JPS6353620B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は磁気光学記憶素子に関する。

磁気デイスク、磁気ドラム、磁気テープからな
る記憶装置に用いられている従来の磁気ヘツド再
生方式では記憶素子の露出により塵埃の影響を受
けたり、磁気ヘツドと記憶素子との接触によるヘ
ツドクラツシユの発生などの欠点をもつていた。

また、磁性薄膜上に記録された情報をHeNeレ
ーザ、Arレーザ、半導体レーザ等の光を用いて
光学的に再生する方式すなわち磁気光学再生方式
が上記記憶装置に用いられている。そのような再
生に用いる記憶素子は磁性体のフアラデー効果、
カー効果、磁気円偏光二色性等の磁気光学効果を
利用している。

第１図が上記磁気円偏光二色性を利用した従来
の記憶素子を再生光学系に設けた構成図である。
上記磁気円偏光二色性を利用する点は、光学系の
調整が簡単であること、検光子がいらないこと、
光検出器に入る光量が増すためにその光検出器の
シヨツト雑音を抑えてＳ／Ｎ比がよくなることな
どである。第１図に示すようにレーザ光源１より
のレーザ光８が偏光子２とλ／４板３により円偏
光された後、集光レンズ４を経て、磁性薄膜記憶
素子５より情報をとり出し、コリメータレンズ６
により検出器７に導入される構成であつた。この
ように従来の記憶素子５を用いた場合、構成が複
雑になるとともに、集光レンズ４による偏光解消
を伴うので高いＳ／Ｎ比を得ることができない欠
点をもつていた。

この発明は上記従来の欠点を除き記憶装置を簡
略化し、駆動機構を必要としない光メモリ装置に
も適用できる磁気光学記憶素子を提供することを
目的とする。

この発明は上記目的を達成するために偏光子と
λ／４板からなる円偏光素子と膜面に、垂直な磁
化容易軸を有した磁性薄膜とを重ね合わせて一体
化したことを特徴とし、磁気円偏光二色性を利用
した磁気光学記憶素子である。

この発明の実施例について図面に基づき説明す
る。第２図がこの発明の実施例の構成を示す断面
図である。この実施例は偏光子９とλ／４板１０
からなる円偏光素子とその円偏光素子上に形成さ
れた磁性薄膜１１からなる。

偏光子９は直線偏光板である。λ／４板１０は
ポリビニルアルコールなどの高分子膜である。磁
性薄膜１１はGd，Tb，Dy，Ho，Sm，Eu，Er
等の希土類元素とFe，Co，Ni等の遷移金属元素
とを所定の組成比で混合して形成されるアモルフ
アスフエリ磁性体またはMnBi，MnBiCu，
MnAlGe等の結晶質磁性体のように、磁気円偏光
二色性及び膜面に垂直な磁化容易軸を有した磁性
体の薄膜である。この磁性薄膜１１は真空蒸着ま
たはスパツタリング法によりλ／４板１０上に直
接形成される。

上記円偏光素子は入射光を円偏光させるととも
に、磁性薄膜１１に直接塵埃が付着しないよう磁
性薄膜１１と再生ヘツドなどの間の保護板にもな
る。

次に上述の実施例を再生光学系に用いた場合に
ついて説明する。第３図がその再生光学系を示す
構成図である。第１図及び第２図と同一構成部材
については説明を省略する。この光学系では集光
レンズ４とコリメータレンズ６の間に偏光子９と
λ／４板１０と磁性薄膜１１とが一体となつた記
憶素子が置かれている。レーザ光源１よりのレー
ザ光８は集光レンズ４、上記記憶素子、コリメー
タレンズ６を経て検出器７に導入される。上記記
憶素子の磁気円偏光二色性により再生が行なわれ
る。このように上記実施例に示した記憶素子を再
生光学系に用いると、構成が非常に簡略化され、
集光レンズによる偏光解消が消滅し、高いＳ／Ｎ
比を得ることができる。

また、この発明は磁気デイスクまたは光メモリ
の記憶円板の記憶素子に適用できる。以下、この
発明の他の実施例について説明する。第１図乃至
第３図と同一部材については説明を省略する。第
４図に示すように、この記憶円板は偏光子９と
λ／４板１０と磁性薄膜１１からなる記憶素子と
硝子円板１３とが紫外線硬化剤１２により一体化
された円板である。硝子円板１３はアクリル、ポ
リカーボネート等の樹脂からなる薄い硝子板であ
る。この記憶円板を単に磁気デイスクに用いる場
合は円板中央に回転軸を設けて使用する。

第４図が上記記憶円板を機械的な可動部分のな
いビツトバイビツト方式の再生光学系に用いた場
合の構成図である。上記記憶円板は集光レンズ４
と収束レンズ１６の間に設けられる。円板に垂直
な方向に磁場をかけるよう配設されたコイル１４
は記録消去時に磁性薄膜１１に加える磁場発生用
コイルである。二次元偏向器１５は上記記憶円板
へ導入する光の方向を平面的に調節して位置を決
める偏向器である。この再生光学系において、レ
ーザ光源１よりのレーザ光８は２次元偏向器１５
により位置決めされ、集光レンズ４、上記記憶円
板、収束レンズ１６を経て検出器７に入射する。
このように上記記憶円板を用いれば、円板を回転
させるための駆動手段を必要としない光メモリ装
置を構成することができる。

以上のようにこの発明によれば次に列挙するよ
うな効果がある。

この発明は円偏光素子と磁性体とを一体化し
た磁気光学記憶素子であるので、磁性体の磁気
円偏光二色性を利用した再生光学系の構成を簡
略化する。

磁気デイスク、磁気ドラム、磁気テープなど
の装置にこの発明を適用する場合、再生ヘツド
である集光レンズの先端と上記一体化した記憶
素子との間に約１〜0.5mmの間隙を設けること
が可能となる。従つて磁性体と再生ヘツドとの
直接接触が防御され、かつ一体化構造により磁
性体が保護されているので、上記記憶素子の寿
命、精度がよくなる。

再生ヘツドに対して記憶素子が相対的運動を
する磁気光学再生方式だけでなく、そのような
運動機構を必要としない光メモリ装置の記憶円
板として上記一体化された記憶素子は適用でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の記憶素子を用いた再生光学系の
構成図である。第２図はこの発明の実施例を示す
断面図である。第３図はこの発明の実施例を再生
光学系に用いた場合の構成図である。第４図はこ
の発明の他の実施例を示す構成図である。 ９……偏光子、１０……λ／４板、１１……磁
性薄膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 偏光子とλ／４板からなる円偏光素子と、膜
   面に垂直な磁化容易軸を有した磁性薄膜とを一体
   化した磁気光学記憶素子。