JPH02203406A - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ヘッドに係り、特にＶＴＲ等の記録再生に
好適に用いられる磁気ヘッドおよびその製造方法に関す
る。

〔従来の技術〕

近年、磁気記録の高密度記録化に伴い、記録効率の向上
をはかる磁気ヘッドの代表的な一例として、特開昭５８
−１５５５１３号公報に複合型磁気ヘッドが提案されて
いる。この磁気ヘッドの製造工程は。

第５図に示すとと＜、（１）高透磁率フェライトなどよ
りなる平板な基板１を用い〔第５図（ａ））。

（２）上記基板１上にトラック＋１　（Ｔｗ）規制用の
略Ｗ字状の溝１１を形成する工程〔第５図（ｂ））。

（３）高透磁率フェライトよりなる基板１よりも高飽和
磁束密度を有するＣｏ−Ｍｏ−Ｚｒ系、Ｃｏ−Ｆｅ−８
Ｌ−Ｂ系などの非晶質合金よりなる金属磁性薄膜２をス
パッタリングなどの方法を用いて形成する工程〔第５図
（Ｃ））、（４）磁性薄膜２の上の略Ｗ字状の溝１１の
部分を、非磁性材である溝充填用ガラス４などで充填し
た後、その表面を研磨して不要な非磁性材を除去し、磁
気ヘッドの作動ギャップ面７を研磨しブロックを作製す
る工程〔第５図（ｄ））、（５）上記（４）の工程によ
って作製したブロックを２個用意し、その一方に巻線用
窓の加工を施した後、上記一対のブロックを突合せ、こ
の突き合せ面にギャップスペーサ材（図示せず）を介し
てガラス接着層（図示せず）を形成し、上記一対のブロ
ックを熱圧着して一体化し、その後切断して摺動面８加
工２巻線などを施す工程によって磁気ヘッド〔第５図（
ｅ）〕が作製される。

なお、特開昭６１−２５０８０６号公報に提案されてい
るように、基板１は非磁性の基板であってもよく。

磁性薄膜２としてＣｏ系非晶質合金の他にセンダスト系
の高飽和磁束密度材料を用いてもよい。また、磁性薄膜
の形成後、その膜厚方向に磁場を印加して熱処理を行い
２作動ギャップ面に対し垂直方向に誘導磁気異方性を付
与した磁気ヘッドを作製することもできる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来技術においては、以下に示す問題があった
。

（１）第５図（ｂ）に示す磁気ヘッドの製造工程におい
て、略Ｗ字状の溝１１の切削機械加工の際に、溝と溝の
間の突起部に加工不良（チッピング）である欠損部１３
〔第６図（ａ）〕が生じ易く、この加工不良である欠損
部１３が磁気ヘッドのフロント部で発生すると、磁気ヘ
ッドの摺動面上の磁性薄膜２の形状が、第６図（ｂ）、
（ｃ）に示すごとく変わるため、これがノイズの原因と
なる。

また、（２）第５図（ｄ）で示す磁気ヘッドの製造工程
において、磁気ヘッドのトラック幅（Ｔｖ）規制用の略
Ｗ字状の溝１１の部分を溝充填用ガラス４などの材料で
充填する場合に９巻線用窓９にガラス等がつまったり、
またガラス中に気泡が発生し易く、そのため磁気ヘッド
の破損の原因となる。その他、溝充填用ガラス４は、磁
性薄膜２およびフェライトなどよりなる磁気コア、非磁
性の基板１などとの間で熱膨張係数が異なるところから
、大きな面積にガラス等を充填する場合に、磁性薄膜２
および溝充填用のガラス４に応力が作用し、膜の剥離な
どが生じ易いという問題があった。

さらに、（３）第５図（ｄ）に示すごとく、溝充填用ガ
ラス４は高温下で溶融させる。その際。

形成した磁性薄膜２に誘導磁気異方性を付与するために
膜面に対し垂直に磁場を印加する手段を用いている。し
かし、磁性薄膜２の膜厚は１０〜３０゜と非常に薄いた
め、磁性薄膜２の膜厚方向の反磁界係数（Ｎ／４π）が
０．５と大きい上、磁場印加方向に対し端部となる部分
で磁化が飽和しきらない、いわゆるカーリング等の問題
が生じ、所望する方向に磁気異方性を付与することが困
難であった。

本発明の第１の目的は、上記従来技術の問題点を解消し
、磁気ヘッド製造工程において、基板などの加工時にお
ける加工不良を低減し、ｌ１品の歩留りを向、ヒさせる
ことにある。

また２本発明の第２の目的は、ガラスなどによる略Ｗ字
状の溝充填部分の磁性薄膜、磁気コアなどの膜の剥離を
防止し、生産性を高めると同時に耐久性に優れた磁気ヘ
ッドを得ることにある。

さらに２本発明の第３の目的は、磁場中での熱処理を簡
略化し、磁性薄膜に良好な磁気特性を付与し、高性能で
信頼性の高い磁気ヘッドを得ることにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記第１の目的を達成するために２本発明の磁気ヘッド
の製造工程において９機械加工を施す基板表面を研磨な
どの加工方法で粗い面となし、その上に真空蒸着、スパ
ッタリング等の物理蒸着法によってフォルステライト、
ステアタイトなどの非磁性セラミックス層を形成した後
に、略Ｗ字状の溝を形成することを基本とするものであ
る。

また、上記第２の目的を達成するために２本発明の磁気
ヘッドの製造工程において、従来はガラス等で充填して
いた磁性薄膜周辺の略Ｗ字状の溝からなる凹部に、非磁
性セラミックス層を形成し充填するものである。

さらに、上記第３の目的を達成するために２本発明の磁
気ヘッドの製造工程において、磁性薄膜の形成後、保護
膜を設けた後で、基板面内に平行で、略Ｗ字状の溝方向
に対して垂直な方向に磁場を印加し、熱処理を施すもの
である。

本発明は、磁気記録媒体との対向面における断面形状が
逆Ｖ字状に突出した突起部を有する一対の非磁性もしく
は磁性基板の、上記突起部の両側面上に磁性薄膜を被着
し、該突起部の先端部において作動ギャップを介して上
記磁性薄膜が相対峙する構造の複合型磁気ヘッドにおい
て、上記磁性薄膜と基板とが接する領域の一部もしくは
全部および上記作動ギャップを介して相対峙する磁性薄
膜の両側面部に非磁性セラミックス層を設けた構造の複
合型磁気ヘッドである。

また２本発明は、非磁性基板の表面に凹部を設け、該凹
部に埋め込んだ第１の磁気コアと、該第１の磁気コアの
上部に作動ギャップとその端面部に設けた絶縁体層を介
して薄膜コイルを形成し。

さらにその上部に第２の磁気コアを積層してなる薄膜型
磁気ヘッドにおいて、上記第１の磁気コアが上記基板と
接する領域の一部および作動ギャップ部の周囲に非磁性
セラミックス層を設けた構造の薄膜型磁気ヘッドである
。

本発明の磁気ヘッドにおいて、磁気ヘッドを構成する材
料の熱膨張係数を、基板がαｂ、磁性薄膜もしくは磁気
コアがαｆ、非磁性セラミックスがαＣであるとすると
き、αｃはαｈよりも小さく。

かつαｃとαｆはほぼ同じとなるように構成することが
好ましい。また２本発明の磁気ヘッドにおいて、用いる
非磁性セラミックス層の材料は、フォルステライト、ス
テアタイト、アルミナ、ジルコニア、マグネシアのうち
より選択される少なくとも１種のセラミックスからなる
ものである。

そして１本発明の複合型磁気ヘッドの製造方法は、非磁
性もしくは磁性基板の表面を所定の粗さに加工した後、
フォルステライト、ステアタイトなどよりなる非磁性セ
ラミックス層を形成して。

上記基板の表面を逆Ｖ字状の突起部を有する略Ｗ字状の
溝を機械研削加工法によって形成する工程と、上記略Ｗ
字状の溝の表面部に、スパッタリング、真空蒸着などの
物理蒸着法によって設定の磁性薄膜を形成する工程と、
さらに上記磁性薄膜の上に上記非磁性セラミックス暦を
形成する工程と。

上記非磁性セラミックス層を形成した略Ｗ字状の溝の上
面の突起部を平面状に研磨して、上記突起部における磁
性薄膜の幅が目的とするトラック幅になるまで研磨加工
する工程と、上記の工程により加工した２個の基板のう
ちの一方に巻線用窓を加工して、上記一対の基板を対向
させ作動ギャップを形成した後、これを接合して磁気ヘ
ッドに加工する工程を含むことを特徴とするものである
。

さらに２本発明による薄膜型磁気ヘッドの製造方法は、
非磁性基板の表面に上記の非磁性セラミックス層を形成
した後、上記基板の表面に凹部を形成して第１の磁気コ
アを埋め込む工程と、上記第１の磁気コアの上記基板と
接する領域の一部に非磁性セラミックス層を充填する工
程と、上記第１の磁気コアの上に作動ギャップおよびそ
の端面部に形成する非磁性セラミックス層を介して薄膜
コイルを形成する工程と、上記作動ギャップの上部に第
２の磁気コアを積層した後、磁気ヘッドに加工する工程
を含むことを特徴とするものである。

そして９本発明の複合型磁気ヘッドまたは薄膜型磁気ヘ
ッドの製造方法において、磁性薄膜の形成後もしくは第
２の磁気コアの形成後に、磁束伝播方向に対してほぼ垂
直、かつ基板面に対してほぼ平行に磁場を印加しながら
、４００℃以上、結晶化温度以下の温度で熱処理を行い
、磁束伝播方向の透磁率を向上させることも可能である
。

〔作用〕

従来の磁気ヘッドの製造における２例えば第６図（ａ）
に示す基板１の加工工程において、略Ｗ字状の溝１１部
の突起部分に加工不良である欠損部１３が生ずると９次
の磁性薄膜の形成工程である第６図（ｂ）において、磁
性薄膜２が欠損部１３に形成される。この欠損部１３が
第６図（Ｑ）に示すごとく、磁気ヘッドの摺動面に現わ
れた場合に、これがコンタ−効果の原因となり、また磁
性基板を用いた場合には摺動雑音の原因となっていた。

本発明の磁気ヘッドを製造する場合の基板加工工程にお
いては、加工による微小な欠損（チッピング）が生じに
くいセラミックス材料を基板の表面に被覆させるため′
、これにより微小な欠損部１３が生じ易い逆Ｖ字状の突
起部にチッピング等の発生がなくなるので磁気記録再生
におけるＳ／Ｎ比が向上することになる。

また、基板上に形成する非磁性セラミックス暦は、基板
および磁性薄膜と接触するため、これらと熱膨張係数の
近いセラミックス材料を選択した。

これにより、高温の熱処理工程を経由する場合の膜剥離
が低減し、磁気ヘッドの製品歩留りが向上することにな
る。

さらに、磁性薄膜の形成後に、基板面に平行方向で、か
つ略Ｗ字状の溝に対し垂直となる方向に磁場を印加する
ことにより、磁束伝播方向の透磁率を向上させることが
できる。また、矩形もしくは正方形の基板上に形成した
磁性薄膜の面内に磁界を印加する場合９反磁界係数は、
Ｎ／４π＝１０−５〜１０”’となるため、小さな磁界
によって磁化を飽和させることができる。また、カーリ
ングなどの問題もほとんど無視することができ、磁性薄
膜の磁化容易軸の方向制御も従来技術に比べ一段と容易
となる。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例を挙げ９図面に基づいて、さら
に詳細に説明する。

（実施例１） 第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に本実
施例において作製した磁気ヘッドの製造工程を示す。す
なわち。

（１）磁性体よりなる基板１として２表面を粗に加工し
た高透磁率フェライトを用いた。フェライトの表面粗さ
はＳ＞ｌＩ！Ｉｍである〔第２図（ａ））。

（２）基板１上に、非磁性セラミックス層３を。

磁性薄膜２を形成させる略Ｗ字状の溝１１の深さの１７
２程度の厚さに、スパッタリング法により形成した。こ
の場合、ターゲット材料として、ステアタイト（ＭｇＯ
−８ｘｏ＊）またはフォルステライト（２Ｍｇｏ−８ｊ
Ｏ□）と類似組成のものを用いた。この非磁性セラミッ
クスの熱膨張係数は約９Ｘ１０″″／℃で、基板１とし
て用いた高透磁率フェライトの熱膨張係数（１２ｘｔＯ
−＠／’Ｃ）より小さく、磁性薄膜として用いるＣｏ−
Ｎｂ−Ｚｒ合金の熱膨張係数１０　Ｘ　１０−”　／　
’Ｃに近いものを使用した〔第２図（ｂ））。

（３）上記（２）の工程で作製した基板１上に。

略Ｗ字状の溝１１を切削加工により形成した〔第２図（
Ｑ）］。

（４）上記（３）の工程で作製した基板１上に。

Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金よりなる磁性薄膜（熱膨張係数１
０ｘｔＯ−’／’Ｃ）２をスパッタリング法により形成
し、その後、上記（２）の工程で用いた同じセラミック
スをターゲット材料として、スパッタリング法により、
磁性薄膜２上に略Ｗ字状の溝充填用の非磁性セラミック
ス層３を形成して、　Ｗ８Ｗ字状の溝１１に充填した〔
第２図（ｄ））、さらに、略Ｗ字状の溝１１の長手方向
に対し直角方向の磁場を印加（第３図参照）Ｌ、４６０
℃の温度で熱処理を行った。この熱処理により、磁性薄
膜２に良好な磁気特性を付与すると共に２次の突起部の
一部を平滑にする工程（５）の前に、磁性薄膜２および
非磁性セラミックス層３のスパッタリングにより生じた
基板１の反りを修正することができる。

（５）非磁性セラミックス層３および磁性薄膜２の不要
部分を除去し、磁性薄膜２により形成される突起部の幅
を、目的とするトラック幅（Ｔｖ）になるまで研磨加工
を施し、第２図（ｅ）に示すブロックを形成した。

次に、上記（５）の工程で作製した第２図（ｅ）に示す
ブロックにおいて、磁気ヘッドの作動ギャップ面７とな
る部分に、非磁性スペーサ（Ｓｉｎ２゜Ｃｒなと）を形
成した後、鉛ガラス系の低融点ガラス層（融点３５０〜
４００℃）を、上記ブロックの接合部の全面にスパッタ
リング法により形成し、−対の上記ブロックを突合せて
、熱圧着を行い、これを通常行われている加工組立法に
よって複合型の磁気ヘッドを作製した。

なお１本実施例により作製した複合型磁気ヘッドを用い
記録再生テストを行った結果、Ｓ／Ｎ比で１〜２ｄＢ向
上させることができた。

また、非磁性セラミックス材料としては、上記めステア
タイト、フォルステライトの他に、アルミナＣＮ１ｘｏ
ｚＬジルコニア（ＺｒＯ，）、７グネシア（ＭｇＯ）等
のセラミックスを好適に用いることができる。

（実施例２） 本実施例においては、非磁性基板材料としてＭｎｏ−Ｎ
ｉ０よりなる焼結体（熱膨張係数１２〜１３ＸＩＯ−６
／℃）を用いた０本実施例においても、上記実施例１と
同様の良好な結果が得られた。基板材料としては、上記
の他、アルミナ、　Ｃａ　Ｔ　ｉ　Ｏ３等の焼結体など
も好適に用いることができた。

（実施例３） 上記実施例１において示した第２図（ｄ）の工程におい
て、溝充填用の非磁性セラミックス層３を、磁性薄膜２
の上に約３０．の厚さに形成し、さらに残りの溝部分を
従来と同様のガラス材で充填し、実施例１と同様の工程
で磁気ヘッドを作製した０本実施例においては、実施例
１と比較してスパッタリング時間が短縮でき、また従来
技術に比較してガラス充填容積が小さいため、熱溶融時
間を短縮することができ、形成した磁性薄膜２．非磁性
セラミックス層３などの剥離等の問題が生じないという
効果が認められた。

（実施例４） 本実施例において作製した磁気ヘッドを第４図に基づい
て説明する。

まず、（１）ＭｎＯ−ＮｉＯ焼結体などよりなる非磁性
の基板１上に、フォルステライト、ステアタイトなどよ
りなる非磁性セラミックス層３を形成した後、切削加工
によって凹部１２を形成し。

Ｃｏ系非晶質合金よりなる第１の磁気コア（磁性膜）１
４を埋め込んだ〔第４図（ａ））。

（２）基板１の一部を削除し、第１の磁気コア（磁性膜
）１４の周囲を非磁性セラミックスによって充填し、非
磁性セラミックス層３を形成した〔第４図（ｂ））。

（３）Ｓｉｎ、等の非磁性層よりなる作動ギャップ６お
よび非磁性セラミックス層３を作動ギャップ６の端面部
に形成し、薄膜コイル５を設けた〔第４図（ｃ））。

（４）上記作動ギャップ６の上部に第１の磁気コア１４
と同じ材料を用いて、第２の磁気コア（ｍ性膜）１５を
形成した後、磁束伝播方向に垂直、かつ基板面内に磁界
を印加して磁場中で熱処理を施した〔第４図（ｄ））。

そして２通常行われている加工組立方法によって薄膜型
磁気ヘッドを作製した。

本実施例において作製した薄膜型磁気ヘッドは。

耐摩耗性に優れ、特に、偏摩耗が少なく、優れた磁気特
性を示した。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したごとく１本発明の磁気ヘッドによれ
ば、磁気ヘッドの媒体に対する摺動面に現われる磁性薄
膜の周辺部を、耐摩耗性で耐摺動性に優れた非磁性セラ
ミックス層でカバーしているため、磁気ヘッドの摩耗寿
命を一段と向上させることができ、また適切な性質を有
する非磁性セラミックス材料を自在に選択することがで
きるので、耐摩耗性の小さな磁性薄膜であっても、その
偏摩耗を防止することができ、磁気ヘッドの寿命の延長
がはかられる。さらに、熱膨張係数も、基板もしくは磁
性薄膜に合わせて非磁性セラミックス材料を自由に選択
できるため、膜剥離などによる損傷を防止することがで
きる。

また２本発明の磁気ヘッドの製造方法によれば。

基板加工時において、基板の表面部における加工不良率
を低減することができるため、磁気ヘッドによるコンタ
−効果の発生を低減させることができる。さらに、略Ｗ
字状の溝部に充填する充填材をガラスから非磁性セラミ
ックス材料に変更することで、従来のガラス中の気泡の
発生、ヘッド摺動面の鉛ガラスの剥離、欠損の問題を解
消することができ２巻線用窓に流入する非磁性セラミッ
クス材料も最大１〇−程度に少なくすることができるた
め、磁気ヘッドの製造工程数の短縮および製品歩留りの
向上をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の磁気ヘッド摺動面の構成の一例
を示す模式図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示した磁
気ヘッドの構造を示す斜視図。 第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｑ）、（ｄ）、Ｃｅ）は実施
例１において例示し゛た磁気ヘッドの製造工程を示す説
明図、第３図は実施例１において例示した磁気ヘッドの
製造工程における磁場中での熱処理を示す説明図、第４
図（ａ）、（ｂ）、（Ｑ）、（ｄ）は実施例４において
例示した薄膜型の磁気ヘッドの製造工程を示す説明図、
第５図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）。 （ｄ）、（ｅ）は従来の磁気ヘッドの製造工程を示す説
明図、第６図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は従来の磁気ヘッ
ドにおける欠陥の発生状況を示す説明図である。 １・・・基板　　　　　　　２・・・磁性薄膜３・・・
非磁性セラミックス層 ４・・・溝充填用ガラス　　５−・・薄膜コイル６・・
・作動ギャップ　　　７・・・作動ギャップ面８・・・
摺動面 ９・・・巻線用窓 １１・・・略Ｗ字状の溝 １２・・・凹部 １３・・・欠損部 １４・・・第１の磁気コア １５・・・第２の磁気コア

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁気記録媒体との対向面における断面形状が逆Ｖ字
   状に突出した突起部を有する一対の非磁性もしくは磁性
   基板の、上記突起部の両側面上に磁性薄膜を被着し、該
   突起部の先端部において作動ギャップを介して上記磁性
   薄膜が相対峙する構造の複合型磁気ヘッドにおいて、上
   記磁性薄膜と基板とが接する領域の一部もしくは全部お
   よび上記作動ギャップを介して相対峙する磁性薄膜の両
   側面部に非磁性セラミックス層を設けたことを特徴とす
   る磁気ヘッド。 ２、非磁性基板の表面に凹部を設け、該凹部に埋め込ん
   だ第１の磁気コアと、該第１の磁気コアの上部に作動ギ
   ャップとその端面部に設けた絶縁体層を介して薄膜コイ
   ルを形成し、さらにその上部に第２の磁気コアを積層し
   てなる薄膜型磁気ヘッドにおいて、上記第１の磁気コア
   が上記基板と接する領域の一部および上記作動ギャップ
   部の周囲に非磁性セラミックス層を設けたことを特徴と
   する磁気ヘッド。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載の磁気ヘッ
   ドにおいて、磁気ヘッドを構成する材料の熱膨張係数を
   、基板がα＿ｂ、磁性薄膜もしくは磁気コアがα＿ｆ、
   非磁性セラミックスがα＿ｃであるとするとき、α＿ｃ
   はα＿ｂよりも小さく、かつα＿ｃとα＿ｆはほぼ同じ
   となるように構成したことを特徴とする磁気ヘッド。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項もしくは第３項記載
   の磁気ヘッドにおいて、非磁性セラミックス層の材料が
   フォルステライト、ステアタイト、アルミナ、ジルコニ
   ア、マグネシアのうちより選択される少なくとも１種の
   セラミックスからなることを特徴とする磁気ヘッド。 ５、磁気記録媒体との対向面における断面形状が逆Ｖ字
   状に突出した突起部を有する一対の非磁性もしくは磁性
   基板の、上記突起部の両側面上に磁性薄膜を被着し、該
   突起部の先端部において作動ギャップを介して上記磁性
   膜が相対峙する構造の複合型磁気ヘッドの製造方法にお
   いて、上記基板の表面に非磁性セラミックス層を形成し
   た後、上記基板の表面を逆Ｖ字状の上記突起部を有する
   略Ｗ字状の溝を機械加工によって形成する工程と、上記
   略Ｗ字状の溝の表面部に物理蒸着法によって設定の磁性
   薄膜を形成する工程と、さらに上記磁性薄膜の上に上記
   非磁性セラミックス層を形成する工程と、上記非磁性セ
   ラミックス層を形成した略Ｗ字状の溝の上面の突起部を
   平面状に研磨して、上記突起部における磁性薄膜の幅が
   目的とするトラック幅になるまで研磨加工する工程と、
   上記の工程により加工した２個の基板のうちの一方に巻
   線用窓を加工して、上記一対の基板を対向させ作動ギャ
   ップを形成した後、これを接合して磁気ヘッドに加工す
   る工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法
   。 ６、非磁性基板の表面に凹部を設け、該凹部に埋め込ん
   だ第１の磁気コアと、該第１の磁気コアの上部に作動ギ
   ャップとその端面部に設けた絶縁体層を介して薄膜コイ
   ルを形成し、さらにその上部に第２の磁気コアを積層し
   てなる薄膜型磁気ヘッドの製造方法において、上記基板
   の表面に非磁性セラミックス層を形成した後、該基板の
   表面に凹部を形成して第１の磁気コアを埋め込む工程と
   、上記第１の磁気コアの上記基板と接する領域の一部に
   非磁性セラミックス層を充填する工程と、上記第１の磁
   気コアの上に作動ギャップとその端面部に設けた非磁性
   セラミックス層を介して薄膜コイルを形成する工程と、
   上記作動ギャップの上部に第２の磁気コアを積層した後
   、磁気ヘッドに加工する工程を有することを特徴とする
   薄膜型の磁気ヘッドの製造方法。 ７、特許請求の範囲第５項または第６項記載の磁気ヘッ
   ドの製造方法において、磁性薄膜の形成後もしくは第２
   の磁気コアの形成後に、磁束伝播方向に対してほぼ垂直
   、かつ基板面に対してほぼ平行に磁場を印加しながら、
   ４００℃以上、結晶化温度以下の温度で熱処理を行うこ
   とを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。