JPH02202088A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPH02202088A JPH02202088A JP2103189A JP2103189A JPH02202088A JP H02202088 A JPH02202088 A JP H02202088A JP 2103189 A JP2103189 A JP 2103189A JP 2103189 A JP2103189 A JP 2103189A JP H02202088 A JPH02202088 A JP H02202088A
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Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は混成集積回路に関し、特に上面に導体を形成す
る熱可塑性樹脂樹脂基板に改良を施したものである。
る熱可塑性樹脂樹脂基板に改良を施したものである。
（従来の技術）
従来、混成集積回路においては熱可塑性樹脂基板が多用
され、この樹脂基板上に導体が形成され、電子部品が搭
載されている。
され、この樹脂基板上に導体が形成され、電子部品が搭
載されている。
しかしながら、従来の混成集積回路によれば、樹脂基板
の伝導率が低いため、基板上に搭載した電子部品から発
生する熱の放熱性が悪いという問題点を有する。従って
、高熱を発生するようなパワーモジュールを絶縁基板上
に搭載することは不可能であった。
の伝導率が低いため、基板上に搭載した電子部品から発
生する熱の放熱性が悪いという問題点を有する。従って
、高熱を発生するようなパワーモジュールを絶縁基板上
に搭載することは不可能であった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、絶縁基板と
して熱可塑性樹脂と熱伝導度の高い絶縁性微粒子を混合
してなる絶縁基板を用いることにより、従来に比べて放
熱性を高めパワーモジュールなどの電子部品の実装を実
現しえる混成集積回路を提供することを目的とする。
して熱可塑性樹脂と熱伝導度の高い絶縁性微粒子を混合
してなる絶縁基板を用いることにより、従来に比べて放
熱性を高めパワーモジュールなどの電子部品の実装を実
現しえる混成集積回路を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、熱可塑性樹脂に熱伝導度の高い絶縁性微粒子
を混合してなる絶縁基板と、この絶縁基板上に形成され
た導体と、前記絶縁基板上に前記導体と接続するように
して搭載された電子部品とを具備することを特徴とする
混成集積回路である。
を混合してなる絶縁基板と、この絶縁基板上に形成され
た導体と、前記絶縁基板上に前記導体と接続するように
して搭載された電子部品とを具備することを特徴とする
混成集積回路である。
本発明に係る熱伝導度の高い絶縁性微粒子としては、例
えばアルミナＣＡＲ２０３） 、窒化アルミニウムＣＡ
ＲＮ） 、窒化ケイ素（ＳＩ Ｎ）等のセラミックの微
粒子が挙げられる。このセラミックと熱可塑性樹脂との
配合比率は、大体３０〜９０％位が良い。これは、配合
比率が３０％未満の場合熱伝導度の改善がみられず、配
合比率が９０％をえると成形が困難になるからである。
えばアルミナＣＡＲ２０３） 、窒化アルミニウムＣＡ
ＲＮ） 、窒化ケイ素（ＳＩ Ｎ）等のセラミックの微
粒子が挙げられる。このセラミックと熱可塑性樹脂との
配合比率は、大体３０〜９０％位が良い。これは、配合
比率が３０％未満の場合熱伝導度の改善がみられず、配
合比率が９０％をえると成形が困難になるからである。
また、セラミック微粒子の径は、大体０．１〜５μｍ位
が良い。こうした範囲にあれば細密な充填が可能となる
。
が良い。こうした範囲にあれば細密な充填が可能となる
。
（作用）
本発明においては、熱可塑性樹脂に熱伝導性の高い絶縁
性微粒子を混合してなる絶縁基板を用いることにより、
基板上に搭載した電子部品に発生した熱が基板中の熱伝
導性の高い微粒子を介して放熱され゛るため、前記基板
にパワーモジュールなどの温度の高い熱を発生しやすい
電子部品を実装することができる。
性微粒子を混合してなる絶縁基板を用いることにより、
基板上に搭載した電子部品に発生した熱が基板中の熱伝
導性の高い微粒子を介して放熱され゛るため、前記基板
にパワーモジュールなどの温度の高い熱を発生しやすい
電子部品を実装することができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
図中の１は、絶縁基板である。この絶縁基板１は、ポリ
カーボネート、ポリスルフォンナ等の熱可塑性樹脂２に
例えば熱伝導度の高いＡＮ ２０３ 。
カーボネート、ポリスルフォンナ等の熱可塑性樹脂２に
例えば熱伝導度の高いＡＮ ２０３ 。
ＡＩＮなどのセラミック微粒子等を混合して形成された
ものである。前記絶縁基板１上には、適宜金属板をパタ
ーン化して得られる導体４が形成されている。前記絶縁
基板１には、チップ５やコンデンサ部品６などの電子部
品が前記導体に接続して搭載されている。
ものである。前記絶縁基板１上には、適宜金属板をパタ
ーン化して得られる導体４が形成されている。前記絶縁
基板１には、チップ５やコンデンサ部品６などの電子部
品が前記導体に接続して搭載されている。
こうした構成の回路基板によれば、熱可塑性樹脂２に熱
伝導度の高いＡｐ２０３．Ａ、９Ｎなどのセラミック微
粒子３等を混合してなる絶縁基板１を用いることにより
、基板１上に搭載した電子部品に発生した熱が基板中の
熱伝導性のセラミック微粒子３を介して放熱されるため
、前記基板１にパワーモジュールなどの高熱を発生しや
すい電子部品を実装することができる。
伝導度の高いＡｐ２０３．Ａ、９Ｎなどのセラミック微
粒子３等を混合してなる絶縁基板１を用いることにより
、基板１上に搭載した電子部品に発生した熱が基板中の
熱伝導性のセラミック微粒子３を介して放熱されるため
、前記基板１にパワーモジュールなどの高熱を発生しや
すい電子部品を実装することができる。
なお、本発明に係る回路基板は第１図に示す構造のもの
に限らず、第２図に示す如く絶縁基板１の裏面に導体７
を設け、更に基板１に基板裏面の導体７と基板表面の導
体５とを接続するためのスルホール８を設けた構成の回
路基板でもよい。こうした構成をとれば、電子部品から
の放熱性を一層高めることができる。
に限らず、第２図に示す如く絶縁基板１の裏面に導体７
を設け、更に基板１に基板裏面の導体７と基板表面の導
体５とを接続するためのスルホール８を設けた構成の回
路基板でもよい。こうした構成をとれば、電子部品から
の放熱性を一層高めることができる。
また、上記実施例では熱伝導度の高いＡＮ２０３、Ａ、
１７Ｎなどのセラミック微粒子等を用いて絶縁基板を形
成した場合について述べたが、これに限定されない。更
に、セラミック微粒子の径は０．１〜５μｍ１熱可塑性
樹脂とセラミック微粒子との配合割合も３０〜９０％で
あれば良い。
１７Ｎなどのセラミック微粒子等を用いて絶縁基板を形
成した場合について述べたが、これに限定されない。更
に、セラミック微粒子の径は０．１〜５μｍ１熱可塑性
樹脂とセラミック微粒子との配合割合も３０〜９０％で
あれば良い。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、絶縁基板として熱可
塑性樹脂と熱伝導度の高い絶縁性微粒子を混合してなる
絶縁基板を用いることにより、従来に比べて放熱性を高
めパワーモジュールなどの電子部品の実装を実現しえる
混成集積回路を提供できる。
塑性樹脂と熱伝導度の高い絶縁性微粒子を混合してなる
絶縁基板を用いることにより、従来に比べて放熱性を高
めパワーモジュールなどの電子部品の実装を実現しえる
混成集積回路を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係る混成集積回路の断面図
、第２図は本発明の他の実施例に係る混成集積回路の断
面図である。 １・・・絶縁基板、２・・・熱可塑性樹脂、３・・・セ
ラミック微粒子、４．７・・・導体、５・・・チップ、
６・・・コンデンサ部品、８・・・スルホール。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
、第２図は本発明の他の実施例に係る混成集積回路の断
面図である。 １・・・絶縁基板、２・・・熱可塑性樹脂、３・・・セ
ラミック微粒子、４．７・・・導体、５・・・チップ、
６・・・コンデンサ部品、８・・・スルホール。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- 熱可塑性樹脂に熱伝導度の高い絶縁性微粒子を混合し
てなる絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された導体と
、前記絶縁基板上に前記導体と接続するようにして搭載
された電子部品とを具備することを特徴とする混成集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2103189A JPH02202088A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2103189A JPH02202088A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202088A true JPH02202088A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12043615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2103189A Pending JPH02202088A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202088A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10135591A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱伝導性基板および熱伝導性配線基板 |
| US6863962B2 (en) | 1996-10-09 | 2005-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sheet for a thermal conductive substrate, a method for manufacturing the same, a thermal conductive substrate using the sheet and a method for manufacturing the same |
| WO2016199638A1 (ja) * | 2015-06-10 | 2016-12-15 | 日東電工株式会社 | コイルモジュールおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP2103189A patent/JPH02202088A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6863962B2 (en) | 1996-10-09 | 2005-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sheet for a thermal conductive substrate, a method for manufacturing the same, a thermal conductive substrate using the sheet and a method for manufacturing the same |
| JPH10135591A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱伝導性基板および熱伝導性配線基板 |
| WO2016199638A1 (ja) * | 2015-06-10 | 2016-12-15 | 日東電工株式会社 | コイルモジュールおよびその製造方法 |
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