JPH02184824A - 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタマトリクスの製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
学的・機械的強度の強い低抵抗ゲートパスラインの構造
に関し、 低抵抗層材料としてA2を使用した場合でも、低抵抗層
が化学薬品に侵されることがなく、また、P−CVD法
による成膜を行なってもA2との反応を生じることない
低抵抗ゲートパスラインの構造を提供することを目的と
し、 絶縁性基板上に、ゲート電極を下層側にソース及びドレ
イン電極を上層側に配置してなる複数の逆スタガード型
の薄膜トランジスタをマトリクス配設した構成において
、前記一列に並んだ複数のゲート電極を共通に接続する
ゲートパスラインを、前記絶縁性基板上に形成したスト
ライプ状の低抵抗層と、それを完全に覆う高融点金属膜
との2層構造とした構成とする。
造に係り、特に化学的・機械的強度の強い低抵抗ゲート
パスラインの構造に関する。
示容量が増大してもコントラストや視野角の低下がなく
、ポケットTV等の用途において実用化が始まっており
、更に表示面積の大型化および画質の向上が要求される
に伴って、液晶表示装置の素子数およびパスライン数が
増大し、パスラインの低抵抗化が必要となる。
ゲート電極を形成する際に使用したレジスト膜の残渣等
を完全に除去する必要がある。また、パスラインを低抵
抗化するには、八〇(アルミニウム)のような金属を用
いればよいが、A1は化学的強度が弱く、レジスト剥離
液等に侵されやすいため、これを処理する際に種々の制
約が生じる。更に、Al膜上にプラズマ化学気相成長(
P−CVD)法等による化学成長を行うと、AAと反応
して抵抗が高くなるという問題が生じる。
様々な問題があるが、液晶表示装置を大型化、高画質化
するには、パスラインの低抵抗層としてAlを使用可能
とすることが強く要望されている。
) 〜(f)に示す。なお、同図(a)、 (b)、
(d)、 (e)は同図(c)、 (f)に示すA−A
矢視部所面図である。
金属膜を成膜し〔同図(a)参照〕、これをパターニン
グしてゲート電極GとゲートパスラインGBを形成する
〔同図(ロ)、(C)参照〕。
〔同図(d)参照〕、これをゲートパスラインGB上に
のみ低抵抗層4として残留させ、その他の部分をエツチ
ング除去する〔同図(e)、 (f)参照〕。
トリクスの低抵抗ゲートパスラインを形成しようとする
と、マスクとして用いたレジスト膜の残渣を完全に除去
する為に、レジスト剥離液としてアルカリ溶液あるいは
酸系の溶液を使った場合に、Affiが侵されるという
問題がある。又、絶縁膜をプラズマ化学気相成長(P−
CVD)法により形成する場合に、A2と反応し抵抗が
高くなるという問題がある。
用した場合でも、低抵抗層が化学薬品に侵されることの
ない、また、P−CVD法による成膜を行なっても八〇
との反応を生じることない低抵抗ゲートパスラインの構
造を提供することを目的とする。
)は平面図、(b)は(a)のB−B矢視部断面図であ
る。
続するゲートパスラインCBを、絶縁性基板1上に形成
したストライプ状の低抵抗層と、これを完全に覆う高融
点金属層との2層構造とした。
ため、レジストの剥離工程及びp−cvD法等による成
膜工程で侵されることがなく、表面に露出して上記処理
にさらされる高融点金属は、上記処理で薬品に侵された
り、P−CVD工程で影口を受けることがないので、低
抵抗ゲートパスラインを安定して形成し得る。
その製造方法とともに説明する。なお、同図(a)。
視部の断面図である。
スパッタリング法により成膜する〔同図(a)参照〕。
、低抵抗層10を形成する〔同図(b)、 (C)参照
〕。
例えばTi膜2を50nm程の厚さに成膜する〔同図(
d)参照〕。
ように低抵抗層10の上面および側面を被覆するととも
にゲート電極Gを導出した高融点金属膜11を形成する
〔同図(e)、 (f)参照〕。
を下層とし、これを被覆する高融点金属膜11を上層と
する2層構造のゲートパスラインCBが得られる。更に
、上層の高融点金属膜11はゲートパスライン部のみな
らず、ゲートパスラインから導出されるゲート電極Gを
併せそなえた形状にパターニングする。
CBおよびこれに接続するゲート電極Gが得られる。
ターの製造工程に従って進めてよく、その途中工程で、
レジストの剥離工程における化学薬品処理およびP−C
VD法による成膜工程で、上記低抵抗化したゲートパス
ラインCBは、前述したように侵されることがない。従
って本発明によれば、低抵抗パスラインをそなえたTP
Tを安定して製作できる。
Tiを使用した例を説明したが、これ以外に、Cr、T
a、Ni−Cr、Mo等を使用することができる。
有する薄膜トランジスタマトリクスを、安定且つ容易に
製作できる。
a)〜(f)は本発明の詳細な説明図、第3図(a)〜
(f)は従来のTPTの問題点説明図である。 図において、Iは絶縁性基板(ガラス基板)、2はTi
lり、3はAf膜、10は低抵抗層、11は高融点金属
膜、Gはゲート電極、GBはゲートパスラインを示す。 )Nに=−/ 本発明/l端戊t!V ff、ff ffi第1図 不発呵−り恰例説28ガ C6東めTF丁肉向メp臭討θガ閣
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁性基板(1)上に、ゲート電極(G)を下層側にソ
ース及びドレイン電極を上層側に配置してなる複数の逆
スタガード型の薄膜トランジスタをマトリクス配設した
構成において、 前記一列に並んだ複数のゲート電極(G)を共通に接続
するゲートバスライン(GB)を、前記絶縁性基板(1
)上に形成したストライプ状の低抵抗層(10)と、そ
れを完全に覆う高融点金属膜(11)との2層構造とし
たことを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP427489A JPH07113726B2 (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP427489A JPH07113726B2 (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH02184824A true JPH02184824A (ja) | 1990-07-19 |
JPH07113726B2 JPH07113726B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=11579963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP427489A Expired - Lifetime JPH07113726B2 (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH07113726B2 (ja) |
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