JPH0352611B2 - - Google Patents
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- JPH0352611B2 JPH0352611B2 JP57043226A JP4322682A JPH0352611B2 JP H0352611 B2 JPH0352611 B2 JP H0352611B2 JP 57043226 A JP57043226 A JP 57043226A JP 4322682 A JP4322682 A JP 4322682A JP H0352611 B2 JPH0352611 B2 JP H0352611B2
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- Japan
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- light
- liquid crystal
- crystal display
- switching transistor
- display panel
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスイツチングトランジスタアレイを有
する液晶表示パネルの絶縁膜の構造に関する。
する液晶表示パネルの絶縁膜の構造に関する。
スイツチングトランジスタアレイを有する液晶
表示パネルはグラフイツク表示が可能であり、小
型の表示装置を作り得る事から携帯用機器の表示
装置として大いに注目されている。しかし従来か
ら表示装置として使用されているCRT表示と比
較すると、表示性能が劣り、性能の向上にはパネ
ル裏面からの照明が必要であるが、従来のスイツ
チングトランジスタアレイを有する液晶表示パネ
ルでは照明光によつてトランジスタのリーク電流
が大巾に増加し、キヤパシタに蓄積された電荷の
消失によつて表示機能が不能となる。本発明は上
記の欠点を除去し、裏面からの照明を可能とする
事によつて液晶表示パネルの性能を向上させる事
を目的とする。
表示パネルはグラフイツク表示が可能であり、小
型の表示装置を作り得る事から携帯用機器の表示
装置として大いに注目されている。しかし従来か
ら表示装置として使用されているCRT表示と比
較すると、表示性能が劣り、性能の向上にはパネ
ル裏面からの照明が必要であるが、従来のスイツ
チングトランジスタアレイを有する液晶表示パネ
ルでは照明光によつてトランジスタのリーク電流
が大巾に増加し、キヤパシタに蓄積された電荷の
消失によつて表示機能が不能となる。本発明は上
記の欠点を除去し、裏面からの照明を可能とする
事によつて液晶表示パネルの性能を向上させる事
を目的とする。
以下実施例によつて詳しく説明する。本発明の
液晶表示パネルはトランジスタの上下に遮光膜を
設計、さらに遮光膜とトランジスタの間の絶縁膜
を屈折率の異なる膜を積層して形成する事によつ
て照明光及び外光がトランジスタに与える影響を
無くす物である。第1図に本発明の液晶表示パネ
ルの部分断面図を示す。パネル基板1上に形成さ
れるトランジスタ2は絶縁膜を介して金属もしく
は金属珪化物からなる遮光膜3,4によつて上下
を覆われる。遮光膜3,4によつて大部分の照明
光及び外光は遮断されるが一部の光が遮光膜間の
絶縁膜を通してトランジスタに到達し、トランジ
スタのリークの原因となる。本発明では上記の遮
光膜の間〓から侵入する光を全反射を利用する事
によりトランジスタへの到達を防止する。屈折率
の大きい絶縁膜、例えばダイアモンド膜5,6を
屈折率の小さい酸化シリコン膜7,8,9,10
の中間層として形成する事により、パネル基板に
対して大きい入射角で侵入する光はダイアモンド
膜中に全反射現象によつて捕えられ、トランジス
タに到達し得ない。ダイアモンド膜は減圧気相成
長法もしくはプラズマ法によつて炭化水素ガスよ
り形成される。上記の層状に形成される屈折率の
異なる絶縁膜は少なくともトランジスタの近傍に
形成されるが、全面に形成しても支障ない。透明
電極11上の絶縁膜は直流電流をカツトする膜と
して作用する。
液晶表示パネルはトランジスタの上下に遮光膜を
設計、さらに遮光膜とトランジスタの間の絶縁膜
を屈折率の異なる膜を積層して形成する事によつ
て照明光及び外光がトランジスタに与える影響を
無くす物である。第1図に本発明の液晶表示パネ
ルの部分断面図を示す。パネル基板1上に形成さ
れるトランジスタ2は絶縁膜を介して金属もしく
は金属珪化物からなる遮光膜3,4によつて上下
を覆われる。遮光膜3,4によつて大部分の照明
光及び外光は遮断されるが一部の光が遮光膜間の
絶縁膜を通してトランジスタに到達し、トランジ
スタのリークの原因となる。本発明では上記の遮
光膜の間〓から侵入する光を全反射を利用する事
によりトランジスタへの到達を防止する。屈折率
の大きい絶縁膜、例えばダイアモンド膜5,6を
屈折率の小さい酸化シリコン膜7,8,9,10
の中間層として形成する事により、パネル基板に
対して大きい入射角で侵入する光はダイアモンド
膜中に全反射現象によつて捕えられ、トランジス
タに到達し得ない。ダイアモンド膜は減圧気相成
長法もしくはプラズマ法によつて炭化水素ガスよ
り形成される。上記の層状に形成される屈折率の
異なる絶縁膜は少なくともトランジスタの近傍に
形成されるが、全面に形成しても支障ない。透明
電極11上の絶縁膜は直流電流をカツトする膜と
して作用する。
以上の如く、本発明の液晶表示パネルは透明基
板上に形成されてなるスイツチングトランジスタ
アレイを有する液晶表示パネルにおいて、該スイ
ツチングトランジスタ部の上側若しくは下側また
は両側に遮光膜を、かつパネル基板全面にわたつ
て該スイツチングトランジスタの上側若しくは下
側または両側に、中間層が屈折率が大きく該中間
層を挟む層が屈折率の小さい積層された絶縁層を
形成することにより、透明基板上に形成されてな
るスイツチングトランジスタアレイに下側部から
の照明からくる光と上側部の外光による光が照射
されないようにしたものである。
板上に形成されてなるスイツチングトランジスタ
アレイを有する液晶表示パネルにおいて、該スイ
ツチングトランジスタ部の上側若しくは下側また
は両側に遮光膜を、かつパネル基板全面にわたつ
て該スイツチングトランジスタの上側若しくは下
側または両側に、中間層が屈折率が大きく該中間
層を挟む層が屈折率の小さい積層された絶縁層を
形成することにより、透明基板上に形成されてな
るスイツチングトランジスタアレイに下側部から
の照明からくる光と上側部の外光による光が照射
されないようにしたものである。
このように、本発明の液晶表示パネルはバツク
ライト付液晶表示パネルを可能にし更に太陽光等
の外光に影響されないために、表示性能が大いに
向上し、携帯用機器の表示装置として広範な使用
が期待できる。
ライト付液晶表示パネルを可能にし更に太陽光等
の外光に影響されないために、表示性能が大いに
向上し、携帯用機器の表示装置として広範な使用
が期待できる。
第1図は本発明の液晶表示パネルの部分断面図
である。 1……パネル基板、2……トランジスタ、3,
4……遮光膜、5,6……屈折率の大きい絶縁
膜、7,8,9,10……屈折率の小さい絶縁
膜、11……透明電極。
である。 1……パネル基板、2……トランジスタ、3,
4……遮光膜、5,6……屈折率の大きい絶縁
膜、7,8,9,10……屈折率の小さい絶縁
膜、11……透明電極。
Claims (1)
- 1 透明基板上に形成されてなるスイツチングト
ランジスタアレイを有する液晶表示パネルにおい
て、該スイツチングトランジスタ部の上側若しく
は下側または両側に遮光膜を、かつパネル基板全
面にわたつて該スイツチングトランジスタの上側
若しくは下側または両側に、中間層が屈折率が大
きく該中間層を挟む層が屈折率の小さい積層され
た絶縁層を形成したことを特徴とする液晶表示パ
ネル
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57043226A JPS58159520A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57043226A JPS58159520A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 液晶表示パネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58159520A JPS58159520A (ja) | 1983-09-21 |
JPH0352611B2 true JPH0352611B2 (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=12657994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57043226A Granted JPS58159520A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58159520A (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60213062A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Hosiden Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH0697317B2 (ja) * | 1984-04-11 | 1994-11-30 | ホシデン株式会社 | 液晶表示器 |
EP0271313B1 (en) * | 1986-12-08 | 1993-06-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JPH01222227A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Matsushita Electron Corp | 画像表示装置 |
JPH0792574B2 (ja) * | 1988-12-21 | 1995-10-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3604106B2 (ja) * | 1995-09-27 | 2004-12-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JPH11307782A (ja) | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP3141860B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2001-03-07 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4736013B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2011-07-27 | 日本電気株式会社 | 発光表示装置の製造方法 |
JP5082518B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2012-11-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
CN102645799B (zh) | 2011-03-29 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示器件、阵列基板和彩膜基板及其制造方法 |
CN107357078B (zh) * | 2017-08-22 | 2020-10-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器 |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP57043226A patent/JPS58159520A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58159520A (ja) | 1983-09-21 |
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