JPH0220832A - アモルファスシリコン薄膜トランジスタ - Google Patents
アモルファスシリコン薄膜トランジスタInfo
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- JPH0220832A JPH0220832A JP63171352A JP17135288A JPH0220832A JP H0220832 A JPH0220832 A JP H0220832A JP 63171352 A JP63171352 A JP 63171352A JP 17135288 A JP17135288 A JP 17135288A JP H0220832 A JPH0220832 A JP H0220832A
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- Pending
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
アクティブマトリクス型液晶表示装置における画素駆動
用の、アモルファスシリコン薄膜トランジスタに関し、 特性１品質ともに安定で、且つ、バックライトの影響を
受けることのないａ−３ｉｌｌｌｕ）ランジスタを提供
することを目的とし、 絶縁性基板上に形成されたアモルファスシリコン層から
なる光吸収層と、該光吸収層−ヒに形成された非透光性
導電材料からなるゲート電極と、その上にゲート絶縁膜
を介して積層されたアモルファスシリコン層からなる活
性層を有し、且つ、前記光吸収層が前記活性層と略同一
の光透過性を有する構成とする。
用の、アモルファスシリコン薄膜トランジスタに関し、 特性１品質ともに安定で、且つ、バックライトの影響を
受けることのないａ−３ｉｌｌｌｕ）ランジスタを提供
することを目的とし、 絶縁性基板上に形成されたアモルファスシリコン層から
なる光吸収層と、該光吸収層−ヒに形成された非透光性
導電材料からなるゲート電極と、その上にゲート絶縁膜
を介して積層されたアモルファスシリコン層からなる活
性層を有し、且つ、前記光吸収層が前記活性層と略同一
の光透過性を有する構成とする。
〔産業上の利用分野］
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置におけ
る画素駆動用の、アモルファスシリコン薄膜トランジス
タに関する。
る画素駆動用の、アモルファスシリコン薄膜トランジス
タに関する。
薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）により画素を駆動するアク
ティブマトリクス型液晶表示装置は、近年に至りポケッ
トＴＶやＯＡ機器の表示装置として商品化され、多用さ
れる趨性にある。
ティブマトリクス型液晶表示装置は、近年に至りポケッ
トＴＶやＯＡ機器の表示装置として商品化され、多用さ
れる趨性にある。
上記ＴＦＴは、通常活性層をアモルファスシリコン（ａ
−３ｉ）を用いて形成している。この方式の液晶表示装
置は、活性層であるａ−３ｉ層が光を吸収すると光電流
が流れるため、バックライトによる表示品質の低下が問
題となり、これを解決する必要がある。
−３ｉ）を用いて形成している。この方式の液晶表示装
置は、活性層であるａ−３ｉ層が光を吸収すると光電流
が流れるため、バックライトによる表示品質の低下が問
題となり、これを解決する必要がある。
そこで従来は、活性層であるａ−３Ｌ膜の膜厚を３００
人程度に薄くすることによって光導電性を抑え、バック
ライトの影響を低減していた。
人程度に薄くすることによって光導電性を抑え、バック
ライトの影響を低減していた。
しかしながらこのように活性層を薄くすると、下層に僅
かな段差が存在してもａ−３ｉ［の膜切れが発生し、Ｔ
ＰＴの特性や品質を低下させるという問題がある。
かな段差が存在してもａ−３ｉ［の膜切れが発生し、Ｔ
ＰＴの特性や品質を低下させるという問題がある。
本発明は特性９品質ともに安定で、且つ、バックライト
の影響を受けることのないａ−３ｔ薄膜トランジスタを
提供することを目的とする。
の影響を受けることのないａ−３ｔ薄膜トランジスタを
提供することを目的とする。
本発明は第１図の原理説明図に示す如く、非透光性のゲ
ート電極２と、ゲート絶縁膜３と、そのトに形成された
ａ−３ｉからなる活性層４との積層体の下に、上記活性
層４と同一材質のａ−３ｉからなる光吸収層１を設けた
ものである。
ート電極２と、ゲート絶縁膜３と、そのトに形成された
ａ−３ｉからなる活性層４との積層体の下に、上記活性
層４と同一材質のａ−３ｉからなる光吸収層１を設けた
ものである。
上記構成においては、光吸収層１と活性層４とは光透過
特性は同一である。そのため、バックライトのように背
面から入射する光５のうち、活性層４に感じる波長帯の
光は光吸収層１に吸収されてしまい、活性層４には到達
しないか或いは大幅に減衰する。従って活性層４がバッ
クライトの影響を受けることがないので、活性層４を厚
くすることができ、ゲート電極２エツジ部で膜切れを生
じることもない。
特性は同一である。そのため、バックライトのように背
面から入射する光５のうち、活性層４に感じる波長帯の
光は光吸収層１に吸収されてしまい、活性層４には到達
しないか或いは大幅に減衰する。従って活性層４がバッ
クライトの影響を受けることがないので、活性層４を厚
くすることができ、ゲート電極２エツジ部で膜切れを生
じることもない。
以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する。
第２図は上記一実施例のａ−３ｉ薄膜トランジスタの要
部断面図である。
部断面図である。
本実施例は第２図に見られるように、ガラス基板８ヒに
、光吸収層としてａ−３ｉ層ｌを形成し、その上に通常
の逆スタガード型のＴＰＴを形成したものである。
、光吸収層としてａ−３ｉ層ｌを形成し、その上に通常
の逆スタガード型のＴＰＴを形成したものである。
Ｌ配光吸収層の材質は、活性層と同一光透過特性を持つ
材質を使用する。すなわち、活性層としてｎ−ａ−３ｉ
層４を用いているので、約３０００人の厚さのａ−３ｉ
層１を光吸収層として配設した。
材質を使用する。すなわち、活性層としてｎ−ａ−３ｉ
層４を用いているので、約３０００人の厚さのａ−３ｉ
層１を光吸収層として配設した。
このように、従来のＴＰＴはガラス基板８上に直接ＴＰ
Ｔを形成したのに対し、本実施例はガラス基板８とＴＰ
Ｔとの間に活性層と同一光透過特性を持つ光吸収層を介
在した点のみが異なり、ＴＰＴそのものの構成及びその
製造方法は何ら従来と変える必要はない。
Ｔを形成したのに対し、本実施例はガラス基板８とＴＰ
Ｔとの間に活性層と同一光透過特性を持つ光吸収層を介
在した点のみが異なり、ＴＰＴそのものの構成及びその
製造方法は何ら従来と変える必要はない。
即ち、ゲート電極２は、例えば厚さ約ｔｏｏｏ人のＮｉ
Ｃｒ にクロム）膜を所定のパターンに従って形成し、
その上にゲート絶縁膜として厚さ凡そ３０００人のＳｉ
Ｎ、（窒化シリコン）膜３．活性層として厚さ約１ｏｏ
ｏ人のｎ−ａ−Ｓｉ層４を化学気相成長（Ｐ−ＣＶＤ）
法で連続的に堆積させる。
Ｃｒ にクロム）膜を所定のパターンに従って形成し、
その上にゲート絶縁膜として厚さ凡そ３０００人のＳｉ
Ｎ、（窒化シリコン）膜３．活性層として厚さ約１ｏｏ
ｏ人のｎ−ａ−Ｓｉ層４を化学気相成長（Ｐ−ＣＶＤ）
法で連続的に堆積させる。
更にその上にコンタクト層としてｎ”ａ−３ｔ膜６を約
３００人の厚さに、Ｔｉ（チタン）膜を約３００人の厚
さに真空蒸着法で積層し、これをパターニングしてソー
ス電極Ｓ、ドレイン電極りを形成する。
３００人の厚さに、Ｔｉ（チタン）膜を約３００人の厚
さに真空蒸着法で積層し、これをパターニングしてソー
ス電極Ｓ、ドレイン電極りを形成する。
以、ヒのようにして得られた本実施例のＴＰＴでは、ガ
ラス基板８背面からバックライトを照射しても、活性層
のｎ−ａ−３ｉ層４で吸収される光成分は、ａ−３ｉＮ
ｌで吸収されて大幅に減衰する。従って、ａ−３ｉ層１
を透過しｎ−ａ−３ｉ層４に到達した光は、ｎ−ａ−３
ｉ層４で吸収される波長成分はきわめて少ない。
ラス基板８背面からバックライトを照射しても、活性層
のｎ−ａ−３ｉ層４で吸収される光成分は、ａ−３ｉＮ
ｌで吸収されて大幅に減衰する。従って、ａ−３ｉ層１
を透過しｎ−ａ−３ｉ層４に到達した光は、ｎ−ａ−３
ｉ層４で吸収される波長成分はきわめて少ない。
第３図に、ガラス基板８の背面側から約５０００１ｘの
バックライトを照射した場合の、ゲート−ソース間電圧
Ｖａｔに対するドレイン電流■。特性を、本発明に係る
ＴＰＴと従来のＴＰＴとを比較して示す。同図に見られ
るように、光吸収Ｎ１を配設した本発明に係るＴＰＴで
は、オフ電流即ちｖ６〈０■の領域におけるドレイン電
流■。は、凡そ１０−” Ａと、従来のＴＰＴに比較し
て３桁程度減少する。
バックライトを照射した場合の、ゲート−ソース間電圧
Ｖａｔに対するドレイン電流■。特性を、本発明に係る
ＴＰＴと従来のＴＰＴとを比較して示す。同図に見られ
るように、光吸収Ｎ１を配設した本発明に係るＴＰＴで
は、オフ電流即ちｖ６〈０■の領域におけるドレイン電
流■。は、凡そ１０−” Ａと、従来のＴＰＴに比較し
て３桁程度減少する。
以トの如く活性層に吸収される波長帯の光成分を活性層
に到達しないようにしたことにより、活性層を無理に薄
くする必要がなくなり、本実施例では活性層の厚さを約
１０００人と比較的厚くしたにもかかわらず、オフ電流
を非常に小さくすることができた。このように活性層を
厚くできるので、ゲート絶縁膜や活性層の下層にゲート
電極２による段差があっても、膜切れを生じる危険がな
くなった。
に到達しないようにしたことにより、活性層を無理に薄
くする必要がなくなり、本実施例では活性層の厚さを約
１０００人と比較的厚くしたにもかかわらず、オフ電流
を非常に小さくすることができた。このように活性層を
厚くできるので、ゲート絶縁膜や活性層の下層にゲート
電極２による段差があっても、膜切れを生じる危険がな
くなった。
［発明の効果］
以Ｆ説明した如く本発明によれば、アモルファスシリコ
ン薄膜トランジスタの特性１品質が安定で、且つ、バッ
クライト照射を受けてもオフ電流が増加することを防止
できた。
ン薄膜トランジスタの特性１品質が安定で、且つ、バッ
クライト照射を受けてもオフ電流が増加することを防止
できた。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の一実施例の構成説明図、第３図は本発
明の効果を示す！。−ＶＧＳ特性図である。 図において、 １：光吸収層（ａ−３ｉ層） ２：ゲート電極（ＮｉＣｒ膜） ３：ゲート絶縁ｎり（ＳｉＮ、膜） ４：活性層（ｎ−ａ−３ｉ層） ６：コンタクト層（ｎ”ａ−３ｉ層） ７：Ｔｉ膜 ８：絶縁性基板（ガラス基板） Ｓ：ソース電極 Ｄニドレイン電極 を示す。 ／ｉ−発朗一突粍ｇむ貼−ｉｔ明図 第２図 手発朗／Ｉ斥理葭明ｍ 第１図 ＶＧＳ（Ｖ） ＩＤ−ｔ７Ｑｓ特桟め 第 ３ 図
明の効果を示す！。−ＶＧＳ特性図である。 図において、 １：光吸収層（ａ−３ｉ層） ２：ゲート電極（ＮｉＣｒ膜） ３：ゲート絶縁ｎり（ＳｉＮ、膜） ４：活性層（ｎ−ａ−３ｉ層） ６：コンタクト層（ｎ”ａ−３ｉ層） ７：Ｔｉ膜 ８：絶縁性基板（ガラス基板） Ｓ：ソース電極 Ｄニドレイン電極 を示す。 ／ｉ−発朗一突粍ｇむ貼−ｉｔ明図 第２図 手発朗／Ｉ斥理葭明ｍ 第１図 ＶＧＳ（Ｖ） ＩＤ−ｔ７Ｑｓ特桟め 第 ３ 図
Claims (1)
- 絶縁性基板（８）上に形成されたアモルファスシリコン
層からなる光吸収層（１）と、該光吸収層上に形成され
た導電材料からなるゲート電極（２）と、その上にゲー
ト絶縁膜（３）を介して積層されたアモルファスシリコ
ン層からなる活性層（４）を有し、且つ、前記光吸収層
（１）が前記活性層（４）と略同一の光透過性を有する
ことを特徴とするアモルファスシリコン薄膜トランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171352A JPH0220832A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | アモルファスシリコン薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171352A JPH0220832A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | アモルファスシリコン薄膜トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220832A true JPH0220832A (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15921610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63171352A Pending JPH0220832A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | アモルファスシリコン薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0220832A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04358767A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-12-11 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 可変速水力機械の運転制御方法 |
| US5612235A (en) * | 1995-11-01 | 1997-03-18 | Industrial Technology Research Institute | Method of making thin film transistor with light-absorbing layer |
| US7259806B1 (en) * | 1999-08-07 | 2007-08-21 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device with light absorbing layers |
| JP2010010161A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63171352A patent/JPH0220832A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04358767A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-12-11 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 可変速水力機械の運転制御方法 |
| US5612235A (en) * | 1995-11-01 | 1997-03-18 | Industrial Technology Research Institute | Method of making thin film transistor with light-absorbing layer |
| US7259806B1 (en) * | 1999-08-07 | 2007-08-21 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device with light absorbing layers |
| JP2010010161A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
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