明導電性の金属酸化物薄膜中に、ＴｉＯ 2 を、原
子組成比で０．５〜２％添加した物であり、かつ透明導
電性の金属酸化物薄膜が、主としてインジウム金属酸化
物（Ｉｎ 2 Ｏ 3 ）とスズ金属酸化物（ＳｎＯ X 、ただし１
≦ｘ≦２）とからなることを特徴とする透明導電性積層
体である。
【００１１】本発明者らは、透明導電層の耐久性とその
膜厚との関係を調べた。そして例えばＩＴＯ膜において
は、膜厚が１５ｎｍ以上を有していれば耐久性がよいこ
とをみいだした。しかしその場合には、シート抵抗値が
５００（Ω／□）未満となり低消費電力アナログ方式透
明デジタイザーの入力素子には使用できないことが分か
った。これは透明導電層の比抵抗の低さに起因する。
膜厚との関係を調べた。そして例えばＩＴＯ膜において
は、膜厚が１５ｎｍ以上を有していれば耐久性がよいこ
とをみいだした。しかしその場合には、シート抵抗値が
５００（Ω／□）未満となり低消費電力アナログ方式透
明デジタイザーの入力素子には使用できないことが分か
った。これは透明導電層の比抵抗の低さに起因する。
【００１２】ところが本発明かかる透明導電層を用いた
透明導電性積層体では、おどろくべきことに透明導電層
中の自由電子濃度Ｎ（キャリア濃度）を減少せしめ、比
抵抗を光透過性をそこなうことなく高くすることができ
る。そのため、耐久性および信頼性の良好な膜厚まで、
透明導電層の膜厚を厚くすることができ、耐久性を大幅
に改善できる。
透明導電性積層体では、おどろくべきことに透明導電層
中の自由電子濃度Ｎ（キャリア濃度）を減少せしめ、比
抵抗を光透過性をそこなうことなく高くすることができ
る。そのため、耐久性および信頼性の良好な膜厚まで、
透明導電層の膜厚を厚くすることができ、耐久性を大幅
に改善できる。
【００１３】すなわち透明導電性の金属酸化物薄膜に添
加する、ＴｉＯ 2 金属酸化物は、遊離または結合不完全
な状態で透明導電層中に部分的に存在する酸素を吸着お
よび／または結合し、自由電子濃度Ｎ（キャリヤ濃度）
および／またはキャリア移動度を減少し比抵抗を上昇せ
しめることにより、耐久性および信頼性の良好な膜厚ま
で厚くすることができる。さらに添加する金属酸化物自
身も高い透明性を有し、透明導電層の光学特性をそこな
わない。従って添加する金属酸化物の存在は、光線透過
率をそこなうことなく透明導電層の耐久性および信頼性
の面で有効となる。
加する、ＴｉＯ 2 金属酸化物は、遊離または結合不完全
な状態で透明導電層中に部分的に存在する酸素を吸着お
よび／または結合し、自由電子濃度Ｎ（キャリヤ濃度）
および／またはキャリア移動度を減少し比抵抗を上昇せ
しめることにより、耐久性および信頼性の良好な膜厚ま
で厚くすることができる。さらに添加する金属酸化物自
身も高い透明性を有し、透明導電層の光学特性をそこな
わない。従って添加する金属酸化物の存在は、光線透過
率をそこなうことなく透明導電層の耐久性および信頼性
の面で有効となる。
【００１４】ただし、ここに記したＴｉＯ 2 は、各金属
原子の酸化物であることを表しており、必ずしも化学量
論的に完全な酸化物を表してはいない。つまり、光学特
性を損なわない範囲の化学量論数を持つこれら酸化物を
示している物である。
原子の酸化物であることを表しており、必ずしも化学量
論的に完全な酸化物を表してはいない。つまり、光学特
性を損なわない範囲の化学量論数を持つこれら酸化物を
示している物である。
【００１５】また本発明において添加する金属酸化物の
含有率は、前述の比抵抗に対する効果および透明導電層
自身の透明性維持の２点の兼ね合いから、原子組成で透
明導電性層中に０．５〜２．０％が必要である。さらに
この比率は、０．８〜１．５とすることがより好まし
い。
含有率は、前述の比抵抗に対する効果および透明導電層
自身の透明性維持の２点の兼ね合いから、原子組成で透
明導電性層中に０．５〜２．０％が必要である。さらに
この比率は、０．８〜１．５とすることがより好まし
い。
【００１６】また透明性、導電性、機械特性等の点か
ら、透明導電性の金属酸化物薄膜は主として、インジウ
ム金属酸化物（In2 Ｏ3 ）および／またはスズ金属酸化
物（SnＯX 、ただし１≦ｘ≦２）からなるものであるこ
とが好ましい。
ら、透明導電性の金属酸化物薄膜は主として、インジウ
ム金属酸化物（In2 Ｏ3 ）および／またはスズ金属酸化
物（SnＯX 、ただし１≦ｘ≦２）からなるものであるこ
とが好ましい。
【００１７】その際ＩＴＯ膜の場合には、その膜厚は１
５〜２５ｎｍが好ましく、特に１７〜２０ｎｍがより好
ましい。これが１５ｎｍ未満の場合には、膜が不安定で
あるため耐久性および信頼性の改善の効果がない。また
２５ｎｍを越えると透過率が低下したりして好ましくな
い。
５〜２５ｎｍが好ましく、特に１７〜２０ｎｍがより好
ましい。これが１５ｎｍ未満の場合には、膜が不安定で
あるため耐久性および信頼性の改善の効果がない。また
２５ｎｍを越えると透過率が低下したりして好ましくな
い。
【００１８】本発明における有機高分子成形物を構成す
る有機高分子化合物としては、耐熱性を有する透明な有
機高分子化合物であれば特に限定しないが、通常耐熱性
としては１００℃以上、好ましくは１３０℃以上のもの
である。
る有機高分子化合物としては、耐熱性を有する透明な有
機高分子化合物であれば特に限定しないが、通常耐熱性
としては１００℃以上、好ましくは１３０℃以上のもの
である。
【００１９】これには例えばポリイミド、ポリエーテル
スルホン、ポリスルホン、ポリパラバン酸、ポリヒダン
トイン、ポリアリレートを始めとし、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカル
ボキシレート、ポリジアリルフタレート、ポリカーボネ
ートなどのポリエステル系樹脂および芳香族ポリアミ
ド、セルローストリアセテート等が挙げられる。もちろ
んこれらはホモポリマー、コポリマーとして、また単独
またはブレンドとしても使用しうる。
スルホン、ポリスルホン、ポリパラバン酸、ポリヒダン
トイン、ポリアリレートを始めとし、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカル
ボキシレート、ポリジアリルフタレート、ポリカーボネ
ートなどのポリエステル系樹脂および芳香族ポリアミ
ド、セルローストリアセテート等が挙げられる。もちろ
んこれらはホモポリマー、コポリマーとして、また単独
またはブレンドとしても使用しうる。
【００２０】かかる有機高分子化合物の成形物の形状は
特に限定されるものではないが、通常、シート状、フィ
ルム状のものが好ましく、中でもフィルム状のものは巻
取り可能であり、また連続生産が可能であるため、特に
好ましい。さらに、フィルム状のものが使用される場合
においては、フィルムの厚さは６〜５００μｍが好まし
く、さらには１２〜２００μｍが好ましい。
特に限定されるものではないが、通常、シート状、フィ
ルム状のものが好ましく、中でもフィルム状のものは巻
取り可能であり、また連続生産が可能であるため、特に
好ましい。さらに、フィルム状のものが使用される場合
においては、フィルムの厚さは６〜５００μｍが好まし
く、さらには１２〜２００μｍが好ましい。
【００２１】これらのフィルムまたはシートは、透明性
を損なわない程度において顔料を添加したり、また表面
加工、例えばサンドマット加工などを施してもよい。ま
た、これらのフィルムまたはシートは、単独でもラミネ
ートして用いてもよい。
を損なわない程度において顔料を添加したり、また表面
加工、例えばサンドマット加工などを施してもよい。ま
た、これらのフィルムまたはシートは、単独でもラミネ
ートして用いてもよい。
【００２２】さらに、透明導電層との密着性などを向上
させるため、透明導電層形成前に有機高分子成形物上に
中間層を形成してもよい。この中間層としては、例えば
有機硅素化合物、チタンアルキルエステル、ジルコニウ
ムアルキルエステルなどの有機金属化合物の加水分解に
より形成された層が好ましく用いられる。あるいはこの
中間層は、多層構成としても良い。
させるため、透明導電層形成前に有機高分子成形物上に
中間層を形成してもよい。この中間層としては、例えば
有機硅素化合物、チタンアルキルエステル、ジルコニウ
ムアルキルエステルなどの有機金属化合物の加水分解に
より形成された層が好ましく用いられる。あるいはこの
中間層は、多層構成としても良い。
【００２３】こうした中間層は、有機高分子成形物上に
塗布後、乾燥し、加熱、イオンボンバードあるいは紫外
線、β線、γ線などの放射線により硬化させる。その際
中間層の塗布には、透明有機高分子成形物や塗工液の形
状、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラ
ビアロールコーター、カーテンコーター、ナイフコータ
ーなどの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、
浸漬法などが用いられる。
塗布後、乾燥し、加熱、イオンボンバードあるいは紫外
線、β線、γ線などの放射線により硬化させる。その際
中間層の塗布には、透明有機高分子成形物や塗工液の形
状、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラ
ビアロールコーター、カーテンコーター、ナイフコータ
ーなどの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、
浸漬法などが用いられる。
【００２４】そしてこの中間層の厚さとしては、１０〜
１００ｎｍが好ましく、特に２０〜９０ｎｍが好まし
い。これが１０ｎｍ未満の場合には、連続層を形成しな
いため密着性などの向上効果がない。また１００ｎｍを
越えると、クラックや剥離を生じたりして好ましくな
い。
１００ｎｍが好ましく、特に２０〜９０ｎｍが好まし
い。これが１０ｎｍ未満の場合には、連続層を形成しな
いため密着性などの向上効果がない。また１００ｎｍを
越えると、クラックや剥離を生じたりして好ましくな
い。
【００２５】また、本発明における導電性積層体の透明
導電層上に、耐スクッラチ性を向上させるなどの目的の
ために保護層を積層させても良い。かかる保護層として
は、TiＯ2 、SnＯ2 、Al2 Ｏ3 、SiＯ2 、ZrＯ2 、Zn
Ｏ、Ta2 Ｏ5 などの透明酸化物、Si3 Ｎ4 、AlSiＮなど
の窒化物あるいはアクリロニトリル系樹脂、スチレン系
樹脂、アクリレート系樹脂、ポリエステル系樹脂、シア
ノエチル化ブルランなどのシアノエチル化多糖類などの
透明な有機化合物重合体あるいは、有機硅素化合物、チ
タンアルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステル
などの有機金属化合物などを用いることができる。かか
る保護層の厚さは、透明導電層の特性を低下させない範
囲で任意に設けることが可能である。
導電層上に、耐スクッラチ性を向上させるなどの目的の
ために保護層を積層させても良い。かかる保護層として
は、TiＯ2 、SnＯ2 、Al2 Ｏ3 、SiＯ2 、ZrＯ2 、Zn
Ｏ、Ta2 Ｏ5 などの透明酸化物、Si3 Ｎ4 、AlSiＮなど
の窒化物あるいはアクリロニトリル系樹脂、スチレン系
樹脂、アクリレート系樹脂、ポリエステル系樹脂、シア
ノエチル化ブルランなどのシアノエチル化多糖類などの
透明な有機化合物重合体あるいは、有機硅素化合物、チ
タンアルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステル
などの有機金属化合物などを用いることができる。かか
る保護層の厚さは、透明導電層の特性を低下させない範
囲で任意に設けることが可能である。
【００２６】また、本発明における導電性積層体は、有
機高分子成形物の両面に必要に応じて中間層を介して透
明導電層を積層した構成にしてもよく、あるいは有機高
分子成形物の片面に必要に応じて中間層を介して透明導
電層を積層した構成において透明導電層を積層した面と
反対面において、透明性を損なわない範囲で接着性、表
面硬度、光学特性などを改善する目的で、例えば前述し
た中間層や保護層と同種の層や、酸化物層、窒化物層、
硫化物層、炭化物層や有機物層を設けても良い。
機高分子成形物の両面に必要に応じて中間層を介して透
明導電層を積層した構成にしてもよく、あるいは有機高
分子成形物の片面に必要に応じて中間層を介して透明導
電層を積層した構成において透明導電層を積層した面と
反対面において、透明性を損なわない範囲で接着性、表
面硬度、光学特性などを改善する目的で、例えば前述し
た中間層や保護層と同種の層や、酸化物層、窒化物層、
硫化物層、炭化物層や有機物層を設けても良い。
【００２７】本発明の方法は、スパッタリング法に限定
されず、他の公知の薄膜形成方法例えばイオンプレーテ
ィング法などにも適用することができるが、幅方向での
制御性がよく、高速成膜が可能であるスパッタリング法
が好ましい。
されず、他の公知の薄膜形成方法例えばイオンプレーテ
ィング法などにも適用することができるが、幅方向での
制御性がよく、高速成膜が可能であるスパッタリング法
が好ましい。
【００２８】本発明で得られる導電性積層体は、低消費
電力アナログ方式透明タブレットの入力素子に適してい
るだけでなく、例えばエレクトロルミネッセンス用電
極、電子写真、帯電防止材料、面状発熱体、固体ディス
プレー、光メモリー、光電変換素子、光通信、光情報処
理、太陽エネルギー利用材料などと広い用途を有する。
電力アナログ方式透明タブレットの入力素子に適してい
るだけでなく、例えばエレクトロルミネッセンス用電
極、電子写真、帯電防止材料、面状発熱体、固体ディス
プレー、光メモリー、光電変換素子、光通信、光情報処
理、太陽エネルギー利用材料などと広い用途を有する。
【００２９】
【実施例１〜５、比較例４〜５】１７５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムの両面に、有機硅素化合物
のブタノール，イソプロパノール混合アルコール水溶液
（濃度０．６重量％）をバーコーターで塗布し、１２０
℃で１分間乾燥した。乾燥後の膜厚は３０ｎｍであっ
た。
レンテレフタレートフィルムの両面に、有機硅素化合物
のブタノール，イソプロパノール混合アルコール水溶液
（濃度０．６重量％）をバーコーターで塗布し、１２０
℃で１分間乾燥した。乾燥後の膜厚は３０ｎｍであっ
た。
【００３０】このフィルムを直流式マグネトロンスパッ
タ装置内の基板保持装置に固定した。そしてスパッタタ
ーゲットとしては、まず酸化インジウムを主成分とする
焼結体（SnＯ2 ５wt％）よりなるターゲットを設置し
た。さらにそのターゲット上には、５ｍｍ角の酸化チタ
ン（TiＯ2 ）のペレットも等間隔で配置した。
タ装置内の基板保持装置に固定した。そしてスパッタタ
ーゲットとしては、まず酸化インジウムを主成分とする
焼結体（SnＯ2 ５wt％）よりなるターゲットを設置し
た。さらにそのターゲット上には、５ｍｍ角の酸化チタ
ン（TiＯ2 ）のペレットも等間隔で配置した。
【００３１】そして、真空度２．７ｍPaまで真空槽内を
排気した。その後、Ar／Ｏ2 混合ガス（Ｏ2 １．５％）
を槽内に導入し、真空度を０．６７Paに保った後、スパ
ッタリング法によりTiＯ2 を含有し、５５０ｎｍでの吸
収率が２．０％となるＩＴＯの透明導電膜を形成した。
ここで酸化チタンペレットの数を変えることで、TiＯ２
含有量を調整し、実施例１〜５および比較例４〜５のサ
ンプルを得た。
排気した。その後、Ar／Ｏ2 混合ガス（Ｏ2 １．５％）
を槽内に導入し、真空度を０．６７Paに保った後、スパ
ッタリング法によりTiＯ2 を含有し、５５０ｎｍでの吸
収率が２．０％となるＩＴＯの透明導電膜を形成した。
ここで酸化チタンペレットの数を変えることで、TiＯ２
含有量を調整し、実施例１〜５および比較例４〜５のサ
ンプルを得た。
【００３２】そして得られたサンプルについて、ＩＴＯ
膜の膜厚、TiＯ2 含有量、スパッタ直後のシート抵抗
値、５５０ｎｍでの光透過率、耐熱性、耐湿性、そして
耐打鍵性（スイッチ寿命）を調べた。その結果を表１に
示す。
膜の膜厚、TiＯ2 含有量、スパッタ直後のシート抵抗
値、５５０ｎｍでの光透過率、耐熱性、耐湿性、そして
耐打鍵性（スイッチ寿命）を調べた。その結果を表１に
示す。
【００３３】ここで耐熱性は、９０℃で１０００時間の
熱負荷をかける前後で抵抗値の変化を調べることにより
行った。表１には、熱負荷後の抵抗値を熱負荷前の抵抗
値で割った値を示す。
熱負荷をかける前後で抵抗値の変化を調べることにより
行った。表１には、熱負荷後の抵抗値を熱負荷前の抵抗
値で割った値を示す。
【００３４】また耐湿性は、６０℃、相対湿度９０％で
１０００時間の湿度負荷をかける前後での、抵抗値の変
化を調べることにより行った。表１には、湿度負荷後の
抵抗値を湿度負荷前の抵抗値で割った値を示す。
１０００時間の湿度負荷をかける前後での、抵抗値の変
化を調べることにより行った。表１には、湿度負荷後の
抵抗値を湿度負荷前の抵抗値で割った値を示す。
【００３５】さらに耐打鍵性（スイッチ寿命）は、各サ
ンプルについて導電面同士をスペーサにより１００μｍ
間隔になるように対向させた透明スイッチを作製し、そ
の耐久性を以下のようにして評価して行った。
ンプルについて導電面同士をスペーサにより１００μｍ
間隔になるように対向させた透明スイッチを作製し、そ
の耐久性を以下のようにして評価して行った。
【００３６】先ずは、先端が７Ｒのシリコンゴム製のロ
ッド（重さ２００ｇ）を、連続的にソレノイドで透明ス
イッチ上に自由落下させた（繰り返し周波数３Ｈｚ）。
その際に、ロッドが落下する毎にスイッチが押され、定
電流電源により１ｍＡの電流がスイッチに流れるように
して、透明スイッチが押された時のそのパルス状の波形
をシンクロスコープにより観察しながら、スイッチ寿命
を調べた。パルス状の波形が観測されなくなった時の押
印回数をスイッチ寿命と定義する。
ッド（重さ２００ｇ）を、連続的にソレノイドで透明ス
イッチ上に自由落下させた（繰り返し周波数３Ｈｚ）。
その際に、ロッドが落下する毎にスイッチが押され、定
電流電源により１ｍＡの電流がスイッチに流れるように
して、透明スイッチが押された時のそのパルス状の波形
をシンクロスコープにより観察しながら、スイッチ寿命
を調べた。パルス状の波形が観測されなくなった時の押
印回数をスイッチ寿命と定義する。
【００３７】
【実施例６】ポリエチレンテレフタレートフィルムの変
わりに、厚み１２５μｍのポリカーボネートフィルムを
用いた以外は、実施例２と同じ条件で、透明導電性フィ
ルムを作製して評価した。
わりに、厚み１２５μｍのポリカーボネートフィルムを
用いた以外は、実施例２と同じ条件で、透明導電性フィ
ルムを作製して評価した。
【００３８】
【比較例１〜３および６〜９】酸化チタンペレットを用
いない以外は、実施例１〜５あるいは比較例４〜５と同
じ条件で、透明導電性フィルムを作製して評価した。
いない以外は、実施例１〜５あるいは比較例４〜５と同
じ条件で、透明導電性フィルムを作製して評価した。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【発明の効果】表１にも示したように、本発明によれば
好ましいシート抵抗値が得られ、なおかつ透過率、耐熱
性、耐湿性、さらに耐打鍵性にも優れた透明導電性積層
体を、有機高分子形成物上に透明導電層を設けた構成に
おいて得ることができる。こうした透明導電性積層体
は、低消費電力アナログ方式透明デジタイザーの入力素
子用等に大変有用な物である。
好ましいシート抵抗値が得られ、なおかつ透過率、耐熱
性、耐湿性、さらに耐打鍵性にも優れた透明導電性積層
体を、有機高分子形成物上に透明導電層を設けた構成に
おいて得ることができる。こうした透明導電性積層体
は、低消費電力アナログ方式透明デジタイザーの入力素
子用等に大変有用な物である。
フロントページの続き (72)発明者 谷田部 俊明 東京都日野市旭が丘４丁目３番２号 帝 人株式会社 東京研究センター内 (56)参考文献 特開 平４−206403（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−309511（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−89656（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−10507（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−154411（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−293957（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 5/14 B32B 9/00 B32B 15/08 C01G 15/00 C01G 19/00
Claims (4)
- 【請求項１】 透明導電性の金属酸化物薄膜からなる透
明導電層を、有機高分子成形物上に形成してなる透明導
電積層体において、透明導電層が、透明導電性の金属酸
化物薄膜中に、ＴｉＯ 2 を、原子組成比で０．５〜２％
添加した物であり、かつ透明導電性の金属酸化物薄膜
が、主としてインジウム金属酸化物（Ｉｎ 2 Ｏ 3 ）とスズ
金属酸化物（ＳｎＯ X 、ただし１≦ｘ≦２）とからなる
ことを特徴とする透明導電性積層体。 - 【請求項２】 透明導電層形成前に有機高分子成形物上
に、中間層を形成してなる請求項１記載の透明導電性積
層体。 - 【請求項３】 中間層が、有機硅素化合物、チタンアル
キルエステルまたはジルコニウムアルキルエステルの有
機金属化合物の加水分解により形成されたものである、
請求項２記載の透明導電性積層体。 - 【請求項４】 透明導電層の膜厚が１５〜２５ｎｍであ
る、請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電性積層
体。
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| JP13842793A JP3349194B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 透明導電性積層体 |
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| JP13842793A JP3349194B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 透明導電性積層体 |
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-
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