JPH02201957A - マスタースライス方式の半導体集積回路 - Google Patents

マスタースライス方式の半導体集積回路

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JPH02201957A
JPH02201957A JP2124789A JP2124789A JPH02201957A JP H02201957 A JPH02201957 A JP H02201957A JP 2124789 A JP2124789 A JP 2124789A JP 2124789 A JP2124789 A JP 2124789A JP H02201957 A JPH02201957 A JP H02201957A
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JP
Japan
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basic cell
operation speed
circuit
semiconductor chip
gate channel
Prior art date
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Pending
Application number
JP2124789A
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English (en)
Inventor
Shunji Matsuno
竣治 松野
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマスタースライス方式の半導体集積回路に関す
る。
〔従来の技術〕
従来のマスタースライス方式の半導体集積回路は第3図
に示すように、全て同一のゲートチャネル幅を有する基
本セル列6のみと、基本セル列6の間に設けた配線チャ
、ネル5から構成されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のマスタースライス方式の半導体集積回路
は、全て同一のゲートチャネル幅のセルのみしかないた
め、回路中の一部で、動作速度は遅くてもセルの寸法が
小さいものが望ましいことがあっても標準のセルを使う
しがなく、チップの寸法を小さくすることが不可能であ
った。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のマスタースライス方式の半導体集積回路は、ゲ
ートチャネル幅の異なる2種類以上の基本セル列と、前
記基本セル列間に設けた配線チャネルを有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す半導体チップのレ
イアウト図である。
第1図に示すように、半導体チップ1は外周に入出力部
2と標準ゲートチャネル幅をもつN基本セル列3と狭い
ゲートチャネル幅をもつし基本セル列4及び前記セル間
に設けた接続配線用の基本セル列間の配線チャネル5と
から構成される。入出力部2には半導体チップ1と外部
との接続用に特別にセルの寸法の大きい入出力用回路を
設ける。半導体チップ1に搭載する論理回路は一般的に
動作速度の速いゲートを必要とする回路と、動作速度が
遅くてもさしつかえない回路とが混在している。そこで
、本実施例においては、動作速度の速いことを必要とす
る回路をN基本セル列3に割当て、遅くてもよい回路を
L基本セル列4に割当てる。
第2図は本発明の第2の実施例を示す半導体チップのレ
イアウト図である。
第2図に示すように、N基本セル列7は標準より広いゲ
ートチャネル幅をもっており、論理回路の中で特に高速
動作を必要とする回路に割当てる。N基本セル列3.L
基本セル列4については第一の実施例で述べたのと同様
である。
なお、以上の実施例では各基本セル列は各列毎に同一の
セルを並べているが、−列の中に種類の異なる基本セル
を混在させること、例えば−列の半分がN基本セル列3
.半分がL基本セル列4のように形成しても良い。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、一つの半導体チップ内に
ゲートチャネル幅の異なる2種類以トの基本セル列を有
することにより、論理回路に対してより適した動作速度
のセルを割当てることができ、チップ面積の削減(ある
いは同一面積であればより多くの回路の搭載)を行なえ
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の第1及び第2の実施例を示
す半導体チップのレイアウト図、第3図は従来のマスタ
ースライス方式の半導体集積回路の一例を示す半導体チ
ップのレイアウト図である。 1・・・半導体チップ、2・・・入出力部、3・・・N
基本セル列、4・・・L基本セル列、5・・・配線チャ
ネル、6・・・基本セル列、7・・・N基本セル列。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数の基本セル列を有するマスタースライス方式の半導
    体集積回路において、ゲートチャネル幅の異なる少くと
    も2種類の基本セル列と、前記基本セル列間の配線チャ
    ネルとを有することを特徴とするマスタースライス方式
    の半導体集積回路。
JP2124789A 1989-01-30 1989-01-30 マスタースライス方式の半導体集積回路 Pending JPH02201957A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0513730A (ja) * 1991-06-29 1993-01-22 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Cmosゲートアレイ方式半導体集積回路装置
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