JPH02207418A - 銅薄膜パターニング方法 - Google Patents
銅薄膜パターニング方法Info
- Publication number
- JPH02207418A JPH02207418A JP2722789A JP2722789A JPH02207418A JP H02207418 A JPH02207418 A JP H02207418A JP 2722789 A JP2722789 A JP 2722789A JP 2722789 A JP2722789 A JP 2722789A JP H02207418 A JPH02207418 A JP H02207418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- mask
- pattern
- copper thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 24
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 'l'a Substances 0.000 description 1
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000009732 tufting Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体、薄膜を用いたデバイス、例えば薄膜
磁気ヘッド、薄膜トランス等において、その一部に銅薄
膜（Ｃｕ）を使用したパターンを含む場合、高精度で銅
薄膜のパターニングを行う方法に関するものである。
磁気ヘッド、薄膜トランス等において、その一部に銅薄
膜（Ｃｕ）を使用したパターンを含む場合、高精度で銅
薄膜のパターニングを行う方法に関するものである。
第２図は先行技術としての電気めっき法による銅薄膜（
Ｃｕ）のパターニングを示す工程図、第３図は先行技術
としてのリフトオフ法によるＣｕのパターニングを示す
工程図、第４図は従来の反応性イオンエツチング法によ
るＣｕのパターニングを示す工程図である。以下順に説
明する。
Ｃｕ）のパターニングを示す工程図、第３図は先行技術
としてのリフトオフ法によるＣｕのパターニングを示す
工程図、第４図は従来の反応性イオンエツチング法によ
るＣｕのパターニングを示す工程図である。以下順に説
明する。
従来、薄膜デバイスの一部に銅薄膜（Ｃｕ膜）を使用し
てこれをパターニングして所望の銅薄膜（Ｃｕ）パター
ンを得ようとした場合、第２図に示すように、基板４上
に導電性薄膜３を介してレジストにより予めフレームマ
スク１を作り、この上に電気めっきによりＣｕパターン
２を埋め込み、レジストを除去する方法、及び第３図に
示すように、基板１４上にレジストフレームマスク１１
を形成後、電子ビーム蒸着またはＲＦ、ＤＣ，マグネト
ロン等のスパッタで銅薄膜（Ｃｕ膜）１２を形成し、し
かる後にレジストフレームマスク１１をリフトオフして
Ｃｕパターン１２′を得る方法があった。ここで１５は
空洞であり、１６はＣｕパターンの角状の突起である。
てこれをパターニングして所望の銅薄膜（Ｃｕ）パター
ンを得ようとした場合、第２図に示すように、基板４上
に導電性薄膜３を介してレジストにより予めフレームマ
スク１を作り、この上に電気めっきによりＣｕパターン
２を埋め込み、レジストを除去する方法、及び第３図に
示すように、基板１４上にレジストフレームマスク１１
を形成後、電子ビーム蒸着またはＲＦ、ＤＣ，マグネト
ロン等のスパッタで銅薄膜（Ｃｕ膜）１２を形成し、し
かる後にレジストフレームマスク１１をリフトオフして
Ｃｕパターン１２′を得る方法があった。ここで１５は
空洞であり、１６はＣｕパターンの角状の突起である。
また、第４図に示すように、従来Ｃｕパターン２２／ｌ
−金属マスク２３を用いて形成する場合、まず基板２４
上にＣｕ膜を形成し、さらにＴｉまたはＡｌなどの金属
薄膜２３を形成し、これをレジスト２１でバターニング
して金属マスク２３を残し、これをマスクとしてＣｕ膜
２２をエツチングする。この時、動作ガスにＡｒと酸素
の混合ガスを用い、反応性イオンエツチングでＣｕとＴ
ｉまたはＡＩ！とのエツチング選択比を利用してＣｕパ
ターンを得る方法があった。
−金属マスク２３を用いて形成する場合、まず基板２４
上にＣｕ膜を形成し、さらにＴｉまたはＡｌなどの金属
薄膜２３を形成し、これをレジスト２１でバターニング
して金属マスク２３を残し、これをマスクとしてＣｕ膜
２２をエツチングする。この時、動作ガスにＡｒと酸素
の混合ガスを用い、反応性イオンエツチングでＣｕとＴ
ｉまたはＡＩ！とのエツチング選択比を利用してＣｕパ
ターンを得る方法があった。
第２図に示す電気めっきによる方法では、電気めっきを
行いレジスト１を除去後、導電性を付与するために予め
形成しであるスパッタまたは蒸着による導体薄膜３を除
去する必要があり、高アスペクト比の銅薄膜（Ｃｕ）パ
ターン２の場合、この導体薄膜３の除去が困難になる。
行いレジスト１を除去後、導電性を付与するために予め
形成しであるスパッタまたは蒸着による導体薄膜３を除
去する必要があり、高アスペクト比の銅薄膜（Ｃｕ）パ
ターン２の場合、この導体薄膜３の除去が困難になる。
また、第３図に示すリフトオフによる方法では、高アス
ペクト比のＣｕパターンの場合、レジストマスク１１の
厚さはＣｕパターン厚さの２倍以上必要なためバターニ
ング精度が確保できなかった。また、高アスペクト比の
パターンではＣｕ膜２が溝の中まで入り込まず空洞１５
となって残る場合や、Ｃｕパターン１２′に角状の突起
１６となって残る場合があった。さらに、第４図に示す
反応性イオンエツチングによる方法ではＣｕとはＴｉま
たはＡＥとのエツチング選択比は大きいもののエツチン
グにより形成された物質がＣｕパターンの側壁部に再付
着し、エツチング終了時に角２６として残るため高アス
ペクト比のＣｕパターン２２′の精度が確保できなかっ
た。
ペクト比のＣｕパターンの場合、レジストマスク１１の
厚さはＣｕパターン厚さの２倍以上必要なためバターニ
ング精度が確保できなかった。また、高アスペクト比の
パターンではＣｕ膜２が溝の中まで入り込まず空洞１５
となって残る場合や、Ｃｕパターン１２′に角状の突起
１６となって残る場合があった。さらに、第４図に示す
反応性イオンエツチングによる方法ではＣｕとはＴｉま
たはＡＥとのエツチング選択比は大きいもののエツチン
グにより形成された物質がＣｕパターンの側壁部に再付
着し、エツチング終了時に角２６として残るため高アス
ペクト比のＣｕパターン２２′の精度が確保できなかっ
た。
本発明の目的は、薄膜デバイスにおける銅薄膜（Ｃｕ）
パターンの形成を高精度かつ効率的に行う方法を提供す
ることである。
パターンの形成を高精度かつ効率的に行う方法を提供す
ることである。
本発明の特徴は、銅薄膜（Ｃｕ）パターンを金属マスク
を用いた反応性イオンエツチングで形成する際に、マス
ク材として’ｒａ、ＮｂまたはＺｒを用いること、この
マスクを利用し銅薄膜（Ｃｕ）をバターニングする際に
、動作ガスとして窒素を使うことである。従来、薄膜デ
バイスの銅薄膜（Ｃｕ）パターンの形成には上に述べた
ように、フレームめっきを用いるか、リフトオフ法を用
いるか、金属マスクを用いてＣｕとのエツチング選択比
を利用した反応性イオンエツチングによるが、いずれか
の方法が取られていた。反応性イオンエツチングの動作
ガスにはＡｒと酸素の混合ガスの他ハロゲン系のガスを
使うことも可能であるが毒性や被加工材の温度を上げね
ばならないなどの欠点があった。また、高アスペクト比
のＣｕパターンの場合、従来の方法では高精度のバター
ニングが困難であった。
を用いた反応性イオンエツチングで形成する際に、マス
ク材として’ｒａ、ＮｂまたはＺｒを用いること、この
マスクを利用し銅薄膜（Ｃｕ）をバターニングする際に
、動作ガスとして窒素を使うことである。従来、薄膜デ
バイスの銅薄膜（Ｃｕ）パターンの形成には上に述べた
ように、フレームめっきを用いるか、リフトオフ法を用
いるか、金属マスクを用いてＣｕとのエツチング選択比
を利用した反応性イオンエツチングによるが、いずれか
の方法が取られていた。反応性イオンエツチングの動作
ガスにはＡｒと酸素の混合ガスの他ハロゲン系のガスを
使うことも可能であるが毒性や被加工材の温度を上げね
ばならないなどの欠点があった。また、高アスペクト比
のＣｕパターンの場合、従来の方法では高精度のバター
ニングが困難であった。
第１図は、本発明による薄膜磁気ヘッドのコイルの加工
例を示すものである。３４はスライダ材を兼ねるアルチ
ック材基板、３２はＣｕ膜、３３はマスクとなるＴａ膜
、３１はホトレジストである。まず厚さ５μｍのＣｕ膜
３２、厚さ０．１μｍ以下のＴａ膜３３をイオンビーム
スパッタで形成後、厚さ０．５μｍのホトレジストＡＺ
１３５０をスピンコードしキュアした後コイルもしくは
配線等の形状のマスクで露光、現像の後、このホトレジ
スト膜３１をマスクとして、動作ガスにＡｒを用いイオ
ンエツチングでＴａ膜３３をコイルもしくは配線等の形
状にバターニングする。このＴａ膜をマスクとしてＣｕ
膜３２を動作ガスとして窒素ガスを用いてイオンエツチ
ングし所望の銅薄膜（Ｃｕ）コイルパターン３２′を得
た。この方法によれば、従来見られたＣｕ側壁面へのエ
ツチング生成物の再付着がなく、しがも側壁の基板に対
する角度８５度以上の切れのよいコイルノ１°ターンが
得られた。また、コイル間隔１μｍ１コイル幅１μｍ１
コイル高さ５μｍの高アスペクト比の微細パターンにお
いても高精度のバターニングを行えることが判明した。
例を示すものである。３４はスライダ材を兼ねるアルチ
ック材基板、３２はＣｕ膜、３３はマスクとなるＴａ膜
、３１はホトレジストである。まず厚さ５μｍのＣｕ膜
３２、厚さ０．１μｍ以下のＴａ膜３３をイオンビーム
スパッタで形成後、厚さ０．５μｍのホトレジストＡＺ
１３５０をスピンコードしキュアした後コイルもしくは
配線等の形状のマスクで露光、現像の後、このホトレジ
スト膜３１をマスクとして、動作ガスにＡｒを用いイオ
ンエツチングでＴａ膜３３をコイルもしくは配線等の形
状にバターニングする。このＴａ膜をマスクとしてＣｕ
膜３２を動作ガスとして窒素ガスを用いてイオンエツチ
ングし所望の銅薄膜（Ｃｕ）コイルパターン３２′を得
た。この方法によれば、従来見られたＣｕ側壁面へのエ
ツチング生成物の再付着がなく、しがも側壁の基板に対
する角度８５度以上の切れのよいコイルノ１°ターンが
得られた。また、コイル間隔１μｍ１コイル幅１μｍ１
コイル高さ５μｍの高アスペクト比の微細パターンにお
いても高精度のバターニングを行えることが判明した。
上記の例では、Ｃｕパターンの形成にＴａを用いたが、
動作ガスに窒素を使用した場合、Ｃｕに対して５０以上
の選択比が得られるマスク材として、Ｎｂ、Ｚｒがあり
、これらをマスク材として用いた場合にも同等の効果が
得られることを確認した。
動作ガスに窒素を使用した場合、Ｃｕに対して５０以上
の選択比が得られるマスク材として、Ｎｂ、Ｚｒがあり
、これらをマスク材として用いた場合にも同等の効果が
得られることを確認した。
以上述べたように、本発明によれば、動作ガスに窒素を
用いて銅薄膜（Ｃｕ膜）をパターニングする際、マスク
材に’ｌ’ａ、ＮｂまたはＺｒのようにＣｕ膜に対して
５０以上の高いイオンエツチング選択比が得られる材料
を用いれば急峻なパターン側面角が得られるので、高ア
スペクト比、高精度のＣｕパターンが容易に得られる。
用いて銅薄膜（Ｃｕ膜）をパターニングする際、マスク
材に’ｌ’ａ、ＮｂまたはＺｒのようにＣｕ膜に対して
５０以上の高いイオンエツチング選択比が得られる材料
を用いれば急峻なパターン側面角が得られるので、高ア
スペクト比、高精度のＣｕパターンが容易に得られる。
この技術を用いれば、薄膜磁気ヘッド、薄膜トランス、
その他生導体デバイスにおける配線にも低抵抗のＣｕ膜
を適用することができ、薄膜デバイスにおけるＣｕパタ
ーンの適用分野が拡大され産業上の利点が大きいもので
ある。
その他生導体デバイスにおける配線にも低抵抗のＣｕ膜
を適用することができ、薄膜デバイスにおけるＣｕパタ
ーンの適用分野が拡大され産業上の利点が大きいもので
ある。
第１図は、本発明の反応性イオンエツチング法によるｗ
ＩＪＦＩＩ膜（Ｃｕ）のパターニング、第２図は、電気
めっき法による銅薄膜（Ｃｕ）のパターニング、 第３図は、リフトオフ法による銅薄膜（Ｃｕ）パターニ
ング、 第４図は、従来の反応性イオンエツチング法による銅薄
膜（Ｃｕ）のパターニング、を示すそれぞれ工程図であ
る。 １．１１・・・レジストフレームマスク、２．１２゜２
２、 ３２’−Ｃｕパターン、１２． ２２． ３２−
・・Ｃｕ膜、２１．３１・・・レジストマスク、３・・
・導電性薄膜、４，１４，２４．３４・・・基板、１５
・・・空洞、１６・・・角状の突起、２６・・・角、２
３・・・ＴｉまたはＡｌマスク、３３・・・Ｔａまたは
ＮｂまたはＺｒマスク 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久五部 （外１名） 第 図 従来の反応性イオンエツチング法による銅薄膜（Ｃｕ
）ツバターニングを示す工程図 第 図
ＩＪＦＩＩ膜（Ｃｕ）のパターニング、第２図は、電気
めっき法による銅薄膜（Ｃｕ）のパターニング、 第３図は、リフトオフ法による銅薄膜（Ｃｕ）パターニ
ング、 第４図は、従来の反応性イオンエツチング法による銅薄
膜（Ｃｕ）のパターニング、を示すそれぞれ工程図であ
る。 １．１１・・・レジストフレームマスク、２．１２゜２
２、 ３２’−Ｃｕパターン、１２． ２２． ３２−
・・Ｃｕ膜、２１．３１・・・レジストマスク、３・・
・導電性薄膜、４，１４，２４．３４・・・基板、１５
・・・空洞、１６・・・角状の突起、２６・・・角、２
３・・・ＴｉまたはＡｌマスク、３３・・・Ｔａまたは
ＮｂまたはＺｒマスク 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久五部 （外１名） 第 図 従来の反応性イオンエツチング法による銅薄膜（Ｃｕ
）ツバターニングを示す工程図 第 図
Claims (1)
- フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を用
いて作製される銅薄膜パターニング方法において、銅薄
膜をエッチングする際に、マスク材にＴａ，Ｎｂまたは
Ｚｒ薄膜を用い、動作ガスに窒素を用いてイオンビーム
エッチングで加工することを特徴とする銅薄膜パターニ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1027227A JPH0787053B2 (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 銅薄膜パターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1027227A JPH0787053B2 (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 銅薄膜パターニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02207418A true JPH02207418A (ja) | 1990-08-17 |
| JPH0787053B2 JPH0787053B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=12215204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1027227A Expired - Lifetime JPH0787053B2 (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 銅薄膜パターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787053B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999003143A1 (en) * | 1997-07-09 | 1999-01-21 | Applied Materials, Inc. | Patterned copper etch for micron and submicron features, using enhanced physical bombardment |
| US6080529A (en) * | 1997-12-12 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Method of etching patterned layers useful as masking during subsequent etching or for damascene structures |
| US6331380B1 (en) | 1997-12-12 | 2001-12-18 | Applied Materials, Inc. | Method of pattern etching a low K dielectric layer |
| US6861177B2 (en) | 2002-02-21 | 2005-03-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of forming a read sensor using a lift-off mask having a hardmask layer and a release layer |
| US6913870B2 (en) | 2002-05-10 | 2005-07-05 | International Business Machines Corporation | Fabrication process using a thin liftoff stencil formed by an image transfer process |
| US7967993B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US7993536B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8012361B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8017023B2 (en) | 2008-08-22 | 2011-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording medium |
| US8029682B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8057689B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8980451B2 (en) | 2010-09-17 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic recording apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6056308A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-04-01 | 富士通株式会社 | 透明導電電極膜のパタ−ニング法 |
-
1989
- 1989-02-06 JP JP1027227A patent/JPH0787053B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6056308A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-04-01 | 富士通株式会社 | 透明導電電極膜のパタ−ニング法 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999003143A1 (en) * | 1997-07-09 | 1999-01-21 | Applied Materials, Inc. | Patterned copper etch for micron and submicron features, using enhanced physical bombardment |
| US6010603A (en) * | 1997-07-09 | 2000-01-04 | Applied Materials, Inc. | Patterned copper etch for micron and submicron features, using enhanced physical bombardment |
| JP2002508117A (ja) * | 1997-07-09 | 2002-03-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | エンハンスト物理衝撃を使用した、ミクロンおよびサブミクロンフィーチャーのための銅のパターンエッチング |
| US6488862B1 (en) | 1997-07-09 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Etched patterned copper features free from etch process residue |
| US6080529A (en) * | 1997-12-12 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Method of etching patterned layers useful as masking during subsequent etching or for damascene structures |
| US6331380B1 (en) | 1997-12-12 | 2001-12-18 | Applied Materials, Inc. | Method of pattern etching a low K dielectric layer |
| US6458516B1 (en) | 1997-12-12 | 2002-10-01 | Applied Materials Inc. | Method of etching dielectric layers using a removable hardmask |
| US6861177B2 (en) | 2002-02-21 | 2005-03-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of forming a read sensor using a lift-off mask having a hardmask layer and a release layer |
| US6913870B2 (en) | 2002-05-10 | 2005-07-05 | International Business Machines Corporation | Fabrication process using a thin liftoff stencil formed by an image transfer process |
| US7967993B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8017023B2 (en) | 2008-08-22 | 2011-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording medium |
| US7993536B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8012361B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8029682B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8057689B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8980451B2 (en) | 2010-09-17 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic recording apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0787053B2 (ja) | 1995-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02207418A (ja) | 銅薄膜パターニング方法 | |
| JPS59231722A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| US4614563A (en) | Process for producing multilayer conductor structure | |
| JPH0346330A (ja) | 金属を被着するための構造および方法 | |
| JP2732663B2 (ja) | 銅薄膜パターニング方法 | |
| US4272348A (en) | Bubble device fabrication | |
| JPH0410208A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS61151533A (ja) | リフトオフ・パタ−ン形成法 | |
| JPH01274430A (ja) | 薄膜のパターニング方法 | |
| JPS61113257A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0320809B2 (ja) | ||
| JPH01260869A (ja) | 薄膜パターンの形成方法 | |
| JPH0195536A (ja) | 多重膜配線体の製造方法 | |
| JPH01110727A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| SU1635292A1 (ru) | Способ формировани рисунка в металлических пленках | |
| KR100255164B1 (ko) | 반도체 소자의 폴리실리콘/옥사이드 식각방법 | |
| JPH02125620A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH036023A (ja) | 微細金属パターンの形成方法 | |
| JPH023926A (ja) | 配線の形成方法 | |
| JPS5858283A (ja) | エツチング方法 | |
| JPS62106623A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03156915A (ja) | 多層レジスト法によるパターン形成方法 | |
| JPH05210823A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS61198725A (ja) | 微細加工法 | |
| JPH04285710A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070920 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090920 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090920 Year of fee payment: 14 |