JPH02178919A - シリコン基板への不純物拡散方法 - Google Patents
シリコン基板への不純物拡散方法Info
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- JPH02178919A JPH02178919A JP33333988A JP33333988A JPH02178919A JP H02178919 A JPH02178919 A JP H02178919A JP 33333988 A JP33333988 A JP 33333988A JP 33333988 A JP33333988 A JP 33333988A JP H02178919 A JPH02178919 A JP H02178919A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、シリコン基板への不純物拡散方法に関し、特
に封管拡散方法によって多量に拡散処理を施すのに適し
たシリコン基板の表面処理方法に関する。
に封管拡散方法によって多量に拡散処理を施すのに適し
たシリコン基板の表面処理方法に関する。
従来の技術
封管拡散法は、第３図に示すように、拡散不純物１とシ
リコン基板２とを石英管３内に真空封入し、熱処理をす
ることにより、シリコン基板に不純物を拡散さぜる方法
であり、拡散パラメータ（拡散深さ、表面抵抗など）の
ばらつきが、シリコン基板内およびシリコン基板間で少
ない優れた拡散方法である。
リコン基板２とを石英管３内に真空封入し、熱処理をす
ることにより、シリコン基板に不純物を拡散さぜる方法
であり、拡散パラメータ（拡散深さ、表面抵抗など）の
ばらつきが、シリコン基板内およびシリコン基板間で少
ない優れた拡散方法である。
しかしながら、この封管拡散方法は、石英治具４の上に
シリコン基板を並べて設置するため、多量拡散処理に適
さず１回の処理で１００枚が限度であった。また、大口
径シリコン基板の拡散処理法に不適であった。したがっ
て、１基板当りの拡散処理費用を高くしていた。
シリコン基板を並べて設置するため、多量拡散処理に適
さず１回の処理で１００枚が限度であった。また、大口
径シリコン基板の拡散処理法に不適であった。したがっ
て、１基板当りの拡散処理費用を高くしていた。
発明が解決しようとする課題
そのために、従来法ではシリコン基板間にすきまを設け
ていたが、そのすきまをなくしシリコン基板を接触させ
て熱処理しようとした。
ていたが、そのすきまをなくしシリコン基板を接触させ
て熱処理しようとした。
しかしながら、この方法ではシリコン基板同志が部分的
に融着し、融着部をはがす際に基板を破壊させたり、ま
た、融着した領域の拡散深さは融着しない領域の値に比
べて著しく低いなどの問題点が発生した。そのため製造
歩留を低下させ、所期の目的を達成することができなか
った。
に融着し、融着部をはがす際に基板を破壊させたり、ま
た、融着した領域の拡散深さは融着しない領域の値に比
べて著しく低いなどの問題点が発生した。そのため製造
歩留を低下させ、所期の目的を達成することができなか
った。
本発明は、このような欠点を排除するための方法を提供
するもので、特に、１回の拡散処理での処理数を増やし
、１基板当りの拡散処理費用を安価にしようとする方法
を提供する。
するもので、特に、１回の拡散処理での処理数を増やし
、１基板当りの拡散処理費用を安価にしようとする方法
を提供する。
課題を解決するための手段
本発明は、この問題点を解決する方法を提供するもので
、シリコン基板の片面を鏡面研磨面とし、他面は３００
メツシュから８００メツシュの研磨粉を用いて研磨した
のち、さらに約３ｏ重量％の苛性ソーダもしくは苛性ノ
ノリ溶液て腐食さぜた面とし、これを用いて拡散処理す
るものである。
、シリコン基板の片面を鏡面研磨面とし、他面は３００
メツシュから８００メツシュの研磨粉を用いて研磨した
のち、さらに約３ｏ重量％の苛性ソーダもしくは苛性ノ
ノリ溶液て腐食さぜた面とし、これを用いて拡散処理す
るものである。
作用
本発明によると、シリコン基板の鏡面研磨面と他のシリ
コン基板の粗面を接触させながら、石英封管内に配列さ
せることで、第１図の拡散処理あたりの処理数を約４０
０枚まで増やすことを可能とした。シリコン基板の粗面
としては、３００メツシュ以下の粗い研磨粉を用いると
研磨工程ての歩留が低下し、また８００メツシュ以上の
研磨粉を用いると、シリコン基板の研磨面は、部分的に
鏡面となり、拡散処理によって発生率は低いが、前述の
融着や拡散パラメータのばらつきを発生ずる。また３０
０〜８００メツシュの研磨粉を用いて研磨した状態では
、研磨面は有害不純物が付着していることや粗面度とし
て充分てはないことから、苛性ソーダもしくは苛性カリ
溶液で腐食し、洗浄と粗面化の促進を行っている。腐食
量としては、５μｍが適当である。
コン基板の粗面を接触させながら、石英封管内に配列さ
せることで、第１図の拡散処理あたりの処理数を約４０
０枚まで増やすことを可能とした。シリコン基板の粗面
としては、３００メツシュ以下の粗い研磨粉を用いると
研磨工程ての歩留が低下し、また８００メツシュ以上の
研磨粉を用いると、シリコン基板の研磨面は、部分的に
鏡面となり、拡散処理によって発生率は低いが、前述の
融着や拡散パラメータのばらつきを発生ずる。また３０
０〜８００メツシュの研磨粉を用いて研磨した状態では
、研磨面は有害不純物が付着していることや粗面度とし
て充分てはないことから、苛性ソーダもしくは苛性カリ
溶液で腐食し、洗浄と粗面化の促進を行っている。腐食
量としては、５μｍが適当である。
実施例
直系４インチのｎ型５０Ωｃｍのシリコン基板の圃面を
５００メツシュの研磨粉て研摩したのち、８００Ｃの２
０重量％の苛性ソーダ溶液中に２０分処理した。その後
、シリコン基板の片面を順次］２００メツシュ、３００
メツシュ、鏡面研磨し厚み２００ｕｎのシリコン基板と
した。この基板４００枚を第１図に示すように配置した
。なお、不純物源としては、ボロンを１０＋９０ｍ”添
加したシリコン粉末１５ｇを用いた。封管時の真空度は
３ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒである。しかるのち、石英封
管を１２００℃て１０時間保持し、基板中にボロンを拡
散さぜた。第２図に基板当り３ケ所のシート抵抗を測定
したデータを示す。従来法（１回の拡散で１００枚処理
）と比へて、シート抵抗のばらつきは同一であった。す
なわち、拡散パラメータのばらつきを同しままで、処理
数を４倍にすることができたわけである。
５００メツシュの研磨粉て研摩したのち、８００Ｃの２
０重量％の苛性ソーダ溶液中に２０分処理した。その後
、シリコン基板の片面を順次］２００メツシュ、３００
メツシュ、鏡面研磨し厚み２００ｕｎのシリコン基板と
した。この基板４００枚を第１図に示すように配置した
。なお、不純物源としては、ボロンを１０＋９０ｍ”添
加したシリコン粉末１５ｇを用いた。封管時の真空度は
３ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒである。しかるのち、石英封
管を１２００℃て１０時間保持し、基板中にボロンを拡
散さぜた。第２図に基板当り３ケ所のシート抵抗を測定
したデータを示す。従来法（１回の拡散で１００枚処理
）と比へて、シート抵抗のばらつきは同一であった。す
なわち、拡散パラメータのばらつきを同しままで、処理
数を４倍にすることができたわけである。
発明の効果
本発明によれば、シリコン基板の裏面を３００〜８００
メツシュの研磨粉て研磨処理し、ついで苛性ソーダもし
くは苛性カリで腐食させる工程によって封管内での処理
基板量を格段に増加させることが可能である。
メツシュの研磨粉て研磨処理し、ついで苛性ソーダもし
くは苛性カリで腐食させる工程によって封管内での処理
基板量を格段に増加させることが可能である。
第１図は本発明によって多量処理（４００枚／１封管）
を実現した石英封管内の配置図、第２図は本発明法によ
るシート抵抗の分布を従来法と対比して示す特性図、第
３図は従来法の封管拡散法を示す石英封管内の配置図で
ある。 １・・・・・・拡散不純物源、２・・・・・・シリコン
基板、３・・・・・・石英管。
を実現した石英封管内の配置図、第２図は本発明法によ
るシート抵抗の分布を従来法と対比して示す特性図、第
３図は従来法の封管拡散法を示す石英封管内の配置図で
ある。 １・・・・・・拡散不純物源、２・・・・・・シリコン
基板、３・・・・・・石英管。
Claims (1)
- シリコン基板に封管拡散法で不純物を拡散させるに際し
、シリコン基板として片面を鏡面研磨面で、他面を３０
０メッシュから８００メッシュの研磨粉を用いて研磨加
工したのち、苛性ソーダもしくは苛性カリ溶液で腐食さ
せて得た粗面を用いることを特徴としたシリコン基板へ
の不純物拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33333988A JPH02178919A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | シリコン基板への不純物拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33333988A JPH02178919A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | シリコン基板への不純物拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178919A true JPH02178919A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=18265007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33333988A Pending JPH02178919A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | シリコン基板への不純物拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02178919A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0674343A2 (en) * | 1994-03-25 | 1995-09-27 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for storing silicon wafers |
| EP1742256A1 (en) * | 2004-04-02 | 2007-01-10 | Sumco Corporation | Alkaline etchant for controlling surface roughness of semiconductor wafer |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP33333988A patent/JPH02178919A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0674343A2 (en) * | 1994-03-25 | 1995-09-27 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for storing silicon wafers |
| EP0674343A3 (en) * | 1994-03-25 | 1997-07-02 | Shinetsu Handotai Kk | Process for storing silicon wafers. |
| EP1742256A1 (en) * | 2004-04-02 | 2007-01-10 | Sumco Corporation | Alkaline etchant for controlling surface roughness of semiconductor wafer |
| EP1742256A4 (en) * | 2004-04-02 | 2007-06-06 | Sumco Corp | ALKALIATOR FOR CONTROLLING THE SURFACE WEIGHT OF A SEMICONDUCTOR WAFERS |
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