JPH02294956A - 光磁気記録装置及び記録方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録装置及び光磁気記録方式に関する
。

〔従来の技術〕

垂直磁気異方性を有する磁性膜を記録膜として用いる光
磁気記録方式では、磁性膜の磁化の向きを情報の″」ノ
１，１１０”に対応させるために、記録のみならず消去
・再記録が可能である。

光磁気記録方式は，いわゆる光変調記録方式と磁界変調
記録方式の２つに大別される。前者は一定強度の磁界の
もとて光強度を情報信号にもとづいて変調し、媒体」二
にＬＬ　Ｉ　ＩＩ　，　　ＬＬ　Ｑ　ＩＩの信号を記録
するものである。後者は逆に、一定強度の光又は一定周
期で繰り返される光パルスのもとて磁界を情報信号で変
調し記録する方式である。

光変調記録方式、磁界変調記録方式のいづれの記録方式
においても、用いられる光磁気記録媒体には通常１−ラ
ッキング用の案内溝（グループ）が設けられており、記
録されるマーク（すなわぢ磁区）は、グループ内あるい
はグループとグループどの間のランド」二に形成される
。この種の記録方式及び記録媒体に関連するものとして
は、特開昭５７　−　１６７１５３、特開昭６２　−　
１７５９５０、特開昭６１−２９４３９、等が挙げられ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、情報の消去についての十分な配慮がな
されておらず、消去が不完全で、情報の消え残りが生ず
るという問題があった。情報の消え残りがある場合には
、新たに記録された情報の再生時に読み誤りが発生する
恐れがあるため、光磁気記録媒体の信頼性を損なう。

消え残りが発生する場所は、主として、レーザ光スポッ
トが本来通過すべき位置から離れたところである。すな
わち、いわゆるオン・ラン１へ記録の場合には、ランド
上の磁性膜に記録された領域が、消去時の１−ラッキン
クずれのため、消え残りとなることがある。

本発明の目的は、消去時の消え残りを大幅に低減した光
磁気記録方式及び記録装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、（１）光磁気記録媒体を設
置するためのクランブと、該光磁気記録媒体の磁化方向
を設定する磁界を該光磁気記録媒体に印加するための磁
界印加手段と、該光磁気記録媒体に光を照射するための
光照射手段とを有する光磁気記録装置において、」−記
光照射手段は、上記光磁気記録媒体の磁性膜上で、情報
を記録するグループ又はランドの幅よりも広いスポット
となる光ビームを照射する手段であることを特徴とする
光磁気記録装置、（２）光磁気記録媒体に所望の強度の
光を照射し、さらに該光磁気記録媒体の磁化方向を設定
する磁界を印加し、該光磁気記録媒体の磁性膜のグルー
プ又はランドに情報を記録する光磁気記録方式において
、上記光の照射は、上記情報を記録するグループ又はラ
ンドの幅より広いスポッ１・で行なうことを特徴とする
光磁気記録方式、（３）光磁気記録媒体に所望の強度の
光を照射し、さらに該光磁気記録媒体の磁化方向を設定
する磁界を印加し、該光磁気記録媒体に情報を記録する
磁区を形成する光磁気記録方式において、該磁区は、情
報を記録するグループ又はランドの幅よりも広い磁区を
形成するように上記光のビームを定めたことを特徴とす
る光磁気記録方式によって達成される。

〔作用〕

まず、記録磁区がランド上にのみ存在するように記録し
た場合を考える。このときには例えば光変調記録方式の
光磁気記録に用いられる通常の消去動作、すなわち連続
的な強い強度のレーザ光を照射しつつ外部より適当な強
度の磁界を印加することにより記録磁区は消去される。

ところが、ラン１く幅が充分に広い場合には、第２図に
示したようにランド幅一杯に記録された磁区３を消去し
ようとすると、レーザ光強度が弱い場合には消え残り磁
区４が生じる。一方第１図に示すように、記録磁区３が
グループ２にまで広がるように記録されている場合には
、第２図と同様な理由で消え残り磁区４が生じたとして
も、消え残り磁区４はグループ内に残る。オン・ラン１
〜記録の場合、グループ形状が矩形状、Ｕ字状、台形状
又はＶ字状であるような記録媒体を用いることが好まし
く、グループ内の磁区は第３図に示すようなグループ内
のランドに近い側の半分の領域５よりも狭い範囲に存在
する磁区は信号としてほとんど再生されない。従って消
え残り磁区４は磁区としては存在するものの再生されず
、実質的に問題とはならない。

また、グループ２とランド１との間には第４図に示した
ような斜面６が存在するが、該斜面６上の磁区も信号と
しては再生されないため、消え残り磁区４が存在しても
何ら差しつがえない。

以上のことは、光磁気記録媒体に磁区を形成した際、そ
の磁区幅と再生信号強度との関係をみると、ある磁区幅
までは磁区幅が増すにつれて再生信号強度が増すが、あ
る磁区幅以」二では再生信号強度は一定となることから
理解される。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。

第５図は、本発明の一実施例の光磁気記録装置の模式図
である。信号発生回路２１により記録信号を生成し、こ
の信号に基づいてレーザ廓動回路２２により半導体レー
ザ２３を睡動する。半導体レーザ２３から出射されたレ
ーザ光２４はコリメー１〜レンズ２５によって平行光束
となり、偏光ビーｌ１スプリッタ２６を通過したのち、
絞り込みレンズ２７により光磁気記録媒体１３上に照射
される。この光は光磁気記録媒体１３で反射し、この際
偏光面の回転（力一回転）を生じるから、反射光は偏光
ビームスプリッタ２６によって図中左側に進行する。ハ
ーフビームスプリンタ２８で二分割された光は各々検光
子２９を通って光検知器３０へ達する。検知された光は
差動増幅回路３１で差動増幅される。

光磁気記録媒体１３はクランプ３２によりスピンドル３
３に取り付けられており、モータ３４によって回転する
。記録・消去時に必要な磁界は、永久磁石や電磁コイル
等の磁界印加手段３５から得る。

つぎに本発明に用いる光磁気記録媒体の作製方法を示す
。第６図は光磁気記録媒体の一例の部分断面図である。

射出成形により作製されたポリカーボネート基板７には
、１．６μｍのピッチで矩形状のグループ２が形成され
ている。グループ２の幅は１．０μｍである。このポリ
カーボネー１・基板７をまず８０℃の真空中で３時間保
持し、基板に含まれる水の脱水処理を行なった。この後
、ポリカーボネー１・基板７を高周波マグネ１・ロン・
スバッタ装置内に装てんし、８５０人厚さのＳｉＮ膜８
，３００人厚さのＴｂ−　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｂ磁性膜９、
厚さ４００人のＳｉＮ膜１０．厚さ５００人のＡＱ−Ｔ
ｊ金属膜１］を、真空を破ることなく連続して積層した
。このあとポリカーボネート基板７をスパッタ装置から
取り出し、スピンナーにより紫外線硬化樹脂］２をｌＯ
μｍの厚さ塗布し、その後紫外線を照射して硬化した。

こうして作製した光磁気記録媒体１３に、磁気ヘッド１
４を紫外線硬化樹脂１２側に配し、ポリカーボネ−１へ
基板７側から１７ーザ光２４を入射して、磁界変調方式
による光磁気記録を行なった。このとき使用したレーザ
光２４の波長λは８３０ｎ　ｍ、絞り込みレンズの開口
数ＮＡは０．６である。従って光スポット径ｄはｄ−λ
／ＮＡ　　ｌ．．４μｒｎであった。また記録パワーは
１０ｍＷであった。またこのとき光磁気記録媒体１３の
回転数は毎分３０００回転であった。

第７図はそのときに得られた記＠磁区３の形状である。

この場合、記録磁区３はランド１上、斜面６」二そして
グループ２内の三ケ所に広がっている。しかもグループ
内の磁区幅は、グループ幅の半分以下となっている。

レーザ光２４を連続的に強く照射し同時に磁気ヘッド１
４から一定強度の磁界を印加して磁区を消去したところ
、レーザ光強度が弱い場合に消え残り磁区が斜面６及び
グループ２」二に見られたが、信号としては再生されな
かった。

なお本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例
えば磁性膜９にはＧｄ　−　Ｔｂ　−　Ｆｅ，　ＧｄＦ
ｅ−Ｃｏなどの非晶質一遷移金属股等が使用できる。さ
らに、ランド」二記録ではなく、グループ内記録を行な
っても全く差しつかえない。グループ形状は矩形状、Ｕ
字状、台形状等の形状が好ましい。さらにはランド幅は
、１．６μｍの１〜ラックピッチに対して、０．５〜１
．０μｍの範囲で変えても、消え残り磁区を斜面６」二
又はグループ２内に限定することが可能である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、グループを有する光磁気記録媒体のグ
ループ又はランド上に記録磁区を形成する記録方式で記
録され、しかも記録磁区が存在する範囲が記録されるグ
ループ又はランドよりも広いため、消去時に消え残り磁
区が生した場合でもそれらは再生され難く、消去特性を
大きく向上することかできた。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図及び第４図は、磁区が形成され
る領域を説明するための説明図、第５図は，本発明の一
実施例の光磁気記録装置の模式図、第６図は、本発明に
用いる光磁気記録媒体の部分断面図、第７図は、磁区の
形成を説明する説明図である。 １　・ランド　　　　　２・・グループ３・・・磁区　
　　　　　４・・消え残り磁区５・・領域　　　　　　
６・・斜面 ７・基板　　　　　　８，１０・・・ＳｊＮ膜９・・・
磁性膜　　　　　１１・・・金属膜１２・・・紫外線硬
化樹脂　１３・光磁気記録媒体１４・磁気ヘッド　　　
２１・・・信号発生回路２２・・レーザ緩区動回路　２
３・・・半導体レーザ２４・モータ　　　　　２５・・
・コリメー１へレンズ２６　　偏光ビームスプリッタ ２７・・・絞り込みレンズ ２８・ハーフビームスプリッタ ２９・検光子 ３１・・差動増幅回路 ３３・・・スピン１〜ル ３５・・・磁界印加手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光磁気記録媒体を設置するためのクランプと、該光
   磁気記録媒体の磁化方向を設定する磁界を該光磁気記録
   媒体に印加するための磁界印加手段と、該光磁気記録媒
   体に光を照射するための光照射手段とを有する光磁気記
   録装置において、上記光照射手段は、上記光磁気記録媒
   体の磁性膜上で、情報を記録するグループ又はランドの
   幅よりも広いスポットとなる光ビームを照射する手段で
   あることを特徴とする光磁気記録装置。 ２、光磁気記録媒体に所望の強度の光を照射し、さらに
   該光磁気記録媒体の磁化方向を設定する磁界を印加し、
   該光磁気記録媒体の磁性膜のグループ又はランドに情報
   を記録する光磁気記録方式において、上記光の照射は、
   上記情報を記録するグループ又はランドの幅より広いス
   ポットで行なうことを特徴とする光磁気記録方式。 ３、光磁気記録媒体に所望の強度の光を照射し、さらに
   該光磁気記録媒体の磁化方向を設定する磁界を印加し、
   該光磁気記録媒体に情報を記録する磁区を形成する光磁
   気記録方式において、該磁区は、情報を記録するグルー
   プ又はランドの幅よりも広い磁区を形成するように上記
   光のビームを定めたことを特徴とする光磁気記録方式。