JPH02178955A - 表面実装デバイスのリード成形方法 - Google Patents
表面実装デバイスのリード成形方法Info
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- JPH02178955A JPH02178955A JP33153588A JP33153588A JPH02178955A JP H02178955 A JPH02178955 A JP H02178955A JP 33153588 A JP33153588 A JP 33153588A JP 33153588 A JP33153588 A JP 33153588A JP H02178955 A JPH02178955 A JP H02178955A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 3
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 3
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプリンＩ・配線基板等に実装する表面実装デバ
イスのリードを切断し折り曲げ成形する方法に関する。
イスのリードを切断し折り曲げ成形する方法に関する。
ｒ従来の技術〕
従来、この表面実装デバイス（以下デバイスと言う）の
六面体の絶縁物でなる外郭体よる突出するり一ドを所要
の長さに切断し、折り曲げ加工する方法は、手加工以外
はプレス加工で行なっていた。
六面体の絶縁物でなる外郭体よる突出するり一ドを所要
の長さに切断し、折り曲げ加工する方法は、手加工以外
はプレス加工で行なっていた。
第４図（ａ＞及び（ｂ）は従来のデバイスのリードの成
形方法の一例を説明するための金型の部分断面図である
。まず、第４図（ａ）に示すように、デバイスの外郭体
１を」：型５及び下型４の窪みに挿入し、上型５と下型
４で挟みリード２を保持する。次に、切断ポンチ３を下
降させ、リ−１−２を所要の長さに切断する。
形方法の一例を説明するための金型の部分断面図である
。まず、第４図（ａ）に示すように、デバイスの外郭体
１を」：型５及び下型４の窪みに挿入し、上型５と下型
４で挟みリード２を保持する。次に、切断ポンチ３を下
降させ、リ−１−２を所要の長さに切断する。
次に、第４図（ｂ）に示すように、折り曲げ型を型開き
して、上型８と成形タイマとの窪みにデバイスの外郭体
１を入れる。次に、上型８を下降し、」二型８のパラｌ
〜６と成形タイ７の突起１０とてリード２を挟み固定す
る。次に、成形ポンチ９を下降し、成形ポンチ９の内側
の成形面と突起１０の外側の成形面でリードを折り曲げ
る。これと同時に、成形ボンデ９の先端の平坦部と成形
タイ７の平坦部にり−１−２の先端部が挟まれて折り曲
げ返えされる。
して、上型８と成形タイマとの窪みにデバイスの外郭体
１を入れる。次に、上型８を下降し、」二型８のパラｌ
〜６と成形タイ７の突起１０とてリード２を挟み固定す
る。次に、成形ポンチ９を下降し、成形ポンチ９の内側
の成形面と突起１０の外側の成形面でリードを折り曲げ
る。これと同時に、成形ボンデ９の先端の平坦部と成形
タイ７の平坦部にり−１−２の先端部が挟まれて折り曲
げ返えされる。
この折り曲げ返されたリードの先端部の面は、通常、外
郭体］のプリン１〜配線基板と対向する面と平行になっ
ている。
郭体］のプリン１〜配線基板と対向する面と平行になっ
ている。
第５図はデバイスのリードか成形された状態を示す折り
曲げ型の一部及びデバイスの一部分の断面図、第６図は
り−Ｉ・か成形されたデバイスの斜視図である。通常、
デバイスのり−１・は、その表面をはんたのぬれ性を良
くするために、はんためっきが施されである。従って、
上述した従来の方法でデバイスのり−１・を成形すると
、成形時に、リー１〜と成形ポンチの内側の成形面とあ
るいは成形ダイの突起部］０の成形面とかこすれ、第５
図に示すように、はんだめっきか剥れ、金型にはんた屑
］１が付着することかある。
曲げ型の一部及びデバイスの一部分の断面図、第６図は
り−Ｉ・か成形されたデバイスの斜視図である。通常、
デバイスのり−１・は、その表面をはんたのぬれ性を良
くするために、はんためっきが施されである。従って、
上述した従来の方法でデバイスのり−１・を成形すると
、成形時に、リー１〜と成形ポンチの内側の成形面とあ
るいは成形ダイの突起部］０の成形面とかこすれ、第５
図に示すように、はんだめっきか剥れ、金型にはんた屑
］１が付着することかある。
この付着したはんな屑１］が成形回数を重ねる毎に大き
くなり、ついには、第６図に示すように、デバイスのり
−ト２との間を短絡するように、はんた屑１１かリード
２に付着するという欠点かある。また、このリード成形
中には、成形タイ７に落下した樹脂ぼりゃ異物かり−１
−２のはんだ面に付着し、はんだのぬれ性を悪化させる
という欠点がある。
くなり、ついには、第６図に示すように、デバイスのり
−ト２との間を短絡するように、はんた屑１１かリード
２に付着するという欠点かある。また、このリード成形
中には、成形タイ７に落下した樹脂ぼりゃ異物かり−１
−２のはんだ面に付着し、はんだのぬれ性を悪化させる
という欠点がある。
本発明の目的は、デバイスのリード成形中にはんだ屑か
発生しリードに付着しなり、また、樹脂ぼりゃ異物かリ
ードが付着したりしないデバイスのり−１へ成形方法を
提供することである。
発生しリードに付着しなり、また、樹脂ぼりゃ異物かリ
ードが付着したりしないデバイスのり−１へ成形方法を
提供することである。
本発明の表面実装デバイスのり−１へ成形方法は、絶縁
体からなる六面体の外郭体の側面より突出するり−トを
所定の長さに切断する工程と、切断された前記り−１・
の前記外郭体の付近のリード部分を成形ポンチで押し一
方向に折り曲けるリード折り曲げ工程と、前記リードの
先端部を前記成形ポンチにより平坦な成形タイの面に押
付は折り曲げ返し前記外郭体の前記側面に直交する面に
平行に前記先端部を形成する先端部折り返し工程とを含
む表面実装デバイスのリード成形方法において、前記リ
ード折り曲は工程が成形ポンチが常にリードを垂直に押
しながら曲ける方法であること、及び前記先端部折り返
し工程が前記成形ポンチにより前記リードの先端部を自
転可能な成形ローラの曲面に押し付けて前記リードの先
端部を折り曲げ返す方法であること含んで構成される。
体からなる六面体の外郭体の側面より突出するり−トを
所定の長さに切断する工程と、切断された前記り−１・
の前記外郭体の付近のリード部分を成形ポンチで押し一
方向に折り曲けるリード折り曲げ工程と、前記リードの
先端部を前記成形ポンチにより平坦な成形タイの面に押
付は折り曲げ返し前記外郭体の前記側面に直交する面に
平行に前記先端部を形成する先端部折り返し工程とを含
む表面実装デバイスのリード成形方法において、前記リ
ード折り曲は工程が成形ポンチが常にリードを垂直に押
しながら曲ける方法であること、及び前記先端部折り返
し工程が前記成形ポンチにより前記リードの先端部を自
転可能な成形ローラの曲面に押し付けて前記リードの先
端部を折り曲げ返す方法であること含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例を説明する
ための工程順に示した金型の断面図、第２図は第１図（
ａ＞の金型の部分拡大図である。
ための工程順に示した金型の断面図、第２図は第１図（
ａ＞の金型の部分拡大図である。
このデバイスのり−１・成形方法は、リーＩ−切断する
方法は従来と同しである。
方法は従来と同しである。
その後の工程であるリード成形方法は、まず、所定の長
さのり−）〜に切断されたデバイスを」二型８ａと成形
ダイアａとの窪みに挿入する。次に、上型８ａのパット
６ａと成形タイ７ａの突起１０ａとてリード２を挟み固
定する。次に、成形ポンチ９ａか下降し、リ−１−２に
突き当ると同時に、成形ポンチ９ａの後端に取り付けら
れたカムローラ１３か」二型の突起部の外形に倣い、支
点１０を中心にして、成形ポンチ９ａは回転し得るので
５、その先端は、矢印］７の方向に、円弧を描きなから
下降する。
さのり−）〜に切断されたデバイスを」二型８ａと成形
ダイアａとの窪みに挿入する。次に、上型８ａのパット
６ａと成形タイ７ａの突起１０ａとてリード２を挟み固
定する。次に、成形ポンチ９ａか下降し、リ−１−２に
突き当ると同時に、成形ポンチ９ａの後端に取り付けら
れたカムローラ１３か」二型の突起部の外形に倣い、支
点１０を中心にして、成形ポンチ９ａは回転し得るので
５、その先端は、矢印］７の方向に、円弧を描きなから
下降する。
このリード成形模様を、第２図により説明すると、まず
、この成形ポンチ９ａの下降に伴ない成形ポンチ９ａが
、まず、リード２のＡを示す位置で突き当り、リードを
曲げ始める。次に、成形ポンチ９ａが矢印１７の示ずよ
うな円弧を描きながら下降すると、リード２はその先端
か成形ローラ］５のＤ点に接触するまで折り曲けられる
。
、この成形ポンチ９ａの下降に伴ない成形ポンチ９ａが
、まず、リード２のＡを示す位置で突き当り、リードを
曲げ始める。次に、成形ポンチ９ａが矢印１７の示ずよ
うな円弧を描きながら下降すると、リード２はその先端
か成形ローラ］５のＤ点に接触するまで折り曲けられる
。
次に、成形ポンチ９ａか更に下降し、リ−１−２は点Ｂ
の所から折り曲げ返され始める。一方、成形ローラは自
由に回転し得るのて、成形ローラ１５は、リード２の先
端部との接触点りから矢印２１の方向にり−１・２と辷
りを生ずることなく回転する。次に、成形ポンチ９ａが
最下点Ｃに至ると、リード２の折り曲げ返しを完了して
、リード２と成形ローラ１５の接触点は、成形ローラ１
５の自転によりＤからＥに移動する。
の所から折り曲げ返され始める。一方、成形ローラは自
由に回転し得るのて、成形ローラ１５は、リード２の先
端部との接触点りから矢印２１の方向にり−１・２と辷
りを生ずることなく回転する。次に、成形ポンチ９ａが
最下点Ｃに至ると、リード２の折り曲げ返しを完了して
、リード２と成形ローラ１５の接触点は、成形ローラ１
５の自転によりＤからＥに移動する。
このように、リ−）・２を折り曲げるときに、成形ボン
デ９ａのり−１・２面に突き当る方向が常に垂直になる
ように、矢印］７の方向でリード２の折り曲は中心１８
を中心にして成形ポンチ９ａかＡ、Ｂ及びＣを結ぶ円弧
を描くように下降すること、また、成形タイ７ａ側に自
由に回転する成形ローラを設け、この成形ローラ］−５
と接触するり・−１・２との間に辷りが起きないように
したことにより、リ−１へ２を成形時に金型どリードと
の間にこすり合ってめっきを剥ずことがなくなった。
デ９ａのり−１・２面に突き当る方向が常に垂直になる
ように、矢印］７の方向でリード２の折り曲は中心１８
を中心にして成形ポンチ９ａかＡ、Ｂ及びＣを結ぶ円弧
を描くように下降すること、また、成形タイ７ａ側に自
由に回転する成形ローラを設け、この成形ローラ］−５
と接触するり・−１・２との間に辷りが起きないように
したことにより、リ−１へ２を成形時に金型どリードと
の間にこすり合ってめっきを剥ずことがなくなった。
また、成形ダイアａと成形ローラ１５との間に、例えば
、０．２〜Ｏ，！５ｍｒｎ程度の隙間を設ければ、リー
ド成形時に剥離した樹脂ぼりゃ異物］９はこの隙間を通
し、成形ローラ１５の回転に伴い金型外に排出される。
、０．２〜Ｏ，！５ｍｒｎ程度の隙間を設ければ、リー
ド成形時に剥離した樹脂ぼりゃ異物］９はこの隙間を通
し、成形ローラ１５の回転に伴い金型外に排出される。
ここで、デバイスのり−１・が所定の寸法に成形されて
いないときには、必要に応じて、第１図（ｂ）に示すよ
うに、成形型の窪みに、リー１〜が折り曲けられたデバ
イスを挿入し、」二型８を下降し、リード２を挟み固定
し、成形ボンデ９を下降さぜ、リード２を所定の寸法に
なるように修正成形する。
いないときには、必要に応じて、第１図（ｂ）に示すよ
うに、成形型の窪みに、リー１〜が折り曲けられたデバ
イスを挿入し、」二型８を下降し、リード２を挟み固定
し、成形ボンデ９を下降さぜ、リード２を所定の寸法に
なるように修正成形する。
第３図は本発明の他の実施例を示す金型の断面図である
。また、前述の実施例で使用した金型とは別に、第３図
に示す金型ても、同様に、リ−１への成形が出来る。
。また、前述の実施例で使用した金型とは別に、第３図
に示す金型ても、同様に、リ−１への成形が出来る。
すなわち、この金型は、前述のカムローラの代りに板カ
ム２０を成形ポンチ９ｂの側面に設け、成形ポンチ９ｂ
の側面に板カム２０に対応する輪郭に形成することによ
って、この成形ポンチ９１）の下降につれて、成形ポン
チ９１）を矢印１７に示ず方向で、前述の実施例と同様
にリードの折り曲（ヂ中心点を中心にして円弧を描くよ
うに下降させ、リードを成形する。それ以外は、前述の
実施例と同しである。
ム２０を成形ポンチ９ｂの側面に設け、成形ポンチ９ｂ
の側面に板カム２０に対応する輪郭に形成することによ
って、この成形ポンチ９１）の下降につれて、成形ポン
チ９１）を矢印１７に示ず方向で、前述の実施例と同様
にリードの折り曲（ヂ中心点を中心にして円弧を描くよ
うに下降させ、リードを成形する。それ以外は、前述の
実施例と同しである。
以上説明したように本発明は、リードを折り曲げるとき
に、成形ポンチの先端が常に垂直に当るように成形ボン
デの下降に伴ないリードの折り曲げ点を中心にして円弧
を描くように動かし、更に、リー１への先端を折り曲げ
返す自転可能な成形ローラを設けて、リードを成形する
ので、リードと金型との間で、辷りが起きることはない
。この辷りが起きないことは、リードのけんためつきを
剥すことがなく、また、発生ずる樹脂はりゃ屑は成形ロ
ーラの自転により金型外に排出される。
に、成形ポンチの先端が常に垂直に当るように成形ボン
デの下降に伴ないリードの折り曲げ点を中心にして円弧
を描くように動かし、更に、リー１への先端を折り曲げ
返す自転可能な成形ローラを設けて、リードを成形する
ので、リードと金型との間で、辷りが起きることはない
。この辷りが起きないことは、リードのけんためつきを
剥すことがなく、また、発生ずる樹脂はりゃ屑は成形ロ
ーラの自転により金型外に排出される。
従って、デバイスのリード成形中にはんだ屑が発生しり
−１へに付着したり、また、樹脂ぼりゃ異物がリードか
付着しなりしないデバイスのリード成形方法か得られる
という効果かある。
−１へに付着したり、また、樹脂ぼりゃ異物がリードか
付着しなりしないデバイスのリード成形方法か得られる
という効果かある。
第１図（ａ）及び（１））は本発明の一実施例を説明す
るための工程順に示した金型の断面図、第２図は第１図
（ａ＞の金型の部分拡大図、第３図は本発明の他の実施
例を示す金型の断面図、第４図（ａ）及び（１））は従
来のデバイスのり−１・の成形方法の一例を説明するた
めの金型の部分断面図、第５図はデバイスのリードか成
形された状態を示す折り曲げ型の一部及びデバイスの一
部分の断面図、第６図はリードが成形されたデバイスの
斜視図である。 １・・・外郭体、２・・リード、３・・・切断ポンチ、
４・・下型、５・・・」二型、６．６ａ・・パラ１−１
７．７ａ・・成形グイ、８．８ａ、８１）・・・」二型
、９．９ａ、９ ｂ−成形ポンチ、１０．１０ ａ−突
起、］］はんだ屑、１２・突起部、１Ｂ カムローラ、
１４・支点、１５・・成形ローラ、１６．１７．２１・
・矢印、］８・折り曲げ中心、１つ・異物、２０板カム
。
るための工程順に示した金型の断面図、第２図は第１図
（ａ＞の金型の部分拡大図、第３図は本発明の他の実施
例を示す金型の断面図、第４図（ａ）及び（１））は従
来のデバイスのり−１・の成形方法の一例を説明するた
めの金型の部分断面図、第５図はデバイスのリードか成
形された状態を示す折り曲げ型の一部及びデバイスの一
部分の断面図、第６図はリードが成形されたデバイスの
斜視図である。 １・・・外郭体、２・・リード、３・・・切断ポンチ、
４・・下型、５・・・」二型、６．６ａ・・パラ１−１
７．７ａ・・成形グイ、８．８ａ、８１）・・・」二型
、９．９ａ、９ ｂ−成形ポンチ、１０．１０ ａ−突
起、］］はんだ屑、１２・突起部、１Ｂ カムローラ、
１４・支点、１５・・成形ローラ、１６．１７．２１・
・矢印、］８・折り曲げ中心、１つ・異物、２０板カム
。
Claims (1)
- 絶縁体からなる六面体の外郭体の側面より突出するリー
ドを所定の長さに切断する工程と、切断された前記リー
ドの前記外郭体の付近のリード部分を成形ポンチで押し
一方向に折り曲げるリード折り曲げ工程と、前記リード
の先端部を前記成形ポンチにより平坦な成形ダイの面に
押付け折り曲げ返し前記外郭体の前記側面に直交する面
に平行に前記先端部を形成する先端部折り返し工程とを
含む表面実装デバイスのリード成形方法において、前記
リード折り曲げ工程が成形ポンチが常にリードを垂直に
押しながら曲げる方法であること、及び前記先端部折り
返し工程が前記成形ポンチにより前記リードの先端部を
自転可能な成形ローラの曲面に押し付けて前記リードの
先端部を折り曲げ返す方法であることを特徴とする表面
実装デバイスのリード成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33153588A JPH0682772B2 (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 表面実装デバイスのリード成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33153588A JPH0682772B2 (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 表面実装デバイスのリード成形方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178955A true JPH02178955A (ja) | 1990-07-11 |
| JPH0682772B2 JPH0682772B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=18244746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33153588A Expired - Lifetime JPH0682772B2 (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 表面実装デバイスのリード成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682772B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0468362U (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-17 | ||
| JPH04186870A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JPH07161892A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Nec Corp | リード成形装置およびその成形方法 |
| US20130341779A1 (en) * | 2012-06-25 | 2013-12-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230173971A (ko) * | 2022-06-20 | 2023-12-27 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 이차 전지의 제조 장치 및 이차 전지의 제조 방법 |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP33153588A patent/JPH0682772B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0468362U (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-17 | ||
| JPH04186870A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JPH07161892A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Nec Corp | リード成形装置およびその成形方法 |
| US20130341779A1 (en) * | 2012-06-25 | 2013-12-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
| US8859338B2 (en) * | 2012-06-25 | 2014-10-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682772B2 (ja) | 1994-10-19 |
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