JPH02192720A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH02192720A JPH02192720A JP1012832A JP1283289A JPH02192720A JP H02192720 A JPH02192720 A JP H02192720A JP 1012832 A JP1012832 A JP 1012832A JP 1283289 A JP1283289 A JP 1283289A JP H02192720 A JPH02192720 A JP H02192720A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体薄膜などの薄膜を形成する薄膜形成方
法に関する。
法に関する。
一般に、光エネルギによって原料ガスを分解し、薄膜形
成用基板上に薄膜を形成する光ＣＶＤ法は、低温成長が
可能であり、しかも成長膜への夕゛メージが少ないなど
の利点から、非常に注目されている。
成用基板上に薄膜を形成する光ＣＶＤ法は、低温成長が
可能であり、しかも成長膜への夕゛メージが少ないなど
の利点から、非常に注目されている。
しかし、原料ガスを分解するのに必要な光エネルギは主
に紫外領域にあり、真空容器に形成した窓を通して、こ
の容器内に外部から光を照射する場合に、波長１１０ｎ
ｍ以下の短波長光を透過する適当な窓材がないために、
１１０ｎｍ以下の短波長光を利用できないことや、成膜
反応の経過に伴って窓材表面にも成膜して透過率の低下
を招くなどの不都合がある。
に紫外領域にあり、真空容器に形成した窓を通して、こ
の容器内に外部から光を照射する場合に、波長１１０ｎ
ｍ以下の短波長光を透過する適当な窓材がないために、
１１０ｎｍ以下の短波長光を利用できないことや、成膜
反応の経過に伴って窓材表面にも成膜して透過率の低下
を招くなどの不都合がある。
そこで、例えば昭和５９年（１９８４年）第３１回応用
物理学関係連合講演会講演予稿集Ｐ３９１ ｒ２９ａ−
Ｒ−４窓なし光ＣＶＤ法によるａ−５ｌの析出（１月に
記載されているように、真空容器内においてプラズマを
発生させ、プラズマの発光エネルギにより原料ガスを分
解して薄膜を形成することが考えられている。
物理学関係連合講演会講演予稿集Ｐ３９１ ｒ２９ａ−
Ｒ−４窓なし光ＣＶＤ法によるａ−５ｌの析出（１月に
記載されているように、真空容器内においてプラズマを
発生させ、プラズマの発光エネルギにより原料ガスを分
解して薄膜を形成することが考えられている。
従来の窓なし光ＣＶＤ法の場合、プラズマの発生領域と
基板の設置位置とが近接しているため、ブラズマ中のイ
オンや電子などの荷電粒子が基板に衝突し、基板や成長
膜がダメージを受け、成長膜の膜質の低下を招くという
問題点がある。
基板の設置位置とが近接しているため、ブラズマ中のイ
オンや電子などの荷電粒子が基板に衝突し、基板や成長
膜がダメージを受け、成長膜の膜質の低下を招くという
問題点がある。
そこで、イオンが基板に衝突しないように、基板にバイ
アスをかけることや、プラズマ発生領域と基板との間に
メツシュ状電極を設け、この電極の電位を制御すること
により、荷電粒子の基板への到達を防止する対策が考え
られているが、すべての荷電粒子を防止することは不可
能である。
アスをかけることや、プラズマ発生領域と基板との間に
メツシュ状電極を設け、この電極の電位を制御すること
により、荷電粒子の基板への到達を防止する対策が考え
られているが、すべての荷電粒子を防止することは不可
能である。
本発明は、前記の点に留意してなされ、荷電粒子の基板
への到達を防止し、荷電粒子の衝突による基板及び成長
膜のダメージを防止できるようにすることを目的とする
。
への到達を防止し、荷電粒子の衝突による基板及び成長
膜のダメージを防止できるようにすることを目的とする
。
前記目的を達成するために、本発明の薄膜形成方法では
、プラズマ室においてマイクロ波エネルギによりプラズ
マ用ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ室に形成し
た磁気鏡型磁場により該磁場中に前記プラズマの荷電粒
子を閉じ込め、前記プラズマの発光エネルギ及び中性ラ
ジカルのエネルギにより、前記プラズマ室に連通した反
応室に導入した原料ガスを分解し、前記反応室に配設し
た薄膜形成用基板上に薄膜を形成することを特徴として
いる。
、プラズマ室においてマイクロ波エネルギによりプラズ
マ用ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ室に形成し
た磁気鏡型磁場により該磁場中に前記プラズマの荷電粒
子を閉じ込め、前記プラズマの発光エネルギ及び中性ラ
ジカルのエネルギにより、前記プラズマ室に連通した反
応室に導入した原料ガスを分解し、前記反応室に配設し
た薄膜形成用基板上に薄膜を形成することを特徴として
いる。
以北のように構成されているため、荷電粒子の基板への
衝突が防止され、荷電粒子の衝突による基板及び成長膜
のダメージが防止される。
衝突が防止され、荷電粒子の衝突による基板及び成長膜
のダメージが防止される。
また、窓が不要であるため、プラズマ用ガスの選択によ
り、波長１１０ｎｍ以下の高エネルギの短波長光を有効
に利用することが可能となる。
り、波長１１０ｎｍ以下の高エネルギの短波長光を有効
に利用することが可能となる。
実施例について図面を参照して説明する。
まず、磁気鏡による荷電粒子の閉じ込めの原理について
、第２図を用いて説明する。
、第２図を用いて説明する。
第２図（こおいて、（ｌａ）、（ｌｂ）は同軸に配設さ
れた２個の空心コイルであり、両コイル（ｌａ）、（ｌ
ｂ）により、両コイル（ｌａ）、（ｌｂ）の近傍で最大
磁界となり、両コイル（ｌａ）、（ｌｂ）の中間で最小
、磁界となる紡錘型の磁気鏡型磁場が形成される。
れた２個の空心コイルであり、両コイル（ｌａ）、（ｌ
ｂ）により、両コイル（ｌａ）、（ｌｂ）の近傍で最大
磁界となり、両コイル（ｌａ）、（ｌｂ）の中間で最小
、磁界となる紡錘型の磁気鏡型磁場が形成される。
そして、このような磁場により、荷電粒子は磁力線（こ
沿って進んだのち、ある所で反射され、これらの繰り返
しにより結果的暑こ磁気鏡内部に荷電粒子が閉じ込めら
れることになる。
沿って進んだのち、ある所で反射され、これらの繰り返
しにより結果的暑こ磁気鏡内部に荷電粒子が閉じ込めら
れることになる。
ところで、この磁気鏡型磁場の磁束密度の最大値をＢｍ
、最小値をＢＯとすると、Ｒ（−Ｂｍ／Ｂｏ ）をミラ
ー比と言い、磁束密度が最小となる両コイルｃ１ａ）＊
（１ｂ）の中間で、多数の荷電粒子が等方的な速度分布
を持つと仮定すると、磁気鏡に閉じ込められずに外へ逃
げ出す荷電粒子の割合は１／Ｒとなり、ミラー比ｋを十
分大きくすることにより、はとんどすべての荷電粒子を
閉じ込めることが可能となる。
、最小値をＢＯとすると、Ｒ（−Ｂｍ／Ｂｏ ）をミラ
ー比と言い、磁束密度が最小となる両コイルｃ１ａ）＊
（１ｂ）の中間で、多数の荷電粒子が等方的な速度分布
を持つと仮定すると、磁気鏡に閉じ込められずに外へ逃
げ出す荷電粒子の割合は１／Ｒとなり、ミラー比ｋを十
分大きくすることにより、はとんどすべての荷電粒子を
閉じ込めることが可能となる。
つぎに、薄膜形成装置の概略を示す第１図について説明
する。
する。
第１図において、（２）は筒状のプラズマ室、（３ａ）
。
。
（３１υはプラズマ室＋２１の両端部の外側に配設され
た磁気鏡型磁場形成用の２個の空心電磁コイル、ｔ、４
ａ）ｔ（，４ｂ月よ両コイル（３ａ）、（３ｂ）間のプ
ラズマ室（２）の外側１ζ配設された磁場微調整用の２
個の空心電磁コイルであり、これらＣＤ コイルｃ３ａ
、Ｊ、（３ｂ）、（４ａ）、（４ｂ）ニよりプラズマ室
（２）に磁気鏡型磁場（、Ｍ）が形成される。
た磁気鏡型磁場形成用の２個の空心電磁コイル、ｔ、４
ａ）ｔ（，４ｂ月よ両コイル（３ａ）、（３ｂ）間のプ
ラズマ室（２）の外側１ζ配設された磁場微調整用の２
個の空心電磁コイルであり、これらＣＤ コイルｃ３ａ
、Ｊ、（３ｂ）、（４ａ）、（４ｂ）ニよりプラズマ室
（２）に磁気鏡型磁場（、Ｍ）が形成される。
さらに、（５）はマグネトロン、（６）はプラズマ室（
２）に連通した導波管、（７）は導波管（６）とプラズ
マ室（２）との間を気密に仕切りプラズマ用ガスの導波
Ｉｆ（ｆｉ内への流入を遮断する石英仕切板、（８）は
プラズマ室＋２１に連通した反応室、（９）は反応室（
８）（こ配設されヒータ（１０）を内蔵した基板ホルダ
、（１１）はホルダ（９）に保持された薄膜形成用基板
、（１２）は、先端部がプラズマ室（２１の中央部まで
導入されプラズマ用ガスを供給スルプラズマ用ガスパイ
プ、（圃は先端部が反応室（８）の基板間の近傍まで導
入され原料ガスを供給する原料ガス用パイプ、０４）は
反応室＋８１に形成された排気口、（１５）は金属メツ
シュであり、プラズマ室（２）と反応室（８）との間に
設けられ、マイクロ波の反応室（８）への漏洩を防止す
る。
２）に連通した導波管、（７）は導波管（６）とプラズ
マ室（２）との間を気密に仕切りプラズマ用ガスの導波
Ｉｆ（ｆｉ内への流入を遮断する石英仕切板、（８）は
プラズマ室＋２１に連通した反応室、（９）は反応室（
８）（こ配設されヒータ（１０）を内蔵した基板ホルダ
、（１１）はホルダ（９）に保持された薄膜形成用基板
、（１２）は、先端部がプラズマ室（２１の中央部まで
導入されプラズマ用ガスを供給スルプラズマ用ガスパイ
プ、（圃は先端部が反応室（８）の基板間の近傍まで導
入され原料ガスを供給する原料ガス用パイプ、０４）は
反応室＋８１に形成された排気口、（１５）は金属メツ
シュであり、プラズマ室（２）と反応室（８）との間に
設けられ、マイクロ波の反応室（８）への漏洩を防止す
る。
ところで、磁気鏡型磁場（Ｍ）の実例値として、磁場（
、Ｍ）の中心から、コイル（３ａ、ｌ、（３ｂ）までの
距離を共に３０ｃｍ、コイル（４ａ）、（４ｂ）までの
距離を共１こ２０ｃｍとし、各：］ コイル３ａ）、（
３１））、（４ａ）、（４ｂ）の半径を５側とし、コイ
ル（３ａ）、（３ｂ）に１００ＯＯＡＴ’ 、 コイル
（４ａ）、（４ｂ）ニ５００ＡＴの電流を流すと、磁場
ＣＭ）の磁束密度の最大値Ｂｍは１２６３Ｃ；ａｕｓｓ
、最小値ＢＯは１ Ｂ、ＩＧａｕｓｓとなって、磁場（
Ｍ） Ｑ） ミラー比Ｒ（＝Ｂｍ／Ｂｏ ）はＲ＝ ９
６．８となり、この場合的９９％の割合で荷電粒子を閉
じ込めることができる。
、Ｍ）の中心から、コイル（３ａ、ｌ、（３ｂ）までの
距離を共に３０ｃｍ、コイル（４ａ）、（４ｂ）までの
距離を共１こ２０ｃｍとし、各：］ コイル３ａ）、（
３１））、（４ａ）、（４ｂ）の半径を５側とし、コイ
ル（３ａ）、（３ｂ）に１００ＯＯＡＴ’ 、 コイル
（４ａ）、（４ｂ）ニ５００ＡＴの電流を流すと、磁場
ＣＭ）の磁束密度の最大値Ｂｍは１２６３Ｃ；ａｕｓｓ
、最小値ＢＯは１ Ｂ、ＩＧａｕｓｓとなって、磁場（
Ｍ） Ｑ） ミラー比Ｒ（＝Ｂｍ／Ｂｏ ）はＲ＝ ９
６．８となり、この場合的９９％の割合で荷電粒子を閉
じ込めることができる。
そして、例えば非晶質Ｓｉ薄膜を形成する場合、原料ガ
スとしてジシランガス（ＳｉｚＨａ）を用い、プラズマ
用ガスとしてキセノン（Ｘｅ ）ガスを用い、Ｓｉ２Ｈ
６に対して吸収の大きい１４７ｎｍのＸｅ共鳴線のエネ
ルギにより、Ｓ １２１１６を分解するようにし、この
ときの条件として、Ｘｅガスの流量をＩＱｓｃｃＭ、反
応室（８）の圧力を０．５Ｔｏｒｒとし、マツチング調
整した導波ｙ（６１を介してマグネトロン（５）による
マイクロ波を照射すると、プラズマ室（２）でＸｅガス
がプラズマ化され、磁気鏡型磁場（Ｍ）によりＸｅプラ
ズマが閉じ込められ、プラズマ室（２）において１４７
ｎｍの共鳴線を含む白色の発光が生じ、このＸｅプラズ
マの発光のエネルギ及び磁場（Ｍ）に閉じ込められない
中性ラジカルのエネルギにより、主として１４７ｎｍの
共鳴線のエネルギにより、反応室（８）ｌこおいて５ｉ
ｚＨａが分解され、基板０り上ｆζ非晶質Ｓｉ薄膜が形
成される。
スとしてジシランガス（ＳｉｚＨａ）を用い、プラズマ
用ガスとしてキセノン（Ｘｅ ）ガスを用い、Ｓｉ２Ｈ
６に対して吸収の大きい１４７ｎｍのＸｅ共鳴線のエネ
ルギにより、Ｓ １２１１６を分解するようにし、この
ときの条件として、Ｘｅガスの流量をＩＱｓｃｃＭ、反
応室（８）の圧力を０．５Ｔｏｒｒとし、マツチング調
整した導波ｙ（６１を介してマグネトロン（５）による
マイクロ波を照射すると、プラズマ室（２）でＸｅガス
がプラズマ化され、磁気鏡型磁場（Ｍ）によりＸｅプラ
ズマが閉じ込められ、プラズマ室（２）において１４７
ｎｍの共鳴線を含む白色の発光が生じ、このＸｅプラズ
マの発光のエネルギ及び磁場（Ｍ）に閉じ込められない
中性ラジカルのエネルギにより、主として１４７ｎｍの
共鳴線のエネルギにより、反応室（８）ｌこおいて５ｉ
ｚＨａが分解され、基板０り上ｆζ非晶質Ｓｉ薄膜が形
成される。
つぎＥこ、第１図Ｃζ示す形成装置により光起電力装置
のｐ、ｉ、ｎの各層を表１に示す条件で形成し、第３図
に示すような構成の光起電力装置（１）を作成した。
のｐ、ｉ、ｎの各層を表１に示す条件で形成し、第３図
に示すような構成の光起電力装置（１）を作成した。
（表 １）
ところで、この光起電力装置は周知の構成であり、第３
図に示ア如く、ガラス基板（＋６＋上１こ、透明導電膜
（１η、非晶質Ｓｉからなるｐｐｉｐ”層ｔ１８１ ｊ
０９１ ｊ １２０）及び裏面’Ｋｍ＠Ｕ）ｒ）＠次
積層したものであり、表１の条件下沓こおいて、ｐ、ｎ
層Ｈｔ ＠ｏ）の成膜速度を２ＱＡ／ｍｉ ｎ 、 ｉ
層（１９）の成膜速度を７０Ａ／ｍｉｎとし、ｐ＊１ｍ
ｎ １ｍ １１８ｊ Ｉ （１９） ＃ ｅ２０＋の膜
厚はそれぞれ１５０Ａ、４０００Ａ、３００Ａとした。
図に示ア如く、ガラス基板（＋６＋上１こ、透明導電膜
（１η、非晶質Ｓｉからなるｐｐｉｐ”層ｔ１８１ ｊ
０９１ ｊ １２０）及び裏面’Ｋｍ＠Ｕ）ｒ）＠次
積層したものであり、表１の条件下沓こおいて、ｐ、ｎ
層Ｈｔ ＠ｏ）の成膜速度を２ＱＡ／ｍｉ ｎ 、 ｉ
層（１９）の成膜速度を７０Ａ／ｍｉｎとし、ｐ＊１ｍ
ｎ １ｍ １１８ｊ Ｉ （１９） ＃ ｅ２０＋の膜
厚はそれぞれ１５０Ａ、４０００Ａ、３００Ａとした。
そして、作成した光起電力装置（１）の光電変換特性を
測定した結果、表２に示すようになり、比較のために、
ｉ層形成時の磁気鏡型磁場ＣＭ）を無しとする以外は表
１に示す条件とすべて同じにして作成した光起電力装置
（Ｉｔ）の光電変換特性も表２に示す。なお、表２の各
層はＡＭ−１，５、ｌ ＯＯｍＷ、’、７０．ｌ状態の
ものである。
測定した結果、表２に示すようになり、比較のために、
ｉ層形成時の磁気鏡型磁場ＣＭ）を無しとする以外は表
１に示す条件とすべて同じにして作成した光起電力装置
（Ｉｔ）の光電変換特性も表２に示す。なお、表２の各
層はＡＭ−１，５、ｌ ＯＯｍＷ、’、７０．ｌ状態の
ものである。
このように、表２かられかるように、光起電力装置（１
）の方がすべての特性について光起電力装置０１）を上
回っており、光起電力装置（１）の特性が良好であるこ
とを示している。
）の方がすべての特性について光起電力装置０１）を上
回っており、光起電力装置（１）の特性が良好であるこ
とを示している。
さらに、光起電力装置（１） 、 （ｆｌ）の収集効率
について、＋０．７Ｖバイアス時の値を−５Ｖバイアス
時の値で規格化した規格化収集効率スペクトルを測定し
たところ、第４図（こ示すようになり、同図中の実線が
光起電力装置（１）を示し、破線が光起電力装置（ｆｌ
）を示しており、＠４図から明らかなように、光起”ｍ
刃装置（Ｉ）は４００〜ｇ Ｑ Ｑｎｍの範囲で規格化
収集効率がほぼ一定しているのに対し、光起電力装＠
（［）は４００〜５００ｎｍの短波長域の規格化収集効
率が低下している。
について、＋０．７Ｖバイアス時の値を−５Ｖバイアス
時の値で規格化した規格化収集効率スペクトルを測定し
たところ、第４図（こ示すようになり、同図中の実線が
光起電力装置（１）を示し、破線が光起電力装置（ｆｌ
）を示しており、＠４図から明らかなように、光起”ｍ
刃装置（Ｉ）は４００〜ｇ Ｑ Ｑｎｍの範囲で規格化
収集効率がほぼ一定しているのに対し、光起電力装＠
（［）は４００〜５００ｎｍの短波長域の規格化収集効
率が低下している。
これは、ｐ層（１８）と１１台（１９）の界面付近の接
合特性が悪化したためと考えられる。
合特性が悪化したためと考えられる。
そして、表２及び第４図の結果から、ｉ層（ｌｉｌｌの
形成時に磁気鏡型磁場（−Ｍ）を無しとしたことにより
、Ｘｅプラズマの荷電粒子の衝突によって下地のｐ層（
１８１がダメージを受け、ｐ／ｉ界面の接合特性が悪化
し、その結果光起電力装置の光電変換特性及び規格化収
集効率の低下を招いたことになり、逆に磁気鏡型磁場に
よる荷電粒子の閉じ込めによって、ｉ層（１９）の形成
時に下地のｐ層（１８１のダメージを防止して良好なｐ
苅界面の接合特性を得ることができ、光起電力装置の光
電変換特性及び規格化収集効率の向とを図ることが可能
になる。
形成時に磁気鏡型磁場（−Ｍ）を無しとしたことにより
、Ｘｅプラズマの荷電粒子の衝突によって下地のｐ層（
１８１がダメージを受け、ｐ／ｉ界面の接合特性が悪化
し、その結果光起電力装置の光電変換特性及び規格化収
集効率の低下を招いたことになり、逆に磁気鏡型磁場に
よる荷電粒子の閉じ込めによって、ｉ層（１９）の形成
時に下地のｐ層（１８１のダメージを防止して良好なｐ
苅界面の接合特性を得ることができ、光起電力装置の光
電変換特性及び規格化収集効率の向とを図ることが可能
になる。
なお、前記実施例では、プラズマ用ガスとしてＸｅを用
いる場合について説明したが、これに限るものではなり
、Ａｒ、Ｋｒ、Ｆｌｅなどの希ガスや、Ｎ２．Ｎ２など
のガスを用いてもよいのは勿論である。
いる場合について説明したが、これに限るものではなり
、Ａｒ、Ｋｒ、Ｆｌｅなどの希ガスや、Ｎ２．Ｎ２など
のガスを用いてもよいのは勿論である。
また、前記実施例では非晶質Ｓｉ薄膜を形成する場合ｆ
コライて説明したが、非晶質のＳ ｉＣ，Ｓ ｉｃｅ、
Ｓｉｇｎ。
コライて説明したが、非晶質のＳ ｉＣ，Ｓ ｉｃｅ、
Ｓｉｇｎ。
ＳｉＮなどの薄膜や、微結晶、多結晶の薄膜の形成にも
、本発明を同様に適用できるのは言うまでもない。
、本発明を同様に適用できるのは言うまでもない。
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載する効果を奏する。
下に記載する効果を奏する。
プラズマ室に形成した磁気鏡型磁場ｔζよりプラズマの
荷電粒子を閉じ込め、プラズマの発光エネルギ及び中性
ラジカルのエネルギにより、原料ガスを分解するように
したため、従来のような荷電粒子の基板への衝突を防止
することができ、荷電粒子の衝突による基板及び成長膜
のダメージを阻止することができ、膜質の良好な薄膜を
得ることができ、半導体デバイスの作成に適用した場合
には、特性の優れたデバイスを作成することが可能とな
る。
荷電粒子を閉じ込め、プラズマの発光エネルギ及び中性
ラジカルのエネルギにより、原料ガスを分解するように
したため、従来のような荷電粒子の基板への衝突を防止
することができ、荷電粒子の衝突による基板及び成長膜
のダメージを阻止することができ、膜質の良好な薄膜を
得ることができ、半導体デバイスの作成に適用した場合
には、特性の優れたデバイスを作成することが可能とな
る。
また、通常の光ＣＶＤ法のような窓材を必要としないた
め、従来窓材の透過波長の制限から利用不可能であった
ｌｌＱｎｍ以下の高エネルギの短波長光も、有効に利用
することが可能となり、適用範囲の拡張を図ることがで
きる。
め、従来窓材の透過波長の制限から利用不可能であった
ｌｌＱｎｍ以下の高エネルギの短波長光も、有効に利用
することが可能となり、適用範囲の拡張を図ることがで
きる。
図面は、本発明の薄膜形成方法の１実施例を示し、第１
図は形成装置の概略図、第２図は磁気鏡型磁場の説明図
、第３図は光起電力装置の概略図、第４図は波長と光起
電力装置の規格化収集効率との関係図である。 （２１・・・プラズマ室、（５）・・・マグネトロン、
（８）・・反応室、（１す・・・基板、０々・・・プラ
ズマ用ガスパイプ、（１＋３１・・原料ガスパイプ、（
Ｍ）・・・磁気鏡型磁場。
図は形成装置の概略図、第２図は磁気鏡型磁場の説明図
、第３図は光起電力装置の概略図、第４図は波長と光起
電力装置の規格化収集効率との関係図である。 （２１・・・プラズマ室、（５）・・・マグネトロン、
（８）・・反応室、（１す・・・基板、０々・・・プラ
ズマ用ガスパイプ、（１＋３１・・原料ガスパイプ、（
Ｍ）・・・磁気鏡型磁場。
Claims (1)
- （１）プラズマ室においてマイクロ波エネルギによりプ
ラズマ用ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ室に形
成した磁気鏡型磁場により該磁場中に前記プラズマの荷
電粒子を閉じ込め、前記プラズマの発光エネルギ及び中
性ラジカルのエネルギにより、前記プラズマ室に連通し
た反応室に導入した原料ガスを分解し、前記反応室に配
設した薄膜形成用基板上に薄膜を形成することを特徴と
する薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1012832A JP2876318B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1012832A JP2876318B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192720A true JPH02192720A (ja) | 1990-07-30 |
| JP2876318B2 JP2876318B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=11816352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1012832A Expired - Lifetime JP2876318B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2876318B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009054996A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
| JP5909807B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2016-04-27 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPWO2016186143A1 (ja) * | 2015-05-20 | 2018-03-29 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222075A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成装置 |
| JPS63142636A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Anelva Corp | 真空装置 |
| JPH0227718A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理方法およびそれに用いるプラズマ処理装置 |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1012832A patent/JP2876318B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222075A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成装置 |
| JPS63142636A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Anelva Corp | 真空装置 |
| JPH0227718A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理方法およびそれに用いるプラズマ処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009054996A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
| JP5909807B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2016-04-27 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPWO2016186143A1 (ja) * | 2015-05-20 | 2018-03-29 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2876318B2 (ja) | 1999-03-31 |
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