JPH02201957A - マスタースライス方式の半導体集積回路 - Google Patents
マスタースライス方式の半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH02201957A JPH02201957A JP2124789A JP2124789A JPH02201957A JP H02201957 A JPH02201957 A JP H02201957A JP 2124789 A JP2124789 A JP 2124789A JP 2124789 A JP2124789 A JP 2124789A JP H02201957 A JPH02201957 A JP H02201957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- basic cell
- operation speed
- circuit
- semiconductor chip
- gate channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスタースライス方式の半導体集積回路に関す
る。
る。
従来のマスタースライス方式の半導体集積回路は第3図
に示すように、全て同一のゲートチャネル幅を有する基
本セル列6のみと、基本セル列6の間に設けた配線チャ
、ネル5から構成されていた。
に示すように、全て同一のゲートチャネル幅を有する基
本セル列6のみと、基本セル列6の間に設けた配線チャ
、ネル5から構成されていた。
上述した従来のマスタースライス方式の半導体集積回路
は、全て同一のゲートチャネル幅のセルのみしかないた
め、回路中の一部で、動作速度は遅くてもセルの寸法が
小さいものが望ましいことがあっても標準のセルを使う
しがなく、チップの寸法を小さくすることが不可能であ
った。
は、全て同一のゲートチャネル幅のセルのみしかないた
め、回路中の一部で、動作速度は遅くてもセルの寸法が
小さいものが望ましいことがあっても標準のセルを使う
しがなく、チップの寸法を小さくすることが不可能であ
った。
本発明のマスタースライス方式の半導体集積回路は、ゲ
ートチャネル幅の異なる2種類以上の基本セル列と、前
記基本セル列間に設けた配線チャネルを有している。
ートチャネル幅の異なる2種類以上の基本セル列と、前
記基本セル列間に設けた配線チャネルを有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す半導体チップのレ
イアウト図である。
イアウト図である。
第1図に示すように、半導体チップ1は外周に入出力部
2と標準ゲートチャネル幅をもつN基本セル列3と狭い
ゲートチャネル幅をもつし基本セル列4及び前記セル間
に設けた接続配線用の基本セル列間の配線チャネル5と
から構成される。入出力部2には半導体チップ1と外部
との接続用に特別にセルの寸法の大きい入出力用回路を
設ける。半導体チップ1に搭載する論理回路は一般的に
動作速度の速いゲートを必要とする回路と、動作速度が
遅くてもさしつかえない回路とが混在している。そこで
、本実施例においては、動作速度の速いことを必要とす
る回路をN基本セル列3に割当て、遅くてもよい回路を
L基本セル列4に割当てる。
2と標準ゲートチャネル幅をもつN基本セル列3と狭い
ゲートチャネル幅をもつし基本セル列4及び前記セル間
に設けた接続配線用の基本セル列間の配線チャネル5と
から構成される。入出力部2には半導体チップ1と外部
との接続用に特別にセルの寸法の大きい入出力用回路を
設ける。半導体チップ1に搭載する論理回路は一般的に
動作速度の速いゲートを必要とする回路と、動作速度が
遅くてもさしつかえない回路とが混在している。そこで
、本実施例においては、動作速度の速いことを必要とす
る回路をN基本セル列3に割当て、遅くてもよい回路を
L基本セル列4に割当てる。
第2図は本発明の第2の実施例を示す半導体チップのレ
イアウト図である。
イアウト図である。
第2図に示すように、N基本セル列7は標準より広いゲ
ートチャネル幅をもっており、論理回路の中で特に高速
動作を必要とする回路に割当てる。N基本セル列3.L
基本セル列4については第一の実施例で述べたのと同様
である。
ートチャネル幅をもっており、論理回路の中で特に高速
動作を必要とする回路に割当てる。N基本セル列3.L
基本セル列4については第一の実施例で述べたのと同様
である。
なお、以上の実施例では各基本セル列は各列毎に同一の
セルを並べているが、−列の中に種類の異なる基本セル
を混在させること、例えば−列の半分がN基本セル列3
.半分がL基本セル列4のように形成しても良い。
セルを並べているが、−列の中に種類の異なる基本セル
を混在させること、例えば−列の半分がN基本セル列3
.半分がL基本セル列4のように形成しても良い。
以上説明したように本発明は、一つの半導体チップ内に
ゲートチャネル幅の異なる2種類以トの基本セル列を有
することにより、論理回路に対してより適した動作速度
のセルを割当てることができ、チップ面積の削減(ある
いは同一面積であればより多くの回路の搭載)を行なえ
る効果がある。
ゲートチャネル幅の異なる2種類以トの基本セル列を有
することにより、論理回路に対してより適した動作速度
のセルを割当てることができ、チップ面積の削減(ある
いは同一面積であればより多くの回路の搭載)を行なえ
る効果がある。
第1図及び第2図は本発明の第1及び第2の実施例を示
す半導体チップのレイアウト図、第3図は従来のマスタ
ースライス方式の半導体集積回路の一例を示す半導体チ
ップのレイアウト図である。 1・・・半導体チップ、2・・・入出力部、3・・・N
基本セル列、4・・・L基本セル列、5・・・配線チャ
ネル、6・・・基本セル列、7・・・N基本セル列。
す半導体チップのレイアウト図、第3図は従来のマスタ
ースライス方式の半導体集積回路の一例を示す半導体チ
ップのレイアウト図である。 1・・・半導体チップ、2・・・入出力部、3・・・N
基本セル列、4・・・L基本セル列、5・・・配線チャ
ネル、6・・・基本セル列、7・・・N基本セル列。
Claims (1)
- 複数の基本セル列を有するマスタースライス方式の半導
体集積回路において、ゲートチャネル幅の異なる少くと
も2種類の基本セル列と、前記基本セル列間の配線チャ
ネルとを有することを特徴とするマスタースライス方式
の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2124789A JPH02201957A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | マスタースライス方式の半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2124789A JPH02201957A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | マスタースライス方式の半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02201957A true JPH02201957A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12049728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2124789A Pending JPH02201957A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | マスタースライス方式の半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02201957A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513730A (ja) * | 1991-06-29 | 1993-01-22 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Cmosゲートアレイ方式半導体集積回路装置 |
JPH0582726A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6065546A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | Fujitsu Ltd | ゲ−トアレイ型集積回路 |
JPS61232633A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS62150844A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Ltd | 論理集積回路装置 |
JPS6358942A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP2124789A patent/JPH02201957A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6065546A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | Fujitsu Ltd | ゲ−トアレイ型集積回路 |
JPS61232633A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS62150844A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Ltd | 論理集積回路装置 |
JPS6358942A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513730A (ja) * | 1991-06-29 | 1993-01-22 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Cmosゲートアレイ方式半導体集積回路装置 |
JPH0582726A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
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