JPH02192718A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02192718A JPH02192718A JP1266989A JP1266989A JPH02192718A JP H02192718 A JPH02192718 A JP H02192718A JP 1266989 A JP1266989 A JP 1266989A JP 1266989 A JP1266989 A JP 1266989A JP H02192718 A JPH02192718 A JP H02192718A
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Landscapes
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［４既要コ
半導体装置の製造方法のうち、特にＳｏｌ基板の形成方
法に関し、 一層結晶品質の良い単結晶シリコン膜を形成させること
を目的とし、 非単結晶性シリコン膜を被着した絶縁性基板上に、１個
のチップ領域を露出させる方形窓を設けたビーム遮蔽マ
スクを間隙を介して配置し、該方形窓のＹ方向の一辺の
中心部から２つの加熱ビームを照射してＸ方向に同時に
走査し、該方形窓のＹ方向の他辺を通り越して前記ビー
ム遮蔽マスク上において走査を逆方向に折り返し、次い
で、Ｘ方向に逆に走査し、かくして、前記２つの加熱ビ
ームをいずれもジグザグに走行させ、前記２つの加熱ビ
ームがお互いに離反してそれぞれ前記方形窓のＸ方向の
両辺に近づくように前記方形窓内を全面走査して、前記
１個のチップ領域の非単結晶性シリコン膜を単結晶性シ
リコン膜に変成する工程が含まれることを特徴とする。
法に関し、 一層結晶品質の良い単結晶シリコン膜を形成させること
を目的とし、 非単結晶性シリコン膜を被着した絶縁性基板上に、１個
のチップ領域を露出させる方形窓を設けたビーム遮蔽マ
スクを間隙を介して配置し、該方形窓のＹ方向の一辺の
中心部から２つの加熱ビームを照射してＸ方向に同時に
走査し、該方形窓のＹ方向の他辺を通り越して前記ビー
ム遮蔽マスク上において走査を逆方向に折り返し、次い
で、Ｘ方向に逆に走査し、かくして、前記２つの加熱ビ
ームをいずれもジグザグに走行させ、前記２つの加熱ビ
ームがお互いに離反してそれぞれ前記方形窓のＸ方向の
両辺に近づくように前記方形窓内を全面走査して、前記
１個のチップ領域の非単結晶性シリコン膜を単結晶性シ
リコン膜に変成する工程が含まれることを特徴とする。
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造方法のうち、特にＳＯＩ基板
の形成方法に関する。
の形成方法に関する。
Ｓ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔ
ｏｒ）基板上に構成したＩＣ，ＬＳＩなどのＳｏｌ構造
半導体装置が次世代の技術として期待されており、それ
は高速動作、耐放射線、高温動作に優れた半導体装置が
得られるからである。
ｏｒ）基板上に構成したＩＣ，ＬＳＩなどのＳｏｌ構造
半導体装置が次世代の技術として期待されており、それ
は高速動作、耐放射線、高温動作に優れた半導体装置が
得られるからである。
しかし、このようなＳｏｌ構造半導体装置はＳＯＩ基板
が絶縁膜上に良質の単結晶を生成することが必須条件と
なっており、更に高品質な結晶の作成が望まれている。
が絶縁膜上に良質の単結晶を生成することが必須条件と
なっており、更に高品質な結晶の作成が望まれている。
［従来の技術］
従来のＳｏｌ基板の形成方法を第４図（ａｌ、 （ｂｌ
に示す工程順断面図によって説明する。まず、第４図（
ａｌに示すように、シリコン基板１上に膜厚１μｍ程度
の５ｉＯｚ （二酸化シリコン）膜２を生成して（こ
れが絶縁性基板である）、そのＳｉＯ□膜２上に膜厚０
，５μｍの多結晶シリコン膜３をＣＶＤ（化学気相成長
）法によって被着する。
に示す工程順断面図によって説明する。まず、第４図（
ａｌに示すように、シリコン基板１上に膜厚１μｍ程度
の５ｉＯｚ （二酸化シリコン）膜２を生成して（こ
れが絶縁性基板である）、そのＳｉＯ□膜２上に膜厚０
，５μｍの多結晶シリコン膜３をＣＶＤ（化学気相成長
）法によって被着する。
次いで、第４図（ｂｌに示すように、その上方から多結
晶シリコン膜３を、例えば、連続アルゴンレーザ（ＣＷ
−Ａｒ Ｌａ５ｅｒ） ビームからなる加熱ビームＬ
Ｂで走査して加熱溶融させ、多結晶シリコン膜を単結晶
シリコン膜３′に変成させる。その際、加熱ビームＬＢ
の走査は第５図に矢印で示しているように、シリコンウ
ェハー（シリコン基板）１０をＸ方向に走査し、次にウ
ェハーの側端で折り返して、更に、逆方向に走査し、こ
のようにしてジグザクに走行して、シリコンウェハーの
全面を走査して加熱溶融させる。
晶シリコン膜３を、例えば、連続アルゴンレーザ（ＣＷ
−Ａｒ Ｌａ５ｅｒ） ビームからなる加熱ビームＬ
Ｂで走査して加熱溶融させ、多結晶シリコン膜を単結晶
シリコン膜３′に変成させる。その際、加熱ビームＬＢ
の走査は第５図に矢印で示しているように、シリコンウ
ェハー（シリコン基板）１０をＸ方向に走査し、次にウ
ェハーの側端で折り返して、更に、逆方向に走査し、こ
のようにしてジグザクに走行して、シリコンウェハーの
全面を走査して加熱溶融させる。
しかる後、単結晶シリコン膜３′にＭＯ３素子などから
なる半導体装置を形成する。なお、加熱ビームは上記レ
ーザビームの他に電子ビームなど、他の加熱ビームを用
いることもできる。また、多結晶シリコン膜３の代わり
に、アモルファスシリコン膜などを被着しても良く、要
するに、非単結品性のシリコン膜を被着して単結晶化さ
せるものである。
なる半導体装置を形成する。なお、加熱ビームは上記レ
ーザビームの他に電子ビームなど、他の加熱ビームを用
いることもできる。また、多結晶シリコン膜３の代わり
に、アモルファスシリコン膜などを被着しても良く、要
するに、非単結品性のシリコン膜を被着して単結晶化さ
せるものである。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、上記のようなビームアニール法は走査して生
成した単結晶シリコン膜３′の結晶品質が未だ十分とは
いえない。例えば、レーザビームをジグザクに走行させ
るために走行速度に変化が起こって、−直線に走行する
位置では加速され、折り返し位置では減速が生じる。そ
のため、折り返し位置、即ち、ウェハーの周辺部分では
ビームの減速によって加熱エネルギーが過剰になり、単
結晶シリコン膜３′がウェハーの周囲から剥がれ易いと
いった不具合が起こる。
成した単結晶シリコン膜３′の結晶品質が未だ十分とは
いえない。例えば、レーザビームをジグザクに走行させ
るために走行速度に変化が起こって、−直線に走行する
位置では加速され、折り返し位置では減速が生じる。そ
のため、折り返し位置、即ち、ウェハーの周辺部分では
ビームの減速によって加熱エネルギーが過剰になり、単
結晶シリコン膜３′がウェハーの周囲から剥がれ易いと
いった不具合が起こる。
また、上記に説明したレーザアニール法の他、Ｓｏｌ基
板を形成する方法として、２つのシリコンウェハー表面
に５ｉ０２膜を生成した後、そのＳｉＯ□膜面を張り合
わせて、片方のシリコンウェハーを研磨除去して薄膜化
にする方法も提案されている。しかし、この方法は生産
性が低くてコストアンプする欠点がある。
板を形成する方法として、２つのシリコンウェハー表面
に５ｉ０２膜を生成した後、そのＳｉＯ□膜面を張り合
わせて、片方のシリコンウェハーを研磨除去して薄膜化
にする方法も提案されている。しかし、この方法は生産
性が低くてコストアンプする欠点がある。
本発明はそれらの問題点を軽減させ、−層結晶品質の良
い単結晶シリコン膜を形成できる製造方法を提案するも
のである。
い単結晶シリコン膜を形成できる製造方法を提案するも
のである。
［課題を解決するための手段］
その課題は、第１図に示す実施例のように、非単結晶性
シリコン膜３を被着した絶縁性基板（ＳｉＯ□ＩＦＪ
２を設けたシリコン基板１）」二に、１個のチップ領域
を露出させる方形窓Ｗを設けたビーム遮蔽マスク１１を
間隙りを介して配置し、該方形窓のＸ方向の一辺ｙ１の
中心Ｃ部から２つの加熱ビーＪ、Ｂ、、 Ｂ２を照射し
てＸ方向に同時に走査し、該方形窓のＸ方向の他辺Ｙ２
を通り越して前記ビーム遮蔽マスク１１上において走査
を逆方向に折り返し、次いで、Ｘ方向に逆に走査して、
かくして、前記２つの加熱ビームをいずれもジグザグに
走行させ、前記２つの加熱ビームがお互いに離反してそ
れぞれ前記方形窓のＸ方向の両辺Ｘｉ、 Ｘ２に近づく
ように前記方形窓内を全面走査して、前記１個のチソプ
領域の非単結晶性シリコン膜３を単結晶性シリコン膜３
゛に変成する工程が含まれる製造方法によって解決され
る。
シリコン膜３を被着した絶縁性基板（ＳｉＯ□ＩＦＪ
２を設けたシリコン基板１）」二に、１個のチップ領域
を露出させる方形窓Ｗを設けたビーム遮蔽マスク１１を
間隙りを介して配置し、該方形窓のＸ方向の一辺ｙ１の
中心Ｃ部から２つの加熱ビーＪ、Ｂ、、 Ｂ２を照射し
てＸ方向に同時に走査し、該方形窓のＸ方向の他辺Ｙ２
を通り越して前記ビーム遮蔽マスク１１上において走査
を逆方向に折り返し、次いで、Ｘ方向に逆に走査して、
かくして、前記２つの加熱ビームをいずれもジグザグに
走行させ、前記２つの加熱ビームがお互いに離反してそ
れぞれ前記方形窓のＸ方向の両辺Ｘｉ、 Ｘ２に近づく
ように前記方形窓内を全面走査して、前記１個のチソプ
領域の非単結晶性シリコン膜３を単結晶性シリコン膜３
゛に変成する工程が含まれる製造方法によって解決され
る。
［作用Ｊ
即ち、本発明は、従来のようにシリコンウェハーの全面
を加熱ビームによって走査走行するのではなく、１個の
チップ領域のみを走査してシリコン膜を単結晶化させる
方法であるが、その際、方形窓Ｗを設けたビーム遮蔽マ
スク１１を用い、且つ、２つの加熱ビームを使用してＹ
方向の中心部よりＸ方向の両辺に向かってジグザグに走
行させる。
を加熱ビームによって走査走行するのではなく、１個の
チップ領域のみを走査してシリコン膜を単結晶化させる
方法であるが、その際、方形窓Ｗを設けたビーム遮蔽マ
スク１１を用い、且つ、２つの加熱ビームを使用してＹ
方向の中心部よりＸ方向の両辺に向かってジグザグに走
行させる。
そうすれば、チップ領域はウェハーよりも面積が小さい
領域であるから熱が逃げない間に隣接部分を加熱ビーム
で加熱するために加熱効率が良く、しかも、中央から加
熱溶融して結晶を成長させるために品質の良い大きな単
結晶が得られる。しかも、ビーム走査が減速する折り返
し位置をビーム遮蔽マスク１１上とすることができるか
ら走行速度の変化が少なくなって、そのため、過剰なエ
ネルギーが加わらずに、剥がれが起こり難くなる。
領域であるから熱が逃げない間に隣接部分を加熱ビーム
で加熱するために加熱効率が良く、しかも、中央から加
熱溶融して結晶を成長させるために品質の良い大きな単
結晶が得られる。しかも、ビーム走査が減速する折り返
し位置をビーム遮蔽マスク１１上とすることができるか
ら走行速度の変化が少なくなって、そのため、過剰なエ
ネルギーが加わらずに、剥がれが起こり難くなる。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図（ａ）、 （ｂｌは本発明にかかる実施例を示す
図で、同図ｆａ）はシリコンウェハー面の１個のチップ
領域部分の平面図、同図（ｂｌは同図（ａ）のＡＡ断面
図である。記号ｌはシリコン基板、２は５ｉｎ２膜２３
は多結晶シリコン膜、３゛は単結晶性シリコン膜、 １
１はビーム遮蔽マスク＋ ８１１８２は加熱ビーム。
図で、同図ｆａ）はシリコンウェハー面の１個のチップ
領域部分の平面図、同図（ｂｌは同図（ａ）のＡＡ断面
図である。記号ｌはシリコン基板、２は５ｉｎ２膜２３
は多結晶シリコン膜、３゛は単結晶性シリコン膜、 １
１はビーム遮蔽マスク＋ ８１１８２は加熱ビーム。
Ｗは方形窓、Ｄは基板１とマスク１１との間隙、 Ｙｌ
。
。
Ｙ２は方形窓のＹ方向の辺、 Ｘｉ、 Ｘ２は方形窓の
Ｘ方向の辺、Ｃは辺Ｙ１の中心である。
Ｘ方向の辺、Ｃは辺Ｙ１の中心である。
ＳｉＯ□膜２（膜厚１μｍ）を生成したシリコン基板１
（絶縁性基板）上にＣＶＤ法によって多結晶シリコン
膜３ （膜厚０．５μｍ）を被着してあり、その上に数
μｍの距離りを離してビーム遮蔽マスク１１を配置して
いる。このビーム遮蔽マスク１１ば、例えば、タングス
テンで作成し、マスク内には方形窓Ｗを窓あけしである
。この方形窓内には５ｍｍＸ １０ｍｍの１チツプ領域
を露出することができる。
（絶縁性基板）上にＣＶＤ法によって多結晶シリコン
膜３ （膜厚０．５μｍ）を被着してあり、その上に数
μｍの距離りを離してビーム遮蔽マスク１１を配置して
いる。このビーム遮蔽マスク１１ば、例えば、タングス
テンで作成し、マスク内には方形窓Ｗを窓あけしである
。この方形窓内には５ｍｍＸ １０ｍｍの１チツプ領域
を露出することができる。
そのビーム遮蔽マスク１１の上方から２つの加熱ビーム
Ｂ、、 Ｂ、を照射して走査するが、その加熱ビームは
、例えば、ビーム径５０μｍ、出力１０ワットスキャン
ニング速度１５Ｃ［１１／秒の連続アルゴンレーザビー
ムを用いて、一方、絶縁性基板は約４５０’Ｃに加熱し
た状態にしておく。
Ｂ、、 Ｂ、を照射して走査するが、その加熱ビームは
、例えば、ビーム径５０μｍ、出力１０ワットスキャン
ニング速度１５Ｃ［１１／秒の連続アルゴンレーザビー
ムを用いて、一方、絶縁性基板は約４５０’Ｃに加熱し
た状態にしておく。
そうして、第１図（ａｌに示すように、２つの加熱ビー
ムＢ、、 Ｂｚを方形窓ＷのＹ方向の一辺Ｙ１の中心Ｃ
部分から平行してＸ方向に同時に走査し、方形窓のＹ方
向の他辺Ｙ２を通り越してビーム遮蔽マスクＩＩ上で走
査方向を折り返して逆行させ、次いで、同じく逆のＸ方
向に走査する。このようにして、２つの加熱ビームＢｌ
、 ８ｚを同速度で走査してジグザグに走行させる。そ
うすると、２つの加熱ビームＢ、、 Ｂ２はお互いに次
第に距離が離れて、それぞれは方形窓のＸ方向の両辺Ｘ
ｉ、 Ｘ２に近づく方向に走査し、かくして、方形窓Ｗ
内を全面走査し終えると、前記１個のチップ領域の非単
結晶性シリコン膜３をすべて単結晶性シリコン膜３゛に
変成させることができる。
ムＢ、、 Ｂｚを方形窓ＷのＹ方向の一辺Ｙ１の中心Ｃ
部分から平行してＸ方向に同時に走査し、方形窓のＹ方
向の他辺Ｙ２を通り越してビーム遮蔽マスクＩＩ上で走
査方向を折り返して逆行させ、次いで、同じく逆のＸ方
向に走査する。このようにして、２つの加熱ビームＢｌ
、 ８ｚを同速度で走査してジグザグに走行させる。そ
うすると、２つの加熱ビームＢ、、 Ｂ２はお互いに次
第に距離が離れて、それぞれは方形窓のＸ方向の両辺Ｘ
ｉ、 Ｘ２に近づく方向に走査し、かくして、方形窓Ｗ
内を全面走査し終えると、前記１個のチップ領域の非単
結晶性シリコン膜３をすべて単結晶性シリコン膜３゛に
変成させることができる。
このようにして、１個のチップ領域の非単結晶性シリコ
ン膜３をすべて単結晶性シリコン膜３゛に変成させると
、次に、ビーム遮蔽マスク１１またはシリコンウェハー
１０を移動させて、次の１個のチップ領域に方形窓Ｗを
一致させる。そして、同様〕加熱ビームＢｌｌ ８２に
よるビーム照射走査を繰り返えす。第２図にシリコンウ
ェハー上の走査の一状態を示しているが、このような状
態のビーム遮蔽マスク１１とシリコンウェハー１０との
位置関係ハヒーム遮蔽マスク１１あるいはシリコンウェ
ハー１０を移動させることによっておこない、順次に移
動して、すべてのチップ領域の非単結晶性シリコン膜を
単結晶性シリコン膜に変成させるものである。
ン膜３をすべて単結晶性シリコン膜３゛に変成させると
、次に、ビーム遮蔽マスク１１またはシリコンウェハー
１０を移動させて、次の１個のチップ領域に方形窓Ｗを
一致させる。そして、同様〕加熱ビームＢｌｌ ８２に
よるビーム照射走査を繰り返えす。第２図にシリコンウ
ェハー上の走査の一状態を示しているが、このような状
態のビーム遮蔽マスク１１とシリコンウェハー１０との
位置関係ハヒーム遮蔽マスク１１あるいはシリコンウェ
ハー１０を移動させることによっておこない、順次に移
動して、すべてのチップ領域の非単結晶性シリコン膜を
単結晶性シリコン膜に変成させるものである。
そうすると、チップ領域はウェハーよりも面積の小さい
領域であるから熱が逸散しない間に隣接部分が加熱ビー
ムにより加熱されて、熱効率が良いために結晶が大きく
成長し、しかも、中央から結晶が成長するから結晶粒界
の少ない品質の良い大形結晶が作成できる。しかも、ビ
ーム走査の減速が起きる折り返し位置をビーム遮蔽マス
ク１１上にするために過剰なエネルギーが加わることが
少なくなって剥がれが減少する。
領域であるから熱が逸散しない間に隣接部分が加熱ビー
ムにより加熱されて、熱効率が良いために結晶が大きく
成長し、しかも、中央から結晶が成長するから結晶粒界
の少ない品質の良い大形結晶が作成できる。しかも、ビ
ーム走査の減速が起きる折り返し位置をビーム遮蔽マス
ク１１上にするために過剰なエネルギーが加わることが
少なくなって剥がれが減少する。
次に、第３図は本発明にかかる他の実施例を示す図で、
本例は５ｉＯｚ膜／ Ｓ ｉ ３ Ｎ ａ膜からなるキ
ャップ層１２を多結晶シリコン膜上に被覆したもので、
このＳｉＯ□膜（膜厚５００人）を介したＳｉ＊ Ｎ４
膜（膜厚５００人）からなるキャップ層１２を被着する
と、ビーム照射時にビームの反射が防止されて加熱効率
が高くなることが知られているが、そのような公知のキ
ャップ層１２を設ける方法にも本発明を適用できるもの
である。
本例は５ｉＯｚ膜／ Ｓ ｉ ３ Ｎ ａ膜からなるキ
ャップ層１２を多結晶シリコン膜上に被覆したもので、
このＳｉＯ□膜（膜厚５００人）を介したＳｉ＊ Ｎ４
膜（膜厚５００人）からなるキャップ層１２を被着する
と、ビーム照射時にビームの反射が防止されて加熱効率
が高くなることが知られているが、そのような公知のキ
ャップ層１２を設ける方法にも本発明を適用できるもの
である。
［発明の効果コ
以上の実施例の説明から明らかなように、本発明によれ
ば１チツプ毎に２つの加熱ビームを走査して中央より結
晶化させるために、粒界の発生が少なくなって大きな単
結晶が作成され、且つ、剥がれが減少して高品質なＳｏ
ｌ基板を得ることができる。従って、Ｓｏｌ構造半導体
装置の品質・性能の向上に大きく役立つものである。
ば１チツプ毎に２つの加熱ビームを走査して中央より結
晶化させるために、粒界の発生が少なくなって大きな単
結晶が作成され、且つ、剥がれが減少して高品質なＳｏ
ｌ基板を得ることができる。従って、Ｓｏｌ構造半導体
装置の品質・性能の向上に大きく役立つものである。
第１図（ａｌ、 （ｂ）は本発明にかかる実施例を示す
図、第２図はシリコンウェハー上の走査の一状態を示す
図、 第３図は本発明にかかる他の実施例を示す図、第４図（
ａｌ、 （ｂ）は従来のｓｏｒ基板の形成方法の工程順
断面図、 第５図は従来のレーザビームの走査を示す図である。 図において、 １はシリコン基板、 ２はＳｉＯ□膜、３は多結晶
シリコン膜、 ３’、３゛は単結晶シリコン膜、 ＩＯはシリコンウェハー、１１はビーム遮蔽マスク、１
２はキャップ層、 Ｗは方形窓、 ＬＢ、 ＥＬ、 ｆｈは加熱ビ
ーム、ＸＬ Ｘ２は方形窓のＸ方向の辺、 Ｙｌ、 Ｙ２は方形窓のＹ方向の辺、 Ｄは基板１とマスク１１との間隙、 Ｃは辺Ｙ１の中心 を示している。 ７Ｆ亮ａｌｌ、＝４．かゐ失あき今ｊｆ示すフ第１図 シリコノウェハー上の走−８、、−ａａ１７Ｘｊｍ第１
７ Ｘｊ
図、第２図はシリコンウェハー上の走査の一状態を示す
図、 第３図は本発明にかかる他の実施例を示す図、第４図（
ａｌ、 （ｂ）は従来のｓｏｒ基板の形成方法の工程順
断面図、 第５図は従来のレーザビームの走査を示す図である。 図において、 １はシリコン基板、 ２はＳｉＯ□膜、３は多結晶
シリコン膜、 ３’、３゛は単結晶シリコン膜、 ＩＯはシリコンウェハー、１１はビーム遮蔽マスク、１
２はキャップ層、 Ｗは方形窓、 ＬＢ、 ＥＬ、 ｆｈは加熱ビ
ーム、ＸＬ Ｘ２は方形窓のＸ方向の辺、 Ｙｌ、 Ｙ２は方形窓のＹ方向の辺、 Ｄは基板１とマスク１１との間隙、 Ｃは辺Ｙ１の中心 を示している。 ７Ｆ亮ａｌｌ、＝４．かゐ失あき今ｊｆ示すフ第１図 シリコノウェハー上の走−８、、−ａａ１７Ｘｊｍ第１
７ Ｘｊ
Claims (1)
- 非単結晶性シリコン膜を被着した絶縁性基板上に、１個
のチップ領域を露出させる方形窓を設けたビーム遮蔽マ
スクを間隙を介して配置し、該方形窓のＹ方向の一辺の
中心部から２つの加熱ビームを照射してＸ方向に同時に
走査し、該方形窓のＹ方向の他辺を通り越して前記ビー
ム遮蔽マスク上において走査を逆方向に折り返し、次い
で、Ｘ方向に逆に走査し、かくして、前記２つの加熱ビ
ームをいずれもジグザグに走行させ、前記２つの加熱ビ
ームがお互いに離反してそれぞれ前記方形窓のＸ方向の
両辺に近づくように前記方形窓内を全面走査して、前記
１個のチップ領域の非単結晶性シリコン膜を単結晶性シ
リコン膜に変成する工程が含まれてなることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266989A JPH02192718A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266989A JPH02192718A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192718A true JPH02192718A (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=11811780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1266989A Pending JPH02192718A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02192718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003528461A (ja) * | 2000-03-16 | 2003-09-24 | ザ トラスティース オブ コロンビア ユニバーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 連続運動順次横方向凝固を実現する方法およびシステム |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1266989A patent/JPH02192718A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003528461A (ja) * | 2000-03-16 | 2003-09-24 | ザ トラスティース オブ コロンビア ユニバーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 連続運動順次横方向凝固を実現する方法およびシステム |
| JP5000062B2 (ja) * | 2000-03-16 | 2012-08-15 | ザ トラスティース オブ コロンビア ユニバーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 連続運動順次横方向凝固を実現する方法およびシステム |
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