JPH02200793A - 錫・鉛合金メッキ方法 - Google Patents
錫・鉛合金メッキ方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
- C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
- C25D5/505—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment of electroplated tin coatings, e.g. by melting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/3473—Plating of solder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の目的)
この発明は金属母材に錫・鉛合金メッキを施す合金メッ
キ方法の改良に関するものである。
キ方法の改良に関するものである。
従来、錫・鉛合金メッキを金属母材に施す場合錫塩、鉛
塩および膜面改質用の添加剤を配合した合金メッキ浴を
使用するとともに、あらかじめ準備した錫・鉛合金を陽
極として電解し、母材面に合金を析出さ−せている。こ
の際の陽極である錫・鉛合金の組成割合はメッキ層につ
いζ求められている組成割合に等し7くするとともに、
前記した添加剤としζ、無光沢メッキ用には膠、ゼラチ
ン、ペプトン、レゾルシン等、光沢メッキ用としては分
散剤を加えたアミン・アルデヒド系物質をホルマリンと
ともに使用するのが通例である。
塩および膜面改質用の添加剤を配合した合金メッキ浴を
使用するとともに、あらかじめ準備した錫・鉛合金を陽
極として電解し、母材面に合金を析出さ−せている。こ
の際の陽極である錫・鉛合金の組成割合はメッキ層につ
いζ求められている組成割合に等し7くするとともに、
前記した添加剤としζ、無光沢メッキ用には膠、ゼラチ
ン、ペプトン、レゾルシン等、光沢メッキ用としては分
散剤を加えたアミン・アルデヒド系物質をホルマリンと
ともに使用するのが通例である。
しかしながら、前記した合金メッキ浴を使用するため、
母材に析出するメッキ層の金属組成はメッキ浴の温度、
電流密度および浴中の金属塩の組成により敏感かつ微妙
Gご変化するので、よほど完全な作業管理態勢をとらな
い限り所望な一定組成の合金メッキが得られない。また
、合金メッキにおいては、メッキ浴中の錫塩、鉛塩に含
まれる金属の割合とEJ的とする合金メッキ層において
所望される金属の組成割合とを違わせなければならず1
、また、特に光沢メッキを目的とする場合においては、
空気中の酸素により添加剤が酸化重合して沈澱しやすい
うえ、ホルマリンのような有毒物を使用するので、作業
管理には一層厳密な注意を払わねばならない、さらに、
合金メッキ加工においては合金の組成割合につきしばし
ば仕様変更があるのが通例なので、その仕様変更の都度
金属塩などの組成の異なるメッキ浴を新たに準備する必
要があり、それと同時に所望の組成割合をもつ合金陽極
を用意しなければならない、もし組成割合の異なる複数
種の合金メッキ加工が同時に要求されるときは、これに
対応する襟数のメッキ槽を用意する必要がある。一方、
光沢メッキのメッキ浴に配合すべき光沢剤はそれ自体非
常に高価であり、しかも消耗が激しいので、光沢メッキ
におけるメッキ浴の運転コストは特に大きい。
母材に析出するメッキ層の金属組成はメッキ浴の温度、
電流密度および浴中の金属塩の組成により敏感かつ微妙
Gご変化するので、よほど完全な作業管理態勢をとらな
い限り所望な一定組成の合金メッキが得られない。また
、合金メッキにおいては、メッキ浴中の錫塩、鉛塩に含
まれる金属の割合とEJ的とする合金メッキ層において
所望される金属の組成割合とを違わせなければならず1
、また、特に光沢メッキを目的とする場合においては、
空気中の酸素により添加剤が酸化重合して沈澱しやすい
うえ、ホルマリンのような有毒物を使用するので、作業
管理には一層厳密な注意を払わねばならない、さらに、
合金メッキ加工においては合金の組成割合につきしばし
ば仕様変更があるのが通例なので、その仕様変更の都度
金属塩などの組成の異なるメッキ浴を新たに準備する必
要があり、それと同時に所望の組成割合をもつ合金陽極
を用意しなければならない、もし組成割合の異なる複数
種の合金メッキ加工が同時に要求されるときは、これに
対応する襟数のメッキ槽を用意する必要がある。一方、
光沢メッキのメッキ浴に配合すべき光沢剤はそれ自体非
常に高価であり、しかも消耗が激しいので、光沢メッキ
におけるメッキ浴の運転コストは特に大きい。
に述したのは錫・鉛合金メッキにおける従来技術の欠点
である。従って、この発明はこれらの欠点の除去をはか
り、特に、錫・鉛合金メッキ加工の品質管理を容易化す
るとともにこのようなメッキ加工を低コスト化すること
がその究極目的である。この発明の他の具体的目的およ
び利点は以下に開示する事項から明らかになるであろう
。
である。従って、この発明はこれらの欠点の除去をはか
り、特に、錫・鉛合金メッキ加工の品質管理を容易化す
るとともにこのようなメッキ加工を低コスト化すること
がその究極目的である。この発明の他の具体的目的およ
び利点は以下に開示する事項から明らかになるであろう
。
(発明の構成)
この発明によれば、先ず母材1に対して錫メッキ層2と
鉛メッキ層3とが上Fに重なった重層メッキ層4を形成
する。ただし、この場合どちらのメッキ層を上層とし、
どちらのメッキ層を下層としても差し支えないが、この
重層メッキ層4を形成するのにあたっては、単独の錫メ
ッキ浴と単独の鉛メッキ浴のうちいずれか一方を先に、
他方を後に使用する。もっとも、前記下層のメッキ層を
構成する金属のメッキ浴を先に使用しなければならない
のは当然である。錫メッキ層2と鉛メッキ層3のそれぞ
れのメッキ看の割合、すなわち、そのメッキ層を構成す
る金属量の割合は、目的とする合金メッキについて所望
される合金比に一致するように施工する。そして、この
ようにして前記した重層メッキ層4が母材に形成されれ
ば、ついでこの重層メッキ層4を加熱して溶融させるこ
とにより、母材に錫・鉛合金からなる単一の合金メッキ
層5を形成させるのである。
鉛メッキ層3とが上Fに重なった重層メッキ層4を形成
する。ただし、この場合どちらのメッキ層を上層とし、
どちらのメッキ層を下層としても差し支えないが、この
重層メッキ層4を形成するのにあたっては、単独の錫メ
ッキ浴と単独の鉛メッキ浴のうちいずれか一方を先に、
他方を後に使用する。もっとも、前記下層のメッキ層を
構成する金属のメッキ浴を先に使用しなければならない
のは当然である。錫メッキ層2と鉛メッキ層3のそれぞ
れのメッキ看の割合、すなわち、そのメッキ層を構成す
る金属量の割合は、目的とする合金メッキについて所望
される合金比に一致するように施工する。そして、この
ようにして前記した重層メッキ層4が母材に形成されれ
ば、ついでこの重層メッキ層4を加熱して溶融させるこ
とにより、母材に錫・鉛合金からなる単一の合金メッキ
層5を形成させるのである。
この発明方法は上記した通りであるが、以下実施例を記
載する。ただし、これらの実施例において使用したメッ
キ浴の組成および運転条件はっぎの通りである。
載する。ただし、これらの実施例において使用したメッ
キ浴の組成および運転条件はっぎの通りである。
錫メッキ浴
硼弗化第1錫 200 g / I!硼弗酸
100 # 硼酸 30 − ゼラチン 5 “ βナフトール 1 # 液温 50°C 電流密度 10A/dn(鉛メッキ浴 硼弗化鉛 300’g/ffi硼弗酸
、10 # 硼酸 30 − ペプトン 3 # 液温 30゛C 電流密度 8A/dボ (実施例1) 合金組成Sn : Pb=6 : 4.W4厚3μの合
金メッキを施工する。脱脂酸洗いした0、 2 m厚の
鋼板を母材とし、まず純鉛を陽極として前掲鉛メッキ浴
を運転するや運転13秒後において母材の面に厚さ0.
9μの鉛メッキ層が形成される。ついで鉛メッキの完了
した母材を前記した錫メッキ浴に入れ、純錫を陽極と1
2で27.5秒間運転すれば、鉛メッキ層のト、に厚さ
2.1μの錫メッキ層が形成される。そごで、このよう
にして形成された錫、鉛の重層メッキ層をもつ母材を電
気炉に入れ350゛Cで10秒間加熱すれば下層の鉛メ
ッキ層および上層の錫メッキ層が融合して合金化j7、
冷却すれば母材上に厚さ3μの単一メッキ層が形成され
ている。このメッキ層を分析すればその組成比はSn+
Pb、=6:4、ずなわら廿通の半E11合金で、表面
は光沢を有している。
100 # 硼酸 30 − ゼラチン 5 “ βナフトール 1 # 液温 50°C 電流密度 10A/dn(鉛メッキ浴 硼弗化鉛 300’g/ffi硼弗酸
、10 # 硼酸 30 − ペプトン 3 # 液温 30゛C 電流密度 8A/dボ (実施例1) 合金組成Sn : Pb=6 : 4.W4厚3μの合
金メッキを施工する。脱脂酸洗いした0、 2 m厚の
鋼板を母材とし、まず純鉛を陽極として前掲鉛メッキ浴
を運転するや運転13秒後において母材の面に厚さ0.
9μの鉛メッキ層が形成される。ついで鉛メッキの完了
した母材を前記した錫メッキ浴に入れ、純錫を陽極と1
2で27.5秒間運転すれば、鉛メッキ層のト、に厚さ
2.1μの錫メッキ層が形成される。そごで、このよう
にして形成された錫、鉛の重層メッキ層をもつ母材を電
気炉に入れ350゛Cで10秒間加熱すれば下層の鉛メ
ッキ層および上層の錫メッキ層が融合して合金化j7、
冷却すれば母材上に厚さ3μの単一メッキ層が形成され
ている。このメッキ層を分析すればその組成比はSn+
Pb、=6:4、ずなわら廿通の半E11合金で、表面
は光沢を有している。
(実施例2)
合金組成Sr+ : Pb=9 = 1.、層厚3μの
合金メッキを施]二する。実施例1と同様に前処理した
0、 2−厚の銅板を母材とし、まず純錫を陽極として
前掲錫メッキ浴を運転する。36.5秒後において母材
の面に厚さ2.8μの錫メッキ層が形成されるので、錫
メッキの完了した母材をつぎに前記した鉛メッキ浴に入
れ、純鉛を陽極として3秒間運転ずれば、錫メッキ層の
上に厚さ0.2μの鉛メッキ層が形成される。つぎに、
このようにして形成された重層メッキ層をもつ母材を実
施例1と同様に熱処理し、冷却すれば、実施例1と同様
に厚さ3μの単一メッキ層が形成されCいる。このメッ
キ層を分析すればその組成比はSn : Pb=9 =
1で、特に電子回路半田付は用に好適である0表面は実
施例Iの場合と同様光沢をもっている。
合金メッキを施]二する。実施例1と同様に前処理した
0、 2−厚の銅板を母材とし、まず純錫を陽極として
前掲錫メッキ浴を運転する。36.5秒後において母材
の面に厚さ2.8μの錫メッキ層が形成されるので、錫
メッキの完了した母材をつぎに前記した鉛メッキ浴に入
れ、純鉛を陽極として3秒間運転ずれば、錫メッキ層の
上に厚さ0.2μの鉛メッキ層が形成される。つぎに、
このようにして形成された重層メッキ層をもつ母材を実
施例1と同様に熱処理し、冷却すれば、実施例1と同様
に厚さ3μの単一メッキ層が形成されCいる。このメッ
キ層を分析すればその組成比はSn : Pb=9 =
1で、特に電子回路半田付は用に好適である0表面は実
施例Iの場合と同様光沢をもっている。
なお、F掲の実施例1では重層メッキ層において鉛メッ
キ層が下層、錫メッキ層が上層となっており、実施例2
では錫メッキ層を下層、鉛メッキ層を上層としているが
、前掲した組成の錫メッキ浴および鉛メッキ浴を使用す
るのであれば、各実施例においてこれらのメッキ層の上
下関係が転倒するようにメッキ層を形成し°ζも、前掲
実施例と全く同様な結果を得ることができる。
キ層が下層、錫メッキ層が上層となっており、実施例2
では錫メッキ層を下層、鉛メッキ層を上層としているが
、前掲した組成の錫メッキ浴および鉛メッキ浴を使用す
るのであれば、各実施例においてこれらのメッキ層の上
下関係が転倒するようにメッキ層を形成し°ζも、前掲
実施例と全く同様な結果を得ることができる。
この発明によれば、錫メッキ浴および鉛メッキ浴として
は+ti掲した組成のものに限らず、公知のものを使用
できるが、−に層のメッキ層形成用メッキ浴の選定につ
いては、そのメッキ浴の成分が既に形成されている下層
メンキ層の金属と反応することにより、下層金属と上層
金属の融合一体化を妨げる物質が生成しないように配慮
すべきである。
は+ti掲した組成のものに限らず、公知のものを使用
できるが、−に層のメッキ層形成用メッキ浴の選定につ
いては、そのメッキ浴の成分が既に形成されている下層
メンキ層の金属と反応することにより、下層金属と上層
金属の融合一体化を妨げる物質が生成しないように配慮
すべきである。
すなわち、つぎの錫メッキ浴
硫酸第1錫 55g/p。
硫酸 100 〃
クレゾールスルホン酸ioo #
ベーターナフトール 1
ゼラチン 2 #
は、F層に錫メッキ層、上層に鉛メッキ層を形成Vる前
掲実施例2につい”ξは、実施例2に記載されている錫
メッキ浴に代替できるけれども、鉛メッキ層を下層、錫
メッキ層を上層に形成する前掲実施例1の場合は、ヒ掲
の硫酸塩を成分とする錫メッキ浴を採用すべきではない
。鉛メッキ層が形成されている母材を、硫酸塩を使用す
る錫メッキ浴中で処理すれば、鉛メッキ層りに硫酸鉛の
薄膜が形成され、このものが後の工程における錫と鉛の
融合を妨げるからである。
掲実施例2につい”ξは、実施例2に記載されている錫
メッキ浴に代替できるけれども、鉛メッキ層を下層、錫
メッキ層を上層に形成する前掲実施例1の場合は、ヒ掲
の硫酸塩を成分とする錫メッキ浴を採用すべきではない
。鉛メッキ層が形成されている母材を、硫酸塩を使用す
る錫メッキ浴中で処理すれば、鉛メッキ層りに硫酸鉛の
薄膜が形成され、このものが後の工程における錫と鉛の
融合を妨げるからである。
すなわち、錫・鉛合金メッキを形成する従来技術によれ
ば、母材に形成されたメッキ金属の組成割合は合金メッ
キ浴の組成、電解条件等多数の因子により左右されるの
で、作業管理を著しく厳重にしても所定割合の合金組成
を得ることに困難が伴ったのに対し、この発明方法によ
れば、メッキ合金の組成は錫と鉛の重層メッキにおける
各単一層の厚みだけで決定されるので、作業管理が非常
に簡単であり、しかも正確な組成割合の錫・鉛合金メッ
キを得ることができる。
ば、母材に形成されたメッキ金属の組成割合は合金メッ
キ浴の組成、電解条件等多数の因子により左右されるの
で、作業管理を著しく厳重にしても所定割合の合金組成
を得ることに困難が伴ったのに対し、この発明方法によ
れば、メッキ合金の組成は錫と鉛の重層メッキにおける
各単一層の厚みだけで決定されるので、作業管理が非常
に簡単であり、しかも正確な組成割合の錫・鉛合金メッ
キを得ることができる。
また、従来技術によれば、メッキ合金の組成割合の仕様
変更に対してはメッキ浴を調製し直し、陽極の合金もそ
れに合ねゼで新たに準備する必要があったのに対し、こ
の発明方法によれば、錫メッキと鉛メッキの電解条件を
変更するだけで、きわめて簡単に対処できるし、また錫
メッキ浴と鉛メッキ浴からなる一対のメッキ浴のみで、
異なる仕様の多種類のメッキ加工を平行して行うことも
可能である。
変更に対してはメッキ浴を調製し直し、陽極の合金もそ
れに合ねゼで新たに準備する必要があったのに対し、こ
の発明方法によれば、錫メッキと鉛メッキの電解条件を
変更するだけで、きわめて簡単に対処できるし、また錫
メッキ浴と鉛メッキ浴からなる一対のメッキ浴のみで、
異なる仕様の多種類のメッキ加工を平行して行うことも
可能である。
さらに、錫・鉛合金メッキについては光沢メッキの要求
が多く、その場合、従来技術によれば高価かつ消耗性の
激しい光沢剤とホルマリン等の有毒物を併用する必要が
あり、著しくコスト高となったのに対し、この発明方法
によれば、このような光沢剤等の配合は不用であり、従
って、低コストにおいてつねに光沢メッキが得られる。
が多く、その場合、従来技術によれば高価かつ消耗性の
激しい光沢剤とホルマリン等の有毒物を併用する必要が
あり、著しくコスト高となったのに対し、この発明方法
によれば、このような光沢剤等の配合は不用であり、従
って、低コストにおいてつねに光沢メッキが得られる。
のみならず電子回路等のハンダ付は工程においては、メ
ッキ層のオーバーハングの除去等のためメッキ層を加熱
溶融しているが、この発明方法によるメンキ層は既に溶
融り程を経ているため、その必要がない。
ッキ層のオーバーハングの除去等のためメッキ層を加熱
溶融しているが、この発明方法によるメンキ層は既に溶
融り程を経ているため、その必要がない。
(発明の効果)
かくして、この発明方法によれば簡単な作業管理により
、正確な組成割合の錫・鉛合金メッキの施工が可能であ
るとともに、組成割合の変更に対してもきわめて容易に
対処できるし、また異なる仕様の多種のメッキ加工を平
行して行うこともできる。のみならず、この発明方法に
より施工されたメッキはiAJ王程を経た光沢メッキで
あるから、電r回路等のハンダ付は作業において再熔融
を行う必要がなく、しかも光沢メッキ剤の使用は不要で
ある。従っC1この発明方法は錫・鉛合金メッキの技術
進歩およびコスト引き下げに対し°ζ寄与するところが
多大である。
、正確な組成割合の錫・鉛合金メッキの施工が可能であ
るとともに、組成割合の変更に対してもきわめて容易に
対処できるし、また異なる仕様の多種のメッキ加工を平
行して行うこともできる。のみならず、この発明方法に
より施工されたメッキはiAJ王程を経た光沢メッキで
あるから、電r回路等のハンダ付は作業において再熔融
を行う必要がなく、しかも光沢メッキ剤の使用は不要で
ある。従っC1この発明方法は錫・鉛合金メッキの技術
進歩およびコスト引き下げに対し°ζ寄与するところが
多大である。
第1図はこの発明方法の実施例Iにおいて重層メッキを
施した状態の母材の要部縦断面図、第2図は同し〈実施
例2における同様な要部縦断面図、第3図は重層メッキ
層の加熱熔融を終了した母材の要部縦断面図Cある。 1は母材、2は鉛メッキ層、3は錫メッキ層、4は重層
メッキ層、5は合金メッキ層である。
施した状態の母材の要部縦断面図、第2図は同し〈実施
例2における同様な要部縦断面図、第3図は重層メッキ
層の加熱熔融を終了した母材の要部縦断面図Cある。 1は母材、2は鉛メッキ層、3は錫メッキ層、4は重層
メッキ層、5は合金メッキ層である。
Claims (1)
- 錫メッキ浴と鉛メッキ浴とを各単独にかつ先後の関係に
おいて使用し、いずれか一方が上層であり他方が下層で
ある錫メッキ層と鉛メッキ層との重層メッキ層を母材に
形成させ、前記錫メッキ層と鉛メッキ層の各メッキ量間
の比率を、目的とする錫・鉛合金のメッキにつき所望さ
れる合金組成比に一致させ、ついで前記重層メッキ層を
加熱融合させることにより母材に錫・鉛合金からなる単
一の合金メッキ層を形成させるさことを特徴とする錫・
鉛合金メッキ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1997489A JPH02200793A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 錫・鉛合金メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1997489A JPH02200793A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 錫・鉛合金メッキ方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02200793A true JPH02200793A (ja) | 1990-08-09 |
Family
ID=12014165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1997489A Pending JPH02200793A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 錫・鉛合金メッキ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02200793A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5856759A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-04 | Seiko Instr & Electronics Ltd | トランスフア−マシン |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1997489A patent/JPH02200793A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5856759A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-04 | Seiko Instr & Electronics Ltd | トランスフア−マシン |
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