JPH0219540B2 - - Google Patents
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- JPH0219540B2 JPH0219540B2 JP55088955A JP8895580A JPH0219540B2 JP H0219540 B2 JPH0219540 B2 JP H0219540B2 JP 55088955 A JP55088955 A JP 55088955A JP 8895580 A JP8895580 A JP 8895580A JP H0219540 B2 JPH0219540 B2 JP H0219540B2
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- JP
- Japan
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- magnetized film
- perpendicularly magnetized
- magneto
- light
- laser light
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気光学記録装置の情報再生ヘツドに
関するものである。垂直磁化膜に記録された情報
を、HeNeレーザ、Arレーザ、半導体レーザ等
の光を用いて光学的に再生する方式、即ち磁気光
学再生方式の研究開発が近年活発に進められてい
る。
関するものである。垂直磁化膜に記録された情報
を、HeNeレーザ、Arレーザ、半導体レーザ等
の光を用いて光学的に再生する方式、即ち磁気光
学再生方式の研究開発が近年活発に進められてい
る。
この方式を、磁気デイスクや磁気ドラム、磁気
テープ等の装置に利用した場合、再生ヘツドであ
る集光レンズの先端と記録素子の間に約１mmの間
隙を設けることが可能であるため、従来の磁気ヘ
ツドによる再生方式と比較して塵埃の影響が少い
事、又ヘツドクラツシユの心配がない事等、大き
なメリツトがある。
テープ等の装置に利用した場合、再生ヘツドであ
る集光レンズの先端と記録素子の間に約１mmの間
隙を設けることが可能であるため、従来の磁気ヘ
ツドによる再生方式と比較して塵埃の影響が少い
事、又ヘツドクラツシユの心配がない事等、大き
なメリツトがある。
この磁気光学的信号の再生は、フアラデイ効果
やカー効果或いは磁気円偏光二色性等の磁気光学
効果が利用されるが、一般的に言つて、磁性素子
を通過する光を利用するフアラデイ効果や磁気円
偏光二色性を用いる方が、Ｓ／Ｎ比がすぐれてい
る。
やカー効果或いは磁気円偏光二色性等の磁気光学
効果が利用されるが、一般的に言つて、磁性素子
を通過する光を利用するフアラデイ効果や磁気円
偏光二色性を用いる方が、Ｓ／Ｎ比がすぐれてい
る。
従来、これらの光学ヘツドは、たとえばフアラ
デイ効果を利用したものである場合、第１図に示
すようなものであつた。即ちレーザ光源１から生
じたレーザ光２は偏光子３を通り、集光レンズ４
で記憶素子５上にスポツト集光され、記憶素子５
通過した光が集光レンズ８により集光され、検光
子９を通じて光検出器１０上に集光される構成で
あつた。
デイ効果を利用したものである場合、第１図に示
すようなものであつた。即ちレーザ光源１から生
じたレーザ光２は偏光子３を通り、集光レンズ４
で記憶素子５上にスポツト集光され、記憶素子５
通過した光が集光レンズ８により集光され、検光
子９を通じて光検出器１０上に集光される構成で
あつた。
このような従来の光学ヘツド１１では、集光レ
ンズ４，８において、その加工時の加圧、加熱等
を原因とする光学的異方性が生ずる為、この２枚
の集光レンズ４，８による偏光解消がさけられな
いため、偏光子３、検光子９はグラムトムソンプ
リズム等の高価な偏光子を用いる必要があつた。
換言すれば、高価な偏光度の良いプリズムを用い
なければ上述のレンズの偏光解消のために良い
Ｓ／Ｎ比が得られなかつた。
ンズ４，８において、その加工時の加圧、加熱等
を原因とする光学的異方性が生ずる為、この２枚
の集光レンズ４，８による偏光解消がさけられな
いため、偏光子３、検光子９はグラムトムソンプ
リズム等の高価な偏光子を用いる必要があつた。
換言すれば、高価な偏光度の良いプリズムを用い
なければ上述のレンズの偏光解消のために良い
Ｓ／Ｎ比が得られなかつた。
又透過型の磁気円偏光二色性を用いる場合、従
来は光学ヘツドは第１図において偏光子３の後に
λ／４板を設置し、一方の検光子を省略した状態
で構成されていたが上述と同様の問題があつた。
来は光学ヘツドは第１図において偏光子３の後に
λ／４板を設置し、一方の検光子を省略した状態
で構成されていたが上述と同様の問題があつた。
この発明は上述の問題を解決するためになされ
たもので、磁気光学再生ヘツドの集光レンズの後
面に偏光板を設けることによつて、偏光の解消を
防止し、これによつて光学系の設計、製作を容易
にし、かつ高価な偏光子を不要とした安価に製作
出来る磁気光学再生ヘツドを提供することを目的
とするものである。
たもので、磁気光学再生ヘツドの集光レンズの後
面に偏光板を設けることによつて、偏光の解消を
防止し、これによつて光学系の設計、製作を容易
にし、かつ高価な偏光子を不要とした安価に製作
出来る磁気光学再生ヘツドを提供することを目的
とするものである。
以下にこの発明の一実施例を図面とともに説明
する。
する。
第２図は本発明に基づく磁気光学再ヘツドを磁
気光学記憶円板装置に応用した実施例を示す。な
お第２図において、第１図のものと同様な部分に
は同じ符号を付した。
気光学記憶円板装置に応用した実施例を示す。な
お第２図において、第１図のものと同様な部分に
は同じ符号を付した。
第２図において磁気光学記憶円板２０はモータ
２１により、水平面内で回転駆動され、この円板
２０をはさんで光学ヘツド３０が設けられてい
る。
２１により、水平面内で回転駆動され、この円板
２０をはさんで光学ヘツド３０が設けられてい
る。
円板２０はガラスまたは樹脂にてなる透明の支
持板２２，２３と磁性体２４とを積層したもので
ある。
持板２２，２３と磁性体２４とを積層したもので
ある。
磁性体２４はMnBi、MnBiCu、MnAlGe等の
結晶性もしくはSm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、
Er等の希土類とFeCoNi等の遷移金属とからな
る、たとえばGdTbFe、DyFe、TdDyFe等のア
モルフアスの垂直磁化膜である。
結晶性もしくはSm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、
Er等の希土類とFeCoNi等の遷移金属とからな
る、たとえばGdTbFe、DyFe、TdDyFe等のア
モルフアスの垂直磁化膜である。
一方光学ヘツド３０においてレーザ光源１は
He−Ne、Ar、半導体等の各種レーザーが用い
られる。レーザ光源１から出た光２を集光する集
光レンズ４の先端或いは、直後にポラロイドＨ、
ｋ、Ｌ膜等にてなる偏光フイルム３１を接着固定
し集光レンズ４と一体化している。
He−Ne、Ar、半導体等の各種レーザーが用い
られる。レーザ光源１から出た光２を集光する集
光レンズ４の先端或いは、直後にポラロイドＨ、
ｋ、Ｌ膜等にてなる偏光フイルム３１を接着固定
し集光レンズ４と一体化している。
したがつて集光レンズ４を通過した光２は偏光
解消することなく磁性体２４に投射される。
解消することなく磁性体２４に投射される。
一方円板２０の下面には集光レンズ４の光軸と
同じ光軸上に集光レンズ８が設けられ、この集光
レンズ８の上面（円板２０側の面）には検光子３
２が集光レンズ８と一体に設けられている。
同じ光軸上に集光レンズ８が設けられ、この集光
レンズ８の上面（円板２０側の面）には検光子３
２が集光レンズ８と一体に設けられている。
１０は集光レンズ８を通つた光２を受光する受
光素子で、磁性体２４を通つた光の強さの変化に
対応した電気信号を生じ、磁性体２４に記録され
た情報を再生する。なお集光レンズ４には情報の
再生、消去用に磁界を磁性体に作用させるコイル
３３が設けられている。
光素子で、磁性体２４を通つた光の強さの変化に
対応した電気信号を生じ、磁性体２４に記録され
た情報を再生する。なお集光レンズ４には情報の
再生、消去用に磁界を磁性体に作用させるコイル
３３が設けられている。
なおレーザ光源１から出射する光２が直線偏光
になつている場合には、その偏光面と偏光フイル
ム３１の透過軸とを合わせることにより、磁性体
２４に記憶された記憶エネルギーの有効利用を図
ることが出来る。
になつている場合には、その偏光面と偏光フイル
ム３１の透過軸とを合わせることにより、磁性体
２４に記憶された記憶エネルギーの有効利用を図
ることが出来る。
また偏光フイルム３１と検光子３２との透過軸
は、磁性体２４のフアラデイ回転角をα゜とすると
90゜（±）α゜傾けて設定される。
は、磁性体２４のフアラデイ回転角をα゜とすると
90゜（±）α゜傾けて設定される。
なおヘツド３０が円板２０に対してレーザ光源
１の放射方向に可動になつている。
１の放射方向に可動になつている。
以上はフアラデイ効果型の記録再生装置の実施
例であるが、透過型の磁気円偏光二色性を用いる
場合は、第２図の偏光フイルム３１の直後にλ／
４板を接着して、そのλ／４板の方位角を偏光フ
イルム３１の透過軸に対して45゜に設定すること
により、円偏光を生成することが出来る。この場
合には検光子３２は省略される。
例であるが、透過型の磁気円偏光二色性を用いる
場合は、第２図の偏光フイルム３１の直後にλ／
４板を接着して、そのλ／４板の方位角を偏光フ
イルム３１の透過軸に対して45゜に設定すること
により、円偏光を生成することが出来る。この場
合には検光子３２は省略される。
上述のようにこの発明によれば、垂直磁化膜に
磁気光学的に記録した情報を磁気光学効果を利用
して再生する再生ヘツドにおいて、集光レンズの
先端に偏光板或いは偏光板とλ／４板とを設ける
ことによつて集光レンズによる偏光解消がなくな
るから、効率よく偏光を磁性体の記録面に投射す
ることが出来るようになり、集光レンズの偏光特
性に特に配慮する必要がなくなり、設計が容易と
なるうえ、高価な偏光子が不要なため光学ヘツド
のコストダウンに有効であり、またヘツドの軽量
化にも有効である。
磁気光学的に記録した情報を磁気光学効果を利用
して再生する再生ヘツドにおいて、集光レンズの
先端に偏光板或いは偏光板とλ／４板とを設ける
ことによつて集光レンズによる偏光解消がなくな
るから、効率よく偏光を磁性体の記録面に投射す
ることが出来るようになり、集光レンズの偏光特
性に特に配慮する必要がなくなり、設計が容易と
なるうえ、高価な偏光子が不要なため光学ヘツド
のコストダウンに有効であり、またヘツドの軽量
化にも有効である。
第１図は従来の磁気光学再生ヘツドの一例を示
すブロツク図、第２図はこの発明の一実施例を示
すブロツク図である。 １……レーザ光源、２……光、４……集光レン
ズ、１０……受光素子、２０……円板、２２，２
３……基板、２４……磁性体、３０……光学ヘツ
ド、３１……偏光フイルム。
すブロツク図、第２図はこの発明の一実施例を示
すブロツク図である。 １……レーザ光源、２……光、４……集光レン
ズ、１０……受光素子、２０……円板、２２，２
３……基板、２４……磁性体、３０……光学ヘツ
ド、３１……偏光フイルム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に形成された垂直磁化膜に記録し
た情報をフアラデイ効果を利用して再生する磁気
光学再生ヘツドにおいて、 レーザ光源と、該レーザ光源からのレーザ光を
前記垂直磁化膜に集光する集光レンズと、透明基
板上に形成された垂直磁化膜と、該垂直磁化膜を
介したレーザ光を検光する検光子と、該検光子を
介した光を受光して電気信号を生ずる受光素子と
を備えるとともに、前記集光レンズの前記垂直磁
化膜に面する側に偏光板を装着し一体化したこと
を特徴とする磁気光学再生ヘツド。 ２ 透明基板上に形成された垂直磁化膜に記録し
た情報を磁気円偏光二色性効果を利用して再生す
る磁気光学再生ヘツドにおいて、 レーザ光源と、該レーザ光源からのレーザ光を
前記垂直磁化膜に集光する集光レンズと、透明基
板上に形成された垂直磁化膜と、該垂直磁化膜を
介したレーザ光を受光して電気信号を生ずる受光
素子とを備えるとともに、前記集光レンズの前記
垂直磁化膜に面する側に偏光板と1/4λ板を装着
し該集光レンズと一体化したことを特徴とする磁
気光学再生ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8895580A JPS5715236A (en) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | Magnetooptic reproducing head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8895580A JPS5715236A (en) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | Magnetooptic reproducing head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5715236A JPS5715236A (en) | 1982-01-26 |
| JPH0219540B2 true JPH0219540B2 (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=13957272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8895580A Granted JPS5715236A (en) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | Magnetooptic reproducing head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5715236A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984002602A1 (en) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Sony Corp | Thermomagnetic optical recording method |
| US6549335B1 (en) * | 2000-07-28 | 2003-04-15 | 3M Innovative Properties Company | High durability circular polarizer for use with emissive displays |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133603A (ja) * | 1974-09-17 | 1976-03-22 | Teac Corp | |
| JPS5456807A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | Photo-magnetic information reader |
-
1980
- 1980-06-30 JP JP8895580A patent/JPS5715236A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133603A (ja) * | 1974-09-17 | 1976-03-22 | Teac Corp | |
| JPS5456807A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | Photo-magnetic information reader |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5715236A (en) | 1982-01-26 |
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