JPH02208225A - 酸化物超電導体 - Google Patents
酸化物超電導体Info
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- JPH02208225A JPH02208225A JP1030769A JP3076989A JPH02208225A JP H02208225 A JPH02208225 A JP H02208225A JP 1030769 A JP1030769 A JP 1030769A JP 3076989 A JP3076989 A JP 3076989A JP H02208225 A JPH02208225 A JP H02208225A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、酸化物超電導体に関し、さらに詳しくは、上
昇された臨界温度を有するB i−Sr−Sn−Ca−
Cu−0系酸化物超電導体に関する。
昇された臨界温度を有するB i−Sr−Sn−Ca−
Cu−0系酸化物超電導体に関する。
発明の技術的背景
超電導とは、ある種の物質の温度を下げていくと、ある
温度以下で電気抵抗が急激に減少してゼロになる現象で
あって、古くから水銀などの金属が超電導現象を示すこ
とが知られていた。
温度以下で電気抵抗が急激に減少してゼロになる現象で
あって、古くから水銀などの金属が超電導現象を示すこ
とが知られていた。
ところで近年に至って、L a−B a−Cu−0系の
酸化物が超電導現象を示すことが見出され、酸化物超電
導体に関する研究が精力的に進められている。
酸化物が超電導現象を示すことが見出され、酸化物超電
導体に関する研究が精力的に進められている。
そしてごく最近に至って、Y −Ba−Cu−0系の超
電導酸化物が発見され、この超電導酸化物は90°にと
いう高温で超電導現象を示している。
電導酸化物が発見され、この超電導酸化物は90°にと
いう高温で超電導現象を示している。
ところで上記のような超電導体は、いずれも高価な希土
類元素を含んでいたり、あるいは安定性に乏しいため、
希土類元素を含まない酸化物超電導体が望まれており、
このような希土類元素を含まない酸化物超電導体として
、B i−Sr−Ca−Cu−0系酸化物が提案されて
いる。このB i−Sr−Ca−Cu−0系酸化物は、
約80°におよび110°にの臨界温度を有しているが
、さらに高い臨界温度を有するB i−S r−Ca−
c u−0系酸化物の出現が望まれている。ただし、臨
界温度が110°Kを有するB i−3r−Ca−c
u−0系酸化物の単相は得られておらず、B i−Sr
−Ca−Cu−0系酸化物超電導体にpbを添加するこ
とによって、超電導現象を示す単相が得られ主キること
が報告されている。
類元素を含んでいたり、あるいは安定性に乏しいため、
希土類元素を含まない酸化物超電導体が望まれており、
このような希土類元素を含まない酸化物超電導体として
、B i−Sr−Ca−Cu−0系酸化物が提案されて
いる。このB i−Sr−Ca−Cu−0系酸化物は、
約80°におよび110°にの臨界温度を有しているが
、さらに高い臨界温度を有するB i−S r−Ca−
c u−0系酸化物の出現が望まれている。ただし、臨
界温度が110°Kを有するB i−3r−Ca−c
u−0系酸化物の単相は得られておらず、B i−Sr
−Ca−Cu−0系酸化物超電導体にpbを添加するこ
とによって、超電導現象を示す単相が得られ主キること
が報告されている。
本発明者らは、上記のようなり i−Sr−Ca−Cu
O系超超電導体臨界温度をさらに高めるため鋭意研究し
たところ、B i−Sr−Ca−Cu−0系酸化物にス
ズを添加すればよいことを見出して本発明を完成するに
至った。
O系超超電導体臨界温度をさらに高めるため鋭意研究し
たところ、B i−Sr−Ca−Cu−0系酸化物にス
ズを添加すればよいことを見出して本発明を完成するに
至った。
発明の目的
本発明は、上記のような点に鑑みて完成されたものであ
って、より高い臨界温度を有するB1−8 r−Ca−
Cu−0系酸化物超電導体を提供することを目的として
いる。
って、より高い臨界温度を有するB1−8 r−Ca−
Cu−0系酸化物超電導体を提供することを目的として
いる。
発明の概要
本発明に係る酸化物超電導体は、B i−3r−Ca−
Cu−0系酸化物超電導体にSnを含有させてなるB
i−3r−Sn−Ca−Cu−0系酸化物超電導体であ
ることを特徴としている。
Cu−0系酸化物超電導体にSnを含有させてなるB
i−3r−Sn−Ca−Cu−0系酸化物超電導体であ
ることを特徴としている。
本発明に係るB l−Sr−Ca−Cu−0系酸化物超
電導体にSnを含有させてなるB i−3r−3n−C
aCu−0系酸化物超電導体は、B i−Sr−Ca−
Cu−0系酸化物超電導体と比較して、高い臨界温度を
有している。
電導体にSnを含有させてなるB i−3r−3n−C
aCu−0系酸化物超電導体は、B i−Sr−Ca−
Cu−0系酸化物超電導体と比較して、高い臨界温度を
有している。
発明の詳細な説明
以下本発明に係る酸化物超電導体について具体的に説明
する。
する。
本発明では、B i−Sr−Ca−Cu−0系酸化物超
電導体にSnを含有させてなるB j−3r−Sn−C
aCu−0系酸化物超電導体が提供される。
電導体にSnを含有させてなるB j−3r−Sn−C
aCu−0系酸化物超電導体が提供される。
このようなり i−Sr−Sn−Ca−Cu−0系酸化
物超電導体は、この組成をB t 2 S r x S
n 、 Ca zCu Oとして表わした場合に、
下記のようなq 組成で示されると推定される。
物超電導体は、この組成をB t 2 S r x S
n 、 Ca zCu Oとして表わした場合に、
下記のようなq 組成で示されると推定される。
x:1.5〜2.5好ましくは1.8〜2.3y:o、
:t〜1.0好ましくは0.3〜0.72:1.5〜4
.0好ましくは2、O−3,01):2.0〜7.0好
ましくは4.0〜6.0CI:8.1〜17.5好まし
くは11.1〜15.0本発明に係るB ]−3r−3
n−Ca−Cu−0系酸化物超電導体の抵抗−温度曲線
を第1図に示す。この第1図から、本発明に係るB i
−Sr−3n−Ca−Cu−O系酸化物超電導体は、電
気抵抗が減少し始める超電導発現温度である臨界温度(
Tc)が123゜Kであることがわかる。ただしこの酸
化物超電導体が80°Kにおいても電気抵抗値が零にな
らないのは、1236Kに臨界温度を示すHlghTc
の酸化物超電導体(High Tc相)に加えて、低い
Tcを有するLow Tcの酸化物超電導体(Low
Tc相)が−都合まれているためであると考えられる。
:t〜1.0好ましくは0.3〜0.72:1.5〜4
.0好ましくは2、O−3,01):2.0〜7.0好
ましくは4.0〜6.0CI:8.1〜17.5好まし
くは11.1〜15.0本発明に係るB ]−3r−3
n−Ca−Cu−0系酸化物超電導体の抵抗−温度曲線
を第1図に示す。この第1図から、本発明に係るB i
−Sr−3n−Ca−Cu−O系酸化物超電導体は、電
気抵抗が減少し始める超電導発現温度である臨界温度(
Tc)が123゜Kであることがわかる。ただしこの酸
化物超電導体が80°Kにおいても電気抵抗値が零にな
らないのは、1236Kに臨界温度を示すHlghTc
の酸化物超電導体(High Tc相)に加えて、低い
Tcを有するLow Tcの酸化物超電導体(Low
Tc相)が−都合まれているためであると考えられる。
このような高い臨界温度を有するHlghTc相を示す
B i−3r−Sn−Ca−Cu−0系酸化物超電導体
の組成は、厳密には決定されておらず上記のような組成
範囲にあるが、特にBI 5r2Sno、5Ca
Cu Oで示される組成またはこれに2.5 5
x 近い組成を有していると推定される。
B i−3r−Sn−Ca−Cu−0系酸化物超電導体
の組成は、厳密には決定されておらず上記のような組成
範囲にあるが、特にBI 5r2Sno、5Ca
Cu Oで示される組成またはこれに2.5 5
x 近い組成を有していると推定される。
なお低い臨界温度を有するLow Tc相を示すB
i−3r−3n−Ca−Cu−0系酸化物超電導体の組
成は、厳密には決定されておらず上記のような組成範囲
にあるが、特にB i S r 2 Ca CU 2
0 Xで示される組成またはこれに近い組成を有してい
ると推定される。
i−3r−3n−Ca−Cu−0系酸化物超電導体の組
成は、厳密には決定されておらず上記のような組成範囲
にあるが、特にB i S r 2 Ca CU 2
0 Xで示される組成またはこれに近い組成を有してい
ると推定される。
また上記のような本発明に係るB i−Sr−Sn−C
a−Cu−0系酸化物超電導体についてのVSMを用い
た反磁性測定結果を第2図に示す。
a−Cu−0系酸化物超電導体についてのVSMを用い
た反磁性測定結果を第2図に示す。
この第2図から、上記のB i−3r−Sn−Ca−C
uO系酸化物は、マイスナー効果を示すことからも超電
導体であることがわかる。
uO系酸化物は、マイスナー効果を示すことからも超電
導体であることがわかる。
このようなり i−3r−Sn−Ca−Cu−0系酸化
物超電導体は、粉末焼結法、共沈焼結法、薄膜作製法な
どによって作製することができる。
物超電導体は、粉末焼結法、共沈焼結法、薄膜作製法な
どによって作製することができる。
粉末焼結法は、所定のモル比の金属酸化物あるいは金属
炭酸塩粉末を混合した後、750〜820℃程度で仮焼
し、得られた仮焼物を必要に応じて粉末にし、プレスし
てタブレット成形した後、830〜900℃焼結する方
法である。また共沈焼結法は、所定モル比の硝酸塩など
を水に溶解し、シュウ酸などの酸を用いて共沈させ、乾
燥させた後720〜800℃で仮焼し、得られた仮焼物
を必要に応じて粉末にし、プレスしてタブレット成形し
た後、830〜900℃で焼結する方法である。薄膜作
製法は、たとえばスパッタリング法により、所定の組成
を有する焼結体をターゲットとして、酸素とアルゴンと
の混合ガス中でスパッタによって薄膜を作製する方法で
ある。
炭酸塩粉末を混合した後、750〜820℃程度で仮焼
し、得られた仮焼物を必要に応じて粉末にし、プレスし
てタブレット成形した後、830〜900℃焼結する方
法である。また共沈焼結法は、所定モル比の硝酸塩など
を水に溶解し、シュウ酸などの酸を用いて共沈させ、乾
燥させた後720〜800℃で仮焼し、得られた仮焼物
を必要に応じて粉末にし、プレスしてタブレット成形し
た後、830〜900℃で焼結する方法である。薄膜作
製法は、たとえばスパッタリング法により、所定の組成
を有する焼結体をターゲットとして、酸素とアルゴンと
の混合ガス中でスパッタによって薄膜を作製する方法で
ある。
発明の効果
本発明に係るB i−5r−Ca−Cu−0系酸化物超
電導体にSnを含有させてなるB i−3r−3n−C
a−Cu−0系酸化物超電導体は、B i−Sr−Ca
−Cu−0系酸化物超電導体と比較して、高い臨界温度
を有している。
電導体にSnを含有させてなるB i−3r−3n−C
a−Cu−0系酸化物超電導体は、B i−Sr−Ca
−Cu−0系酸化物超電導体と比較して、高い臨界温度
を有している。
以下、本発明を実施例によって説明するが本発明はこの
実施例に限定されるものではない。
実施例に限定されるものではない。
実施例I
Br Sr Sn Ca Cu
5 01gの組2 2 Q、5 2.5 成比となるようにBi O15,532g。
5 01gの組2 2 Q、5 2.5 成比となるようにBi O15,532g。
Sn O2,512g、Sr CO9,842g、Ca
C08,,341g Cu 013.258gを
秤量し、石川式撹拌らいかい機(メノウ製)に供給した
。次いで、エタノールし゛ 60m1を添加セスラリ−状にて3時間混合粉砕した。
C08,,341g Cu 013.258gを
秤量し、石川式撹拌らいかい機(メノウ製)に供給した
。次いで、エタノールし゛ 60m1を添加セスラリ−状にて3時間混合粉砕した。
得られた混合粉砕物を乾燥した後、アルミナルツボに入
れ電気炉にて空気中で昇降温速度200℃/時間で80
0℃まで昇温し、800℃に16時間保持して仮焼した
。仮焼した後、乾燥状態のまま上記のらいかい機にて3
時間粉砕し、仮焼粉とした。得られた仮焼粉を手動プレ
スにて約25mmφX0.5++++nt形状のタブレ
ットに圧力1.000kg/cdで成形した。
れ電気炉にて空気中で昇降温速度200℃/時間で80
0℃まで昇温し、800℃に16時間保持して仮焼した
。仮焼した後、乾燥状態のまま上記のらいかい機にて3
時間粉砕し、仮焼粉とした。得られた仮焼粉を手動プレ
スにて約25mmφX0.5++++nt形状のタブレ
ットに圧力1.000kg/cdで成形した。
得られたタブレットを電気炉に入れ空気中で昇降温速度
200℃/時間で840℃まで昇温し、840℃に84
時間保持し焼成した。
200℃/時間で840℃まで昇温し、840℃に84
時間保持し焼成した。
このようにして焼結されたタブレットから約10mmX
2+u+X O,5mtの試片を切り出し4端子法で
電気抵抗を測定した。電気抵抗が急に減少し始める超電
導発現温度である臨界温度T c−onsetは123
Kを示した。液体窒素温度まで冷却したが零抵抗にはな
らなかった。そこで超電導性を確認する上でVSMによ
る反磁性測定を行なったところ123°により反磁性が
発現された。このことからこの物は高温の超電導体を含
んでいることが確認された。
2+u+X O,5mtの試片を切り出し4端子法で
電気抵抗を測定した。電気抵抗が急に減少し始める超電
導発現温度である臨界温度T c−onsetは123
Kを示した。液体窒素温度まで冷却したが零抵抗にはな
らなかった。そこで超電導性を確認する上でVSMによ
る反磁性測定を行なったところ123°により反磁性が
発現された。このことからこの物は高温の超電導体を含
んでいることが確認された。
比較例]−
3nを添加せずにB i S r 2Ca ’2 C
u 4O1□の組成比となるようにした以外は、実施例
1と同様に仮焼粉を調製し、同じ条件でタブレット成形
した後、同じ温度条件840 ’Cで84時間保持し焼
成した。
u 4O1□の組成比となるようにした以外は、実施例
1と同様に仮焼粉を調製し、同じ条件でタブレット成形
した後、同じ温度条件840 ’Cで84時間保持し焼
成した。
得られた焼成物の電気抵抗を測定したところ、電気抵抗
が急に減少し始める超電導発現温度は80°に以上では
得られなかった。
が急に減少し始める超電導発現温度は80°に以上では
得られなかった。
一方焼結温度をそれぞれ850℃、870 ℃、890
℃と高温にして焼成したところ、超電導発現温度は10
6°に、113°に、115°にであった。その他種々
焼結温度や酸素分圧を変えて焼結したが、超電導発現温
度が117°Kが最高であった。
℃と高温にして焼成したところ、超電導発現温度は10
6°に、113°に、115°にであった。その他種々
焼結温度や酸素分圧を変えて焼結したが、超電導発現温
度が117°Kが最高であった。
第1図は、本発明に係る実施例B1゜S r 2Sn
Ca 。、5 。、5 Cu5 o1313酸化物超電導抵
抗−温度曲線である。 第2図は、本発明に係る実施例B 12 S r 2S
n Ca 。、5 。、5 Cu5013酸化物超電導体の反磁
性測定結果を示す図である。
Ca 。、5 。、5 Cu5 o1313酸化物超電導抵
抗−温度曲線である。 第2図は、本発明に係る実施例B 12 S r 2S
n Ca 。、5 。、5 Cu5013酸化物超電導体の反磁
性測定結果を示す図である。
Claims (1)
- Bi−Sr−Ca−Cu−O系酸化物超電導体にSnを
含有させてなるBi−Sr−Sn−Ca−Cu−O系酸
化物超電導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1030769A JPH02208225A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 酸化物超電導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1030769A JPH02208225A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 酸化物超電導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02208225A true JPH02208225A (ja) | 1990-08-17 |
Family
ID=12312889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1030769A Pending JPH02208225A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 酸化物超電導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02208225A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02307828A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-21 | Kokusai Chiyoudendou Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | ビスマス系酸化物高温超電導体 |
CN108975912A (zh) * | 2018-09-20 | 2018-12-11 | 歌尔股份有限公司 | 三元系铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030769A patent/JPH02208225A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02307828A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-21 | Kokusai Chiyoudendou Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | ビスマス系酸化物高温超電導体 |
CN108975912A (zh) * | 2018-09-20 | 2018-12-11 | 歌尔股份有限公司 | 三元系铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 |
CN108975912B (zh) * | 2018-09-20 | 2021-05-18 | 歌尔光学科技有限公司 | 三元系铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 |
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