JPS6052057A - 絶縁ゲ−ト電界効果型薄膜トランジスタ - Google Patents
絶縁ゲ−ト電界効果型薄膜トランジスタInfo
- Publication number
- JPS6052057A JPS6052057A JP16089583A JP16089583A JPS6052057A JP S6052057 A JPS6052057 A JP S6052057A JP 16089583 A JP16089583 A JP 16089583A JP 16089583 A JP16089583 A JP 16089583A JP S6052057 A JPS6052057 A JP S6052057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photoconductivity
- thin film
- amorphous silicon
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 21
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 70
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、形成が容易な遮光膜を有し、外部光が入射し
ても、リーク電流が増加しない薄膜トランジスタの実現
に関する。
ても、リーク電流が増加しない薄膜トランジスタの実現
に関する。
近年、ガラスなどの絶縁性基板上に形成できる薄膜トラ
ンジスタの開発が各所で盛んである。絶縁性基板上に、
薄膜トランジスタからなるスイッチ素子をアレイ状に設
けたアクティブマトリクス型の液晶、エレクトロルミネ
センス、エレクトロクロミンクなどの表示装置は、画素
間のクロストークが無く、高速動作が可能なのでＴＶ画
像などの表示を可能にする。薄膜トランジスタに用いる
半導体膜としては、プラズマＯＶＤ法などによって、ガ
ラスなどの基板上に低温で大面積かつ安価に形成できる
水素化非晶質シリコン膜やフッ素化非晶質シリコン膜な
どが有望とされている。しかし、これらの非晶質シリコ
ン膜は、太陽電池への応用で知られているように、大き
な光伝導性を有するので、表示装置あるいは光センサー
のスイッチ素子として薄膜トランジスタを応用する場合
、リーク電流防止の為、必ず遮光を行って使用する必要
がある。
ンジスタの開発が各所で盛んである。絶縁性基板上に、
薄膜トランジスタからなるスイッチ素子をアレイ状に設
けたアクティブマトリクス型の液晶、エレクトロルミネ
センス、エレクトロクロミンクなどの表示装置は、画素
間のクロストークが無く、高速動作が可能なのでＴＶ画
像などの表示を可能にする。薄膜トランジスタに用いる
半導体膜としては、プラズマＯＶＤ法などによって、ガ
ラスなどの基板上に低温で大面積かつ安価に形成できる
水素化非晶質シリコン膜やフッ素化非晶質シリコン膜な
どが有望とされている。しかし、これらの非晶質シリコ
ン膜は、太陽電池への応用で知られているように、大き
な光伝導性を有するので、表示装置あるいは光センサー
のスイッチ素子として薄膜トランジスタを応用する場合
、リーク電流防止の為、必ず遮光を行って使用する必要
がある。
第１図に、従来の遮光とし次薄膜トランジスタの断面構
造図を示す。第１図で、１はガラス基板。
造図を示す。第１図で、１はガラス基板。
２はゲート′電極でアルミニウム、クロム、モリブデン
等の金属材料よりなる。３はゲート絶縁膜で、二酸化シ
リコン、チツ化シリコン等よりなる。４は水素化非晶質
シリコン膜。５はリンをドープしたｎ 水素化非晶質シ
リコン膜。６および７は、それぞれソースおよびドレイ
ン電極で、アルミニウム、クロム等の金属材料よりなる
。８および９は絶縁膜で、二酸化シリコン、チツ化シリ
コン等よりなる。１０は遮光膜でアルミニウム、クロム
等の金属材料より唸る。第１図で示した薄膜トランジス
タはゲート電極２に加える電圧により、ソース電極６と
ドレイン′！！ｌ電極７の間の、非晶質シリコン膜４と
ゲート絶縁膜３の界面にチャンネルを形成し、絶縁ゲー
ト電界効果型トランジスタの動作をする。第１図の薄膜
トランジスタは遮光膜１０により上からの入射光を、ゲ
ート電極２により下からの入射光を遮られるので、ソー
ス・ドレイン電極６．７の間に光電流が流れず、明るい
場所でも、リークの無いトランジスタは以下に記す欠点
を有する。
等の金属材料よりなる。３はゲート絶縁膜で、二酸化シ
リコン、チツ化シリコン等よりなる。４は水素化非晶質
シリコン膜。５はリンをドープしたｎ 水素化非晶質シ
リコン膜。６および７は、それぞれソースおよびドレイ
ン電極で、アルミニウム、クロム等の金属材料よりなる
。８および９は絶縁膜で、二酸化シリコン、チツ化シリ
コン等よりなる。１０は遮光膜でアルミニウム、クロム
等の金属材料より唸る。第１図で示した薄膜トランジス
タはゲート電極２に加える電圧により、ソース電極６と
ドレイン′！！ｌ電極７の間の、非晶質シリコン膜４と
ゲート絶縁膜３の界面にチャンネルを形成し、絶縁ゲー
ト電界効果型トランジスタの動作をする。第１図の薄膜
トランジスタは遮光膜１０により上からの入射光を、ゲ
ート電極２により下からの入射光を遮られるので、ソー
ス・ドレイン電極６．７の間に光電流が流れず、明るい
場所でも、リークの無いトランジスタは以下に記す欠点
を有する。
１、 遮光膜１０と絶縁膜９を形成するための、薄膜形
成さ程と、フォトプロセスが遮光を要しない場合と比べ
２回多くなる。
成さ程と、フォトプロセスが遮光を要しない場合と比べ
２回多くなる。
２、遮光膜１０と非晶質シリコン膜４の間の容量結合の
為、トランジスタの動作速度が遅くなる。
為、トランジスタの動作速度が遅くなる。
５逍光膜１０と、ソース・ドレイン電極６゜７の間のシ
ョートによる製造歩留りの低下を招く。
ョートによる製造歩留りの低下を招く。
本発明の目的は、上記のごとき従来の欠点を除き、容易
なプロセスで形成でき、遮光膜によって電気特性の劣化
しない薄膜トランジスタを提供することにある。
なプロセスで形成でき、遮光膜によって電気特性の劣化
しない薄膜トランジスタを提供することにある。
以下、実施例に基づいて、図面により本発明を説明する
。第２図は、本発明の遮光をした薄膜トランジスタの断
面構造を示す図である。１１はガラス基板。１２はゲー
ト電極で、アルミニウム。
。第２図は、本発明の遮光をした薄膜トランジスタの断
面構造を示す図である。１１はガラス基板。１２はゲー
ト電極で、アルミニウム。
クロム、モリブデン等の金属材料よりなる。１３はゲー
ト絶縁膜で、二酸化シリコン、チツ化シリコン等よりな
る。１３は水素化非晶質シリコンよりなる半導体膜であ
り、暗伝導度は１０ （Ω・ｃｒｎ） 以下で光伝導度
が１０ （Ω・ｃｒｎ）以上である。但し、光伝導度は
スペクトルＡＭ工の光を１ ｍｖ／ｒＪ以上照射したと
きの伝導度とする。グロー放電法等によって製作した、
光伝導の大きな非晶質シリコン膜は、局在準位密度が小
さく、電界効果型トランジスタに用いても良好な特性を
示し、オン電流とオフ電流の比が５桁以上になる。１５
５− はリンをドープしたｎ水素化非晶質シリコン膜。
ト絶縁膜で、二酸化シリコン、チツ化シリコン等よりな
る。１３は水素化非晶質シリコンよりなる半導体膜であ
り、暗伝導度は１０ （Ω・ｃｒｎ） 以下で光伝導度
が１０ （Ω・ｃｒｎ）以上である。但し、光伝導度は
スペクトルＡＭ工の光を１ ｍｖ／ｒＪ以上照射したと
きの伝導度とする。グロー放電法等によって製作した、
光伝導の大きな非晶質シリコン膜は、局在準位密度が小
さく、電界効果型トランジスタに用いても良好な特性を
示し、オン電流とオフ電流の比が５桁以上になる。１５
５− はリンをドープしたｎ水素化非晶質シリコン膜。
１６および１７はそれぞれソースおよびドレイン電極で
、アルミニウム９クロム等の金属材料よりなる。１８は
暗伝導度９光伝導度ともに１Ｏ−７（Ω・ｃｒｎ） 以
下の非晶質シリコン膜である。
、アルミニウム９クロム等の金属材料よりなる。１８は
暗伝導度９光伝導度ともに１Ｏ−７（Ω・ｃｒｎ） 以
下の非晶質シリコン膜である。
１９は絶縁膜で、二酸化シリコン。チツ化シリコン等よ
りなる。トランジスタとしての動作は第１図で示した従
来の薄膜トランジスタと同様である。
りなる。トランジスタとしての動作は第１図で示した従
来の薄膜トランジスタと同様である。
暗伝導度。光伝導度とも１０ （Ω・ｃｍ ） の非晶
質膜を作る一例として、シラン及びグロー放電により非
晶質シリコンを製作した場合の光伝導度と暗伝導度の、
製膜速度依存性を第３図に示す。第３図で横軸は製膜速
度、縦軸は伝導度で、σｄは暗伝導度、Δσｐ は光伝
導度を示す。グラフはシラン又はジンランの流量をパラ
メタに取っている。
質膜を作る一例として、シラン及びグロー放電により非
晶質シリコンを製作した場合の光伝導度と暗伝導度の、
製膜速度依存性を第３図に示す。第３図で横軸は製膜速
度、縦軸は伝導度で、σｄは暗伝導度、Δσｐ は光伝
導度を示す。グラフはシラン又はジンランの流量をパラ
メタに取っている。
第６図かられかるとおり製膜速度を１０ Ａ／ｓｅｅ以
上にすることで暗伝導度、光伝導度ともに１Ｏ−７（Ω
・ｍ） 以下の膜を得ることができる。
上にすることで暗伝導度、光伝導度ともに１Ｏ−７（Ω
・ｍ） 以下の膜を得ることができる。
（ＭａｔｓｕｃＬａ、、Ａ、ｅｔ、ａｌ：Ｊｐｎ、、Ｔ
、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
Ｖｏｌ、２２，４２．１９８３）、（Ｓｃｏｔｔ、Ｂ、
Ａ、ｅｔａｌ、： ６ − Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、Ｖｏｌ、３７：：７
２７，１９８０）。
Ａ、ｅｔａｌ、： ６ − Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、Ｖｏｌ、３７：：７
２７，１９８０）。
（Ｏｇａｗａ、ｅｔａｌ：、ｒｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、、Ｖｏｌ、２０：Ｌ６３９，１９８１ ）。光
伝導度が１０ （Ω＠ ｃｎｒ ） 以下の膜は上記の
方法の他にも、グロー放電法で基板温度を下げる。スパ
ッタ法で製作する等の方法によっても可能である。以−
ヒに記した方法によって得た、非晶質シリコン膜は、光
伝導度の大きな非晶質シリコンが光を吸収する領域で、
１０〜１０”ｔｍ’の吸収係数を示す。これにより、厚
さ１０００Ａ〜２００００Ａの暗伝導度、光伝導度とも
１０ （Ω・Ｃｍ） 以下の非晶質シリコン膜は大部分
の入射光を吸収してし−まい遮光膜として働き、絶縁性
も有する。（光伝導度１０ （Ω・ｍ） 。
ｈｙｓ、、Ｖｏｌ、２０：Ｌ６３９，１９８１ ）。光
伝導度が１０ （Ω＠ ｃｎｒ ） 以下の膜は上記の
方法の他にも、グロー放電法で基板温度を下げる。スパ
ッタ法で製作する等の方法によっても可能である。以−
ヒに記した方法によって得た、非晶質シリコン膜は、光
伝導度の大きな非晶質シリコンが光を吸収する領域で、
１０〜１０”ｔｍ’の吸収係数を示す。これにより、厚
さ１０００Ａ〜２００００Ａの暗伝導度、光伝導度とも
１０ （Ω・Ｃｍ） 以下の非晶質シリコン膜は大部分
の入射光を吸収してし−まい遮光膜として働き、絶縁性
も有する。（光伝導度１０ （Ω・ｍ） 。
吸収係数１ｆ］ｍ’のとき、厚さ０５μｍの膜のシート
抵抗は１０ （Ω、 ｃｍ ） 、光透過率は１０ ）
。
抵抗は１０ （Ω、 ｃｍ ） 、光透過率は１０ ）
。
この様にして、暗伝導度、光伝導度とも１０（Ω、 ｔ
ｍ ） 以下の非晶質シリコン膜は、薄膜トランジスタ
の遮光膜として充分な特性を有する。また、第２図で、
ゲート絶縁膜１６、高光伝導性非晶質シリコン膜１４、
低光伝導性非晶質シリコン膜１８および絶縁膜１９の各
膜は、いずれもプラズマＯＶＤ法あるいはスパッタ法な
どで形成できることが知られているので、同一装置内で
連続形成が可能である。また遮光膜１８のパターンは絶
縁膜１９と同一で良いので、遮光膜形成の為の余分のフ
ォトプロセスを必要セしない。
ｍ ） 以下の非晶質シリコン膜は、薄膜トランジスタ
の遮光膜として充分な特性を有する。また、第２図で、
ゲート絶縁膜１６、高光伝導性非晶質シリコン膜１４、
低光伝導性非晶質シリコン膜１８および絶縁膜１９の各
膜は、いずれもプラズマＯＶＤ法あるいはスパッタ法な
どで形成できることが知られているので、同一装置内で
連続形成が可能である。また遮光膜１８のパターンは絶
縁膜１９と同一で良いので、遮光膜形成の為の余分のフ
ォトプロセスを必要セしない。
以上の説明では、高光伝導非晶質シリコン膜１４と、低
光伝導非晶シリコン膜１８の界面で膜質は非連続的に変
化するものとしたが、膜形成条件を徐々に変化して、膜
質を連続的に変化させても、本発明が適用できる１、！
！た、遮光の為の、光伝導度、＠伝導度としても１０
（Ω・ｍ）以下の非晶質シリコン膜は、一層のみでなく
、トランジスタの上下に３層設ける等複数層設けること
にも本発明が適用できることＩ−１明らかである。
光伝導非晶シリコン膜１８の界面で膜質は非連続的に変
化するものとしたが、膜形成条件を徐々に変化して、膜
質を連続的に変化させても、本発明が適用できる１、！
！た、遮光の為の、光伝導度、＠伝導度としても１０
（Ω・ｍ）以下の非晶質シリコン膜は、一層のみでなく
、トランジスタの上下に３層設ける等複数層設けること
にも本発明が適用できることＩ−１明らかである。
以上に記した本発明の、遮光膜を有する薄膜トランジス
タは １、 遮光膜を有するトランジスタの形成プロセスが容
易である。
タは １、 遮光膜を有するトランジスタの形成プロセスが容
易である。
２、 遮光膜は絶縁性なのでトランジスタの浮遊容量が
増えない。
増えない。
五 遮光膜は絶縁性なのＣ遮光膜のショートによるトラ
ンジスタネ良が起きない。
ンジスタネ良が起きない。
などの特徴を有していて、光照射のもとて使用できる。
第１図は、従来の遮光膜を有する薄膜トランジスタの断
面図。第２図は本発明の遮光膜を有する薄膜トランジス
タの断面図である。第３図は、光伝導度と暗伝導度の膜
製作条件との関係を示す図である。 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・ゲート電極
３・・・・・・ゲート絶縁膜 ４・・・・・・非晶質シリコン膜 ５・・・・・・ｎ非晶質シリコン膜 ６・・・・・・ソース成極 ７・・・・・・ドレイン電
極８・・・・・・絶縁膜 ９・・・・・・絶縁膜１０・
・・・・・遮光膜 １１・・・・・・ガラス基板１２・
・・・・・ゲート電極 １３・・・・・・ゲート絶縁膜
９− １４・・・・・・非晶質シリコン膜 １５・・・・・・ｎ非晶質シリコン膜 １６・・・・・・ンース電極 １７・・・・・・ドレイ
ン電極１８・・・・・・非晶質シリコン膜 １９・・・・・・絶縁膜 以 上 出願人 株式会社 第二精工舎 代理人弁理士最上 務 −１０−
面図。第２図は本発明の遮光膜を有する薄膜トランジス
タの断面図である。第３図は、光伝導度と暗伝導度の膜
製作条件との関係を示す図である。 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・ゲート電極
３・・・・・・ゲート絶縁膜 ４・・・・・・非晶質シリコン膜 ５・・・・・・ｎ非晶質シリコン膜 ６・・・・・・ソース成極 ７・・・・・・ドレイン電
極８・・・・・・絶縁膜 ９・・・・・・絶縁膜１０・
・・・・・遮光膜 １１・・・・・・ガラス基板１２・
・・・・・ゲート電極 １３・・・・・・ゲート絶縁膜
９− １４・・・・・・非晶質シリコン膜 １５・・・・・・ｎ非晶質シリコン膜 １６・・・・・・ンース電極 １７・・・・・・ドレイ
ン電極１８・・・・・・非晶質シリコン膜 １９・・・・・・絶縁膜 以 上 出願人 株式会社 第二精工舎 代理人弁理士最上 務 −１０−
Claims (3)
- （１） 絶縁性基板上に設けた、ゲート電極、ゲー′
ト絶縁膜、シリコンを含む非晶質半導体膜、及びソース
・ドレイン電極を有すると共に、光伝導度と暗伝導度が
１０ （Ω・ｃｒｎ）以下のシリコンを含む少なくとも
一層の非晶質半導体膜を有することを特徴とする絶縁ゲ
ート電界効果型薄膜トランジスタ。 - （２）非晶質半導膜は、ゲート絶縁膜との界面付近では
暗伝導度が１０ 以下で光伝導度が１０″″７（Ω・ｃ
ｒＩＴ） 以上であり、他方の表面付近では暗伝導度と
光伝導度が１０ （Ω・ｃｒｎ）以下であり、ゲート絶
縁膜との界面から他の一方の表面にわたって光伝導度と
暗伝導度が単調に変化していることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の絶縁ゲート電界効果型薄膜トラン
ジスタ。 - （３）非晶質半導体膜は、暗伝導度が１０ （Ω・６ｎ
） 以下で光伝導度が１０ （Ω・ｃｒｎ）以上の層と
、暗伝導度と光伝導度が１０ （Ω・ｃｍ ）−’以下
の層の二層から成ることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の絶縁ゲート電界効果型薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16089583A JPS6052057A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | 絶縁ゲ−ト電界効果型薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16089583A JPS6052057A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | 絶縁ゲ−ト電界効果型薄膜トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052057A true JPS6052057A (ja) | 1985-03-23 |
| JPH0556027B2 JPH0556027B2 (ja) | 1993-08-18 |
Family
ID=15724678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16089583A Granted JPS6052057A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | 絶縁ゲ−ト電界効果型薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052057A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208876A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ |
| FR2593631A1 (fr) * | 1986-01-27 | 1987-07-31 | Maurice Francois | Ecran d'affichage a matrice active a resistance de grille et procedes de fabrication de cet ecran |
| JPH0225074A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5890783A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-09-01 JP JP16089583A patent/JPS6052057A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5890783A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208876A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ |
| FR2593631A1 (fr) * | 1986-01-27 | 1987-07-31 | Maurice Francois | Ecran d'affichage a matrice active a resistance de grille et procedes de fabrication de cet ecran |
| US4783147A (en) * | 1986-01-27 | 1988-11-08 | C. N. E. T. | Active matrix display screen without spurious transistor |
| JPH0225074A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556027B2 (ja) | 1993-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100659921B1 (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US4609930A (en) | Thin film transistor | |
| US5789761A (en) | Thin-film transistor array having light shading film and antireflection layer | |
| KR100621488B1 (ko) | 박막 트랜지스터와 이를 포함하는 전자 장치 | |
| TWI423346B (zh) | 薄膜電晶體及其製造方法 | |
| JPS60103676A (ja) | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 | |
| KR20050001252A (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JPH05243547A (ja) | 薄膜光センサ | |
| JPH1090655A (ja) | 表示装置 | |
| JP2002141509A (ja) | 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置 | |
| TW200422748A (en) | Manufacturing method of optoelectronic substrate, manufacturing method of optoelectronic apparatus, and the optoelectronic apparatus | |
| JP3121005B2 (ja) | 薄膜半導体装置とその製造方法及び製造装置並びに画像処理装置 | |
| JPS6052057A (ja) | 絶縁ゲ−ト電界効果型薄膜トランジスタ | |
| JP4019461B2 (ja) | カラー表示装置とその製造方法およびカラー液晶装置 | |
| JP2668317B2 (ja) | アクティブマトリクスパネル | |
| US7112459B2 (en) | Thin film transistor liquid crystal display and fabrication method thereof | |
| JPH0212031B2 (ja) | ||
| JP2639980B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3463005B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH07142737A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0262077A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| KR19980703742A (ko) | 화상 투영 스크린용의 액티브 박막 매트릭스 제조 방법 | |
| JPS60124975A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| TWI392941B (zh) | 液晶顯示器及其製造方法 | |
| JPH0220832A (ja) | アモルファスシリコン薄膜トランジスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |