JPH07305193A - 多層メッキ鋼板の製造方法、並びに多層メッキ鋼板を用いた熱拡散型合金メッキ鋼板の製造方法 - Google Patents
多層メッキ鋼板の製造方法、並びに多層メッキ鋼板を用いた熱拡散型合金メッキ鋼板の製造方法Info
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- JPH07305193A JPH07305193A JP9441194A JP9441194A JPH07305193A JP H07305193 A JPH07305193 A JP H07305193A JP 9441194 A JP9441194 A JP 9441194A JP 9441194 A JP9441194 A JP 9441194A JP H07305193 A JPH07305193 A JP H07305193A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気ブリキラインで、外観均一性に優れた多
層メッキ鋼板を製造する方法、並びにこの多層メッキ鋼
板を用いた熱拡散型合金メッキ鋼板の製造方法を提供す
る。 【構成】 不溶性陽極を用いた電気ブリキラインではメ
ッキ浴のみの変更で容易に多層メッキが可能である。フ
ェロスタン浴によるＳｎメッキの上に、種類の異なる金
属を重ねて連続メッキする場合に、問題となるのがメッ
キ液の混入である。特に、フェロスタン浴には光沢剤と
して有機物が含まれており、この有機物は水洗タンクを
経由して上層のメッキ浴に混入し、微量でもメッキ不良
を引き起す。本発明では、上層メッキ浴をフェロスタン
Ｓｎメッキ浴と同系統のフェノールスルフォン酸ベース
とし、更に光沢剤を添加したメッキ浴とすることによ
り、連続電気ブリキラインでのメッキ液混入の問題を解
決する。
層メッキ鋼板を製造する方法、並びにこの多層メッキ鋼
板を用いた熱拡散型合金メッキ鋼板の製造方法を提供す
る。 【構成】 不溶性陽極を用いた電気ブリキラインではメ
ッキ浴のみの変更で容易に多層メッキが可能である。フ
ェロスタン浴によるＳｎメッキの上に、種類の異なる金
属を重ねて連続メッキする場合に、問題となるのがメッ
キ液の混入である。特に、フェロスタン浴には光沢剤と
して有機物が含まれており、この有機物は水洗タンクを
経由して上層のメッキ浴に混入し、微量でもメッキ不良
を引き起す。本発明では、上層メッキ浴をフェロスタン
Ｓｎメッキ浴と同系統のフェノールスルフォン酸ベース
とし、更に光沢剤を添加したメッキ浴とすることによ
り、連続電気ブリキラインでのメッキ液混入の問題を解
決する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は不溶性陽極を使用した連
続電気ブリキラインにおいてＳｎを主体とする多層ある
いは熱拡散型合金メッキ鋼板の製造方法に関するもので
ある。
続電気ブリキラインにおいてＳｎを主体とする多層ある
いは熱拡散型合金メッキ鋼板の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】電気ブリキラインはＰＳＡ（フェノール
スルフォン酸）を主体とするフェロスタンラインと塩化
物を主体とするハロゲンラインに大別される。近年で
は、更に高生産性の不溶性陽極を使用するフェロスタン
ラインが稼働しており、また、排水公害の少ないＭＳＡ
（メタンスルフォン酸）あるいはＡＳＡ（アルカノール
スルフォン酸）浴を用いるメッキ方法も新たに開発され
ている。
スルフォン酸）を主体とするフェロスタンラインと塩化
物を主体とするハロゲンラインに大別される。近年で
は、更に高生産性の不溶性陽極を使用するフェロスタン
ラインが稼働しており、また、排水公害の少ないＭＳＡ
（メタンスルフォン酸）あるいはＡＳＡ（アルカノール
スルフォン酸）浴を用いるメッキ方法も新たに開発され
ている。
【０００３】このように不溶性陽極を用いることによ
り、陽極交換の煩雑さを解消するだけでなく、メッキ金
属の種類をメッキ浴のみで変更することが容易となり、
多層メッキ化が可能となる。
り、陽極交換の煩雑さを解消するだけでなく、メッキ金
属の種類をメッキ浴のみで変更することが容易となり、
多層メッキ化が可能となる。
【０００４】Ｓｎの上にＺｎメッキを行なって多層メッ
キとしたもの、更には、熱処理によって合金化させた表
面処理鋼板としては特公昭５３−４７２１６があり、下
層にＺｎメッキを施しＺｎ／Ｓｎ／Ｚｎ３層メッキする
ものとして特公昭５５−１２１９２がある。また、特開
昭６３−２６６０８９、特開昭６３−２９０２９２、特
開平２−２７０９７０、特開平３−１８３７９６、特開
平３−２９１３８６ではＮｉ／Ｓｎ／Ｚｎの多層メッキ
後、リフロー熱拡散処理によってＺｎ−Ｓｎ−Ｎｉ合金
メッキ皮膜を形成させた電子部品用表面処理鋼板が開発
されている。更に、Ｓｎの上にＮｉメッキを施したもの
として、特公昭６３−１８６７６がある。
キとしたもの、更には、熱処理によって合金化させた表
面処理鋼板としては特公昭５３−４７２１６があり、下
層にＺｎメッキを施しＺｎ／Ｓｎ／Ｚｎ３層メッキする
ものとして特公昭５５−１２１９２がある。また、特開
昭６３−２６６０８９、特開昭６３−２９０２９２、特
開平２−２７０９７０、特開平３−１８３７９６、特開
平３−２９１３８６ではＮｉ／Ｓｎ／Ｚｎの多層メッキ
後、リフロー熱拡散処理によってＺｎ−Ｓｎ−Ｎｉ合金
メッキ皮膜を形成させた電子部品用表面処理鋼板が開発
されている。更に、Ｓｎの上にＮｉメッキを施したもの
として、特公昭６３−１８６７６がある。
【０００５】これらの出願には製造方法の限定はなされ
ておらず、実施例からは一般の電気ブリキラインを想定
した製造方法が記述されており、Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉの各
メッキ浴は、ＺｎとＮｉメッキ浴が硫酸浴、Ｓｎがフェ
ロスタン浴並びに塩化物浴を用いる方法である。
ておらず、実施例からは一般の電気ブリキラインを想定
した製造方法が記述されており、Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉの各
メッキ浴は、ＺｎとＮｉメッキ浴が硫酸浴、Ｓｎがフェ
ロスタン浴並びに塩化物浴を用いる方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般に、連続電気メッ
キラインにおいて異なる金属種を多層メッキする場合に
問題となるのがメッキ浴の混入である。通常では、１つ
のメッキが終了すれば、水洗工程を設けてメッキ浴を洗
浄しなければならないが、長時間の製造では水洗タンク
も汚染され、水洗タンクを介して次工程のメッキ浴を汚
染し、メッキ不良を引き起こす。特に、フェロスタンＳ
ｎメッキ浴にはメッキ光沢剤としてＥＮ及び又はＥＮＳ
Ａが添加されており、このような有機物は水洗され難い
ためＳｎメッキ後のメッキ表面に残留あるいは再付着し
て次工程の上層メッキの均一性を阻害したり、メッキ不
良や外観ムラの原因となる。
キラインにおいて異なる金属種を多層メッキする場合に
問題となるのがメッキ浴の混入である。通常では、１つ
のメッキが終了すれば、水洗工程を設けてメッキ浴を洗
浄しなければならないが、長時間の製造では水洗タンク
も汚染され、水洗タンクを介して次工程のメッキ浴を汚
染し、メッキ不良を引き起こす。特に、フェロスタンＳ
ｎメッキ浴にはメッキ光沢剤としてＥＮ及び又はＥＮＳ
Ａが添加されており、このような有機物は水洗され難い
ためＳｎメッキ後のメッキ表面に残留あるいは再付着し
て次工程の上層メッキの均一性を阻害したり、メッキ不
良や外観ムラの原因となる。
【０００７】特開平４−６３２９４では、このような弊
害を解消するために上層Ｚｎメッキ浴中の有機物濃度を
１００ｐｐｍ以下に制御する装置が提案されている。
害を解消するために上層Ｚｎメッキ浴中の有機物濃度を
１００ｐｐｍ以下に制御する装置が提案されている。
【０００８】また、電気ブリキラインでは光沢外観を得
るために、リフロー加熱処理の直前にフェロスタンＳｎ
メッキ浴を希釈したフラックス液を塗布する方法が一般
的に使用されている。多層メッキの場合、特に、電子部
品用途では外観光沢が問題となるものがあり、リフロー
前のフラックス処理が必須となる。しかしながら、従来
の硫酸浴ベースのＺｎメッキを最上層とする場合はフラ
ックス液にＺｎメッキ浴の硫酸が混入する可能性があ
り、フラックス液の浴組成の管理が必須となる。本発明
はこのようなフェロスタンＳｎメッキ浴のような光沢剤
を含んだ酸性Ｓｎメッキ浴を用いて電気Ｓｎメッキを行
った後に、更に、連続的に他のメッキを重ねる場合にお
いて、メッキ浴の混入によるメッキ不良や煩雑な管理体
制の問題を解決するものである。
るために、リフロー加熱処理の直前にフェロスタンＳｎ
メッキ浴を希釈したフラックス液を塗布する方法が一般
的に使用されている。多層メッキの場合、特に、電子部
品用途では外観光沢が問題となるものがあり、リフロー
前のフラックス処理が必須となる。しかしながら、従来
の硫酸浴ベースのＺｎメッキを最上層とする場合はフラ
ックス液にＺｎメッキ浴の硫酸が混入する可能性があ
り、フラックス液の浴組成の管理が必須となる。本発明
はこのようなフェロスタンＳｎメッキ浴のような光沢剤
を含んだ酸性Ｓｎメッキ浴を用いて電気Ｓｎメッキを行
った後に、更に、連続的に他のメッキを重ねる場合にお
いて、メッキ浴の混入によるメッキ不良や煩雑な管理体
制の問題を解決するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】以下、本発明について詳
細に述べる。本発明は不溶性陽極を使用する電気ブリキ
（フェロスタン等の酸性Ｓｎメッキ浴を用いたもの）ラ
インにおいて、Ｓｎメッキの上にＳｎとは異なる金属を
多層メッキする場合、上層の異種金属のメッキ浴をＳｎ
メッキと同一の酸成分と光沢剤をベースとすることに特
徴があり、また、多層メッキ後、熱処理によって合金化
させるものの中で、光沢外観が必要なものについては、
更に下層Ｓｎメッキ浴と同一の酸成分単独或は上記酸成
分と光沢剤から成るフラックス液を使用することに特徴
がある。
細に述べる。本発明は不溶性陽極を使用する電気ブリキ
（フェロスタン等の酸性Ｓｎメッキ浴を用いたもの）ラ
インにおいて、Ｓｎメッキの上にＳｎとは異なる金属を
多層メッキする場合、上層の異種金属のメッキ浴をＳｎ
メッキと同一の酸成分と光沢剤をベースとすることに特
徴があり、また、多層メッキ後、熱処理によって合金化
させるものの中で、光沢外観が必要なものについては、
更に下層Ｓｎメッキ浴と同一の酸成分単独或は上記酸成
分と光沢剤から成るフラックス液を使用することに特徴
がある。
【００１０】Ｓｎメッキの上に異種金属を多層メッキす
るものについては、特公昭５３−４７２１６、特公昭６
３−１８６７６、特開昭６３−２６６０８９、特開昭６
３−２９０２９２、特開平２−２７０９７０、特開平３
−１８３７９６、特開平３−２９１３８６等があるが、
製造方法については、特許請求の中には何も記載されて
おらず、本文中並びに実施例から、現行のフェロスタン
電気ブリキラインまたはハロゲンラインを用いて、Ｎｉ
メッキについては硫酸浴もしくはワット浴、Ｓｎメッキ
はフェロスタン浴、Ｚｎメッキは硫酸浴を用いて製造す
る一般的な方法が記述されている。
るものについては、特公昭５３−４７２１６、特公昭６
３−１８６７６、特開昭６３−２６６０８９、特開昭６
３−２９０２９２、特開平２−２７０９７０、特開平３
−１８３７９６、特開平３−２９１３８６等があるが、
製造方法については、特許請求の中には何も記載されて
おらず、本文中並びに実施例から、現行のフェロスタン
電気ブリキラインまたはハロゲンラインを用いて、Ｎｉ
メッキについては硫酸浴もしくはワット浴、Ｓｎメッキ
はフェロスタン浴、Ｚｎメッキは硫酸浴を用いて製造す
る一般的な方法が記述されている。
【００１１】このように連続電気メッキラインで異なる
金属を多層メッキする際に問題となるのがメッキ浴の混
入であり、特に、例えばフェロスタンタイプのＳｎメッ
キ浴を使用し、その上層のメッキに硫酸浴を用いる場合
には、Ｓｎメッキ後に水洗タンクを設けたとしても、長
時間の製造では水洗タンクにＳｎメッキ浴の主成分であ
るＰＳＡと光沢剤であるＥＮ及び又はＥＮＳＡが混入
し、これが更に、次工程の上層のメッキ浴にも混入して
行く。
金属を多層メッキする際に問題となるのがメッキ浴の混
入であり、特に、例えばフェロスタンタイプのＳｎメッ
キ浴を使用し、その上層のメッキに硫酸浴を用いる場合
には、Ｓｎメッキ後に水洗タンクを設けたとしても、長
時間の製造では水洗タンクにＳｎメッキ浴の主成分であ
るＰＳＡと光沢剤であるＥＮ及び又はＥＮＳＡが混入
し、これが更に、次工程の上層のメッキ浴にも混入して
行く。
【００１２】その結果、上層メッキ浴へのＳｎメッキ浴
成分の混入によって上層のメッキ不良が発生したとえ、
水洗を行ったとしてもＳｎメッキ層上に残留するＰＳＡ
及びＥＮ及び又はＥＮＳＡによって上層メッキに外観ム
ラを生じる。また、特に電子部品用途のＺｎ−Ｓｎ−Ｎ
ｉ熱拡散型表面処理鋼板では、光沢外観が問題となる場
合があり、その場合には、光沢並びにＺｎの拡散が阻害
され、光沢不良が発生する。
成分の混入によって上層のメッキ不良が発生したとえ、
水洗を行ったとしてもＳｎメッキ層上に残留するＰＳＡ
及びＥＮ及び又はＥＮＳＡによって上層メッキに外観ム
ラを生じる。また、特に電子部品用途のＺｎ−Ｓｎ−Ｎ
ｉ熱拡散型表面処理鋼板では、光沢外観が問題となる場
合があり、その場合には、光沢並びにＺｎの拡散が阻害
され、光沢不良が発生する。
【００１３】本発明は先ず上層メッキのムラ防止と上層
メッキ浴の汚染管理を緩和するため、上層メッキ浴を一
般的な硫酸浴ではなく、Ｓｎメッキ浴と同一の酸成分と
光沢剤で構成することによって相互のメッキ浴の混入の
問題を解決した。更に、光沢外観が要求される熱拡散型
のＺｎ−Ｓｎ−Ｎｉ合金メッキ鋼板に対しては、リフロ
ー加熱拡散処理前にＳｎメッキ浴と同一の酸成分或は上
記酸成分と光沢剤を含む水溶液に浸漬させることによっ
て、Ｚｎメッキの表層酸化皮膜の形成を抑制し、光沢外
観と良好なＺｎの拡散状態をもたらすものである。
メッキ浴の汚染管理を緩和するため、上層メッキ浴を一
般的な硫酸浴ではなく、Ｓｎメッキ浴と同一の酸成分と
光沢剤で構成することによって相互のメッキ浴の混入の
問題を解決した。更に、光沢外観が要求される熱拡散型
のＺｎ−Ｓｎ−Ｎｉ合金メッキ鋼板に対しては、リフロ
ー加熱拡散処理前にＳｎメッキ浴と同一の酸成分或は上
記酸成分と光沢剤を含む水溶液に浸漬させることによっ
て、Ｚｎメッキの表層酸化皮膜の形成を抑制し、光沢外
観と良好なＺｎの拡散状態をもたらすものである。
【００１４】以下、本発明の請求範囲に述べた限定範囲
について説明する。
について説明する。
【００１５】メッキ浴については、Ｓｎメッキ浴は鋼板
の連続メッキに用いられるフェロスタン浴、ＭＳＡ浴、
ＡＳＡ浴等の酸性Ｓｎメッキ浴に限定する。これは、他
にハロゲンＳｎメッキ浴もあるが、不溶性陽極を用いる
ことが不可能であるため、電気ブリキラインにおいて多
層メッキを行うためにメッキ金属を変更する場合にはメ
ッキ浴の交換だけで容易に切り替えることが不可能とな
るため、実用性に乏しい理由がある。
の連続メッキに用いられるフェロスタン浴、ＭＳＡ浴、
ＡＳＡ浴等の酸性Ｓｎメッキ浴に限定する。これは、他
にハロゲンＳｎメッキ浴もあるが、不溶性陽極を用いる
ことが不可能であるため、電気ブリキラインにおいて多
層メッキを行うためにメッキ金属を変更する場合にはメ
ッキ浴の交換だけで容易に切り替えることが不可能とな
るため、実用性に乏しい理由がある。
【００１６】Ｓｎの上層メッキのメッキ浴が本発明のポ
イントであり、一般的には硫酸浴が用いられるが、多層
メッキとして例えばフェロスタン浴を用いたＳｎメッキ
の上に他種の上層メッキを連続的に行う場合には、２種
類のメッキ工程の間に水洗を設けたとしても、Ｓｎメッ
キ浴のＳｎイオンとＰＳＡ及び光沢剤のＥＮ及び又はＥ
ＮＳＡが水洗タンクを経由して上層メッキ浴中に混入し
特にＥＮ及び又はＥＮＳＡは数ＰＰＭの極微量の混入で
上層メッキの不良を引き起こす。また、水洗について
も、上層メッキ前にＳｎメッキ表面に付着したＳｎメッ
キ浴を均一に完全洗浄することは困難であり、特に、Ｅ
Ｎ及び又はＥＮＳＡの完全除去は不可能であり、Ｓｎメ
ッキ表面に微量ではあるが残留し、これが上層メッキに
外観ムラを発生させる要因となり、とりわけ、光沢のあ
る低粗度のメッキ原板を用いた場合に顕著となる。
イントであり、一般的には硫酸浴が用いられるが、多層
メッキとして例えばフェロスタン浴を用いたＳｎメッキ
の上に他種の上層メッキを連続的に行う場合には、２種
類のメッキ工程の間に水洗を設けたとしても、Ｓｎメッ
キ浴のＳｎイオンとＰＳＡ及び光沢剤のＥＮ及び又はＥ
ＮＳＡが水洗タンクを経由して上層メッキ浴中に混入し
特にＥＮ及び又はＥＮＳＡは数ＰＰＭの極微量の混入で
上層メッキの不良を引き起こす。また、水洗について
も、上層メッキ前にＳｎメッキ表面に付着したＳｎメッ
キ浴を均一に完全洗浄することは困難であり、特に、Ｅ
Ｎ及び又はＥＮＳＡの完全除去は不可能であり、Ｓｎメ
ッキ表面に微量ではあるが残留し、これが上層メッキに
外観ムラを発生させる要因となり、とりわけ、光沢のあ
る低粗度のメッキ原板を用いた場合に顕著となる。
【００１７】これらの現象は、ＭＳＡあるいはＡＳＡに
光沢剤を添加した浴を用いた場合も同様に生じる。
光沢剤を添加した浴を用いた場合も同様に生じる。
【００１８】このような問題点を解決するため本発明で
は、従来にはないＰＳＡ，ＭＳＡ，ＡＳＡ等の下層Ｓｎ
メッキ浴と同一の酸成分と光沢剤を主体とした上層メッ
キ浴を開発した。メッキ浴の組成としては金属イオン；
１０〜２００（ｇ／ｌ）、酸濃度；１０〜２００（ｇ／
ｌ）、光沢剤；０．０１〜１０．０（ｇ／ｌ）の範囲で
あり、各々の上下限は以下のとおり限定するものであ
る。
は、従来にはないＰＳＡ，ＭＳＡ，ＡＳＡ等の下層Ｓｎ
メッキ浴と同一の酸成分と光沢剤を主体とした上層メッ
キ浴を開発した。メッキ浴の組成としては金属イオン；
１０〜２００（ｇ／ｌ）、酸濃度；１０〜２００（ｇ／
ｌ）、光沢剤；０．０１〜１０．０（ｇ／ｌ）の範囲で
あり、各々の上下限は以下のとおり限定するものであ
る。
【００１９】金属イオン濃度の下限は金属イオン種（メ
ッキ種）、例えばＺｎ，Ｎｉ等により若干の差はある
が、基本的にはメッキ電流効率とメッキ外観によって限
定され、１０（ｇ／ｌ）が下限である。上限は特に、メ
ッキ品質には関係しないが、経済性の点から２００（ｇ
／ｌ）とする。酸成分濃度も同様に下限はメッキ外観、
上限は経済性から決定される。光沢剤については下地Ｓ
ｎメッキ浴からの光沢剤の混入の影響を考慮すれば、
０．０１（ｇ／ｌ）以上の光沢剤濃度を確保してやれ
ば、上層メッキの外観は良好となる。上限に対しては、
メッキ品質の制約は特にないが、経済性から１０．０
（ｇ／ｌ）とする。
ッキ種）、例えばＺｎ，Ｎｉ等により若干の差はある
が、基本的にはメッキ電流効率とメッキ外観によって限
定され、１０（ｇ／ｌ）が下限である。上限は特に、メ
ッキ品質には関係しないが、経済性の点から２００（ｇ
／ｌ）とする。酸成分濃度も同様に下限はメッキ外観、
上限は経済性から決定される。光沢剤については下地Ｓ
ｎメッキ浴からの光沢剤の混入の影響を考慮すれば、
０．０１（ｇ／ｌ）以上の光沢剤濃度を確保してやれ
ば、上層メッキの外観は良好となる。上限に対しては、
メッキ品質の制約は特にないが、経済性から１０．０
（ｇ／ｌ）とする。
【００２０】光沢剤の種類については、下層メッキ浴と
同一の種類が浴管理上好ましいが、ＥＮ又はＥＮＳＡで
あれば下層メッキ浴と上層メッキ浴とで異なっていても
特に問題はない。
同一の種類が浴管理上好ましいが、ＥＮ又はＥＮＳＡで
あれば下層メッキ浴と上層メッキ浴とで異なっていても
特に問題はない。
【００２１】その他のメッキ条件である浴温度は一般的
な電気メッキ浴の温度範囲である２５〜６０℃であり、
特に限定するものではないが、４０〜５５℃がメッキ外
観、電流効率の点から望ましい。また、メッキ電流密度
についても特に限定はなく、一般的な電気ブリキライン
において操業可能な数〜数十（Ａ／ｄｍ2 ）が望まし
い。
な電気メッキ浴の温度範囲である２５〜６０℃であり、
特に限定するものではないが、４０〜５５℃がメッキ外
観、電流効率の点から望ましい。また、メッキ電流密度
についても特に限定はなく、一般的な電気ブリキライン
において操業可能な数〜数十（Ａ／ｄｍ2 ）が望まし
い。
【００２２】次に、加熱処理後の表面光沢に関してであ
るが、一般に、ブリキの製造においては加熱処理前にフ
ラックス処理と称する工程があり、ここで、Ｓｎメッキ
浴を希釈した溶液にメッキ鋼板を浸漬させることによっ
て加熱処理後の光沢外観を得る方法が用いられている。
従来の製造方法のように上層メッキに硫酸浴を用いた場
合には、加熱処理前のフラックスタンクに入れる溶液が
問題となる。本願のような熱拡散型のＳｎ系合金メッキ
皮膜はＳｎの比率が高く、基本的にはブリキと同じフラ
ックスが有効である。しかしながら、上層メッキ浴が硫
酸浴であるとＳＯ4 2- イオンの混入があり、安定した光
沢外観が得られず、フラックス溶液濃度の管理が煩雑と
なり、溶液寿命も短くなる。
るが、一般に、ブリキの製造においては加熱処理前にフ
ラックス処理と称する工程があり、ここで、Ｓｎメッキ
浴を希釈した溶液にメッキ鋼板を浸漬させることによっ
て加熱処理後の光沢外観を得る方法が用いられている。
従来の製造方法のように上層メッキに硫酸浴を用いた場
合には、加熱処理前のフラックスタンクに入れる溶液が
問題となる。本願のような熱拡散型のＳｎ系合金メッキ
皮膜はＳｎの比率が高く、基本的にはブリキと同じフラ
ックスが有効である。しかしながら、上層メッキ浴が硫
酸浴であるとＳＯ4 2- イオンの混入があり、安定した光
沢外観が得られず、フラックス溶液濃度の管理が煩雑と
なり、溶液寿命も短くなる。
【００２３】従って、本願発明のようにＳｎメッキ浴と
同一の酸成分を主体とする上層メッキ浴を用いれば、上
記のようなＳＯ4 2- イオンの混入の問題は全くなくな
り、安定した光沢が得られる。また、フラックスをＳｎ
メッキ浴と同一の酸成分主体の溶液とすることにより、
濃度管理も容易となって寿命も半永久的となる。
同一の酸成分を主体とする上層メッキ浴を用いれば、上
記のようなＳＯ4 2- イオンの混入の問題は全くなくな
り、安定した光沢が得られる。また、フラックスをＳｎ
メッキ浴と同一の酸成分主体の溶液とすることにより、
濃度管理も容易となって寿命も半永久的となる。
【００２４】フラックス溶液の組成については、Ｓｎメ
ッキ浴と同一の酸成分０．１〜１００（ｇ／ｌ）或は上
記酸成分０．１〜１００（ｇ／ｌ）、光沢剤１０（ｇ／
ｌ）以下である。酸成分の下限については各上層メッキ
とＳｎメッキ皮膜の状態並びに加熱処理方法・条件によ
って異なるが、光沢が得られる最低レベルとして０．１
（ｇ／ｌ）以上必要であり、上限については特に規制は
ないが経済性から１００（ｇ／ｌ）程度までが望まし
い。光沢剤の有無はリフロー後の光沢外観に特に大きな
影響を及ぼさないものの、上層メッキ浴からの混入を最
大限考慮すると１０（ｇ／ｌ）以下となる。光沢剤の種
類については上層メッキ浴と同一の種類が溶液管理上好
ましいが、ＥＮ又はＥＮＳＡであれば上層メッキ浴とフ
ラックス溶液とで異っていても問題はない。
ッキ浴と同一の酸成分０．１〜１００（ｇ／ｌ）或は上
記酸成分０．１〜１００（ｇ／ｌ）、光沢剤１０（ｇ／
ｌ）以下である。酸成分の下限については各上層メッキ
とＳｎメッキ皮膜の状態並びに加熱処理方法・条件によ
って異なるが、光沢が得られる最低レベルとして０．１
（ｇ／ｌ）以上必要であり、上限については特に規制は
ないが経済性から１００（ｇ／ｌ）程度までが望まし
い。光沢剤の有無はリフロー後の光沢外観に特に大きな
影響を及ぼさないものの、上層メッキ浴からの混入を最
大限考慮すると１０（ｇ／ｌ）以下となる。光沢剤の種
類については上層メッキ浴と同一の種類が溶液管理上好
ましいが、ＥＮ又はＥＮＳＡであれば上層メッキ浴とフ
ラックス溶液とで異っていても問題はない。
【００２５】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明の内容を説明
する。
する。
【００２６】実施例−１ 通常の方法で冷間圧延、及び焼鈍された低炭素冷延鋼板
（表面粗度：０．２５μＲａ ブライト仕様）に通常の
方法で脱脂・酸洗を行った後、順に（１）に示す処理条
件でＳｎメッキ、（２）に示す条件でＺｎメッキを施し
た後、各種評価試験に供した。各メッキの付着量は夫々
Ｓｎ＝３．０（ｇ／ｍ2 ），Ｚｎ＝０．５（ｇ／ｍ2 ）
とし、夫々のメッキの間にはスプレー水洗とロール絞ぼ
りを行った。
（表面粗度：０．２５μＲａ ブライト仕様）に通常の
方法で脱脂・酸洗を行った後、順に（１）に示す処理条
件でＳｎメッキ、（２）に示す条件でＺｎメッキを施し
た後、各種評価試験に供した。各メッキの付着量は夫々
Ｓｎ＝３．０（ｇ／ｍ2 ），Ｚｎ＝０．５（ｇ／ｍ2 ）
とし、夫々のメッキの間にはスプレー水洗とロール絞ぼ
りを行った。
【００２７】（１）Ｓｎメッキ 浴条件 Ｓｎ2+：２０〜３０ｇ／ｌ ＰＳＡ（フェノールスルフォン酸）：２０〜３０ｇ／ｌ ＥＮ（エトキシ化α−ナフトールスルフォン酸）：２〜
３ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：３５〜４５℃ 電流密度：２〜３０Ａ／ｄｍ2 （２）Ｚｎメッキ 浴条件 Ｚｎ2+：２０〜５０ｇ／ｌ ＰＳＡ：５０〜１００ｇ／ｌ ＥＮ：１〜５ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：５〜３０Ａ／ｄｍ2 。
３ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：３５〜４５℃ 電流密度：２〜３０Ａ／ｄｍ2 （２）Ｚｎメッキ 浴条件 Ｚｎ2+：２０〜５０ｇ／ｌ ＰＳＡ：５０〜１００ｇ／ｌ ＥＮ：１〜５ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：５〜３０Ａ／ｄｍ2 。
【００２８】実施例−２ 通常の方法で冷間圧延、及び焼鈍された低炭素冷延鋼板
（表面粗度：０．２５μＲａ ブライト仕様）に通常の
方法で脱脂・酸洗を行った後、順に（３）に示す処理条
件でＳｎメッキ、（２）に示す条件でＺｎメッキを施し
た後、各種評価試験に供した。各メッキの付着量は夫々
Ｓｎ＝３．０（ｇ／ｍ2 ），Ｚｎ＝０．５（ｇ／ｍ2 ）
とし、夫々のメッキの間にはスプレー水洗とロール絞ぼ
りを行った。 （３）Ｓｎメッキ 浴条件 Ｓｎ2+：２０〜３０ｇ／ｌ ＭＳＡ（メタンスルフォン酸）：２０〜５０ｇ／ｌ ＥＮ＋ＥＮＳＡ：２〜３ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：３５〜４５℃ 電流密度：２〜３０Ａ／ｄｍ2 。
（表面粗度：０．２５μＲａ ブライト仕様）に通常の
方法で脱脂・酸洗を行った後、順に（３）に示す処理条
件でＳｎメッキ、（２）に示す条件でＺｎメッキを施し
た後、各種評価試験に供した。各メッキの付着量は夫々
Ｓｎ＝３．０（ｇ／ｍ2 ），Ｚｎ＝０．５（ｇ／ｍ2 ）
とし、夫々のメッキの間にはスプレー水洗とロール絞ぼ
りを行った。 （３）Ｓｎメッキ 浴条件 Ｓｎ2+：２０〜３０ｇ／ｌ ＭＳＡ（メタンスルフォン酸）：２０〜５０ｇ／ｌ ＥＮ＋ＥＮＳＡ：２〜３ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：３５〜４５℃ 電流密度：２〜３０Ａ／ｄｍ2 。
【００２９】実施例−３ 通常の方法で冷間圧延、及び焼鈍された低炭素冷延鋼板
（表面粗度：０．２５μＲａ ブライト仕様）に通常の
方法で脱脂・酸洗を行った後、順に（４）に示す処理条
件でＳｎメッキ、（２）に示す条件でＺｎメッキを施し
た後、各種評価試験に供した。各メッキの付着量は夫々
Ｓｎ＝３．０（ｇ／ｍ2 ），Ｚｎ＝０．５（ｇ／ｍ2 ）
とし、夫々のメッキの間にはスプレー水洗とロール絞ぼ
りを行った。 （４）Ｓｎメッキ 浴条件 Ｓｎ2+：２０〜３０ｇ／ｌ ＡＳＡ（２−ヒドロキシエタン−１−スルフォン酸）：
20〜50ｇ／ｌ ＥＮ：２〜３ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：３５〜４５℃ 電流密度：２〜３０Ａ／ｄｍ2 。
（表面粗度：０．２５μＲａ ブライト仕様）に通常の
方法で脱脂・酸洗を行った後、順に（４）に示す処理条
件でＳｎメッキ、（２）に示す条件でＺｎメッキを施し
た後、各種評価試験に供した。各メッキの付着量は夫々
Ｓｎ＝３．０（ｇ／ｍ2 ），Ｚｎ＝０．５（ｇ／ｍ2 ）
とし、夫々のメッキの間にはスプレー水洗とロール絞ぼ
りを行った。 （４）Ｓｎメッキ 浴条件 Ｓｎ2+：２０〜３０ｇ／ｌ ＡＳＡ（２−ヒドロキシエタン−１−スルフォン酸）：
20〜50ｇ／ｌ ＥＮ：２〜３ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：３５〜４５℃ 電流密度：２〜３０Ａ／ｄｍ2 。
【００３０】実施例−４ 実施例−１においてＳｎメッキとその上にＺｎメッキを
行なった後、引き続いて通電抵抗加熱方式によって鋼板
表面温度２５０〜３５０℃で０．５秒以上の加熱処理を
大気中で実施し、メッキ層表層にＳｎ−Ｚｎ二元合金、
地鉄との界面にＦｅ−Ｓｎ合金を形成させた後、各種評
価試験に供した。
行なった後、引き続いて通電抵抗加熱方式によって鋼板
表面温度２５０〜３５０℃で０．５秒以上の加熱処理を
大気中で実施し、メッキ層表層にＳｎ−Ｚｎ二元合金、
地鉄との界面にＦｅ−Ｓｎ合金を形成させた後、各種評
価試験に供した。
【００３１】実施例−５ 実施例−４において抵抗加熱処理前に以下に示す浴組成
の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の条件は全
て実施例−４と同じである。 （５）フラックス液 浴条件 ＰＳＡ：０．１〜１０ｇ／ｌ ＥＮ：０．１〜５ｇ／ｌ 処理条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：０Ａ／ｄｍ2 （浸漬のみ５秒程度）。
の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の条件は全
て実施例−４と同じである。 （５）フラックス液 浴条件 ＰＳＡ：０．１〜１０ｇ／ｌ ＥＮ：０．１〜５ｇ／ｌ 処理条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：０Ａ／ｄｍ2 （浸漬のみ５秒程度）。
【００３２】実施例−６ 実施例−２において抵抗加熱処理前に以下に示す浴組成
の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の条件は全
て実施例−２と同じである。 （６）フラックス液 浴条件 ＭＳＡ：０．１〜１０ｇ／ｌ ＥＮ＋ＥＮＳＡ：０．１〜５ｇ／ｌ 処理条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：０Ａ／ｄｍ2 （浸漬のみ５秒程度）。
の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の条件は全
て実施例−２と同じである。 （６）フラックス液 浴条件 ＭＳＡ：０．１〜１０ｇ／ｌ ＥＮ＋ＥＮＳＡ：０．１〜５ｇ／ｌ 処理条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：０Ａ／ｄｍ2 （浸漬のみ５秒程度）。
【００３３】実施例−７ 実施例−３において抵抗加熱処理前に以下に示す浴組成
の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の条件は全
て実施例−３と同じである。 （７）フラックス液 浴条件 ＡＳＡ：０．１〜１０ｇ／ｌ ＥＮ：０．１〜５ｇ／ｌ 処理条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：０Ａ／ｄｍ2 （浸漬のみ５秒程度）。
の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の条件は全
て実施例−３と同じである。 （７）フラックス液 浴条件 ＡＳＡ：０．１〜１０ｇ／ｌ ＥＮ：０．１〜５ｇ／ｌ 処理条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：０Ａ／ｄｍ2 （浸漬のみ５秒程度）。
【００３４】実施例−８ 実施例−１においてＺｎメッキの代わりに（８）に示す
Ｎｉメッキを行なったものであり他の条件は全て実施例
−１と同じである。Ｎｉメッキの付着量は１．０（ｇ／
ｍ2 ）とした。 （８）Ｎｉメッキ 浴条件 Ｎｉ2+：２０〜５０ｇ／ｌ ＰＳＡ：５０〜１００ｇ／ｌ ＥＮ：１〜５ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：５〜３０Ａ／ｄｍ2 。
Ｎｉメッキを行なったものであり他の条件は全て実施例
−１と同じである。Ｎｉメッキの付着量は１．０（ｇ／
ｍ2 ）とした。 （８）Ｎｉメッキ 浴条件 Ｎｉ2+：２０〜５０ｇ／ｌ ＰＳＡ：５０〜１００ｇ／ｌ ＥＮ：１〜５ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：５〜３０Ａ／ｄｍ2 。
【００３５】実施例−９ 実施例−８においてＳｎメッキとその上にＮｉメッキを
行なった後、引き続いて通電抵抗加熱方式によって鋼板
表面温度２５０〜３５０℃で０．５秒以上の加熱処理を
大気中で実施し、メッキ層表層にＳｎ−Ｎｉ二元合金、
地鉄との界面にＦｅ−Ｓｎ合金を形成させた後、各種評
価試験に供した。
行なった後、引き続いて通電抵抗加熱方式によって鋼板
表面温度２５０〜３５０℃で０．５秒以上の加熱処理を
大気中で実施し、メッキ層表層にＳｎ−Ｎｉ二元合金、
地鉄との界面にＦｅ−Ｓｎ合金を形成させた後、各種評
価試験に供した。
【００３６】実施例−１０ 実施例−９において抵抗加熱処理前に実施例−５に示す
浴組成の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の条
件は全て実施例−９と同じである。
浴組成の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の条
件は全て実施例−９と同じである。
【００３７】実施例−１１ 通常の方法で冷間圧延、及び焼鈍された低炭素冷延鋼板
（表面粗度：０．２５μＲａ ブライト仕様）に通常の
方法で脱脂・酸洗を行った後、Ｓｎメッキの下地に
（９）に示すＺｎメッキを行なった後に（１）に示す処
理条件でＳｎメッキ、（２）に示す条件でＺｎメッキを
３層に施した後、各種評価試験に供した。各メッキの付
着量は夫々、下地Ｚｎ＝１．０（ｇ／ｍ2 ），Ｓｎ＝
３．０（ｇ／ｍ2 ），上層Ｚｎ＝０．５（ｇ／ｍ2 ）と
し、夫々のメッキの間にはスプレー水洗とロール絞ぼり
を行った。 （９）Ｚｎメッキ 浴条件 ＺｎＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ：２００〜４００ｇ／ｌ Ｎａ2 ＳＯ4 ：５０〜１５０ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：５〜３０Ａ／ｄｍ2 。
（表面粗度：０．２５μＲａ ブライト仕様）に通常の
方法で脱脂・酸洗を行った後、Ｓｎメッキの下地に
（９）に示すＺｎメッキを行なった後に（１）に示す処
理条件でＳｎメッキ、（２）に示す条件でＺｎメッキを
３層に施した後、各種評価試験に供した。各メッキの付
着量は夫々、下地Ｚｎ＝１．０（ｇ／ｍ2 ），Ｓｎ＝
３．０（ｇ／ｍ2 ），上層Ｚｎ＝０．５（ｇ／ｍ2 ）と
し、夫々のメッキの間にはスプレー水洗とロール絞ぼり
を行った。 （９）Ｚｎメッキ 浴条件 ＺｎＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ：２００〜４００ｇ／ｌ Ｎａ2 ＳＯ4 ：５０〜１５０ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：５〜３０Ａ／ｄｍ2 。
【００３８】実施例−１２ 通常の方法で冷間圧延、及び焼鈍された低炭素冷延鋼板
（表面粗度：０．２５μＲａ ブライト仕様）に通常の
方法で脱脂・酸洗を行った後、Ｓｎメッキの下地に（１
０）に示すＮｉメッキを行なった後に（１）に示す処理
条件でＳｎメッキ、（２）に示す条件でＺｎメッキを３
層に施した後、通電抵抗加熱方式によって鋼板表面温度
２５０〜３５０℃で０．５秒以上の加熱処理を大気中で
実施し、メッキ層表層にＳｎ−Ｚｎ二元合金、メッキ層
内部にＺｎ−Ｎｉ、Ｓｎ−Ｎｉ二元合金並びにＦｅ−Ｓ
ｎ合金を形成させたものを各種評価試験に供した。各メ
ッキの付着量は夫々、Ｎｉ＝０．５（ｇ／ｍ2 ），Ｓｎ
＝３．０（ｇ／ｍ2 ），Ｚｎ＝０．５（ｇ／ｍ2 ）と
し、夫々のメッキの間にはスプレー水洗とロール絞ぼり
を行った。 （１０）Ｎｉメッキ 浴条件 ＮｉＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ：２００ｇ／ｌ Ｈ3 ＢＯ3 ：４０ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：５〜３０Ａ／ｄｍ2 。
（表面粗度：０．２５μＲａ ブライト仕様）に通常の
方法で脱脂・酸洗を行った後、Ｓｎメッキの下地に（１
０）に示すＮｉメッキを行なった後に（１）に示す処理
条件でＳｎメッキ、（２）に示す条件でＺｎメッキを３
層に施した後、通電抵抗加熱方式によって鋼板表面温度
２５０〜３５０℃で０．５秒以上の加熱処理を大気中で
実施し、メッキ層表層にＳｎ−Ｚｎ二元合金、メッキ層
内部にＺｎ−Ｎｉ、Ｓｎ−Ｎｉ二元合金並びにＦｅ−Ｓ
ｎ合金を形成させたものを各種評価試験に供した。各メ
ッキの付着量は夫々、Ｎｉ＝０．５（ｇ／ｍ2 ），Ｓｎ
＝３．０（ｇ／ｍ2 ），Ｚｎ＝０．５（ｇ／ｍ2 ）と
し、夫々のメッキの間にはスプレー水洗とロール絞ぼり
を行った。 （１０）Ｎｉメッキ 浴条件 ＮｉＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ：２００ｇ／ｌ Ｈ3 ＢＯ3 ：４０ｇ／ｌ メッキ条件 浴温度：４０〜５０℃ 電流密度：５〜３０Ａ／ｄｍ2 。
【００３９】実施例−１３ 実施例−１２において抵抗加熱処理前に実施例−３に示
す浴組成の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の
条件は全て実施例−１２と同じである。
す浴組成の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の
条件は全て実施例−１２と同じである。
【００４０】実施例−１４ 実施例−１２においてＺｎメッキ浴を（４）に示すＡＳ
Ａ浴にて行なったものであり他の条件は全て実施例−１
２と同じである。
Ａ浴にて行なったものであり他の条件は全て実施例−１
２と同じである。
【００４１】実施例−１５ 実施例−１４において抵抗加熱処理前に実施例−７に示
す浴組成の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の
条件は全て実施例−１４と同じである。
す浴組成の溶液中に浸漬処理を行ったものであり、他の
条件は全て実施例−１４と同じである。
【００４２】比較例−１ 実施例−１においてＺｎメッキ浴を実施例−１の（２）
に替えて実施例−１１に示す（９）の硫酸浴とした実施
例であり、その他の項目は実施例−１と同じである。
に替えて実施例−１１に示す（９）の硫酸浴とした実施
例であり、その他の項目は実施例−１と同じである。
【００４３】比較例−２ 実施例−２においてＺｎメッキ浴を比較例−１と同じ硫
酸浴（９）に替えたものであり、他の条件は全て実施例
−２と同じである。
酸浴（９）に替えたものであり、他の条件は全て実施例
−２と同じである。
【００４４】比較例−３ 実施例−３においてＺｎメッキ浴を比較例−１と同じ硫
酸浴（９）に替えたものであり、他の条件は全て実施例
−３と同じである。
酸浴（９）に替えたものであり、他の条件は全て実施例
−３と同じである。
【００４５】比較例−４ 実施例−８においてＮｉメッキ浴を実施例−１２の（１
０）に替えたものであり、他の条件は全て実施例−８と
同じである。
０）に替えたものであり、他の条件は全て実施例−８と
同じである。
【００４６】比較例−５ 実施例−１１においてＳｎメッキ後のＺｎメッキ浴を比
較例−１と同じ硫酸浴（９）に替えたものであり、他の
条件は全て実施例−１１と同じである。
較例−１と同じ硫酸浴（９）に替えたものであり、他の
条件は全て実施例−１１と同じである。
【００４７】比較例−６ 実施例−１３においてＳｎメッキ後のＺｎメッキ浴を比
較例−１と同じ硫酸浴（９）に替えたものであり、他の
条件は全て実施例−１３と同じである。
較例−１と同じ硫酸浴（９）に替えたものであり、他の
条件は全て実施例−１３と同じである。
【００４８】以上、本発明実施例、比較例を以下に示す
（ａ）〜（ｃ）の評価テストに供し、特性を比較した。
（ａ）〜（ｃ）の評価テストに供し、特性を比較した。
【００４９】（ａ）表面外観判定 メッキ鋼板の表面外観の判定は目視によって行ない、外
観の均一性をムラの発生比率として表し、５％以下を
○、５〜２５％を△、２５％以上を×とした。
観の均一性をムラの発生比率として表し、５％以下を
○、５〜２５％を△、２５％以上を×とした。
【００５０】（ｂ）表面光沢度測定 メッキ鋼板の表面光沢度は光沢度計を用いて測定し、７
０以上を◎、６０以上を○、６０〜５０を△、５０以下
を×とした。
０以上を◎、６０以上を○、６０〜５０を△、５０以下
を×とした。
【００５１】（ｃ）Ｚｎの拡散度評価 Ｚｎ−Ｓｎ−Ｎｉ３層熱拡散合金メッキ鋼板のＺｎの拡
散についてはＧＤＳ（Ｇｒｉｍ−Ｇｒｏｗ Ｄｉｓｃｈ
ａｒｇｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いてメッキ
層の構成元素の深さ方向分布を測定し、図１（ｃ）に示
すように熱処理後のＺｎが表面層にかなりの量が残存し
ているものを×、図１（ｂ）に示す様にメッキ層内部の
地鉄との界面にまで十分拡散された状態のものを○、両
者の中間的な状態を△とした。
散についてはＧＤＳ（Ｇｒｉｍ−Ｇｒｏｗ Ｄｉｓｃｈ
ａｒｇｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いてメッキ
層の構成元素の深さ方向分布を測定し、図１（ｃ）に示
すように熱処理後のＺｎが表面層にかなりの量が残存し
ているものを×、図１（ｂ）に示す様にメッキ層内部の
地鉄との界面にまで十分拡散された状態のものを○、両
者の中間的な状態を△とした。
【００５２】以上、テスト結果を第一表にまとめて示し
た。
た。
【００５３】
【表１】
【００５４】
【表２】
【００５５】
【発明の効果】以上述べたように本発明は不溶性陽極を
用いた連続電気ブリキラインにおいて例えばフェロスタ
ン浴を用いてＳｎメッキを施し、更に該Ｓｎメッキの下
層または上層に異なる種類のメッキを重ねてメッキする
際に、外観の均一性と光沢度に優れた表面処理鋼板の供
給を可能とするとともに、製造技術面からも生産性の向
上と製造コストの低減を可能とするものである。
用いた連続電気ブリキラインにおいて例えばフェロスタ
ン浴を用いてＳｎメッキを施し、更に該Ｓｎメッキの下
層または上層に異なる種類のメッキを重ねてメッキする
際に、外観の均一性と光沢度に優れた表面処理鋼板の供
給を可能とするとともに、製造技術面からも生産性の向
上と製造コストの低減を可能とするものである。
【図１】各条件におけるＺｎ−Ｓｎ−Ｎｉ合金皮膜のＧ
ＤＳによる深さ方向の構成元素分布を示す図。
ＤＳによる深さ方向の構成元素分布を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土井雅博 姫路市広畑区富士町１番地 新日本製鐵株 式会社広畑製鐵所内
Claims (7)
- 【請求項１】 不溶性陽極を用いた連続電気ブリキ（メ
ッキ）ラインで異種金属の多層メッキ鋼板を製造する方
法において、光沢剤が添加された酸性Ｓｎメッキ浴を用
いてＳｎメッキを施し、更にＳｎメッキの上にＳｎと異
なる金属を重ねてメッキする際に、メッキ浴を上記Ｓｎ
メッキ浴と同一成分の酸１０〜２００ｇ／ｌ、光沢剤
０．０１〜１０．０ｇ／ｌ、金属イオン濃度１０〜２０
０ｇ／ｌとすることを特徴とする外観均一性に優れた多
層メッキ鋼板の製造方法。 - 【請求項２】 多層メッキが、Ｓｎメッキとこの上層の
Ｓｎと異なる金属メッキとよりなる２層メッキであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の外観均一性に優れた多
層メッキ鋼板の製造方法。 - 【請求項３】 多層メッキが、Ｓｎメッキの下層のＳｎ
と異なる金属メッキとＳｎメッキとこの上層のＳｎと異
なる金属メッキとよりなる３層メッキであることを特徴
とする請求項１に記載の外観均一性に優れた多層メッキ
鋼板の製造方法。 - 【請求項４】 ２層メッキのＳｎメッキ上層のＳｎと異
なるメッキ金属がＺｎ，Ｎｉのいずれかであることを特
徴とする請求項２に記載の外観均一性に優れた多層メッ
キ鋼板の製造方法。 - 【請求項５】 ３層メッキのＳｎメッキ下層のＳｎと異
なるメッキ金属がＺｎ，Ｎｉのいずれかであり、Ｓｎメ
ッキ上層のＳｎと異なるメッキ金属がＺｎであることを
特徴とする請求項３に記載の外観均一性に優れた多層メ
ッキ鋼板の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかの項に記載の方
法で得た多層メッキ鋼板を、引き続き連続電気ブリキ
（メッキ）ラインにおいて、加熱処理によって多層メッ
キ層を合金化させることを特徴とする外観均一性の優れ
た熱拡散型合金メッキ鋼板の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至５の何れかの項に記載の方
法で得た多層メッキ鋼板を、引き続き連続電気ブリキ
（メッキ）ラインにおいて、Ｓｎメッキ浴と同一成分の
酸が０．１〜１００ｇ／ｌのフラックス水溶液、或は、
Ｓｎメッキ浴と同一成分の酸が０．１〜１００ｇ／ｌ、
光沢剤が１０ｇ／ｌ以下のフラックス水溶液に浸漬処理
後、加熱処理によって多層メッキ層を合金化させること
を特徴とする外観均一性と光沢度に優れた熱拡散型合金
メッキ鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09441194A JP3330729B2 (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 多層メッキ鋼板の製造方法、並びに多層メッキ鋼板を用いた熱拡散型合金メッキ鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09441194A JP3330729B2 (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 多層メッキ鋼板の製造方法、並びに多層メッキ鋼板を用いた熱拡散型合金メッキ鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07305193A true JPH07305193A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3330729B2 JP3330729B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=14109511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09441194A Expired - Lifetime JP3330729B2 (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 多層メッキ鋼板の製造方法、並びに多層メッキ鋼板を用いた熱拡散型合金メッキ鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3330729B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100695372B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2007-03-15 | 산요덴키가부시키가이샤 | 도금 방법 |
| KR100695373B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2007-03-15 | 산요덴키가부시키가이샤 | 도금 장치 |
| JP2012046827A (ja) * | 2011-11-18 | 2012-03-08 | Fujitsu Ltd | めっき皮膜及びその形成方法並びに電子部品 |
-
1994
- 1994-05-06 JP JP09441194A patent/JP3330729B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100695372B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2007-03-15 | 산요덴키가부시키가이샤 | 도금 방법 |
| KR100695373B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2007-03-15 | 산요덴키가부시키가이샤 | 도금 장치 |
| CN1307327C (zh) * | 2000-02-28 | 2007-03-28 | 古河电气工业株式会社 | 电镀方法 |
| JP2012046827A (ja) * | 2011-11-18 | 2012-03-08 | Fujitsu Ltd | めっき皮膜及びその形成方法並びに電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3330729B2 (ja) | 2002-09-30 |
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